JPH02165602A - Thermoresistance device - Google Patents
Thermoresistance deviceInfo
- Publication number
- JPH02165602A JPH02165602A JP32180588A JP32180588A JPH02165602A JP H02165602 A JPH02165602 A JP H02165602A JP 32180588 A JP32180588 A JP 32180588A JP 32180588 A JP32180588 A JP 32180588A JP H02165602 A JPH02165602 A JP H02165602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- thermistor
- glass frit
- device unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910018651 Mn—Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- -1 Mn-Ni Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710189206 Phospholipase C A Proteins 0.000 description 1
- 101710123671 Prolactin-4A1 Proteins 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は温度抵抗素子に関し、特にたとえば温度計測
用や温度補償用として用いられるサーミスタ等の温度抵
抗素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a temperature resistance element, and particularly to a temperature resistance element such as a thermistor used for temperature measurement or temperature compensation.
この種のサーミスタの一例が、たとえば特公昭５２−７
５３５号公報において開示されている。An example of this type of thermistor is, for example,
It is disclosed in Japanese Patent No. 535.
第２図に示すように、従来のサーミスタ１は、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ等の金属酸化物を焼結した後研磨加工を行った
板状基板の両面にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属とガラスフ
リットとを含有する電極を形成し、さらに、チップ状に
カットしたサーミスタ素子１の電極３にジュメット等の
金属リード線４をＡｕ等の耐熱導電性塗料５で接着して
乾燥した後、７００〜９００°Ｃの温度で焼付とガラス
被覆６とを同時に行って形成されるというものであった
。As shown in FIG. 2, the conventional thermistor 1 has Mn, N
Electrodes containing metals such as Ag and Ag-Pd and glass frit are formed on both sides of a plate-shaped substrate which is polished after sintering metal oxides such as i and Co, and is further cut into chips. After adhering a metal lead wire 4 such as Dumet to the electrode 3 of the thermistor element 1 and drying it with a heat-resistant conductive paint 5 such as Au, baking and glass coating 6 are performed simultaneously at a temperature of 700 to 900°C. It was supposed to be formed.
従来のサーミスタ１においては、電極３にガラスフリッ
トが含まれているが、それだけではサーミスタ素子２と
電極３との接着強度を十分にすることはできなかった。In the conventional thermistor 1, the electrode 3 includes a glass frit, but this alone cannot provide sufficient adhesive strength between the thermistor element 2 and the electrode 3.
そのため、素子ユニットに切り出すときや、金属リード
線４を耐熱導電性塗料５で電極３に接着するときには、
耐熱導電性塗料５が焼結収縮することによって、サーミ
スタ素子２と電極３との接着強度が弱くなり、接合不良
やエージング特性不良および加工変化不良の原因となっ
ていた。Therefore, when cutting out element units or bonding metal lead wires 4 to electrodes 3 with heat-resistant conductive paint 5,
Sintering shrinkage of the heat-resistant conductive paint 5 weakens the adhesive strength between the thermistor element 2 and the electrode 3, causing poor bonding, poor aging characteristics, and poor processing changes.
それゆえに、この発明の主たる目的は、素子ユニットと
電極と−の接着強度を弱くしない、温度抵抗素子を提供
することである。Therefore, the main object of the present invention is to provide a temperature resistance element that does not weaken the adhesive strength between the element unit and the electrode.
この発明は、簡単にいえば、所定の組成で形成された素
子ユニットおよび素子ユニットの両側面に形成される電
極を含む温度抵抗素子において、電極は複数層からなり
、その最外層は素子ユニットの組成原料のうち少なくと
も１種を合計で０〜３０ｗｔ％、残余の層は素子ユニッ
トの組成原料のうち少なくとも１種を合計で１〜９９ｗ
ｔ％それぞれ含有し、かつその含有率は外層になる程小
さくされ、さらにそれぞれの層は０〜２０ｗｔ％のガラ
スフリットを含有することを特徴とする、温度抵抗素子
である。Briefly speaking, the present invention provides a temperature resistance element including an element unit formed with a predetermined composition and electrodes formed on both sides of the element unit, in which the electrode is composed of multiple layers, and the outermost layer is the element unit. The remaining layer contains at least one of the raw materials of the element unit in a total of 0 to 30 wt%, and the remaining layer contains at least one of the raw materials of the element unit in a total of 1 to 99 wt%.
This is a temperature resistance element characterized in that each layer contains 0 to 20 wt % of glass frit, and the content decreases toward the outer layer, and each layer further contains 0 to 20 wt % of glass frit.
電極に含有された素子ユニットの組成原料によって、た
とえば一体焼成時の電極の収縮が素子ユニットのそれに
近似するため、電極だけが大きく収縮することによって
生じる素子ユニットとの間の接着強度の低下がなくなる
。それとともに、両者に共通する素子ユニットの組成原
料間の化学反応に基づき、両者間の接着強度を著しく高
める。Due to the raw material composition of the element unit contained in the electrode, for example, the shrinkage of the electrode during integral firing is similar to that of the element unit, so there is no decrease in adhesive strength between the electrode and the element unit that would occur due to large shrinkage of only the electrode. . At the same time, based on the chemical reaction between the constituent materials of the element unit common to both, the adhesive strength between the two is significantly increased.
したがって、各素子ユニットに切り出すときあるいはリ
ード線を接続するときの電極の剥離がなくなる。Therefore, there is no need to peel off the electrodes when cutting out each element unit or connecting lead wires.
また、各電極層において、外層になるほど含有率を所定
範囲内で傾斜的に小さくすることによって、電極層どう
しの結合が強化される。Further, in each electrode layer, the content rate is gradually decreased within a predetermined range as the outer layer becomes closer, thereby strengthening the bond between the electrode layers.
この発明によれば、電極と素子ユニットとの接着強度を
高めることができるので、従来問題となっていた接合不
良、エージング特性不良あるいは加工変化不良がなくな
り、その結果、製造の際の良品率の向上が期待できるば
かりでなく、経年変化による品質劣化が防止できる。According to this invention, since the adhesive strength between the electrode and the element unit can be increased, the conventional problems of poor bonding, poor aging characteristics, and poor processing changes are eliminated, and as a result, the rate of non-defective products during manufacturing is reduced. Not only can improvements be expected, but quality deterioration due to aging can be prevented.
また、各電極層の含有率を傾斜的に小さ（するので、電
極層どうしの結合が強固になり、耐衝撃性が向上する。In addition, since the content of each electrode layer is reduced in a gradient manner, the bond between the electrode layers becomes stronger and the impact resistance is improved.
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
第１図を参照して、この実施例のサーミスタ１０は、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、ＣｏおよびＡ２等の金属酸化物を板状に焼結
したサーミスタ素子１２を含み、サーミスタ素子１２の
両面には電極１４が形成される。この電極１４は、第１
層１６．第２層１８、第３層２０および第４層２２の４
層構造からなり、第１層１６ないし第４層２２のそれぞ
れの層は、たとえばＰｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属粉
末やガラスフリットの他、サーミスタ素子１２を組成す
るＭｎ−Ｎｉ、ＭｎまたはＮｉ等の金属酸化物をそれぞ
れ所定の割合で含有した電極ペーストを焼成することに
よって形成される。より詳しくは、最外層の第４層２２
となる電極ペーストはサーミスタ素子１２を組成する上
述の金属酸化物を合計で０〜３０ｗｔ％含有し、残余の
第１層１６ないし第３層２０となる電極ペーストはそれ
ぞれサーミスタ素子１２を組成する上述の金属酸化物を
合計で１〜９９ｗｔ％の範囲内で含有し、かつその含有
率は第１層１６から第４層２２へと外層になるほど小さ
くされる。Referring to FIG. 1, the thermistor 10 of this embodiment has M
The thermistor element 12 includes a thermistor element 12 formed by sintering metal oxides such as n, Ni, Co, and A2 into a plate shape, and electrodes 14 are formed on both sides of the thermistor element 12. This electrode 14
Layer 16. 4 of the second layer 18, third layer 20 and fourth layer 22
Each layer of the first layer 16 to the fourth layer 22 has a layered structure, and each of the first layer 16 to the fourth layer 22 contains, for example, metal powder such as Pt, Ag, Ag-Pd, or glass frit, as well as Mn-Ni, Mn, or They are formed by firing electrode pastes containing metal oxides such as Ni in predetermined proportions. More specifically, the fourth outermost layer 22
The electrode paste containing the above-mentioned metal oxides forming the thermistor element 12 in a total of 0 to 30 wt%, and the remaining electrode pastes forming the first layer 16 to the third layer 20 each contain the above-mentioned metal oxides forming the thermistor element 12. metal oxides in a total range of 1 to 99 wt%, and the content decreases from the first layer 16 to the fourth layer 22 toward the outer layer.
なお、第１層１６ないし第４層２２にそれぞれ含有され
るガラスフリットはいずれも０〜２０ｗｔ％とする。Note that the glass frit contained in each of the first layer 16 to the fourth layer 22 is 0 to 20 wt%.
そして、このようにして形成される電極１４には、たと
えばジュメットなどの金属からなるリード線２４が、た
とえばＡｕ等の耐熱導電性塗料２６によって接着される
。耐熱導電性塗料２６を乾燥した後、７００〜９００°
Ｃの温度でその焼付を行い、その後ガラス被覆２８を形
成する。A lead wire 24 made of a metal such as Dumet is adhered to the electrode 14 formed in this manner with a heat-resistant conductive paint 26 such as Au or the like. After drying the heat-resistant conductive paint 26, 700-900°
The baking is carried out at a temperature of C, after which a glass coating 28 is formed.
このようにして得られるサーミスタ１０は、たとえば以
下の方法によって製造される。The thermistor 10 thus obtained is manufactured, for example, by the following method.
まず、サーミスタ素子１２となるべきセラミック生シー
トを準備する。すなわち、Ｍｎ、Ｎｉ。First, a raw ceramic sheet to become the thermistor element 12 is prepared. That is, Mn, Ni.
ＣｏおよびＡＮ等の酸化物を、所定の割合で配合して、
ボールミルなどによって湿式混合する。その後、それを
脱水して乾燥させた後、８５０°Ｃで２時間程度仮焼す
る。さらに、湿式粉砕後、蒸発乾燥させ、それに有機バ
インダを添加してスラリ状にする。そのようにして得ら
れたセラミックスラリをドクタブレード法によって塗布
し、厚さ２００ａｍのセラミック生シートを形成する。By blending oxides such as Co and AN in a predetermined ratio,
Wet mix using a ball mill, etc. Thereafter, it is dehydrated and dried, and then calcined at 850°C for about 2 hours. Furthermore, after wet pulverization, it is evaporated and dried, and an organic binder is added thereto to form a slurry. The ceramic slurry thus obtained is applied by a doctor blade method to form a green ceramic sheet with a thickness of 200 am.
セラミック生シートを、たとえば２７Ｘ３６■の大きさ
に切断し、その切断されたシートを３枚重ねて熱圧着し
、厚さ５００μｍ程度のセラミック生シートを得る。A green ceramic sheet is cut into a size of, for example, 27 x 36 cm, and three of the cut sheets are stacked and thermocompressed to obtain a green ceramic sheet with a thickness of about 500 μm.
次いで、電極１４すなわち、第１層１６ないし第４層２
２となるべき電極ペーストをそれぞれ準備する。それぞ
れの電極ペーストは、たとえばＰＬ −Ａ ｕ −Ｐ
ｄ系の金属粉末に、サーミスタ素子１２の組成原料のう
ち少なくとも１種、たとえばＭｎ−Ｎｉ、ＭｎまたはＮ
３などの酸化物粉末をそれぞれ合計で７５ｗｔ％、５０
ｗｔ％、２５ｗｔ％、０ｗｔ％含有し、さらにガラスフ
リットをそれぞれ５ｗｔ％添加したものである。Next, the electrode 14, that is, the first layer 16 to the fourth layer 2
2. Prepare electrode pastes respectively. Each electrode paste is, for example, PL -A u -P
At least one of the composition raw materials of the thermistor element 12, such as Mn-Ni, Mn or N, is added to the d-based metal powder.
A total of 75 wt% of oxide powders such as 3 and 50
wt%, 25 wt%, and 0 wt%, and 5 wt% of glass frit was added to each.
この電極ペーストのうち、まず、第１層１６となるべき
電極ペーストを厚さ５００μｍのセラミック生シートの
両面に塗布、乾燥し、その後この上に第２層１８となる
べき電極ペースト、第３層２０となるべき電極ペースト
、第４層２２となるべき電極ペーストの順で、同様にし
て塗布、乾燥を繰り返す。そして、これらを１２００−
１３００°Ｃで２時間程度一体焼成する。焼成を終えた
セラミックシートを０．５−角に切断して、その両面に
電極１４が形成されたサーミスタ素子１２が得られる。Of this electrode paste, first, the electrode paste that is to become the first layer 16 is applied to both sides of a 500 μm thick ceramic raw sheet and dried, and then the electrode paste that is to become the second layer 18 and the third layer are applied on top of this. Coating and drying are repeated in the same manner for the electrode paste to form layer 20 and the electrode paste to form the fourth layer 22, in this order. And these are 1200-
Bake the whole piece at 1300°C for about 2 hours. The fired ceramic sheet is cut into 0.5-square pieces to obtain a thermistor element 12 having electrodes 14 formed on both sides thereof.
さらに、サーミスタ素子１２の両面の電極１４上にジュ
メットなどのリード線２４を、耐熱導電性塗料２６で接
着して乾燥した後、７００〜９００°Ｃの温度で焼付を
行う。Furthermore, lead wires 24 such as Dumet are bonded onto the electrodes 14 on both sides of the thermistor element 12 with a heat-resistant conductive paint 26, dried, and then baked at a temperature of 700 to 900°C.
最後に、図示しないが、リード線２４が電極１４に固着
された状態でサーミスタ素子１２をガラスキャップに入
れ、カーボンヒータによってガラスキャップ全体を加熱
する。そうすると、ガラスキャップが軟化してガラスキ
ャップの端部が封止され、第１図に示すように、ガラス
被覆２８で封止されたラジアル型のサーミスタ１０が得
られる。Finally, although not shown, the thermistor element 12 is placed in a glass cap with the lead wire 24 fixed to the electrode 14, and the entire glass cap is heated by a carbon heater. Then, the glass cap is softened and the end portions of the glass cap are sealed, yielding a radial type thermistor 10 sealed with the glass coating 28, as shown in FIG.
このようにして形成されたサーミスタ１０においては、
焼成後のセラミックシートを切断する際や、リード線２
４を電極１４に接続する際においても、電極１４の剥が
れは生じなかった。In the thermistor 10 formed in this way,
When cutting the ceramic sheet after firing, or when cutting the lead wire 2.
4 was connected to the electrode 14, the electrode 14 did not peel off.
実験では、サーミスタ素子をＭｎおよびＮｉの金属酸化
物によって形成し、電極ペーストに添加する金属酸化物
の種類と量およびガラスフリットの量を変えて上記の方
法で製作したサーミスタについて、電極の剥がれの有無
や抵抗値の加工変化や経時変化を観察した。その結果を
、別表にサンプル番号１〜１５として示す。In the experiment, the thermistor elements were formed from Mn and Ni metal oxides, and the thermistors were manufactured using the above method by varying the type and amount of the metal oxides added to the electrode paste and the amount of glass frit, and the problem of electrode peeling was investigated. We observed processing changes and changes in resistance value over time. The results are shown in the attached table as sample numbers 1 to 15.
また、比較のために、サーミスタ素子を焼成した後に、
Ａｇ−Ｐｄ系の電極を焼付けたものにおいて、上述の実
施例と同様に電極を４層構造にしたサーミスタおよび電
極に金属酸化物を添加しない従来のサーミスタを製作し
てそれらについても同様の観察を行い、その結果を別表
にサンプル番号１６〜１９として示す。For comparison, after firing the thermistor element,
A thermistor with baked Ag-Pd type electrodes and a thermistor with a four-layer electrode structure as well as a conventional thermistor with no metal oxide added to the electrodes were fabricated and similar observations were made for them. The results are shown in the attached table as sample numbers 16 to 19.
なお、表中における「抵抗値の加工変化」とはサーミス
タ素子をガラス被覆する前後で生じる抵抗値の変化をい
い、また「抵抗値の経年変化」は完成したサーミスタを
３００℃の空気中に１０００時間放置した場合の抵抗値
の変化をいうものとする。In addition, "processing change in resistance value" in the table refers to the change in resistance value that occurs before and after coating the thermistor element with glass, and "change in resistance value over time" refers to the change in resistance value that occurs after the thermistor element is exposed to air at 300°C for 1,000 hours. It refers to the change in resistance value when left for a period of time.
サンプル番号１〜１５は、電極を４層構造にして金属酸
化物を添加し、サーミスタ素子と電極とを一体焼成した
場合であり、セラミックシートの切断時およびリード線
の接続時のいずれにおいても電極の剥がれは生じていな
い、しかし、最外層である第４層に含まれている金属酸
化物の量がこの発明の範囲を超えるサンプル番号５．ｌ
Ｏおよび１５と、ガラスフリットの添加量がこの発明の
範囲を超えるサンプル番号４，８および１３においては
、抵抗値の加工変化および抵抗値の経時変化がいずれも
３％を超えている。この理由は、前者の場合には最外層
の金属酸化物の添加量が多すぎるので、電極密度が小さ
くなって電極の特性が劣化しているためであり、後者の
場合はガラスフリットの添加量が多すぎるので、ガラス
フリットの成分が電極あるいはサーミスタ素子に何らか
の影響を与えるためと考えられる。Sample numbers 1 to 15 are cases in which the electrode has a four-layer structure, a metal oxide is added, and the thermistor element and the electrode are integrally fired. Sample No. 5. did not peel off, but the amount of metal oxide contained in the fourth outermost layer exceeds the scope of this invention. l
In sample numbers 4, 8, and 13, in which the amount of glass frit added exceeds the range of the present invention, both the processing change in resistance value and the time-dependent change in resistance value exceed 3%. The reason for this is that in the former case, the amount of metal oxide added in the outermost layer is too large, which reduces the electrode density and deteriorates the electrode characteristics; in the latter case, the amount of glass frit added is too large. It is thought that this is because the components of the glass frit have some effect on the electrode or thermistor element because there is too much of the glass frit.
次に、電極を焼成後のサーミスタ素子に焼付けたサンプ
ル番号１６〜１９の場合は、セラミックシートの切断時
およびリード線接続時のすべての場合に電極の剥がれが
生じており、そのために抵抗値の加工変化および経時変
化もすべて１０％を超えている。これらは、電極に金属
酸化物を加えない場合はもちろんのこと、加えた場合に
おいても電極をサーミスタ素子に焼付けただけでは、サ
ーミスタ素子と金属酸化物とが化学反応をしないので、
サーミスタ素子と電極との接着強度が不十分であるため
と考えられる。Next, in the case of sample numbers 16 to 19, in which electrodes were baked into the thermistor elements after firing, the electrodes peeled off in all cases when cutting the ceramic sheet and connecting the lead wires, which caused the resistance value to decrease. Processing changes and changes over time are all over 10%. These can be used both when metal oxide is not added to the electrode, and even when metal oxide is added, there is no chemical reaction between the thermistor element and metal oxide just by baking the electrode onto the thermistor element.
This is thought to be due to insufficient adhesive strength between the thermistor element and the electrode.
なお、上述の実施例においてはラジアル型のサーミスタ
１０について説明したが、この発明はこれに限定されず
、アキシャル型のサーミスタや積層サーミスタについて
も適用できるのはもちろんである。In addition, although the above-mentioned Example demonstrated the radial type thermistor 10, this invention is not limited to this, It goes without saying that it can apply also to an axial type thermistor and a laminated thermistor.
また、この発明はサーミスタに限らず、ポジスタやその
他の抵抗−温度素子に同様に適用可能である。Further, the present invention is not limited to thermistors, but can be similarly applied to POSISTORs and other resistance-temperature elements.
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図解図である。
第２図は従来技術を示す断面図解図である。
図において、１０はサーミスタ、１２はサーミスタ素子
、１４は電極、１６は第１Ｎ、１８は第２層、２０は第
３層、２２は第４層を示す。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 山 １） 義 人
第
図
第２０FIG. 1 is an illustrative cross-sectional view showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an illustrative cross-sectional view showing the prior art. In the figure, 10 is a thermistor, 12 is a thermistor element, 14 is an electrode, 16 is a first layer, 18 is a second layer, 20 is a third layer, and 22 is a fourth layer. Patent Applicant Murata Manufacturing Co., Ltd. Agent Patent Attorney Yama 1) Yoshihito Figure 20
Claims (1)
子ユニットの両側面に形成される電極を含む温度抵抗素
子において、 前記電極は複数層からなり、その最外層は前記素子ユニ
ットの組成原料のうち少なくとも１種を合計で０〜３０
ｗｔ％、残余の層は前記素子ユニットの組成原料のうち
少なくとも１種を合計で１〜９９ｗｔ％それぞれ含有し
、かつその含有率は外層になる程小さくされ、さらにそ
れぞれの層は０〜２０ｗｔ％のガラスフリットを含有す
ることを特徴とする、温度抵抗素子。 ２ 所定の組成のセラミック生シートに、請求項１の各
電極層となるべき電極ペーストを順次塗布して乾燥し、
その後一体焼成することによって形成される、請求項１
記載の温度抵抗素子。[Claims] 1. A temperature resistance element including an element unit formed with a predetermined composition and electrodes formed on both sides of the element unit, wherein the electrode is composed of a plurality of layers, the outermost layer of which is the element unit. A total of 0 to 30 of at least one of the composition raw materials of
wt%, the remaining layers each contain a total of 1 to 99 wt% of at least one of the composition raw materials of the element unit, and the content decreases toward the outer layer, and each layer further contains 0 to 20 wt%. A temperature resistance element characterized by containing a glass frit of. 2. Sequentially applying the electrode paste to form each electrode layer of claim 1 to a green ceramic sheet of a predetermined composition and drying it,
Claim 1: The product is formed by integrally firing the product after that.
The temperature resistance element described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32180588A JPH02165602A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Thermoresistance device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32180588A JPH02165602A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Thermoresistance device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165602A true JPH02165602A (en) | 1990-06-26 |
Family
ID=18136613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32180588A Pending JPH02165602A (en) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Thermoresistance device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165602A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013197127A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element |
| WO2024042767A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 三菱マテリアル株式会社 | Thermistor element and method for producing same |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32180588A patent/JPH02165602A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013197127A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element |
| WO2024042767A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 三菱マテリアル株式会社 | Thermistor element and method for producing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4082906A (en) | Low temperature fired ceramic capacitors | |
| JP5678520B2 (en) | Thermistor element | |
| JP3064659B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic element | |
| JPH02165602A (en) | Thermoresistance device | |
| JP2560891B2 (en) | Varistor manufacturing method | |
| JPS6323646B2 (en) | ||
| JPH11340090A (en) | Manufacture of grain boundary insulated multilayer ceramic capacitor | |
| JP3604043B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| JPH02152203A (en) | Thermal resistor | |
| JP2800894B2 (en) | Thermistor | |
| JP4539671B2 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
| JPH05121211A (en) | Manufacture of laminated voltage non-linearity resistor | |
| JPS62285401A (en) | Manufacture of thermistor | |
| JP3245946B2 (en) | Resistor | |
| JPH1012043A (en) | Conductive composition and boundary layer ceramic capacitor | |
| JP3548586B2 (en) | Positive characteristic thermistor device | |
| JPH011203A (en) | thermistor | |
| JPH05325633A (en) | Conductive paste | |
| JP3189419B2 (en) | Resistor | |
| JP2000091106A (en) | Multilayer semiconductor ceramic electronic component and its manufacture | |
| JPH08222468A (en) | Ceramic element and manufacture thereof | |
| JPH09260107A (en) | Thermistor element and manufacturing method thereof | |
| JPH10188669A (en) | Conductive material and ceramic electronic part with it | |
| JPS63194310A (en) | Glass sealed thermistor | |
| JPH10303004A (en) | Thermistor element and its manufacture |