JPH02165438A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ディスクに光スポットを投影して、記録再生
を行なうための光ピツクアップに関するものである。

従来の技術 光ディスクの再生時にディスクに複数の光スポットを投
影して行なう代表的なものに３ビームトラツキング法が
ある。

以下にこの３ビームの光ピツクアップについて説明する
。第３図はディスクに投影した３個の光スポットを示し
ており、２ａは主スポットであり、再生中のトラック１
ａ上に投影される。２ｂ、２ｃは副スポットであり、再
生中のトラックに対して少しずらして投影される。第４
図はフォトディテクタでのそれぞれの光スポットのディ
スクからの反射光を示しており、主スポットの反射光２
１は４分割された主エレメント３ａ、３ｂ、ｓｃ、３ｄ
で受光され、この４分割主エレメントの出力の総和がＲ
Ｆ倍信号なる。副スポットのディスクからの反射光２ｂ
’、２ｃ’はそれぞれフォトディテクタの副ニレメン）
４ａ、４ｂで受光され、それらの出力の差をとるとトラ
ッキングエラー信号になる。

第３図において、トラッキングエラー信号の変調を最大
にするために副スポット２ｂ、２Ｃを再生中のトラック
１ａに対して少しずらして投影する。

第６図はディスク上の光スポットの光強度分布を示した
ものであり、第３図を横から見た図である。

ディスク上の光スポラ）２ａ、２ｂ、２ｃの光強度分布
２ａ“、２ｂ“、２ｄ′はほぼガウス分布をしており、
その光強度分布の一部は隣接するトラック１ｂ、１Ｃま
で達する。さらに、第３図において、副、スポット２ｂ
はトラック１ｂに、副スポッ）２ｃはトラック１Ｃにそ
れぞれ近くなるため、副スポット２ｂ、２Ｃのディスク
から反射光には隣接トラックの信号成分（クロストーク
）を主スポット２ａの反射光より多く含むことになる。

さらに第３図において、副スポット２ｂ、２Ｃは主スポ
ット２ａに対し前後に投影されるため、主スポット２ａ
に対して副スポッ）２ｂ、２ｃの反射光は再生トラック
１ａの時間軸のずれた信号となる。これらはＲＦ倍信号
対してはノイズ成分となる。

以下に従来の光ピツクアップについて説明する。

第６図は従来の光ピツクアップのフォトディテクタの回
路図である。フォトディテクタの各エレメント３ａ、ｓ
ｂ、３ｃ、３ｄ、４ａ、＋ｂの出力には抵抗Ｒ１〜Ｒ６
を介した後、グランドに接地されている。このとき、第
４図において各エレメントの位置による光子の電流に変
換する感度は、第４図の左側から見ると第７図のように
なる。すなわち、４分割主エレメント３ａ、３ｂ、３ｃ
。

３ｄの出力は副ニレメン）４ａ、４ｂに光が当った時に
も出力する。これは、光子がフォトディテクタのチップ
表面から深いものでは数１０μｍから１００／ｊｍまで
浸誘した後、電子に変換されるためである。このため、
隣接トラックのクロストーク成分や、再生トラックの時
間軸のずれた信号を含む副スポットのディスクからの反
射光２ｂ′。

２Ｃ′（第４図）の信号が４分割主ニレメン）３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄの出力に混ざることとなり、ＲＦ倍信
号Ｓ／Ｎを劣化させる。

発明が解決しようとする課題 ところが、上記の従来の構成では、ディスクに投影した
副スポットの反射光をフォトディテクタの副エレメント
で受光したにもかかわらず、フォトディテクタのチップ
内で電気的に主エレメントに漏れ、再生したＲＦ倍信号
隣接トラックのクロストークや再生トラックの時間軸の
ずれた信号が混入して、再生したＲＦ倍信号Ｓ／Ｎを劣
化させるという問題を有していた。

本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたも
ので、簡単な構成により再生したＲＦ倍信号Ｓ／Ｎを向
上させることのできる光ピツクアップを提供することを
目的とする。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の光ピツクアップは、
分割されたエレメントを持つフォトディテクタを有し、
ディスクに記録された信号を含む主スポットの反射光を
受光する為の主エレメントより、副エレメントに大きい
バイアス電圧加えたことを特徴とするものである。

作　　用 上記構成による本発明の作用は次のようになる。

即ちディスクに記録された信号を含む主スポットの反射
光を受光する為の主エレメントより、副スポットの反射
光を受光する為の副エレメントに大きいバイアス電圧を
加えることにより、副エレメントで受光した信号を主エ
レメントに漏れにくくし、再生したＲＦ倍信号Ｓ／Ｎを
大幅に改善することができる。

実施例 第１図は本発明の一実施例における光ピツクアップのフ
ォトディテクタ部の回路図、第２図はフォトディテクタ
の各エレメントと、その光子を電流に変換する時の感度
分布を示す。１３　ａ　、１３ｂ。

１３ｃ、１３ｄはディスクに記録された信号を再生する
ための主エレメントであシ、第３図におけるディスク上
に投影した主スボッ）２ａの反射光を受光する。１４ａ
、１４ｂは副エレメントであり、第３図におけるディス
クに投影した副スポッ）２ｂ　、２ｃの反射光を受光す
る。この時、各エレメントに加える電圧は、”ｃｃ−ｖ
ｂｌ　＞　ＩＶ、Ｃ−Ｖａｌとなるようにし、主エレメ
ント１３ａ、１３ｂ。

１３ｃ　、　１　ｓｄより、副エレメント１４ａ、１４
ｂに大きなバイアス電圧を加える。すると、第２図にオ
イテ、主ｍ＋／メン）１３ａ、１３ｂ、１３ｃ。

１３ｄの光子を電子に変換できる領域ｗ２は、従来例の
Ｗｌ（第７図）より狭くなる。すなわち、隣接トラック
のクロストーク成分や、再生トラックの時間軸のずれた
信号を含む副スポッ）　２　ｂ、２ｃの反射光が変換さ
れた電子が、主ニレメンＨ３ａ。

１３ｂ、１３ｃ、１３ｃＫ漏れる量が減少し、再生した
ＲＦ倍信号Ｓ／Ｎを大幅に改善できる。

発明の効果 本発明は、ディスクに複数の光スポットを投影する光ピ
ツクアップのフォトディテクタにおいて、ディスクに記
録された信号を含む主スポットの反射光を受光する為の
主エレメントより、副スポットの反射光を受光する為の
副エレメントに大きいバイアス電圧を加えることにより
、主エレメントの光子を電子に変換する領域を制限して
、ディスクに投影した副スポットからの主エレメントへ
の電気的漏れを減少して、再生した１’ＬＦ信号のＳ／
Ｎを大幅に改善することのできる光ピツクアップを簡単
に、安価に実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光ピックア第４図、
第５図は光ピツクアップの原理説明図、第６図は従来の
光ピツクアップにおけるフォトディテクタ部の回路図、
第７図は同フォトディテクタ部の配置図および動作説明
図である。 １３・・・・・・主エレメント、１４・・団・副エレメ
ント、Ｗ２・・・・・・主エレメントの感度領域、２ａ
・・・・・・主スポット、２ｂ　、２ｃ・・・・・・副
スポット、１ａ・・・・・・再生トラック、１ｂ、１ｃ
・・・・・・隣接トラック。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名第１
図 Ｌｈ−Ｌ３ｄ−’−主ｒしメント Ｈ−１啼、−４１ルメント ｈ ２ｂ、２．−劇又ご７ト 第　２　契 Ｗｔ−Ｊｒ−しｚンＣ＊、＆ノＰＪｔ−’、。 様 派

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ディスクに複数の光スポット（主スポットと副スポット
   ）を投影する手段と、複数の光スポットのディスクから
   の反射光をそれぞれ受光する分割されたエレメントを有
   するフォトディテクタとを備え、分割されたエレメント
   のうち、ディスクに記録された信号を含む主スポットの
   反射光を受光する為の主エレメントより、副スポットの
   反射光を受光する為の副エレメントに大きいバイアス電
   圧を加えたことを特徴とする光ピックアップ。