JPH02158172A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPH02158172A JPH02158172A JP31358688A JP31358688A JPH02158172A JP H02158172 A JPH02158172 A JP H02158172A JP 31358688 A JP31358688 A JP 31358688A JP 31358688 A JP31358688 A JP 31358688A JP H02158172 A JPH02158172 A JP H02158172A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ソース及びドレイン領域に低濃度領域部を有
する所謂Ｌ Ｄ Ｄ （ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ
ｄｒａｉｎ）構造の薄膜トランジスタに関する。
する所謂Ｌ Ｄ Ｄ （ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ
ｄｒａｉｎ）構造の薄膜トランジスタに関する。
本発明は、ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタにおいて、ソ
ース及びドレイン領域上にリンを含まない第１のシリコ
ン酸化膜とリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜と第１の
シリコン酸化膜及びＰＳＧ膜間に介在しＰＳＧ膜よりリ
ン濃度の小さい第２のシリコン酸化膜とからなる絶縁層
を被着形成することによって、信頼性の高いＬＤＤ構造
の薄膜トランジスタを得るようにしたものである。
ース及びドレイン領域上にリンを含まない第１のシリコ
ン酸化膜とリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜と第１の
シリコン酸化膜及びＰＳＧ膜間に介在しＰＳＧ膜よりリ
ン濃度の小さい第２のシリコン酸化膜とからなる絶縁層
を被着形成することによって、信頼性の高いＬＤＤ構造
の薄膜トランジスタを得るようにしたものである。
［従来の技術］
多結晶シリコンの薄膜トランジスタにおいては、低リー
ク電流化及び高耐圧化を行うにあたり、ＬＤＤ構造が採
用されている。
ク電流化及び高耐圧化を行うにあたり、ＬＤＤ構造が採
用されている。
第３図はＬＤＤ構造のｎチャンネル薄膜トランジスタの
一例を示す。この薄膜トランジスタでは、先ずＳｉＯ□
等の絶縁体（１）上にｐ形の多結晶シリコン膜（２）を
形成し、そのゲートに対応する部分上に熱酸化によるゲ
ート絶縁膜（ＳｉＯｚ） （３）及びリンドープの多結
晶シリコンによるゲート電極（４）を形成したのち（同
図Ａ）、ゲート電極（４）をマスクに多結晶シリコン膜
（２）にＡｓをイオン注入してｎ形の低濃度領域（ｎ−
領域） （５ｓ）（５ｏ）を形成する（同図Ｂ）。次に
、ゲート電極（４）及びｎ−領域（５Ｓ） （５０）の
一部を覆うようにフォトレジストＮ（６）を被着形成し
、Ａｓをイオン注入してｎ形の高濃度領域（ｎ″領域
（７Ｓ）（７Ｄ）を形成する。ｎ″領域７ｓ）及びｎ−
領域（５Ｓ）によってソース領域（８）が構成され、ｎ
′−領域（７０）及びｎ−９１域（５Ｄ）によってドレ
イン領域（９）が構成される。このｎ−６１域（５５）
＜５１））が所謂ＬＤＤ部となる（同図Ｃ）。
一例を示す。この薄膜トランジスタでは、先ずＳｉＯ□
等の絶縁体（１）上にｐ形の多結晶シリコン膜（２）を
形成し、そのゲートに対応する部分上に熱酸化によるゲ
ート絶縁膜（ＳｉＯｚ） （３）及びリンドープの多結
晶シリコンによるゲート電極（４）を形成したのち（同
図Ａ）、ゲート電極（４）をマスクに多結晶シリコン膜
（２）にＡｓをイオン注入してｎ形の低濃度領域（ｎ−
領域） （５ｓ）（５ｏ）を形成する（同図Ｂ）。次に
、ゲート電極（４）及びｎ−領域（５Ｓ） （５０）の
一部を覆うようにフォトレジストＮ（６）を被着形成し
、Ａｓをイオン注入してｎ形の高濃度領域（ｎ″領域
（７Ｓ）（７Ｄ）を形成する。ｎ″領域７ｓ）及びｎ−
領域（５Ｓ）によってソース領域（８）が構成され、ｎ
′−領域（７０）及びｎ−９１域（５Ｄ）によってドレ
イン領域（９）が構成される。このｎ−６１域（５５）
＜５１））が所謂ＬＤＤ部となる（同図Ｃ）。
次に、フォトレジスト層（６）を除去し、全面にＳｉ０
ｇ膜（１０）及びＮａイオンの侵入を阻止するＰＳＧ（
リンシリケートガラス）膜（１１）をＣＶＤ （化学気
相成長）法により被着形成して後、上記Ａｓのイオン注
入の活性化アニールを行ってＬＤＤ構造のｎチャンネル
薄膜トランジスタ（１２）を得ている。
ｇ膜（１０）及びＮａイオンの侵入を阻止するＰＳＧ（
リンシリケートガラス）膜（１１）をＣＶＤ （化学気
相成長）法により被着形成して後、上記Ａｓのイオン注
入の活性化アニールを行ってＬＤＤ構造のｎチャンネル
薄膜トランジスタ（１２）を得ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のＬＤＤ構造のバルク形トランジスタでは、Ｎａイ
オンの侵入阻止のために層間膜としてＰＳ（Ｊｌが用い
られている。又、このＰ Ｓ Ｇｉの下にも連続形成し
たＳｉＯ□膜を有しているが、熱酸化によるＳｉｎ、膜
であるのでＬＤＤ部への問題はない。
オンの侵入阻止のために層間膜としてＰＳ（Ｊｌが用い
られている。又、このＰ Ｓ Ｇｉの下にも連続形成し
たＳｉＯ□膜を有しているが、熱酸化によるＳｉｎ、膜
であるのでＬＤＤ部への問題はない。
ところが、前述のＬＤＤ構造の薄膜トランジスタにＰＳ
Ｇ膜（１１）を適用すると、同一装置を用いて連続成長
させていたＳｉＯ２膜（１０）はオートドーピングによ
りリンを含むため、このリンが活性化アニール中にＬＤ
Ｄ部（５Ｓ） （５Ｄ）に拡散し、ＬＤＤ部（５５）
（５Ｄ）のｎ”濃度を乱していた。ここでＳｉＯ□膜（
１０）を熱酸化で形成すると多結晶シリコン膜の膜厚が
変化してしまうのでＣＶＤ法等により形成せざるを得な
い。
Ｇ膜（１１）を適用すると、同一装置を用いて連続成長
させていたＳｉＯ２膜（１０）はオートドーピングによ
りリンを含むため、このリンが活性化アニール中にＬＤ
Ｄ部（５Ｓ） （５Ｄ）に拡散し、ＬＤＤ部（５５）
（５Ｄ）のｎ”濃度を乱していた。ここでＳｉＯ□膜（
１０）を熱酸化で形成すると多結晶シリコン膜の膜厚が
変化してしまうのでＣＶＤ法等により形成せざるを得な
い。
本発明者達の実験ではＬＤＤ部（５Ｓ） （５０）のｎ
−濃度は低い方即ちＩ ＸＩＯ”ｃｍ−’以下が良いと
いう結果が得られている。
−濃度は低い方即ちＩ ＸＩＯ”ｃｍ−’以下が良いと
いう結果が得られている。
従って、ＬＤＤ部（５Ｓ） （５Ｄ）へのリン拡散を防
ぐためには、リンを含まない純粋なＳｉＯ□膜を別の手
段で形成し、この純粋なＳｉｎ、膜をＰＳＧ膜の高濃度
リンのストッパーとして作用させることが考えられる。
ぐためには、リンを含まない純粋なＳｉＯ□膜を別の手
段で形成し、この純粋なＳｉｎ、膜をＰＳＧ膜の高濃度
リンのストッパーとして作用させることが考えられる。
しかし、純粋な５ｉｎｔ膜を形成した場合にはストレス
が大きくなること、コンタクト窓開けの際にＰＳＧ膜に
対しエツチングレートが大きく微細パターンの窓開けが
出来ない等の問題があった。
が大きくなること、コンタクト窓開けの際にＰＳＧ膜に
対しエツチングレートが大きく微細パターンの窓開けが
出来ない等の問題があった。
本発明は、上述の点に鑑み、ＬＤＤ部の濃度変動を抑え
且つ上記ストレス、コンタクト窓開は等の問題を解消し
た信顧性の高い薄膜トランジスタを提供するものである
。
且つ上記ストレス、コンタクト窓開は等の問題を解消し
た信顧性の高い薄膜トランジスタを提供するものである
。
本発明は、ソース領域（８）及びドレイン領域（９）゛
に低濃度領域部（５Ｓ） （５Ｄ）を有する所謂ＬＤＤ
構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース領域（８）及
びドレイン領域（９）上に、リンを含まない第１のシリ
コン酸化膜（２１）と、リンシリケートガラス（ＰＳＧ
）ＩＩＩ（１１）と、第１のシリコン酸化ＩＩ！（２１
）及びリンシリケートガラス膜（１１）間に介在しリン
シリケートガラス膜（１１）よりリン濃度の小さい第２
のシリコン酸化膜（２２）とからなる絶縁層（２４）を
被着形成して構成する。
に低濃度領域部（５Ｓ） （５Ｄ）を有する所謂ＬＤＤ
構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース領域（８）及
びドレイン領域（９）上に、リンを含まない第１のシリ
コン酸化膜（２１）と、リンシリケートガラス（ＰＳＧ
）ＩＩＩ（１１）と、第１のシリコン酸化ＩＩ！（２１
）及びリンシリケートガラス膜（１１）間に介在しリン
シリケートガラス膜（１１）よりリン濃度の小さい第２
のシリコン酸化膜（２２）とからなる絶縁層（２４）を
被着形成して構成する。
３層構造の絶縁層（２４）のうち、ソース領域（８）及
びドレイン領域（９）に接したリンを含まない第１のシ
リコン酸化膜（２１）は第２のシリコン酸化膜（２２）
のリンのストッパーとして作用する。この第１のシリコ
ン酸化膜（２１）により、活性化アニール時においても
低濃度領域部（５Ｓ） （５０）へのリンの侵入が阻止
され、低濃度領域部（５３） （５０）における濃度は
変動しない。
びドレイン領域（９）に接したリンを含まない第１のシ
リコン酸化膜（２１）は第２のシリコン酸化膜（２２）
のリンのストッパーとして作用する。この第１のシリコ
ン酸化膜（２１）により、活性化アニール時においても
低濃度領域部（５Ｓ） （５０）へのリンの侵入が阻止
され、低濃度領域部（５３） （５０）における濃度は
変動しない。
又、リンシリケートガラス膜（１１）によりＮａイオン
の侵入は阻止される。
の侵入は阻止される。
さらに、リンを含む第２のシリコン酸化膜（２２）はリ
ンシリケートガラス膜（１１）のリンのストッパーとし
て作用し、ストレスも小さく、またリンシリケートガラ
ス膜（１１）とのエツチングレート差も小さい。絶縁層
（２４）のコンタクト窓開けに際し、第１のシリコン酸
化膜（２１）は薄く、且つ第２のシリコン酸化膜（２２
）とリンシリケートガラス膜（１１）のエツチングレー
ト差が小さいことから、微細パターンのコンタクト窓開
けが可能となる。
ンシリケートガラス膜（１１）のリンのストッパーとし
て作用し、ストレスも小さく、またリンシリケートガラ
ス膜（１１）とのエツチングレート差も小さい。絶縁層
（２４）のコンタクト窓開けに際し、第１のシリコン酸
化膜（２１）は薄く、且つ第２のシリコン酸化膜（２２
）とリンシリケートガラス膜（１１）のエツチングレー
ト差が小さいことから、微細パターンのコンタクト窓開
けが可能となる。
以下、図面を参照して本発明による薄膜トランジスタの
一例をその製法と共に説明する。図はｎチャンネルトラ
ンジスタに適用したが、Ｐチャンネルトランジスタにも
適用可能である。
一例をその製法と共に説明する。図はｎチャンネルトラ
ンジスタに適用したが、Ｐチャンネルトランジスタにも
適用可能である。
本例においては、先ず第１図Ａに示すようにＳｉｎ。
等の絶縁体（１）上の所定領域にｐ形の多結晶シリコン
膜（２）を形成し、そのゲートに対応する部分上に熱酸
化によるゲート絶縁膜（ＳｉＯｚ） （３）及びリンド
ープの多結晶シリコンによるゲート電極（４）を形成す
る。
膜（２）を形成し、そのゲートに対応する部分上に熱酸
化によるゲート絶縁膜（ＳｉＯｚ） （３）及びリンド
ープの多結晶シリコンによるゲート電極（４）を形成す
る。
次に、第１図Ｂに示すように、ゲート電極（！＋）をマ
スクに多結晶シリコン膜（２）にＡｓをイオン注入して
Ｉ ＸＩＯ”ＣＩ−″以下のｎ形の低濃度領域（ｎ−領
域） （５ｓ）（５ｎ）を形成する。
スクに多結晶シリコン膜（２）にＡｓをイオン注入して
Ｉ ＸＩＯ”ＣＩ−″以下のｎ形の低濃度領域（ｎ−領
域） （５ｓ）（５ｎ）を形成する。
次に、第１図Ｃに示すように、ゲート電極（４）及びＬ
ＤＤ部となるｎ−領域（５Ｓ） （５Ｄ）の一部を覆う
ようにフォトレジスト層（６）を被着形成し、Ａｓをイ
オン注入してｎ形の高濃度領域（ｎ“領域） （７Ｓ）
（７Ｄ）を形成する。ｎ″領域７Ｓ）及びｎ−領域（５
Ｓ）によってソース領域（８）を構成し、ｎ−領域（７
Ｄ）及びｎ−領域（５Ｄ）によってドレイン領域（９）
を構成する。
ＤＤ部となるｎ−領域（５Ｓ） （５Ｄ）の一部を覆う
ようにフォトレジスト層（６）を被着形成し、Ａｓをイ
オン注入してｎ形の高濃度領域（ｎ“領域） （７Ｓ）
（７Ｄ）を形成する。ｎ″領域７Ｓ）及びｎ−領域（５
Ｓ）によってソース領域（８）を構成し、ｎ−領域（７
Ｄ）及びｎ−領域（５Ｄ）によってドレイン領域（９）
を構成する。
ｎ−領域（５Ｓ） （５１１）がＬＤＤ部とナル。
次に、第１図りに示すようにフォトレジスト層（６）を
除去して後、ソース領域（８）及びドレイン領域（９）
上に、実際にはソース及びドレイン領域を含む全面に厚
さ１０Å以上例えば２０人程度の純粋なＳｉｎ。
除去して後、ソース領域（８）及びドレイン領域（９）
上に、実際にはソース及びドレイン領域を含む全面に厚
さ１０Å以上例えば２０人程度の純粋なＳｉｎ。
膜（２１）を被着形成する。この厚さ２０人程度のＳｉ
０ｇ膜（２１）は次のような各方法で形成し得る。
０ｇ膜（２１）は次のような各方法で形成し得る。
（ｉ）硝酸や過酸化水素等との酸化剤薬品で煮沸酸化す
る。
る。
（ｉｉ ） ４００℃以下のプラズマ中（例えばｏ２中
のプラズマ或はＮｔＯ中のプラズマ）で酸化する。
のプラズマ或はＮｔＯ中のプラズマ）で酸化する。
（ｉｉｉ）ゲート電極（４）の多結晶シリコンからのリ
ンの気相オートドープがない温度（７００°Ｃ以下）で
シリコン表面を酸化する。
ンの気相オートドープがない温度（７００°Ｃ以下）で
シリコン表面を酸化する。
（ｉｖ）（ｉ）と（ｉｉｉ ）の組み合せ、或は（ｉｉ
）と（ｉｉｉ ）の組み合せで酸化する。
）と（ｉｉｉ ）の組み合せで酸化する。
（ｖ）気相、光ＣＶＤにより低温でＳｉｎｇを成長させ
る。
る。
次に、第１図已に示すようにこの純粋なＳｉ０ｇ膜（２
１）上に順次同−ＣＶＤ装置を用いてＳｉＯ□膜（２２
）及びリンシリケートガラス（ｐｓｃ）膜（１１）を被
着形成する。ここで同−ＣＶＤ装置を用いているのでＳ
ｉ０ｇ膜（２２）はＰＳＧ膜（１１）よりはリン濃度の
小さいリン含有ＳｉＯ□膜となる。しかる後、Ａｓのイ
オン注入で形成されたソース領域（８）及びドレイン領
域（９）に対する活性化アニールを施し、目的のＬＤＤ
構造の薄膜トランジスタ（２３）を得る。
１）上に順次同−ＣＶＤ装置を用いてＳｉＯ□膜（２２
）及びリンシリケートガラス（ｐｓｃ）膜（１１）を被
着形成する。ここで同−ＣＶＤ装置を用いているのでＳ
ｉ０ｇ膜（２２）はＰＳＧ膜（１１）よりはリン濃度の
小さいリン含有ＳｉＯ□膜となる。しかる後、Ａｓのイ
オン注入で形成されたソース領域（８）及びドレイン領
域（９）に対する活性化アニールを施し、目的のＬＤＤ
構造の薄膜トランジスタ（２３）を得る。
上述の構成の薄膜トランジスタによれば、そのＬＤＤ構
造のソース領域（８）及びドレイン領域（９）上に純粋
なＳｉＯ□膜（２１）、 リン濃度の小さいＳｉ０ｇ
膜（２２）及びＰＳＧ膜（１１）による３層構造の絶縁
層（２４）が形成される。このため、純粋なＳｉＯ２膜
（２１）がリン含有５ｉｆｔ膜（２２）のリンに対する
ストッパーとなることによって、絶縁層（２４）を形成
した後の活性化アニール時にＳｉｎ、膜（２２）中のリ
ンのＬＤＤ部即ち低濃度領域（５Ｓ） （５Ｄ）への侵
入を阻止することができ、低濃度領域（５Ｓ） （５Ｄ
）のｎ−濃度を変動させることがない。したがって低濃
度領域（５Ｓ） （５Ｄ）のｎ濃度は第１図ＢのＡｓイ
オン注入工程で決まる最適濃度に設定することができる
。
造のソース領域（８）及びドレイン領域（９）上に純粋
なＳｉＯ□膜（２１）、 リン濃度の小さいＳｉ０ｇ
膜（２２）及びＰＳＧ膜（１１）による３層構造の絶縁
層（２４）が形成される。このため、純粋なＳｉＯ２膜
（２１）がリン含有５ｉｆｔ膜（２２）のリンに対する
ストッパーとなることによって、絶縁層（２４）を形成
した後の活性化アニール時にＳｉｎ、膜（２２）中のリ
ンのＬＤＤ部即ち低濃度領域（５Ｓ） （５Ｄ）への侵
入を阻止することができ、低濃度領域（５Ｓ） （５Ｄ
）のｎ−濃度を変動させることがない。したがって低濃
度領域（５Ｓ） （５Ｄ）のｎ濃度は第１図ＢのＡｓイ
オン注入工程で決まる最適濃度に設定することができる
。
第２図はシリコン基板上に５ｉＯｚ膜とＰＳＧ膜を被着
した構造において、Ｓｉ’Ｏｚ膜中にリンが５Ｘ１０”
ｃｍ弓存在したとして、１０００″Ｃ１１０分のアニー
ルを施した後のリンの拡散濃度プロファイルを示したも
のである。×印（曲線■）はシリコン基板とリン含有５
ｉｎｚ膜との間に純粋なＳｉｎ、膜がない場合、・印（
曲線■）はシリコン基板とリン含有ＳｉＯ□膜との間に
２０人の純粋な５ｉｎ２膜がある場合である。
した構造において、Ｓｉ’Ｏｚ膜中にリンが５Ｘ１０”
ｃｍ弓存在したとして、１０００″Ｃ１１０分のアニー
ルを施した後のリンの拡散濃度プロファイルを示したも
のである。×印（曲線■）はシリコン基板とリン含有５
ｉｎｚ膜との間に純粋なＳｉｎ、膜がない場合、・印（
曲線■）はシリコン基板とリン含有ＳｉＯ□膜との間に
２０人の純粋な５ｉｎ２膜がある場合である。
第２図の結果から明らかなように、わずか２０人程度の
純粋なＳｆＯ□膜がシリコン基板上に存在するだけでシ
リコン基板へのリンの拡散を防ぐことができる。
純粋なＳｆＯ□膜がシリコン基板上に存在するだけでシ
リコン基板へのリンの拡散を防ぐことができる。
又、上記構成においてはＰＳＧ膜（１１）がＮａイオン
のストッパーとなることによって、Ｎａイオンの侵入を
阻止することができる。また、純粋なＳｉＯ□膜（２１
）とｐｓｃ膜（１１）の間にリン含有のＳｉＯ□膜（２
２）が介在していることにより、コンタクト窓開けに際
し、ＰＳＧ膜（１１）とＳｉＯ２膜（２２）のエッチン
グレート差が小さくなり、且つ純粋なＳｉＯ□膜（２１
）は薄いので微細パターンの窓開けが可能となる。
のストッパーとなることによって、Ｎａイオンの侵入を
阻止することができる。また、純粋なＳｉＯ□膜（２１
）とｐｓｃ膜（１１）の間にリン含有のＳｉＯ□膜（２
２）が介在していることにより、コンタクト窓開けに際
し、ＰＳＧ膜（１１）とＳｉＯ２膜（２２）のエッチン
グレート差が小さくなり、且つ純粋なＳｉＯ□膜（２１
）は薄いので微細パターンの窓開けが可能となる。
さらにリン含有のＳｉ０ｇ膜（２２）及びＰＳＧ膜（１
１）によってストレスを小さくすることができる。また
製法的にも特別な装置を追加することなく、従来装置で
容易に作製することができる。
１）によってストレスを小さくすることができる。また
製法的にも特別な装置を追加することなく、従来装置で
容易に作製することができる。
本発明によれば、所謂ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタに
おいて、そのソース及びドレイン領域上に上述した３層
構造の絶縁層を有することにより、低濃度領域部へのリ
ンの侵入を阻止することができ、低濃度領域部を最適濃
度に設定することができる。又、絶縁層にはリンを含む
シリコン酸化膜及びリンシリケートガラスを有するので
、Ｎａイオンの侵入を阻止することができ、且つストレ
スも小さくすることができる。さらに、絶縁層内のエツ
チングレート差が小さくなり、絶縁層に対する微細パタ
ーンのコンタクト窓開けを形成することができる。
おいて、そのソース及びドレイン領域上に上述した３層
構造の絶縁層を有することにより、低濃度領域部へのリ
ンの侵入を阻止することができ、低濃度領域部を最適濃
度に設定することができる。又、絶縁層にはリンを含む
シリコン酸化膜及びリンシリケートガラスを有するので
、Ｎａイオンの侵入を阻止することができ、且つストレ
スも小さくすることができる。さらに、絶縁層内のエツ
チングレート差が小さくなり、絶縁層に対する微細パタ
ーンのコンタクト窓開けを形成することができる。
従って信頼性の高いＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを提
供することができる。
供することができる。
第１図Ａ−Ｅは本発明の薄膜トランジスタの一例を示す
製造工程順の断面図、第２図は本発明の説明に供するリ
ンの拡散濃度プロファイル図、第３図Ａ−Ｄは従来の薄
膜トランジスタの例を示す製造工程順の断面図である。 （１）は絶縁体、（２）は多結晶シリコン膜、（３）は
ゲート絶縁膜、（４）はゲート電極、（５Ｓ） （５Ｄ
）は低濃度領域部、（８）はソース領域、（９）はドレ
イン領域、（１１）はＰＳＧ膜、（１０） 、 （２２
）はリン含有ＳｉＯ□膜、（２１）は純粋な５ｉｎ２膜
である。
製造工程順の断面図、第２図は本発明の説明に供するリ
ンの拡散濃度プロファイル図、第３図Ａ−Ｄは従来の薄
膜トランジスタの例を示す製造工程順の断面図である。 （１）は絶縁体、（２）は多結晶シリコン膜、（３）は
ゲート絶縁膜、（４）はゲート電極、（５Ｓ） （５Ｄ
）は低濃度領域部、（８）はソース領域、（９）はドレ
イン領域、（１１）はＰＳＧ膜、（１０） 、 （２２
）はリン含有ＳｉＯ□膜、（２１）は純粋な５ｉｎ２膜
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ソース及びドレイン領域に低濃度領域部を有する薄膜ト
ランジスタにおいて、 上記ソース及びドレイン領域上に、リンを含まない第１
のシリコン酸化膜と、リンシリケートガラス膜と、上記
第１のシリコン酸化膜及び上記リンシリケートガラス膜
間に介在しリンシリケートガラス膜よりリン濃度の小さ
い第２のシリコン酸化膜とからなる絶縁層が被着形成さ
れて成る薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31358688A JPH02158172A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31358688A JPH02158172A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02158172A true JPH02158172A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18043096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31358688A Pending JPH02158172A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02158172A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054505A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013084941A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31358688A patent/JPH02158172A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012054505A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013084941A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
| US9905516B2 (en) | 2011-09-26 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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