JPH02170891A - 横に並んだ移動床を有する数個の反応帯域における接触リフォーミング方法 - Google Patents

横に並んだ移動床を有する数個の反応帯域における接触リフォーミング方法

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JPH02170891A
JPH02170891A JP1281608A JP28160889A JPH02170891A JP H02170891 A JPH02170891 A JP H02170891A JP 1281608 A JP1281608 A JP 1281608A JP 28160889 A JP28160889 A JP 28160889A JP H02170891 A JPH02170891 A JP H02170891A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、触媒の存在下において、温度480〜B00
℃での炭化水素の連続転換方法であって、炭化水素から
なる当初仕込原料および水素を、移動床型の少なくとも
2つの反応帯域を通って流通させ;触媒は、反応帯域の
上から下へ連続的に流れて移動床形態で反応帯域を通っ
て流通し;ついで触媒は反応帯域の下部から連続的に抜
出され、かつ再生帯域に送られ;ついで再生触媒は反応
帯域とは異なる、水素処理帯域へ送られ、ここで触媒は
一般に反応温度よりも低い温度で処理され、ついで触媒
は水素処理を受けた後、水素処理帯域とは異なり、かつ
反応帯域とも異なる硫化帯域に連続的に送られ、触媒は
硫黄化合物による処理を受けた後、連続的に反応帯域の
方へ流れる方法に関する。
より詳しくは本発明は、炭化水素の水素化リフォーミン
グ方法に関する。仕込原料は、例えば約り0℃〜約22
0℃で留出するナフサ、特に直留ナフサであってもよい
。本発明はまた、不飽和または不飽和でないガソリン(
例えば熱分解、クラブキング(分解)、特にスチームク
ラブキング(水蒸気分解)、または接触リフオーミング
のガソリン)から、あるいはさらには脱水素化によって
芳香族炭化水素に転換しうるナフテン族炭化水素からの
、芳香族炭化水素の製造、例えばベンゼン、トルエンお
よびキシレン(オルト、メタまたはバラ)の製造にも関
する。
[従来の技術] 仕込原料は、各反応器または反応帯域内を、軸流または
半径流(すなわち中心から周辺へ、または周辺から中心
へ)によって連続的に流通する。反応帯域は直列に横に
並んで配置され、従って仕込原料は、反応帯域間での仕
込原料の中間加熱を伴ないながら、これらの反応帯域の
各々を通って連続的に流れる。新品の触媒は第一反応帯
域の上部に導入され、ここに新品の仕込原料が導入され
る。触媒は次にこの帯域の上から下へ連続的に流れ、こ
こから触媒は連続的に下部を経て抜出され、あらゆる適
切な手段によって(特にリフト)、これは次の反応帯域
の上部に送られ、ここでこれはまた上から下へ連続的に
流れ、最後の反応帯域まで以下同様にされ、この最後の
反応帯域の下部から、触媒はまた連続的に抜出され、つ
いで再生帯域へ送られる。
反応帯域の下部から別の反応帯域の上部まで、最後の反
応帯域の下部から再生帯域まで、および再生帯域の下部
から最初の反応帯域の上部までの触媒の流通は、既知の
あらゆる上昇装置を用いて実施される。この装置はこの
明細書および特許請求の範囲の以下の記載において、「
リフト」という名称で示すものとする。
反応帯域から反応帯域へ、および再生帯域へ移動する固
体は、例えば粒子状触媒であってもよい。この触媒は、
例えば一般に直径1〜3yams好ましくは1.5〜2
相の球状形態であってもよい。但しこれらの値は限定的
なものではない。
触媒の嵩密度(densHe en vrac )は、
一般に0.4〜1、好ましくは0.5〜0,9、より詳
しくは0.55〜0.8であるが、これらの値は限定的
なものではない。
いわゆる触媒の再生に関しては、あらゆる既知の手段に
よって実施されてもよい。好ましくは触媒は: a)分子状酸素を含むガスによる燃焼に付され;b)分
子状酸素を含むガスによる、および同時にハロゲンまた
はハロゲン化化合物、例えばハロゲン化水素酸またはハ
ロゲン化アルキルによるオキシ塩素化に付され; C)分子状酸素を含むガスによる最終処理に付される。
これら3つの処理は、固定床の単一帯域、あるいは移動
床閉鎖容器で連続的に実施される。
触媒は、各々3つの再生工程が実施される3つの異なる
帯域内を連続的に進む。
再生の後には例えば窒素によるパージが続き、触媒から
残留気体酸素のあらゆる痕跡を除去する。
本出願人の米国特許[84,172,027には、この
ような方法の複数の側面が記載されている。特にこの特
許出願の第1図は、υS4,172.027に記載され
た従来技術に対応し、かつそれによってもたらされる多
くの利点に関して常に今日的な意味のある技術に対応し
ている。
先行技術を例証するために挙げられた第1図において、
リフトガスとして、装置に由来する精製水素を使用する
。この精製水素は、装置に由来し、かつプレート塔にお
いて改質物の流出液で洗浄するという比較的簡単な精製
を受けたものである(この水素を本明細書全体を通して
「装置由来の精製水素」とよぶ)。そして装置由来の精
製水素は、lO容量%まで、またはより好ましくは4%
までの様々な軽質炭化水素、例えばエタンおよびプロパ
ンを含んでいてもよい。
メタンは不純物としては考えられず、しかもこれは水素
と同じ容積量までであることに留意すべきである。この
ことは、この限定された場合に、いわゆる精製水素流が
、50容量%のメタンを含むであろうことを意味してい
る。
従って装置由来の精製水素は、その他の水素源が欠けて
いる時暫定的にそのままりフトガスとしてだけではなく
、単純精製後、再生触媒の水素処理のために、リフオー
ミング(改質)または芳呑族炭化水素の製造反応の間ず
っと水素源として、および再生帯域が第一反応器の側に
位置する時、再生されかつ水素処理された触媒の第一反
応器の上への再上昇に必要なリフトの駆動流体(1’1
ulde 5oteur )としても使用されうる。
第1図においては、3つの反応器を用いる。
仕込原料は導管(1)、炉(2)、管路(3)を経て第
一反応器(29)に導入される。第一反応器の流出物は
、導管(30)を経て抜出され、炉(37)および導管
(38)を通って第二反応器(42)に送られる。
第二反応器の流出物は、導管(43)から抜出され、炉
(50)および導管(51)を通って第三反応器(55
)へ送られる。第三反応器の流出物は、導管(5G)を
経て抜出される。新品の触媒は、装置の始動の際、第1
図では導管(4)から導入される。再生器(10)から
来る触媒は、導管(27) (2B)を経て第一反応器
(29)に入り、ここで触媒は移動床の形態で進行する
。触媒は、反応器(29)から、複数の導管、例えば(
31)(32)を経て、および導管(33)を経て抜出
され、この導管を経て触媒はリフトポット(34)に到
着する。この抜出しは連続的に実施され(バルブ装置は
不可欠なものではない)、触媒の流m調節は、帯域(3
4)のレベルでは示されていない導管から注入される水
素(純粋水素または装置由来の精製水素)によって、適
切な従来の調節によって確保される。
装置の十分なガス流は、反応流出物の一部の触媒粒子と
のエントレインメントを妨げるために送られる。ついで
触媒は、リフトポット(34)から、第二反応器(42
)の方へ、あらゆる既知の上昇装置によってエントレイ
ンされる。この上昇装置は、この明細書では「リフト」
という語で示す。リフト流体は、有利には上で説明され
たように再循環水素または装置由来の精製水素であり、
導管(35)から導入される。このようにしてリフト(
3B)中にエントレインされた触媒は、受入容器(39
)に到着し、ここから複数の導管、例えば(40)(4
1)を経て、第二反応器(42)に達する。(受入容器
(39)および導管(4G) (41)は、場合によっ
ては反応器(42)の不可欠な一部であってもよい。す
なわち反応器自体の内部に備えられていてもよい)。触
媒は反応rA(42)を移動床形態で通過し、この反応
器から連続的に、第一反応器(29)の場合のように、
複数の導管例えば(44) (45)を経て抜出され、
導管(4B)を経てリフトポット(47)に到着する。
例えば導管(4B)から再帖環水素が供給されるリフト
(49)を経て、触媒は受入容器(52)に到着し、こ
こから複数の導管、例えば(53) (54)を経て、
移動床第三反応器(55)に達する。触媒は第三反応器
(55)から連続的に、第一および第二反応器(29)
 (42)の場合にように、複数の導管(57)(58
)から抜出される。この使用済み触媒は、導管(59)
を経てリフトポット(60)に到着する。ついでこの使
用済み触媒は、例えば再循環水素が供給されるリフト(
6)によって「アキュミュレータ・デカンタ」容器(7
)へ送られる。この水素は、導管(61)を経てリフト
ポット(60)に導入されるものである。使用済み触媒
は、バルブ装置(8)(一般に工業的には約lO〜15
(至)程度の2つのバルブがある)および導管(21)
(9)を通って再生器(10)に到着する。触媒の再生
およびパージが帯域(10)で実施された後、触媒は導
管(11)(13)およびバルブ装置(12) (一般
に工業的には約10〜15cm程度の2つのバルブがあ
る)を経て、閉鎖容器(15)の上部に到着する。この
閉鎖容器に、炉(5)での加熱を伴なって、導管(14
)を経て装置由来の精製水素が導入される。触媒は移動
床形態で、閉鎖容器(15)の下部または帯域(2B)
の方へ進行する。この帯域(2B)で、導管(14)を
経て導入された水素によって、再生触媒の水素処理が実
施される。触媒は帯域(2G)内を、移動床形態で進行
する。
第1図において、再生されかつ水素処理された触媒は、
連続的に閉鎖容器(15)から導管(1B)を経て抜出
され、リフトポット(17)に到着する。
ここから触媒は、導管(18)からリフト(19)に導
入された、装置由来の精製水素によって、受入容器(2
0)の方へ連続的にエントレインされる。
これは第1図では第一反応器(29)の上に位置する。
この受入容器(20)から、触媒はついで連続的に移動
床の形態で、複数の導管または「脚」例えば(27)(
2B)を通って第一反応器(29)の方へ流れる。再生
触媒の水素化後に行なわれる硫化は、一部はリフトポッ
ト(17)で、一部はリフト(19)で、場合によって
は同様に一部容器(20)および脚(27) (28)
で実施される。硫黄化合物および場合によっては硫黄化
合物の輸送ガスとして用いられる水素(好ましくは装置
由来の精製水素)は、導管(24)を経てリフトポット
(17)に導入される。
閉鎖容器(15)、リフトポット(17)および(20
)、リフト(19)およびこの触媒の輸送管内の触媒の
進行は、水素処理温度および硫化温度の良好な調節を確
実に行なうため、および触媒が急激な温度変化を受ける
のを防ぐために連続的に実施される。
水素処理の間の過剰水素は、開放(desengage
aenL )管(22)から除去されてもよい。
しかしながらこのような図式は、リフトガス(低い位置
から高い位置へ、例えば反応器の下部から次の反応器の
上部へ、最後の反応器の下部から再生器の上部へ、およ
び再生器の下部から第一反応器の上部への触媒粒子の上
昇に用いられるガス)としての水素の使用によるいくつ
かの不都合を示す。水素の使用の不都合は、本質的に一
方で再生器(10)の上流、他方でその下流で現われる
。実際に、この再生器はあらゆる水素の痕跡がないもの
でなければならない。従って、再生器(lO)の上流で
、最後の反応器(55)から来る触媒を再生器の方へ運
ぶために用いられたリフト(6)の水素を除去しかつ十
分にパージするのがよい。同様に、再生器の下流で、第
一反応器内で再生された触媒をリフトによってエントレ
インするために、水素流を再構成するのもよい。あらゆ
る水素の存在から再生を守るこれらの装置には、実際に
、バルブ例えば図面ではバルブ(8)(8a) (12
)および(12a)が必要である。これらは、再生!(
10)の近くの水素圧によって、実際にかなり大きい(
4ブース(pouce )  (10,16cIl)程
度であるが、今日ではむしろ6プース、すなわち15.
27 amになる傾向がある)。第1図では、単純化の
ために、2つのバルブ(8) (8a)および2つのバ
ルブ(12)および(12a)を示したが、現実には再
生器(10)の上流には、4または6ブースの5または
6個のバルブ、再生器(10)の下流に同数のものがあ
る。ところでこのようなバルブは、常に製造および安全
性についての特別な問題を伴なった。本発明の対象によ
って、再生器の近くでの水素の使用を避けることができ
る。本発明による方法および装置において、一方で、仕
込原料が通過する最後の反応器から再生器まで使用済み
触媒を運ぶリフトにおいて水素は窒素(またはその他の
あらゆる不活性ガス)に代えられ、他方で、再生器から
仕込原料が通過する第一反応器まで再生触媒を運ぶリフ
トにおいて、同様に水素は窒素(またはその他のあらゆ
る不活性ガス)に代えられる。これに対して、本発明に
よれば本出願人による特許US4,133,733.4
,210.519および4.233.2Hに教示されて
いるように、接触リフォーミング装置のその他のリフト
において水素を用いることが大事である。これらの特許
において、リフト内の運搬ガスとしての不活性ガスに対
する水素の有利さが説明されている。本発明による方法
および装置によって、特に再生器(10)の上流および
再生器(10)の下流において、4または6ブースのバ
ルブの数を減少させることができるようにする。この技
術は、費用のかかる製造および大きな直径のあまりに数
が多すぎるバルブの操作を省いている。
再生の終了時に、酸素のあらゆる痕跡を除去するため、
再生器を窒素(またはその他の不活性ガス)でパージす
る。従ってこの時から、再生触媒の第一反応器の方への
リフト上昇を行なうために不活性ガス雰囲気下に置かれ
る。一方従来技術では、再生器のパージ後、水素を再導
入する必要があった。すなわちここでは省かれる補足操
作を実施する必要があった。
本発明によれば、再生器(lO)の両側の2つの緩衝容
器すなわち第1図でアキュミュレータ・デカンタ容器と
称された緩衝容器(7)と閉鎖容器(15)は、(第1
図では水素下に置かれたが、その代わりに)第2図では
窒素下に置かれている。
水素−窒索の気密性(従って安全性)は、(約4または
6ブース(10,18amまたは15.27国)または
それ以上の代わりに)、例えば2ブ一ス程度(すなわち
5.08cm)の小さい断面積の管路上で作り出され、
従ってはるかに実施が容易である。
正常運転での水素−窒素の分離は、圧力をせきとめるこ
と(barrages)によってなされる(正しい方向
、すなわち水素が流通する管路における圧力より高い、
窒素が流通する管路の側の圧力(超過圧)を生じる方向
におけるデルタP)。
これらすべては、一方で緩衝容器(7)および閉鎖容器
(15)と、他方で再生器(lO)との間のこれらの輸
送管の面から、かなりの簡略化をもたらす。
この事実によって、装置には、前記のように4または6
ブースのより少数のバルブしか要しないのに、必要とさ
れる同じ安全基準を通常どおりまもることができる。
下記に示したものによって、本発明をよりよく理解する
ことができるであろう。本発明は第2および3図によっ
て例証されるが、これらの図面には単純化のために、仕
込原料の進路も、第一反応器と最後の反応器以外の反応
器も示さず、第一反応器への新品触媒の導入管も示さな
かった。
第2図において、さらに水素下のサイクルと窒素下のサ
イクルとの間に転換装置を伴なって、第1図の本質的特
徴が示されている。これらの装置はまず最後の反応器(
55)の下方に、装置(89)(70)(71)として
示され、これらにより、例えば2ブース(5,08cm
>の2つのバルブ(82) ((i2a)(容易に製造
されるバルブ)を配置して、水素下の触媒を窒素上媒質
のドラム缶(80)内に通過することがが可能になる。
装置(73)(74)は、容器またはドラム缶(6Qa
)からの、窒素が供給されるリフト(6)の運転を例証
している。再生を終えると、触媒は(装置(7g) (
80) (79)によって窒素が供給される)リフト(
19)によって、容器(B8)へ運ばれる。管路(66
) (67)、および管路(75)および制御手段(7
7) (7B)よりの窒素の除去後、水素下に触媒を再
び送ることができる(炉(64)によって予備加熱され
た水素の到着管(85))配列(65) (84)を示
した。
ここで触媒は、わずか約2ブースの2つのバルブ(66
) (87)を通って流通する。
第2図において、導管(82)、分離器(81)、およ
び管路(83)およびバルブ(84) (圧力制御装置
(85)も)を経る、リフト(6)の上部における細か
い触媒粒子の除去が示されている。(帯域(81a)に
おける細かい触媒粒子を除去するための)水塩帯域(B
3)および還元帯域(20)、並びにそれらの付属要素
は、第1図より大きな尺度で示されている。
[発明が解決すべき課題] 接触リフオーミング装置は、最大限の仕込原料を処理す
るためにますます大きくなる傾向がある。さらに今日で
はますます低圧で操作を行なおうとしている。圧力は数
年前は8〜XOバール(8X105パスカル〜IOX 
In’パスカル)程度であり、いまや6〜3バール(6
X 10’パスカル〜3 X 10’パスカル)である
。このような装置は、さらに、使用済み触媒を、最後の
反応器から再生器の上部まで運ぶリフトで水素を用いる
という事実により、通常は「塔」と呼ばれるような高さ
を必要とする。これは第1図では、リフトポット(17
)、緩衝容器(7)および閉鎖容器(15)、再生器(
10)および大きなバルブ(8)(8a)(12)(1
2a)を含む。ところで4ブース(10,50I11)
のバルブの管路を通っての運搬、あるいはさらには緩衝
容器(7)および閉鎖容器(15)と再生器(10)と
の間の運搬の実施が難しいために、低圧で作動する大容
量の装置を精密に建造するのが難しくなる。
これらのバルブは製造が難しくかつ費用が非常に高く、
またこれらのバルブの6ブース(15,24cm)での
通過は、予め製造および試験のプログラム、同様に非常
にコストの高いプログラムなしでは考えるのが難しい。
これらのバルブの問題は実際は下記のものである: ・再生器(窒素および酸素下)と緩衝容器(水素下)と
の完全な隔離; ・触媒微細粒が装入された雰囲気下でのこれらのバルブ
の頻繁な使用。
従って本発明の考え方は下記のとおりである:これら2
つの緩衝容器が窒素下に置かれるように配列すること、
および小さいサイズの管路において、特に一方で最後の
反応器から出る管路、他方で第一反応器の頂部の管路に
おける水素−窒素の通過の問題を解決することである。
[課題を解決するための手段] 本発明は、触媒の存在下における炭化水素のリフォーミ
ングまたは芳香族炭化水素の製造方法であって、炭化水
素からなる当初仕込原料および水素を、横に並んでかつ
直列に配置された少なくとも2つの反応帯域を通って流
通させ、これらの反応帯域の各々は移動床型であり、仕
込原料が各反応帯域内を連続的に流通し、触媒も同様に
移動床形態で各反応帯域の中を上から下へ連続的に流通
しつつ各反応帯域を通って連続的に流通し、最後の反応
器以外の各反応帯域の下部から抜出された触媒が、水素
流中で次の反応帯域の頂部へ運ばれ、ついで仕込原料が
通過した最後の反応帯域の下部から連続的に抜出された
触媒が再生帯域に送られる方法において、この方法は、 (a)仕込原料が通過する最後の反応帯域から抜出され
た使用済み触媒から、周囲の水素全部がパージされるこ
と、 (b)ついで使用済み触媒を窒素下に置くこと、 (e)窒素流によって、使用済み触媒を再生帯域に送る
こと、 (d)再生された触媒が、窒素流を用いて、再生触媒の
細かい粒子の水頭帯域に送られること、および次に周囲
の窒素全部がパージされること、 (e)再生触媒を水素の存在下に閉鎖容器に導入して、
触媒を連続的に第一反応帯域に送る前に触媒の一部また
は全部還元を行なうようにすること、 を特徴とする方法である。
〔実 施 fll 本発明は、下記の基準を尊重して考えられる=(図面の
略号DPおよびDPCは、圧力の調節に関する。r D
PJは、圧力差または「Δ−正圧力を表わす。rDPc
Jという用語は、調節バルブがr DPJと組合わされ
て調節鏡を確実に行なうことを示す)。
・第一リフトおよび最後のリフトは、窒素またはその他
のあらゆる不活性ガスを用いて作動される。
・上部緩衝容器(7)の側では(第2図参照)。
、最後の反応器(55)の下で気密性を得るのに必要な
流量は、窒素またはその他のあらゆる不活性ガスを用い
て作られるが、窒素が反応器へ送られるのを最大限に制
限するために、(非常にわずかな)超過圧を得るように
する。この送る量を、1時間あたり数kgに制限するこ
とができなければならない; 2ブース(5,08cm)程度の、最後の反応器の下で
使用されるバルブ(例えば(62)(82a) )は自
動化され、問題が起こった時に、再生器を隔離するため
の安全弁として使用される:・上部緩衝容器(7)は専
ら窒素下にあり((92)による導入)、操作条件(す
なわち「デザイン」)ははるかに苛酷ではない。特に温
度が苛酷ではない。リフト(6)は窒素下またはその他
の不活性ガス下にある。
・下部緩衝容器としての閉鎖容器(15)の側では(第
2図および3図参照): ・この容器は低温で、専ら窒素下((91)による導入
)または不活性ガス下にある;・窒素下またはその他の
不活性ガス下のリフト(19) :導管(90) (9
5) (98)への窒素の導入装置(7B)は、装置(
80)および(79)によって調節される。
・2つの部分(83)(20)に分けられた上部ホッパ
ー: ・窒素下またはその他のあらゆる不活性ガス下の水層(
すなわちデカンテーシヨンまたは分離)が行なわれる上
部(83) ; ・バルブ(75)によって、(7B)を経て、DP(1
01)およびDPC(77)調節を行なって、電気炉(
B4)によって予備加熱された、管路(65)を経て導
入された熱い水素下の貯蔵および還元の下部(20)。
・上部ホッパーの2つの部分(63) (20)は、安
全性を保証する、自動化された、例えは2ブース(5,
08cm)程度の例えば2つのバルブ(6g) (88
a)が備えられた、触媒が満たされた脚([16)(8
7)によって分離される。
安全弁は、不正な圧力差、時ならぬ温度上昇、窒素の純
度の悪い場合等に作動させることができる。
本発明によるこの配置は、触媒の流通のため、また導管
(97)(10G) 、分離器(93)およびバルブ(
94)を通って、DP(98)およびDPC(99)調
節と連携して、水層(分111)を確実に行なうための
、新しい窒素回路(reseau)を創り出す。
必要な窒素量を考慮に入れると、小さな圧縮機(DP約
3〜4バール)での自動的再循環を行なうのがよさそう
である。
[発明の効果] 本発明の方法および装置による利点の1つは、操作の安
全性を低下させずに、緩衝容器と再生器との間の気密性
を確保するために、もはや非常に精巧な装置を備える必
要がないということである。
このような装置は、大きなバルブの数を大幅に減少させ
、特に全体の装置内残りの場合によるその他の大きなバ
ルブの操作条件を少なくする。
同様に考慮されるもう1つの利点は、塔の全体の高さの
実質的な減少(最少限5〜6メートルの減少)である。
要するに本発明は、触媒の存在下、例えば48o−ao
o℃の温度における、炭化水素のリフォーミング方法ま
たは芳香族炭化水素の製造方法であって、炭化水素から
なる当初仕込原料および水素を、横に並んでかつ直列に
配置された少なくとも2つの反応帯域を通って流通させ
、これらの反応帯域の各々は移動床型であり、仕込原料
が各反応帯域内を連続的に流通し、触媒も同様に移動床
形態で、各反応帯域の中を上から下へ連続的に流通しつ
つ各反応帯域を通って連続的に流通し、最後の反応器以
外の各反応帯域の下部から抜出された触媒が、水素流中
で次の反応帯域の頂部へ運ばれ、ついで仕込原料が通過
した最後の反応帯域の下部から連続的に抜出された触媒
が再生器に送られる方法において、この方法は、 (a)仕込原料が通過する最後の反応帯域から抜出され
た使用済み触媒から、周囲の水素全部がパージされるこ
と、 (b)ついで使用済み触媒を窒素下に置くこと、(c)
窒素流によって、使用済み触媒を再生器に送ること、 (d)再生された触媒が、窒素流を用いて、再生触媒の
細かい粒子の水産帯域に送られること、および次に周囲
の窒素全部がパージされること、(8)再生触媒を、水
素の存在下に閉鎖容器に導入して、これを連続的に第一
反応帯域に送る前に触媒の一部または全部還元を行なう
ようにすること、 を特徴とする方法に関する。
前記のように再生器の上流および下流で、直接、大部分
の大きなバルブを省くことができるのは、このように操
作を行なって、最後の反応器の下の適切なバルブ(62
) (82a)および(第一反応器への導入前)再生触
媒の還元帯域の上の(68)<68a)の働きを利用す
るからである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の方法を示すフローシート、第2図および
第3図はいずれも本発明の実施例を示すフローシートで
ある。 以上 特許出願人  アンスティテユ・フランセeデュφペト
ロール

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 触媒の存在下における炭化水素のリフォーミングまたは
    芳香族炭化水素の製造方法であって、炭化水素からなる
    当初仕込原料および水素を、横に並んでかつ直列に配置
    された少なくとも2つの反応帯域を通って流通させ、こ
    れらの反応帯域の各々は移動床型であり、仕込原料が各
    反応帯域内を連続的に流通し、触媒も同様に移動床形態
    で各反応帯域の中を上から下へ連続的に流通しつつ各反
    応帯域を通って連続的に流通し、最後の反応器以外の各
    反応帯域の下部から抜出された触媒が、水素流中で次の
    反応帯域の頂部へ運ばれ、ついで仕込原料が通過した最
    後の反応帯域の下部から連続的に抜出された触媒が再生
    帯域に送られる方法において、この方法は、(a)仕込
    原料が通過する最後の反応帯域から抜出された使用済み
    触媒から、周囲の水素全部がパージされること、 (b)ついで使用済み触媒を窒素下に置くこと、 (c)窒素流によって、使用済み触媒を再生帯域に送る
    こと、 (d)再生された触媒が、窒素流を用いて、再生触媒の
    細かい粒子の水簸帯域に送られること、および次に周囲
    の窒素全部がパージされること、 (e)再生触媒を水素の存在下に閉鎖容器に導入して、
    触媒を連続的に第一反応帯域に送る前に触媒の一部また
    は全部還元を行なうようにすること、 を特徴とする方法。
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