JPH02168217A - 半導体レーザ走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ９発明の目的 （１）産業上の利用分野 本発明は、デジタル複写機や光ディスクのヘッドに使用
される半導体レーザ走査装置に関する。

（２）従来の技術 レーザダイオードの発生するレーザビームを利用した半
導体レーザ走査装置は上記デジタル複写機や光ディスク
のヘッドに一般的に用いられているが、この半導体レー
ザはレーザビームの発振に伴うキャビティ温度の上昇に
より、出力するレーザビームの波長および出力が変動す
ることが知られている。

すなわち、第１３図に示す半導体レーザの〔温度（Ｔ）
−波長（λ）〕特性から明らかなように、キャピテイ温
度ＴじＫ）の上昇に伴ってレーザビームの波長λ（ｎｍ
）が長波長側にシフトする性質を備えている。一方、レ
ーザビームの発振効率はレーザキャビティの温度上昇に
伴って減少するので、第１４図に示すようにキャビティ
温度Ｔ（°Ｋ）の上昇に伴ってレーザビームの出力Ｐ（
ｍＷ）が低下することになる。このことは、レーザビー
ムの発振によるキャビティ温度の変動に起因して出力の
変動、すなわち光量の変動が生じることを意味しており
、これが画質の低下の原因となっていた。

ところで、第１５図に示す半導体レーザの（電流（１）
−出力ＣＰ）−温度（Ｔ）〕特性から明らかなように、
一定のレーザビームの出力Ｐ（ｍＷ）を得るためには、
キャビティ温度Ｔ　（’　Ｋ）の変動を補償するように
半導体レーザに加える電流［（ｍＡ）を制御すればよい
、すなわち、キャビティ温度Ｔ（Ｋ）の増加によってレ
ーザビームの出力Ｐ　（ｍＷ）が低下した場合、半導体
レーザに加える電流１　（ｍＡ）を増加させることによ
って上記出力Ｐ　（ｍＷ）を一定に保つことが可能とな
るわけである。

第１６Ａ図は、上述の原理に基づいて一定の光量を得る
ようにした半導体レーザ走査装置の第１の従来例を示す
ものである。

同図において、半導体レーザ光源としてのレーザダイオ
ード０１の照射するレーザビームの光路にはコリメータ
０２、シリンドリカルレンズ０３、ミラー０４、回転多
面鏡０５、ｆθレンズ０６、およびシリンドリカルレン
ズ０７より成る結像光学系０８が配設されており、中心
軸まわりに回転自在に設けられた走査面としての感光ド
ラム０９の表面を走査するようになっている。感光ドラ
ム０９の端部には光センサ０１０が設けられており、こ
の光センサＯ１Ｏの出力するビーム位置検出信号によっ
て後述する画像信号の出力タイミングが設定される。

前記レーザダイオード０１には、画像メモリＯ１１から
の画像信号を受けて該レーザダイオード０１を駆動する
ためのＬＤドライバ０１２と、駆動電流量を定める光量
コントロール信号発生回路０１３が接続されている。ま
た、前記レーザダイオード０１は、その後方に配設され
たディテクタ０１４において後方に洩れるバックビーム
を測定することにより照射するレーザビームの光景を検
出するようになっており、この光量信号は光量偏差検出
回路０１５において光量基準信号発生器Ｏ１６の基準電
位と比較され、その差分は補正信号として前記光量コン
トロール信号発生回路０１３に入力される。

さらに、前記光センサ０１０はコントローラＯ１７に接
続されており、このコントローラ０１７の出力する制２
．１１１信号によって前記画像メモリＯ１ｌと光量コン
トロール信号発生回路０１３が制御されるようになって
いる。

次に第１６Ａ図および第１６Ｂ図を参照して、半導体レ
ーザ走査装置の上記第１の従来例の作用を説明する。

コントローラ０１７の出力する制御信号に基づいて光景
コントロール信号発生回路０１３、ＬＤドライバ０１２
を介してレーザダイオード０１が光量設定ビームＡ（第
１６Ｂ図参照）を照射し、この光量設定ビームＡのバッ
クビームを測定することによって得られた光量信号は光
量偏差検出回路０１５にフィードバックされ、ここで光
量基準信号発生器０１６の基準電位と比較される。この
光量偏差検出回路０１５の出力する補正信号は光量コン
トロール信号発生回路０１３（たとえば特開昭５９−１
７８７８０号公報に記載されているような回路）に入力
されてＬＤドライバ０１２に供給される電圧を制御し、
レーザダイオード０１の照射するレーザビームの光量を
所定の値に設定する。

続いて、コントローラ０１７の出力する制？ｉｌ！信号
に基づいて光量コントロール信号発生回路Ｏ１３、ＬＤ
ドライバ０１２を介してレーザダイオード０１が位置検
出ビームＢ（第１６Ｂ図参照）を明射し、この位置検出
ビームＢが結像光学系０８の回転多面鏡０５に反射され
て光センサ０１０で検出される。そして、この光センサ
０１０の出力するビーム位置検出信号を受けたコントロ
ーラ０１７は画像メモリ０１１から画像信号をＬＤドラ
イバ０１２に出力する。すると、レーザダイオード０１
は回転多面鏡０５の回転タイミングに同期して画像デー
タＣ（第１６Ｂ図参照）を照射し、感光ドラム０９の１
ラインの走査が行われる。

このようにして１ラインの走査が終了すると、このサイ
クルを操り返して２ライン目以降の走査が行われ、その
都度光量設定ビームＡを用いてレーザダイオード０１の
照射するレーザビームの光量が一定に保たれる。

第１７Ａ図は半導体レーザ走査装置の第２の従来例を示
すものである。

この従来例のレーザ光源は、ダブルビームを発生する第
１および第２のレーザダイオードＯ１ａ、Ｏｌｂから成
る半導体レーザ光源としてのレーザアレイ０１８を備え
ており、感光ドラム０９の２本のラインを同時に走査す
るようになっている。

このために、２個のＬＤドライバ０１２ａ、０１２ｂお
よび光量コントロール信号発生回路０１３ａ、０１３ｂ
がそれぞれ設けられており、画像メモリ０１１の出力す
る画像信号はコントローラ０１７によって作動タイミン
グを制御される画像信号振分回路０２０に人力され、こ
の画像信号振分回路０２０と前記ＬＤドライバ０１２ａ
、０１２ｂ間にはそれぞれラインメモリ０１９ａ、０１
９ｂが設けられている。

次に第１７Ａ図および第１７Ｂ図を参照して、半導体レ
ーザ走査装置の上記第２の従来例の作用を説明する。

この従来例においては、コントローラ０１７の出力する
制御信号に基づいて第１のレーザダイオードＯ１ａが光
量設定ビームＡａ（第１７Ｂ図参照）を照射し、この光
量設定ビームＡａのバックビームを測定することによっ
て得られた光量信号を光ｆｔ偏差検出回路０１５にフィ
ードバックすることによって、第１のレーザダイオード
Ｏ１ａが照射するレーザビームの光量を所定の値に設定
する０次に、同様の操作によって第２のレーザダイオー
ドＯ１ｂが光量設定ビームＡｂ（第１７Ｂ図参照）を照
射し、この光量設定ビームＡｂのバックビームを測定す
ることによって得られた光量信号を光量偏差検出回路０
１５にフィードバックすることによって、第２のレーザ
ダイオードＯ１ｂが照射するレーザビームの光量を所定
の値に設定する。

続いて、コントローラ０１７の出力する制御信号に基づ
いて第１のレーザダイオードＯ１ａが位置検出ビームＢ
（第１７Ｂ図参照）を照射し、この位置検出ビームＢを
光センサ０１０で検出することによって、回転多面鏡０
５の回転タイミングに同期して画像メモリ０１１に記憶
されたデータが画像信号として出力される。そして、こ
の画像信号は画像信号振分回路０２０によってラインメ
モリ０１９ａ、０１９ｂに振分は記憶される。このライ
ンメモリ０１９ａ、０１９ｂに記憶された画像信号は同
時に読出されてＬＤドライバ０１２ａ、０１２ｂに入力
され、各レーザダイオード０１ａ、Ｏ１ｂから照射され
る画像データＣａ、Ｃｂ（第１７Ｂ図参照）によって感
光ドラム０９の２ラインが同時に走査される。

（３）発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記第１の従来例は各走査ラインにおけ
る画像データＣの照射開始時の光量を所定値に設定する
ことが可能であるものの、上記画像データの照射に伴っ
てレーザダイオードＯ１のキャビティ温度が次第に上昇
し、第１６Ｂ図に示すように、各走査ラインにおける画
像データＣの照射開始時に比べ終了時の光量が低下して
しまう問題点を有していた。そして、この画像データＣ
の光量変動は約１０％（第１６Ｂ図参照）に達し、これ
が画質低下の原因となっていた。

また、同様に上記第２の従来例も各レーザダイオードＯ
１ａ、０．ｌｂの自己発熱による光量の低下に加えて、
２個のレーザダイオードＯ１ａ、０１ｂＯ熱的な相互干
渉によって光量の変動が発生する。すなわち、第１７Ｂ
図に示すように、第１および第２のレーザダイオードＯ
１ａ、Ｏ１ｂが共に画像データを照射しているときは、
自己および相互の発熱による影響で画像データＣａ、Ｃ
ｂの光量が次第に低下し、それと同時に、例えば第１レ
ーザダイオードＯ１ａの照射が中断された期間において
は、第２レーザダイオードＯ１ｂの第１レーザダイオー
ドＯ１ａから受ける熱量が城少し、第２レーザダイオー
ドＯ１ｂの光量がその期間だけ一時的に増加する現象が
生じる。このために、ダブルビームを用いたレーザダイ
オード０１ａ、ｏｌｂの照射する画像データＣａ、Ｃｂ
の光量変動は約２０％に達することもあり、画質低下の
回向が一層顕著になっていた。

本発明は、前述の事情に鑑みてなされたもので、レーザ
ダイオードの発熱による光量変動の影響を取り除き、各
走査ラインの始点から終点まで一定の光量を得ることが
可能な半導体レーザ走査装置を提供することを課題とす
る。

Ｂ１発明の構成 （１）課題を解決するための手段 前記課題を解決するために、本出願の第１発明の半導体
レーザ走査装置は、半導体レーザ光源と、この半導体レ
ーザ光源から発せられるレーザビームを走査面上に投射
するための結像光学系とを備えた半導体レーザ走査ｇ７
ｆｌにおいて；前記結像光学系のレーザビーム光路中に
、前記レーザビームの波長変動に応じた光量を所定方向
に導く光透過率制御手段を具備することを特徴とする。

また、本発明の第４発明の半導体レーザ走査装置は、半
導体レーザ光源と、この半導体レーザ光源から発せられ
るレーザビームを走査面上に投射するための結像光学系
とを備えた半導体レーザ走査装置において；前記結像光
学系のレーザビーム光路中に、前記レーザビームの波長
変動に応じた光量を所定方向に反射する光反射率制御手
段を具備することを特徴とする。

（２）作　用 前述の構成を備えた本出願の第１発明の半導体レーザ走
査装置によれば、半導体レーザ光−源から照射されたレ
ーザビームが結像光学系に達する過程において光透過率
制御手段を通過し、また、第４発明の半導体レーザ走査
装置によれば、半導体レーザ光源から照射されたレーザ
ビームが結像光学系に達する過程において光反射率制御
手段を通過する。その際、半導体レーザ光源の発熱によ
るレーザビームの波長変動に応じて光透過率制御手段ま
たは光反射率制御手段が出力光量を調整するので、走査
面は常に変動の少ない光量で走査される。

（３）実施例 以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。

第１Ａ図は、前記第１の従来例を改良した本発明の第１
の実施例を示すもので、従来例と同一の部材には最初の
Ｏを除いた同一の符号を付しである。この実施例は結像
光学系８のミラー４と回転多面鏡５の間にレーザビーム
の光透過率制御手段としての透過フィルタ２１を具備し
た点に特徴があり、その他の構成は前記従来例と同一で
ある。

先に第１４図および第１５図において説明したように、
半導体レーザのキャビティ温度が上昇すると、レーザビ
ームの波長は長波長側に変動し、半導体レーザの出力は
光景が低下する性質を６１Ｍえている。したがって、前
記結像光学系８に介装される透過フィルタ２１として、
第１２図に示すようなレーザビームの波長λ（ｎｍ）の
増加に応じて透過率ξ（％）が増加する特性を備えたも
のを用いれば、感光ドラム９を走査する光量を一定に保
つことが可能となる。

すなわち、前記第１４図から明らかなように、一定電流
で駆動されるレーザダイオードの出力特性は、 Ｐ、＝ａＴ＋ｂ　　　　　　　　・・・・・・・・・（
１）Ｐｏ　：レーザダイオードの出力（ｍ　Ｗ　）Ｔ：
温度（°Ｋ） ａ、ｂ：定数 で表わされる。

また、第１３図から明らかなように、レーザダイオード
の波長の温度特性は、 λ、＝ｃＴ＋ｄ　　　　　　　　・・・・旧・・（２）
λ、：波長（ｎｍ） Ｔ：温度じＫ） ｃ、ｄ：定数 で表わされる。

Ｗを得るためには、 ここで、透過フィルタの特性を、 Ｐ＋　−ξ・Ｐｏ　　　　　　　　・・・・・・・・・
（３）Ｐｌ　：フィルタの出射光量 Ｐｏ　；フィルタの入射光量 ξ：透過率 で表わすと、（１）、（２）、（３）式より、ａ　（λ
、−ｄ）＋ｂｃ となる。

レーザダイオードとしてＨＬ７８０１（商品名、■日立
製作所製）を用いると、 Ｐｏ　＝−０，０４８６Ｔ＋１７．８ λ＝０．２７２Ｔ＋６９９ ０．２７２Ｐ。

となり、ここでフィルタの出力光ｆｆ１Ｐ、＝］、５ｍ
０、４０８ を満たす透過フィルタを用いればよいことになる。

第５Ａ図、第５Ｂ図は上記条件を満たす多層膜干渉フィ
ルタの構造と波長λ（ｎｍ）に対する分光透過率ξ（％
）の特性を示すものである。このフィルタは、屈折率ｎ
−１，５１のガラスの基板ＧにＺｎＳとＭ　ｇ　Ｆ　２
の薄膜を１５層に積層した多層膜（Ｍｕｌｔｉ　Ｌａｙ
ｅｒ）構造を備えており、レーザダイオードｌのキャビ
ティ温度の変化による波長の変動を補償する作用によっ
て、第１Ｂ図に示すように、感光ドラム９に照射される
画像データＣの光量の変動を２％程度に押さえることが
可能となる。

第２Ａ図は、本発明の第２実施例を示し、ダブルビーム
を用いた前記第２の従来例（第１７Ａ図参照）を改良し
たものである。この第２実施例において、従来例と同一
の部材には最初の０を除いた同一の符号を付しである。

この実施例も結像光学系８のミラー４と回転多面鏡５の
間に透過フィルタ２１を具備した点に特徴があり、その
他の構成は前記第１７Ａ図に示した従来例と同一である
。

この実施例においても、先の実施例と同様に透過フィル
タ２１の作用により、第２Ｂ図に示すように感光ドラム
９に照射される画像データＣａ。

ｃｂの光量の変動を２％程度に押さえることが可能とな
る。

第３図は、本発明の第３実施例を示し、ダブルビームを
用いた前記第２の従来例（第１７Ａ図参照）を改良した
もので、従来例と同一の部材には最初のＯを除いた同一
の符号を付しである。この第３実施例は結像光学系８の
ミラー４に代えて、第１１Ａ図および第１１Ｂ図にその
構造と波長λ（ｎｍ）に対する分光反射率Ｒ（％）の特
性を示した反射フィルタ２１゛を用いた点に特徴があり
、その作用および効果については前記第２の実施例と同
一である。

第４図は、本発明の第４実施例を示し、特開昭６３−１
０３４０号公９［こ開示された光ディスクの光書込ヘッ
ドに本発明を通用したのである。

書込み用レーザダイオード２２ａ、データ消去用レーザ
ダイオード２２ｂ、および読み取り用レーザダイオード
２２ｃより成る半導体レーザ光源としてのレーザアレイ
２２と、走査面としての記録媒体２３間には、コリメー
タ２４、偏光ビームスプリッタ２５．１／４波長Ｆｉ２
６、アクチュエータ２７、および集束レンズ２８より成
る結像光学系２９が配設されており、さらに、前記偏光
ビームスプリッタ２５の側部にはプリズム３０．レンズ
３１、および検出器３２が配設されている。

そして、前記コリメータ２４と偏光ビームスプリッタ２
５０間にはレーザビームの光透過率制御手段としての透
過フィルタ３３が介装されている。

上述の構成によれば、３個のレーザダイオード２２ａ〜
２２ｃから放射されたレーザビームは結像光学系２９を
通って記録媒体２３に入射する。

この記録媒体２３で反射されたレーザビームは光路を逆
行し、偏光ビームスプリッタ２５においておよそ９０°
変向された後、プリズム３０とレンズ３１を通って検出
器３２に達し、ここで記録媒体２３からの反射光のモニ
タが行われる。

上記レーザアレイ２２の３個のレーザダイオード２２ａ
〜２２ｃは、自己の発熱と相互の熱的干渉によって放射
するレーザビームの波長が変動するが、その光路中に介
装された透過フィルタ３３の作用によって記録媒体２３
に達する光量は一定に保たれる。

ところで、一般にレーザダイオードは固体差によって出
力波長に差異があり、その温度特性も一定ではない、そ
のために、フィルタの特性を各レーザダイオード毎に変
化させる必要が生じる場合がある。

第６Ａ図はフィルタの他の実施例を示すもので、第５Ａ
図のフィルタの各層の膜厚を変化させたものである。こ
のフィルタによれば、波長λ（ｎｍ）に対する分光透過
率ξ（％）の特性を第６Ｂ図に示すように変化させるこ
とが可能になる。

第７Ａ図はフィルタの更に他の実施例を示すもので、こ
のフィルタは、第５Ａ図のフィルタのＭｇＦｚに代えて
Ａ４２Ｆ、　　・３ＮａＦを用いたものであり、波長λ
（ｎｍ）に対する分光透過率ξ（％）の特性を第７Ｂ図
に示すように変化させることが可能になる。

第８Ａ図はフィルタの更に他の実施例を示すもので、第
５Ａ図のフィルタの理数を１３に変化させたものである
。このフィルタによれば、波長λ（ｎｍ）に対する分光
透過率ξ（％）の特性を第８Ｂ図に示すように変化させ
ることが可能になる。

第９Ａ、９Ｂ図は前記透過フィルタ２１．３３等の分光
透過率ξ（％）を変化させるための他の方法を説明する
ための図で、透過フィルタ２１゜３３は、第９Ａ図およ
び第９Ｂ図に示すように、レーザビームの光路に対して
垂直な軸線まわりに回転自在に装着されており、レーザ
ビームの分光通過率ξ（％）を調整できるようになって
いる。

すなわち、第９Ａ図および第９Ｂ図において、透過フィ
ルタきして前記第６Ａ図に示したフィルタを用いてその
回転角（すなわち、レーザビームの入射角）θをＯｏか
ら１０’、２０’、３０’と次第に増加すると、波長λ
（ｎｍ）に対するＰ波とＳ波の分光透過率ξ（％）の特
性は第１０Ａ図〜第１０Ｄ図のように変化し、このうち
実際に走査面９または記録媒体２３に照射されるレーザ
ビームの光景を示すＳ波のカーブは回転角θの増加に伴
って短波長側にシフトする。このように前記結像光学系
８または２９に介装した透過フィルタ２１または３３を
光路に対して回転させることにより、この透過フィルタ
２１または３３の分光透過率ξ（％）を変化させ、レー
ザアレイ２２の固体差を補償することができる。

以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実
施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載
された本発明を逸脱することなく、種々の小設計変更を
行うことが可能である。

例えば、反射率制御手段としての反射フィルタ２１’　
も前記第９Ａ図および第９Ｂ図に示す透過フィルタと同
様に、レーザビームの光路に対して垂直な軸線まわりに
回転自在に装着して、レーザビームの分光反射率Ｒ（％
）を調整できるようにすることも可能である。また、光
透過率制御手段または光反射率制御手段としてのフィル
タの数は１個に限らず、複数のフィルタを併用すること
が可能である。さらに、半導体レーザ光源としてのレー
ザダイオードは単体およびアレイ型のいずれも使用する
ことができる。

Ｃ０発明の効果 前述の本発明の半導体レーザ走査装置によれば、半導体
レーザ光源から照射されるレーザビームを走査面に投影
するための結像光学系に、レーザビームの波長変動に応
じた光量を所定方向に導く光透過重刷ａｌ１手段または
光反射率制御手段を介装したので、半導体レーザ光源の
発熱によって照射されるレーザビームの光量が変動して
も、走査面は常に一定の光量で走査される。したがって
、本発明の半導体レーザ走査装置は、デジタル複写機等
の画像再現装置においては画質を向上させることができ
、また、光ディスク等の情報記録装置においては記録お
よび読取りを同時に行なうときの読取エラーを減少させ
ることができる。

また、光透過率制御手段の分光透過特性または光反射率
制御手段の分光反射特性をレーザビームの波長に対して
可変とすることにより、半導体レーザ光源の固体差によ
るレーザビームの出力特性を補償し、より一層画質を向
上させたり記録時の読取りエラーを減少させたりするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ、１８図は本発明による半導体レーザ走査装置の
第１の実施例の全体図と、その光量の変動を示すタイム
チャート、第２Ａ、２Ｂ図は同じく第２の実施例の全体
図と、その光量の変動を示すタイムチャート、第３図は
同じく第３の実施例の全体図、第４図は同じく第４の実
施例の全体図、第５Ａ、５Ｂ図は透過フィルタの構造図
と特性図、第６Ａ、６Ｂ図、第７Ａ、７Ｂ図、第８Ａ、
ＦＩＢ図は透過フィルタの他の実施例の構造図と特性図
、第９Ａ、９Ｂ図は透過フィルタの配置例の平面図と側
面図、第１０Ａ〜ＩＯＤ図はその特性図、第１１Ａ、１
１８図は前記第３の実施例の反射フィルタの構造図と特
性図、第１２図はフィルタの波長−透過率の特性図、第
１３図はレーザキャビティの温度−レーザ発振波長の特
性図、第１４図は同じくレーザキャビティの温度−レー
ザ出力の特性図、第１５図はレーザの電流−出力−温度
の特性図、第１６Ａ、１６Ｂ図は第１の従来例の全体図
と、その光量の変動を示すタイムチャート、第１７Ａ、
１７Ｂ図は第２図の従来例の全体図と、その光量の変動
を示すタイムチャートである。 １・・・レーザダイオード（半導体レーザ光源）、８・
・・結像光学系、９・・・怒光ドラム（走査面）、１８
・・・レーザアレイ（半導体レーザ光源）、２１・・・
透過フィルタ（光透過率制御手段）、２１′・・・反射
フィルタ（光反射率制御手段）、２２・・・レーザアレ
イ（半導体レーザ光ａ）、２３・・・記録媒体（走査面
）、２９・・・結像光学系、３３・・・透過フィルタ（
光透過型側御手段）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］半導体レーザ光源（１、１８、２２）と、この半
   導体レーザ光源（１、１８、２２）から発せられるレー
   ザビームを走査面（９、２３）上に投影するための結像
   光学系（８、２９）とを備えた半導体レーザ走査装置に
   おいて； 前記結像光学系（８、２９）のレーザビーム光路中に、
   前記レーザビームの波長変動に応じた光量を所定方向に
   導く光透過率制御手段（２１、３３）を具備することを
   特徴とする、半導体レーザ走査装置。 ［２］前記光透過率制御手段（２１、３３）は入射する
   レーザビームの波長が増加するにつれて透過率が増加す
   るフィルタであることを特徴とする、請求項［１］記載
   の半導体レーザ走査装置。 ［３］前記光透過率制御手段（３３）は、レーザビーム
   の入射角を可変とするように回転可能に支持された多層
   膜干渉フィルタから構成されたことを特徴とする、請求
   項［１］記載の半導体レーザ走査装置。 ［４］半導体レーザ光源（１８）と、この半導体レーザ
   光源（１８）から発せられるレーザビームを走査面（９
   ）上に投影するための結像光学系（８）とを備えた半導
   体レーザ走査装置において；前記結像光学系（８）のレ
   ーザビーム光路中に、前記レーザビームの波長変動に応
   じた光量を所定方向に反射する光反射率制御手段（２１
   ′）を具備することを特徴とする、半導体レーザ走査装
   置。 ［５］前記光反射率制御手段（２１′）は入射するレー
   ザビームの波長が増加するにつれて反射率が増加するフ
   ィルタであることを特徴とする、請求項［４］記載の半
   導体レーザ走査装置。