JPH02154263A - Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition

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JPH02154263A
JPH02154263A JP30854488A JP30854488A JPH02154263A JP H02154263 A JPH02154263 A JP H02154263A JP 30854488 A JP30854488 A JP 30854488A JP 30854488 A JP30854488 A JP 30854488A JP H02154263 A JPH02154263 A JP H02154263A
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邦明 佐藤
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Nobuyuki Hayashi
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Noburu Kikuchi
宣 菊地
Takayuki Saito
斉藤 高之
Mitsumasa Kojima
児嶋 充雅
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Abstract

PURPOSE:To obtain a photosensitive resin compsn. capable of providing a photosensitive element having a thick film on a base material by incorporating a polymer having specified recurrent units and a specified photoinitiator into the compsn. CONSTITUTION:A polymer having recurrent units expressed by the formula I and a photoinitiator are contained in a photosensitive resin compsn. The compsn. is laminated on a flexible base body such as polyester film by coating and drying. Thus, a photosensitive element having a sandwich structure is prepd. previously by providing, if necessary a cover sheet comprising polyethylene, etc. on the lamination. The cover sheet is removed thereafter, thus, a coating film is formed on a base body. The thickness of the coating film can be adjusted by selecting a coating means, solid content and the viscosity of an varnish, etc. Thus, a thick film is formed on the surface of the base body.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光透過性および溶解性に優れるとともに、基
板表面に対する厚膜の形成が可能な感光性樹脂組成物及
びこれを用いた感光性エレメントに関する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a photosensitive resin composition that has excellent light transmittance and solubility and is capable of forming a thick film on a substrate surface, and a photosensitive resin composition using the same. Regarding elements.

(従来の技術) 従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子は。(Conventional technology) Conventionally, heat-resistant polymers typified by polyimide.

耐熱性、電気的および機械的特性に優れているため、半
導体工業における固体素子への絶縁膜やパッシベーショ
ン膜などの形成材料、あるいは半導体集積回路の形成用
レジスト材などとして用いられており、また、プリント
配線板の分野においても基板上への回路パターン形成用
レジスト材、あるいは層間絶縁材料等として広く用いら
れている。
Due to its excellent heat resistance, electrical and mechanical properties, it is used as a forming material for insulating films and passivation films for solid-state devices in the semiconductor industry, and as a resist material for forming semiconductor integrated circuits. In the field of printed wiring boards, it is also widely used as a resist material for forming circuit patterns on substrates, or as an interlayer insulation material.

近年、半導体工業にあっては、従来より無機材料を用い
て行なわれていた層間絶縁材料として。
In recent years, in the semiconductor industry, inorganic materials have traditionally been used as interlayer insulation materials.

主にポリイミド樹脂等のように耐熱性に優れた有機物が
、その特性を生かして使用されてきている。
Organic materials with excellent heat resistance, such as polyimide resin, have been mainly used to take advantage of their properties.

しかしながら、半導体集積回路やプリント基板上の回路
のパターン形成は、基材表面へのレジスト材の造膜、所
定箇所への露光、エツチング等による不要箇所の除去、
基材表面の清浄作業等繁雑で多岐に亘る工程を経てパタ
ーン形成が行なわれることから、露光、現像によってパ
ターン形成後も必要な部分のレジスト材料を、絶縁材料
としてそのまま残して用いることができる耐熱性感光材
料の開発が望まれている。
However, pattern formation of semiconductor integrated circuits and circuits on printed circuit boards involves forming a film of resist material on the surface of the base material, exposing predetermined areas to light, removing unnecessary areas by etching, etc.
Since pattern formation is performed through a complex and diverse process such as cleaning the surface of the base material, a heat-resistant resist material that can be used as an insulating material even after the pattern is formed by exposure and development. The development of photosensitive materials is desired.

しかして、これらの材料として9例えば感光性ポリイミ
ド、環化ポリブタジェン等をベースポリマとした耐熱感
光材料が提案されており1%に。
However, heat-resistant photosensitive materials using base polymers such as photosensitive polyimide, cyclized polybutadiene, etc. have been proposed as these materials, and the amount thereof is 1%.

、感光性ポリイミドは、その1m熱性が優れていること
や不純物の排除が容易であることなどの点から特に注目
されている。
, photosensitive polyimide has attracted particular attention because of its excellent 1 m heat resistance and the ease with which impurities can be removed.

このような感光性ポリイミドとしては9例えば特公昭4
9−17374号公報によシ、ポリイミド前駆体と重ク
ロム酸塩からなる系が最初に提案されたが、この材料は
、実用的な光感度を有するとともに膜形成能が高いなど
の長所を有する反面。
Examples of such photosensitive polyimides include 9, for example,
9-17374, a system consisting of a polyimide precursor and a dichromate was first proposed, but this material has advantages such as practical photosensitivity and high film-forming ability. On the other hand.

保存安定性に欠け、またポリイミド中にクロムイオンが
残存することなどの欠点があり、実用には至らなかった
It lacked storage stability and had drawbacks such as residual chromium ions in the polyimide, so it was not put into practical use.

また他の例として、特公昭55−30207号公報によ
りポリイミド前駆体に感光基をエステル結合で導入した
感光性ポリイミド前駆体が提案されているが、この材料
は、感光基を導入する際に脱塩酸反応を含むため、最終
的に塩化物が残り。
As another example, Japanese Patent Publication No. 55-30207 proposes a photosensitive polyimide precursor in which a photosensitive group is introduced into a polyimide precursor through an ester bond. Because it involves a hydrochloric acid reaction, chloride remains in the end.

この塩化物の途去が問題となっている。The loss of this chloride has become a problem.

このような問題を回避するために9例えば特開昭54−
109828号公報によシ、ポリイミド前駆体に感光基
を有する化合物を混合する方法。
In order to avoid such problems, for example,
According to Japanese Patent No. 109828, a method of mixing a compound having a photosensitive group with a polyimide precursor.

また1%開昭56−24343号公報、!開昭60−1
00143号公報等により、ポリイミド前駆体中の官能
基と感光基を有する化合物の官能基とを反応させて感光
性を付与させる方法が提案されている。
Also, 1% Publication No. 56-24343,! Kaisho 60-1
No. 00143 and the like propose a method of imparting photosensitivity by reacting a functional group in a polyimide precursor with a functional group of a compound having a photosensitive group.

しかしながら、これらの感光性ポリイミドは。However, these photosensitive polyimides.

耐熱性を確保するためにベースポリマとして芳香族ポリ
イミド前駆体が用いられており、このため溶解性に本質
的な間頂を有するとともに、さらに紫外領域での光透過
率が低く厚膜を形成するのが困難である等の問題を有し
ている。
An aromatic polyimide precursor is used as the base polymer to ensure heat resistance, and as a result, it has an essential gap in solubility and also has low light transmittance in the ultraviolet region, forming a thick film. There are problems such as difficulty in

このように、ベースポリマとして芳香族ポリイミド前駆
体を用いた場合にあっては、厚膜形成が困難なため、絶
縁材料として用いる場合には2回路の平坦化や低誘電率
化に問題を残しており、その改善が望まれている。
In this way, when an aromatic polyimide precursor is used as a base polymer, it is difficult to form a thick film, so when used as an insulating material, problems remain in flattening the two circuits and lowering the dielectric constant. Improvements are desired.

例えば、感光性ポリイミドとして、芳香族ポリイミド前
駆体と感光基を有する化合物とを溶解した場合には、こ
の溶液から塗膜を形成する乾燥工程において大部分の良
溶媒が揮発してしまうため。
For example, when a photosensitive polyimide is prepared by dissolving an aromatic polyimide precursor and a compound having a photosensitive group, most of the good solvent evaporates during the drying process of forming a coating film from this solution.

乾燥後の塗膜は芳香族ポリイミド前駆体と感光基を有す
る化合物から構成されることになる。
The dried coating film is composed of an aromatic polyimide precursor and a compound having a photosensitive group.

そして、このような感光基を有する化合物は。And what about compounds that have such photosensitive groups?

一般に芳香族ポリイミド前駆体に対しては貧溶媒である
ため、芳香族ポリイミド前駆体は不溶化し白化現象を塗
膜に発生させることとなり、こうした溶解性の問題から
露光工程に供することは困難となる。
Since it is generally a poor solvent for aromatic polyimide precursors, aromatic polyimide precursors become insolubilized and cause a whitening phenomenon in the coating film, making it difficult to use them in the exposure process due to such solubility problems. .

また、感光性ポリイミドを含めた大部分の感光性樹脂は
、共存させた光重合開始剤に吸収された光エネルギーが
反応の引き金となり9分子内ま九は分子間に化学的また
は構造的変化を生ずることにより像形成を行なうもので
あり、現行の大部分の光重合開始剤は、吸収波長が紫外
領域であるため、この領域での光透過率の小さい芳香族
ポリイミド前駆体を用いたベースポリマでは、厚膜形成
が難しくなる。
In addition, in most photosensitive resins, including photosensitive polyimides, the light energy absorbed by the coexisting photopolymerization initiator triggers the reaction, causing chemical or structural changes between the molecules. Most current photopolymerization initiators have an absorption wavelength in the ultraviolet region, so a base polymer using an aromatic polyimide precursor with low light transmittance in this region is used. This makes it difficult to form a thick film.

このように、芳香族ポリイミド前駆体をベースポリマに
用いた感光性ポリイミドでは、白化現象および光透過性
の悪さから膜厚が限定遮れてしまい、厚膜なパターンを
形成することは甚だしく困難であるという問題を有して
いる。
In this way, with photosensitive polyimide that uses an aromatic polyimide precursor as a base polymer, the film thickness is limited due to the whitening phenomenon and poor light transmittance, making it extremely difficult to form thick film patterns. There is a problem with that.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、光透過性および溶解性に優れるととも
に、基材表面に対する厚膜の形成が可能な感光性樹脂組
成物及びこれを用いた感光性エレメントを提供するもの
である。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and has excellent light transmittance and solubility, as well as the ability to form a thick film on the surface of a substrate. The present invention provides a possible photosensitive resin composition and a photosensitive element using the same.

(課題を解決するための手段) 本発明は、一般弐mで表わされる繰り返し単位を有する
重合体及び光開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物に
関する。
(Means for Solving the Problems) The present invention relates to a photosensitive resin composition containing a photoinitiator and a polymer having a repeating unit generally represented by 2m.

の脂環式基、R2は2価の芳香族基を表わし、Yは1価
のエチレン性不飽和基を有する有機基であり。
is an alicyclic group, R2 represents a divalent aromatic group, and Y is an organic group having a monovalent ethylenically unsaturated group.

nは0または1.nlは1または2で、かつn−4−m
=2となるように選ばれる) また9本発明は、前記感光性樹脂組成物を基体上にHt
=してなる感光性エレメントに関する。
n is 0 or 1. nl is 1 or 2, and n-4-m
In addition, in the present invention, the photosensitive resin composition is coated on a substrate with Ht
=Relating to a photosensitive element comprising:

本発明に用いられる一形式山で表わされる繰り返し単位
を有する重合体は9例えば、一般弐(II)または(町
で表わされる化合物と芳香族ジアミンとを重縮合するこ
とによって得ることができる。
The polymer having a repeating unit represented by a monomorphic number used in the present invention can be obtained, for example, by polycondensing a compound represented by a general 2 (II) or (machi) with an aromatic diamine.

(但し1式中、Xはハロゲン原子またはヒドロキシル基
、Yは1価のエチレン性不飽和基を有する有機基であり
、→の記号は異性化を表わす)−形式(II)または[
I[l)で表わされる化合物と芳香族ジアミンとの反応
は、不活性な有機溶媒中で0〜100°Cの温度で行な
われることが好ましく、5〜60℃の温度で行なわれる
ことがより好ましい。
(However, in formula 1, X is a halogen atom or a hydroxyl group, Y is an organic group having a monovalent ethylenically unsaturated group, and the symbol → represents isomerization) - Format (II) or [
The reaction between the compound represented by I[l) and the aromatic diamine is preferably carried out in an inert organic solvent at a temperature of 0 to 100°C, more preferably at a temperature of 5 to 60°C. preferable.

−形式[111または(mlで表わされる化合物と芳香
族ジアミンは、一般弐(Illまだは(III)で表わ
される化合物/芳香族ジアミンが0.8 / 1〜1.
2/1(モル比)の割合で使用するのが好ましく2%に
ほぼ等モルで使用するのがより好ましい。
-Form [111 or (ml) Compound and aromatic diamine are generally 2 (Ill and compound represented by (III)/aromatic diamine are 0.8/1 to 1.
It is preferably used in a ratio of 2/1 (molar ratio), and more preferably in a molar equivalent to 2%.

また、−形式tUtまたは(In)で表わされる化合物
と芳香族ジアミンとの反応は、カルボジイミド型脱水縮
合剤2例えば、ジシクロへキシルカルボジイミドなどや
アミン類等の脱ハロゲン化剤2例えば。
In addition, the reaction between a compound represented by the -format tUt or (In) and an aromatic diamine can be carried out using a carbodiimide-type dehydration condensing agent 2, such as dicyclohexylcarbodiimide, or a dehalogenating agent 2 such as amines.

ピリジンやトリエチルアミン等を用いることにより、促
進される。
This is promoted by using pyridine, triethylamine, etc.

上記反応に用いる有機溶媒としては、生成する一形式山
で表わされる繰り返し単位を有する重合体を完全に溶解
する極性溶媒が一般に好ましく。
As the organic solvent used in the above reaction, it is generally preferable to use a polar solvent that completely dissolves the produced polymer having a repeating unit represented by a monomorphic mountain.

例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、テトラメチル尿素。
For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea.

ホキサメチルリン酸トリアミド、r−ブチロラクトン、
N、N−ジメチルプロピレンウレア、N、N−ジメチル
エチレンウレア等が挙げられる。
Phoxamethyl phosphate triamide, r-butyrolactone,
N,N-dimethylpropyleneurea, N,N-dimethylethyleneurea, and the like.

本発明の感光性樹脂組成物には、上記したような有機溶
媒を含有させることができる。そのような場合、有機溶
媒の使用量は感光性樹脂組成物の10〜95:[i%と
されることが好ましく、30〜80重tSとされること
がよシ好ましい。
The photosensitive resin composition of the present invention can contain an organic solvent as described above. In such a case, the amount of the organic solvent used is preferably 10 to 95:[i% of the photosensitive resin composition, and more preferably 30 to 80 wtS.

上記−形式(IIlまたは(I[Ilで表わされる化合
物は。
The compound represented by the above-format (IIl or (I[Il) is.

例えば2次式N)で表わされる新規なジシクロへキシル
−八4. z 4’−テトラカルボン酸二無水物を。
For example, a novel dicyclohexyl-84. expressed by the quadratic formula N). z 4'-tetracarboxylic dianhydride.

エチレン性不飽和基を有するヒドロキシ化合物で全てま
たは部分的に開環させて半エステル化することにより、
さらにこのものを塩化チオニルや五塩化リンなどで酸ハ
ロゲン化することKより得ることができる。
By fully or partially ring-opening with a hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group and half-esterifying it,
Furthermore, it can be obtained from K by acid halogenating this product with thionyl chloride, phosphorus pentachloride, or the like.

ジシクロへキシル−3,4,x 4’−テトラカルボン
酸二無水物と、エチレン性不飽和基を有するヒドロキシ
化合物との反応は2例えば、ピリジン、ジメチルアミノ
ピリジンなどを添加することにより促進される。
The reaction between dicyclohexyl-3,4,x 4'-tetracarboxylic dianhydride and a hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group is promoted by adding 2, for example, pyridine, dimethylaminopyridine, etc. .

このジシクロへキシル−a、 4.14’−テトラカル
ボン酸二無水物は9本発明者らによって得られた新規な
化合物であって2例えば、下記の弐(V)のような方法
によって得ることができる。
This dicyclohexyl-a, 4.14'-tetracarboxylic dianhydride is a novel compound obtained by the present inventors, and can be obtained, for example, by the method described in (V) below. Can be done.

側光ば、a、4.工4’−ビフェニルテトラカルボン酸
テトラメチルエステルをロジウム触媒を用いて水素化反
応させ、これを鉱酸触媒の入った水溶液を加えて、加熱
り7ラツクスさせ加水分解を行なう。
Side light, a, 4. 4'-Biphenyltetracarboxylic acid tetramethyl ester is subjected to a hydrogenation reaction using a rhodium catalyst, and an aqueous solution containing a mineral acid catalyst is added thereto and heated for 7 lux to perform hydrolysis.

この後加熱するかあるいは無水酢酸を加えることによっ
てジシクロへキシル−3,4,3:4’−テトラカルボ
ン酸二無水物とすることができる。
Dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic dianhydride can be obtained by subsequently heating or adding acetic anhydride.

また、−形式(1>で表わされる繰り返し単位を有する
重合体を得るときには、溶解性および光透過性を低下さ
せぬ程度陀ジシクロへキシル−3,4,3:4′−テト
ラカルボン酸二無水物から得られた一般式(II)また
は(I[1)で表わされる化合物のほか忙、芳香族テト
ラカルボン酸二無水物を2例えば、二量化または重合可
能な不飽和基を有するヒドロキシ化合物で全てまたは部
分的に開環させて半エステル化することにより、さらに
このものを塩化チオニルや五酸化りんなどで酸ハロゲン
化することにより得られることができる一般式(■)ま
たは(VTJで表わされる化合物と併用することができ
る。
In addition, when obtaining a polymer having a repeating unit represented by the form (1>), dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic dianhydride may be In addition to compounds represented by the general formula (II) or (I[1) obtained from compounds, aromatic tetracarboxylic dianhydrides may also be used, for example, with hydroxy compounds having dimerizable or polymerizable unsaturated groups. By fully or partially ring-opening and half-esterification, and further acid halogenation of this product with thionyl chloride, phosphorus pentoxide, etc., it can be obtained by general formula (■) or (VTJ) Can be used in combination with compounds.

芳香族テトラカルボン酸二無水物としては9例えば、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3;4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、a、a;4.4′−ビ
フエニルテトラカルボン酸二無水物、メタ−ターフェニ
ル−& r 4. (−テトラカルボン酸二無水物、ハ
ラ−ターフェニル−3+に4,4’−テトラカルボン酸
二無水物、1,2,5.6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,5.6−ピリジンテトラカルボ
ン酸二無水物、1,4,5.8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、3,4,9.10−ペリレンテトラカ
ルボン酸二無水物、4.4’−スルホニルシフタル酸二
無水物などが挙げられる。
Examples of aromatic tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3; 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, a, a; 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride; Acid dianhydride, meta-terphenyl & r 4. (-tetracarboxylic dianhydride, hala-terphenyl-3+ to 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,5.6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6. 7-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5.6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5.8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9.10- Examples include perylenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-sulfonylsiphthalic dianhydride, and the like.

エチレン性不飽和基を有するヒドロキシ化合物としては
9例えば、トリメチロールプロパンジアクリレート、ト
リメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロー
ルエタンジアクリレート。
Examples of the hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group include trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, and trimethylolethane diacrylate.

トリメチロールエタンジメタクリレート、ペンタ工j7
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート
、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキ
シプロピルアクリレート。
Trimethylol ethane dimethacrylate, pentane j7
Thritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate.

2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキ
シ−3−フェノキシプロビルアクリレート。
2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate.

2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロビルメタクリレー
ト、アリルアルコール、グリセリンジアリルエーテル、
トリメチロールプロパンジアリルエーテル、トリメチロ
ールエタンジアリルエーテル。
2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, allyl alcohol, glycerin diallyl ether,
Trimethylolpropane diallyl ether, trimethylolethane diallyl ether.

ペンタエリスリトールジアリルエーテル、x−1−レン
ゲリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコール
モノアリルエーテル、ジクリセロールトリアリルエーテ
ル、クロチルアルコール、ビニルフェノール、シンナミ
ルアルコール、アリルフェノール、0−シンナミルフェ
ノール。
Pentaerythritol diallyl ether, x-1-lengellicol monoallyl ether, diethylene glycol monoallyl ether, dicrycerol triallyl ether, crotyl alcohol, vinylphenol, cinnamyl alcohol, allylphenol, 0-cinnamylphenol.

(RはHまたはC山である) (RはHまたはC山である) 等が挙げられる。(R is H or C mountain) (R is H or C mountain) etc.

これらのヒドロキシ化合物は、単独でも2a[類似上を
組合せても使用することができる。
These hydroxy compounds can be used alone or in combination with 2a.

上記−形式(It)または−形式(I[[3で表わされ
る化合物との重縮合により一般式(Illで表わされる
繰り返し単位を有する重合体を与える芳香族ジアミンと
しては9例えば、4.4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’
−ジアミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルヌルフ
イド、ベンジジン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−
フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2
.6−ナフタレンジアミン、λ2−ビス(4−アミノフ
ェノキシフェニル)ブロノシン。
Examples of aromatic diamines which give a polymer having a repeating unit represented by the general formula (Ill) by polycondensation with a compound represented by the above -format (It) or -format (I[[3) include 9, for example, 4.4' -diaminodiphenyl ether, 3.4'-diaminodiphenyl ether, 4.4'
-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenyl nulphide, benzidine, meta-phenylenediamine, para-
phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2
.. 6-naphthalenediamine, λ2-bis(4-aminophenoxyphenyl)bronosine.

ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン。Bis(4-aminophenoxyphenyl)sulfone.

2.2−ビス(p−アミノフェニル)へキサフロロプロ
パン等が用いられる。
2.2-bis(p-aminophenyl)hexafluoropropane and the like are used.

これらの芳香族ジアミンは、単独でも2種類以上を組合
せても使用することができる。
These aromatic diamines can be used alone or in combination of two or more.

また、−形式(1)で表わされるポリイミド前駆体を得
るときには、耐熱性を低下させぬ程度に、ジアミノシロ
キサンを併用することができる。
Furthermore, when obtaining the polyimide precursor represented by the -format (1), diaminosiloxane can be used in combination to the extent that heat resistance is not reduced.

この化合物としては1例えば。Examples of this compound include 1.

zHs ■ zHs 2H8 C,H。zHs ■ zHs 2H8 C,H.

CH3 CI(1 CH3 C,1(S c、H。CH3 CI(1 CH3 C,1(S c.H.

CH3CHI CH3CH3Ciも などが挙げられる。CH3CHI CH3CH3Ci too Examples include.

また、場合により上記の反応混合物から重合体を単離す
るKは、アルコール類または水に反応混合物を少量ずつ
加える方法が好ましい。
In addition, in the case of isolating the polymer from the above-mentioned reaction mixture in some cases, it is preferable to add the reaction mixture to alcohol or water little by little.

このようにして得られた固体を、再度反応に用いる有機
溶媒に溶解し、アルコール類または水に加えて再沈殿さ
せることを繰返すことにより精製することができる。
The solid thus obtained can be purified by repeating dissolving it in the organic solvent used in the reaction, adding it to alcohol or water, and reprecipitating it.

本発明に用いられる光開始剤としては9例えばミヒラー
ズケトン、ベンゾイン、2−メチルベンシイる ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテ
ル、z−t−ブチルアントラキノン、1.2−ベンゾ−
9,lO−アントラキノン、アントラキノン、メチルア
ントラキノン、4.4’−ビス(ジエチルアミノ)ベン
ゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキ
サントン、2.4−ジエチルチオキサントン、2−イソ
プロピルチオキサントン、1.5−アセナフテン。
Photoinitiators used in the present invention include, for example, Michler's ketone, benzoin, 2-methylbenzoyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, z-t-butylanthraquinone, 1,2-benzo-
9,1O-anthraquinone, anthraquinone, methylanthraquinone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 1,5-acenaphthene.

ス2−ジメトキシー2−フェニルアセトフェノン。2-dimethoxy 2-phenylacetophenone.

1−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン。1-Hydroxycyclohexylphenyl ketone.

2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モ
ルフォリノ−1−プロパノン、ジアセチル。
2-Methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-1-propanone, diacetyl.

ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチ
ルケタール、ジフェニルジスルフィド、アントラセン、
2.6−ビス(p−ジエチルアミノベンジリデン)−4
−アザ−4−メチルシクロへ中ナノン、2.6−ビス(
p−ジエチルアミノベンジリデン)−4−オキソシクロ
ヘキサノン、スロービス(p−ジエチルアミノベンジリ
デン)−4−テアシクロヘキサノン等を挙げることがで
きる。
Benzyl, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, diphenyl disulfide, anthracene,
2.6-bis(p-diethylaminobenzylidene)-4
-Aza-4-methylcyclonanone, 2,6-bis(
Examples include p-diethylaminobenzylidene)-4-oxocyclohexanone and slow bis(p-diethylaminobenzylidene)-4-theacyclohexanone.

これらの光開始剤の使用量は9組成物の感度および塗膜
の耐熱性の点から、感光性樹脂組成物から有機溶媒、光
開始剤を除いた成分100重量部に対して通常0.01
〜30重量部用いることが好ましく、0.1〜10重量
部用いることがより好ましい。
From the viewpoint of the sensitivity of the composition and the heat resistance of the coating film, the amount of these photoinitiators used is usually 0.01 parts by weight per 100 parts by weight of the photosensitive resin composition excluding the organic solvent and photoinitiator.
It is preferable to use 30 parts by weight, and more preferably 0.1 to 10 parts by weight.

さらに、これらの光開始剤に、光開始助剤であるアミン
類を少量併用することもできる。
Furthermore, a small amount of amines, which are photoinitiation aids, can also be used in combination with these photoinitiators.

アミン類としては9例えば、p−ジメチルアミノ安息香
酸エチル、p−ジエチルアミノ安息香酸エチル、p−ジ
メチルアミノ安息香酸イソアミル。
Examples of amines include ethyl p-dimethylaminobenzoate, ethyl p-diethylaminobenzoate, and isoamyl p-dimethylaminobenzoate.

p−ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸−2
−(ジメチルアミノ)エチル、p−ジメチルアミノベン
ズアルデヒド、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド、
N、N−ジエチルアントラニル酸エチル、p−ジメチル
アミノベンゾニトリル。
Isoamyl p-diethylaminobenzoate, benzoic acid-2
-(dimethylamino)ethyl, p-dimethylaminobenzaldehyde, p-dimethylaminobenzaldehyde,
Ethyl N,N-diethylanthranilate, p-dimethylaminobenzonitrile.

p−ジエチルアミノベンゾニトリル、N、N−ジメチル
アミノナフタレン、N−フェニルグリシン。
p-diethylaminobenzonitrile, N,N-dimethylaminonaphthalene, N-phenylglycine.

N−(p−シアノフェニル)グリシン、N−(p−クロ
ロフェニル)りl)シン、N−(p−ブロモフェニル)
グリシン等を挙げることができる。
N-(p-cyanophenyl)glycine, N-(p-chlorophenyl)lycine, N-(p-bromophenyl)
Examples include glycine and the like.

また、感光性樹脂組成物の熱的な安定性を向上させるた
めに、公知の熱重合禁止剤を共存させることができる。
Furthermore, in order to improve the thermal stability of the photosensitive resin composition, a known thermal polymerization inhibitor can be present.

熱重合禁止剤としては9例えば、p−メトキシフェノー
ル、ヒドロキノン、ピロガロールニトロベンゼン、p−
トルイジン、メチレンブルー、42′−メチレンビス(
4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2.2’−
メチレンビス(4−エチル−6−1−ブチルフェノール
)等が挙げられ、その使用tは、−形式[1)で表わさ
れる繰り返し単位を有する重合体100X量部に対して
0通常′6.oot〜10重量部とするのが好ましい。
Examples of thermal polymerization inhibitors include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallolnitrobenzene, p-
Toluidine, methylene blue, 42'-methylenebis(
4-methyl-6-t-butylphenol), 2.2'-
Examples include methylenebis(4-ethyl-6-1-butylphenol), and the amount of t used is usually 0'6. It is preferable to set it as oot~10 parts by weight.

本発明において必要に応じて重合性不飽和化合物を用い
ることができる。
In the present invention, a polymerizable unsaturated compound can be used as necessary.

重合性不飽和化合物としては例えば、アクリル酸、メチ
ルアクリレート、エチルアクリレート。
Examples of the polymerizable unsaturated compound include acrylic acid, methyl acrylate, and ethyl acrylate.

n−7’口ピルアクリレート、イソプロピルアクリレー
ト、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート
、シクロへキシルアクリレート、ベンジルアクリレート
、カルピトールアクリレート。
n-7' acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate, carpitol acrylate.

メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチル
アクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ジグ
ロビレングリコールジアクリレート、2.2−ビス−(
4−アクリロキシジェトキシフェニル)プロパン、2.
2−ビス−(4−7クリロキシブロビルキシフエニル)
プロパン、トリメチロールプロパンジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、トリアクリルホルマール、テトラメチロー
ルメタンテトラアクリレート、トリス(2−ヒドロキシ
エチル)イソシアヌル酸。
Methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, butoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, diglobylene glycol diacrylate, 2,2-bis-(
4-acryloxyjethoxyphenyl)propane, 2.
2-bis-(4-7cryloxybrobylxophenyl)
Propane, trimethylolpropane diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, triacryl formal, tetramethylolmethanetetraacrylate, tris(2-hydroxyethyl)isocyanuric acid.

(nけ1〜30の整数である)。(n is an integer from 1 to 30).

トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリメタクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラメタクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチ
ル)インシアヌル酸。
Trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, tris(2-hydroxyethyl)in cyanuric acid.

→C賜CH,0→−C−CH=C市 (n、mはn十mが2〜30となるように選ばれる整数
である)。
→C gift CH, 0 → -C-CH=C city (n, m are integers selected so that n0m is 2 to 30).

CH2B r ■ OCHaBr     0 HtC=CH−C−0−CH2−CH−CH20Br 
 Br メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリ
レート、プロピルメタクリレート、λ2−ビスー(4−
メタクリロキシジェトキシフェニル)プロパン、トリメ
チロールプロパンジメタクリレート、ペンタエリスリト
ールジメタクリレート。
CH2B r ■ OCHaBr 0 HtC=CH-C-0-CH2-CH-CH20Br
Br methacrylic acid, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, λ2-bis(4-
(methacryloxyjethoxyphenyl)propane, trimethylolpropane dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate.

(nは1〜30の整数である)。(n is an integer from 1 to 30).

一+−CH5CHzO−+−C−C−CHzCHz (n、mはn+mが1〜30となるように選ばれる整数
である)。
1+-CH5CHzO-+-C-C-CHzCHz (n, m are integers selected such that n+m is 1 to 30).

CHz B r HI  0 CH2B r   CR3 H2C=CHC−0−CHz−CH−C)(20Br 
 Br 本発明において、必要に応じて光架橋剤を用いることが
できる。
CHz B r HI 0 CH2B r CR3 H2C=CHC-0-CHz-CH-C) (20Br
Br In the present invention, a photocrosslinking agent can be used if necessary.

光架橋剤としては1例えば。Examples of photocrosslinking agents include 1.

などを挙げることができる。etc. can be mentioned.

本発明の感光性樹脂組成物は1通常の微細加工技術によ
りパターン加工することができる。
The photosensitive resin composition of the present invention can be patterned using a conventional microfabrication technique.

また2本発明の感光性樹脂組成物を、ガラス基板、シリ
コンウェハー、銅張シ積層板等の支持基板上にスピンナ
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷等の手段で塗布し
乾燥し塗膜とすることができる。
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a support substrate such as a glass substrate, silicon wafer, or copper-clad laminate by means such as spin coating using a spinner, dipping, or spray printing, and dried to form a coating film. It can be done.

塗膜の膜厚は、塗布手段1本発明の感光性重合体組成物
のフェスの固形分濃度、粘度等によ!ll調整できる。
The thickness of the coating film depends on the coating means 1, solid content concentration, viscosity, etc. of the face of the photosensitive polymer composition of the present invention! It can be adjusted.

また、感光性樹脂組成物を可撓性の基体2例えばポリエ
ステルフィルム上に塗布・乾燥して積層痩 し、この上に必要によりボリエテレ4カバーシートを設
けてサンドイッチ構造の感光性エレメントを予め作成し
、この感光性エレメントの≠+会千−カバーシートを剥
がして被覆すべき支持基板上に塗膜を形成することも可
能である。
In addition, the photosensitive resin composition is applied onto a flexible substrate 2 such as a polyester film, dried and laminated, and a BOLIETEL 4 cover sheet is provided on top of this to form a sandwich-structured photosensitive element in advance. It is also possible to peel off the cover sheet of the photosensitive element and form a coating on the supporting substrate to be coated.

支持基板上の被膜に光源を照射し1次いで、未露光部分
を現像液で溶解除去することによりレリーフ・パターン
が得られる。
A relief pattern is obtained by irradiating the coating on the support substrate with a light source, and then dissolving and removing the unexposed portions with a developer.

この際、光源は紫外線、可視光線、放射線等が用いるこ
とができる。
At this time, ultraviolet rays, visible light, radiation, etc. can be used as a light source.

現像液としては2例えば、N−メチル−2−ピロリドン
、N−アセチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメ
チルイミダゾリジノン。
Examples of the developer include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, dimethylimidazolidinone. .

N−ベンジル−2−ピロリドン、N−アセチル−ε−カ
プロラクタム等の極性溶媒が単独で、またはポリアミド
酸の非溶媒9例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン。
Polar solvents such as N-benzyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-ε-caprolactam alone or non-solvents of polyamic acids such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene.

アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、トルエン、キシレン、メチルセロソル
ブ、水、塩基性化合物、塩基性水溶液等との混合液とし
て用いることができる。
It can be used as a mixed solution with acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, toluene, xylene, methyl cellosolve, water, a basic compound, a basic aqueous solution, etc.

塩基性化合物とし毛9例えばモノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、リン酸ナトリウム等が挙げられる。
Examples of basic compounds include monoethanolamine, jetanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, and sodium phosphate.

その使用量は、水100重量部に対して通常0.000
1〜30重量部用いることが好ましく。
The amount used is usually 0.000 parts by weight per 100 parts by weight of water.
It is preferable to use 1 to 30 parts by weight.

0.05〜5重量部用いることがより好ましい。It is more preferable to use 0.05 to 5 parts by weight.

次いで、現像により形成されたレリーフ・パターンを、
リンス液により洗浄し、現像溶液を除去することができ
る。
Next, the relief pattern formed by development is
The developer solution can be removed by cleaning with a rinse solution.

)ンス液としては、現像液との混和性のよいポリアミド
酸の非溶媒が用いられ2例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メチルセロソルブ。
) Polyamic acid non-solvents having good miscibility with the developing solution are used as the liquid solution, such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, and methyl cellosolve.

水等が挙げられる。Examples include water.

上記処理により得られるレリーフ・パターンは。What is the relief pattern obtained by the above treatment?

ポリイミドの前駆体であり、150〜450℃の加熱処
理により、イミド環や他の環状基を持つ耐熱性のレリー
フ・パターンとなる。
It is a precursor of polyimide, and when heated at 150 to 450°C, it becomes a heat-resistant relief pattern with imide rings and other cyclic groups.

(実施例) 以下1本発明を実施例、参考例および比較例を用いて説
明する。
(Example) The present invention will be explained below using Examples, Reference Examples, and Comparative Examples.

参考例;ジシクロへキシル−3,4,工4′−テトラカ
ルボン酸およびその無水物の合成例 (1)ジシクロへキシル−浅4. a 4′−テトラカ
ルボン酸テトラメチルエステルのIn 電磁石による上下攪拌装置の付いた容量500m1オー
トクレーブ(版下化学機器■製5E−50型電磁上下攪
拌式オートクレーブ)に、3,4゜3:4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸テトラメチルエステル38.69(
0,100モル)、テトラヒドロフラン193gおよび
活性炭に5重ikチロジウムを担持させた触媒(日本エ
ンゲルハルト社製)3.869を仕込み、水素圧力30
kg/ci、反応温度100℃で水素化反応を行なった
Reference example: Synthesis example of dicyclohexyl-3,4,4'-tetracarboxylic acid and its anhydride (1) Dicyclohexyl-3,4,4'-tetracarboxylic acid and its anhydride. a 4'-Tetracarboxylic acid tetramethyl ester In a 500 m1 autoclave with a capacity of 500 m1 equipped with an electromagnetic vertical stirring device (Model 5E-50 electromagnetic vertical stirring autoclave manufactured by Hanshita Kagakukiki ■), 3.4° 3:4' -Biphenyltetracarboxylic acid tetramethyl ester 38.69 (
0,100 mol), 193 g of tetrahydrofuran, and 3.869 g of a catalyst (manufactured by Nippon Engelhardt Co., Ltd.) in which 5-fold ik tyrodium was supported on activated carbon, and the hydrogen pressure was 30
The hydrogenation reaction was carried out at a reaction temperature of 100°C.

反応時間3.5時間で水素の消費が停止し、そのときの
蓄圧器内の水素圧力の減少量から求めた消費水素量は理
論消費水素量(0,60モル)の98.7チであった。
Hydrogen consumption stopped after a reaction time of 3.5 hours, and the amount of hydrogen consumed, calculated from the amount of decrease in hydrogen pressure in the pressure accumulator at that time, was 98.7 inches of the theoretical amount of hydrogen consumption (0.60 mol). Ta.

反応液中の活性炭担持ロジウム触媒を、濾過操作により
除去した後エバポレーションで溶媒テトラヒドロフラン
を除去し、白色ワックス状のジシクロへキシル=a、 
4.3: 4’−テトラカルボン酸テトラメチルエステ
ルを36.879(0,0925モル)得た。
After removing the rhodium catalyst supported on activated carbon in the reaction solution by filtration, the solvent tetrahydrofuran was removed by evaporation, and a white waxy dicyclohexyl a,
4.3: 36.879 (0,0925 mol) of 4'-tetracarboxylic acid tetramethyl ester was obtained.

監H−NMR(日立表作所■裂 日立R−250型核磁
気共鳴スペクトロメーター)による分析の結果、ベンゼ
ン核水素および炭素−炭素二重結合に付いている水素は
見出されず、水素化反応は完結していることが判明した
As a result of analysis by Super H-NMR (Hitachi R-250 Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer), no benzene nuclear hydrogen or hydrogen attached to carbon-carbon double bonds were found, and no hydrogenation reaction was detected. It turned out to be complete.

(2)ジシクロへキシル−3,4,3:4’−テトラカ
ルボン酸の製造 冷却管を取付けた11ナス形フラスコに、ジシクロヘキ
シル−3,4,3:4’−テトラカルボン酸テトラメチ
ルエステル29.99(0,075モル)を入れ、これ
にメタノール200gを加え均一溶液とした後、10%
水酸化ナトリウム溶i200 gi力口え、100℃の
油浴に入れ、リフラツクスを6時間行なった。
(2) Production of dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic acid In a No. 11 eggplant-shaped flask equipped with a cooling tube, add 29 g of dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic acid tetramethyl ester. .99 (0,075 mol) and added 200 g of methanol to make a homogeneous solution, then 10%
The mixture was quenched with 200 g of sodium hydroxide solution, placed in an oil bath at 100°C, and refluxed for 6 hours.

コノ後、エバポレーションによりメタノールを留去し1
反応液量が140gになるまで濃縮し。
After this, methanol is distilled off by evaporation.
Concentrate until the amount of reaction liquid becomes 140 g.

これに36%塩酸48m1を加え、pH1とした。48 ml of 36% hydrochloric acid was added to this to adjust the pH to 1.

pH4〜5で液は白濁し、pH1では白色の微細な粉末
が沈澱した。
At pH 4 to 5, the liquid became cloudy, and at pH 1, fine white powder precipitated.

沈澱物を濾過で取り出し、この後水洗、乾燥し17.8
gの白色微粉末状結晶のジシクロへキシル−3,4,3
:4’−テトラカルボン酸を得た( 0.052モル)
The precipitate was removed by filtration, then washed with water and dried.
g white fine powder crystals of dicyclohexyl-3,4,3
:4'-tetracarboxylic acid was obtained (0.052 mol)
.

この結晶の赤外吸収スペクトル(日立製作所■製 日立
260−30型赤外分光光度計を用いKBr法で測定)
を第1図に示し、その”H−NMRスペクトルを第2図
に示す。第2図においてZ50ppmの吸収は、溶媒d
、−ジメチルスルホキシドに基づく吸収であfi、  
3.35ppmの吸収は溶媒に含まれている水による吸
収である。
Infrared absorption spectrum of this crystal (measured by KBr method using Hitachi Model 260-30 infrared spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd.)
is shown in Figure 1, and its "H-NMR spectrum is shown in Figure 2. In Figure 2, the absorption at Z50ppm is due to the solvent d
, - absorption based on dimethyl sulfoxide fi,
The absorption at 3.35 ppm is due to water contained in the solvent.

これら2つを除いた吸収において、11.95ppmの
カルボキシル基プロトンに基づく吸収と。
In the absorption excluding these two, there is an absorption based on carboxyl group protons of 11.95 ppm.

0.87〜a、 o o ppmのシクロヘキサン環プ
ロトンに基づく吸収の積分強度比は、前者:後者が29
:132(=4:18.2)であり、理論値晴ヰ◇弗→
→今に一致した。
The integrated intensity ratio of absorption based on cyclohexane ring protons of 0.87 to a, o o ppm is 29 for the former: for the latter.
:132 (=4:18.2), the theoretical value is clear◇弗→
→It matched now.

また、この結晶の融点は219〜222℃であり9元素
分析の結果、炭素56.24%、水素6.53チであり
、轡中0七合吻◇計算値炭素56.13チ。
The melting point of this crystal is 219-222°C, and as a result of nine element analysis, it is 56.24% carbon and 6.53% hydrogen, and the calculated value is 56.13% carbon.

水素6.48チに一致した。It corresponded to 6.48 h of hydrogen.

(3)  ジシクロヘキシル−3,4,z 4’−テト
ラカルボン酸二無水物の製造 冷却管を取付けた3 00 mlナス形フラスコK。
(3) Production of dicyclohexyl-3,4,z4'-tetracarboxylic dianhydride A 300 ml eggplant-shaped flask K equipped with a cooling tube.

ジシクロへキシル−3,4,1+′−テトラカルボン酸
15.09(0,044モル)と無水酢酸180gとを
仕込み、150℃の油浴に入れ、1時間リフラックスさ
せた。
15.09 (0,044 mol) of dicyclohexyl-3,4,1+'-tetracarboxylic acid and 180 g of acetic anhydride were charged, placed in an oil bath at 150°C, and refluxed for 1 hour.

この後、熱時濾過を行ない1M液を放冷させたところ、
白色結晶が析出した。この結晶を濾過操作で取り出し、
圧力30 mmHg、温度ioo℃で2時間乾燥した後
の結晶量は10.89(0,035モル)であった。
After this, when filtration was performed while hot and the 1M solution was allowed to cool,
White crystals precipitated. These crystals are removed by filtration,
The amount of crystals after drying for 2 hours at a pressure of 30 mmHg and a temperature of ioo°C was 10.89 (0,035 mol).

また、この結晶の融点は231〜234℃であチであり
、理論値(武士の化合物)の炭素6z74チ、水素5゜
92チとよく一致した。
Further, the melting point of this crystal was 231 to 234°C, which was in good agreement with the theoretical values (samurai compound) of carbon 6z74 and hydrogen 5°92.

この結晶の赤外吸収スペクトルを第3図に示す。The infrared absorption spectrum of this crystal is shown in FIG.

’H−NMRスペクトルを第4図に示す。第4図ニオイ
て110−13ppの低磁場におけるカルボン酸プロト
ンの吸収はなく、無水物になっていることがわかる。
The 'H-NMR spectrum is shown in FIG. In Fig. 4, it can be seen that there is no absorption of carboxylic acid protons in a low magnetic field of 110-13 pp, indicating that it is an anhydride.

実施例1 ジシクロへキシル−3,4,3:4′−テトラカルボン
酸二無水物30.99(0,1モル)に、N−メチル−
2−ピロリドン200 mlおよび2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート26.09(0,2モル)を加えて室
温にて12時間攪拌した。この溶液に水冷下、塩化チオ
ニル35gを1時間かけて滴下し。
Example 1 30.99 (0.1 mol) of dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic dianhydride was added
200 ml of 2-pyrrolidone and 26.09 (0.2 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate were added and stirred at room temperature for 12 hours. To this solution, 35 g of thionyl chloride was added dropwise over 1 hour while cooling with water.

その後室温で4時間攪拌を行なった。Thereafter, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours.

この溶液にジアミノジフェニルエーテル20.0g(o
、tモル)を加えて室温にて8時間攪拌した。
Add 20.0 g (o) of diaminodiphenyl ether to this solution.
, t mol) and stirred at room temperature for 8 hours.

さらに、この溶液を51の水中にゆるやかに注入したと
ころ糸状の固形物が析出した。
Furthermore, when this solution was slowly poured into water in No. 51, thread-like solid matter was precipitated.

濾過後、エタノールと水で充分に洗浄した後。After filtration and thorough washing with ethanol and water.

乾燥させて一般式mで表わされる繰り返し単位を有する
重合体を得た。
By drying, a polymer having a repeating unit represented by the general formula m was obtained.

得られた重合体をrpl−IJとする。The obtained polymer is designated as rpl-IJ.

実施例2 ジシクロへキシル−3,4,1′4′−テトラカルボン
酸二無水物30.99(0,1モル)に、N−メチル−
2−ピロリドン200mj’およびペンタエリスリトー
ルトリアクリレート59.69(0,1モル)を加えて
室温にて12時間攪拌した。この溶液建水冷下、塩化チ
オニル359を1時間かけて滴下し。
Example 2 N-methyl-
200 mj' of 2-pyrrolidone and 59.69 (0.1 mol) of pentaerythritol triacrylate were added and stirred at room temperature for 12 hours. While cooling this solution with water, thionyl chloride 359 was added dropwise over 1 hour.

その後室温で4時間攪拌した。Thereafter, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours.

この−c′M’tcジアミノジフェニルエーテル20.
0(0,1モル)を加えて室温にて8時間攪拌した。
This -c'M'tc diaminodiphenyl ether20.
0 (0.1 mol) was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 8 hours.

さらに、この溶液を5eの水中にゆるやかに注入したと
ころ糸状の固形物が析出した。
Furthermore, when this solution was slowly poured into water of 5e, thread-like solid matter was precipitated.

濾過後、エタノールと水で充分に洗浄した後。After filtration and thorough washing with ethanol and water.

乾燥させて一般式(1)で表わされる繰り返し単位を有
する重合体を得た。
By drying, a polymer having repeating units represented by general formula (1) was obtained.

得られた重合体をrPI−2Jとする。The obtained polymer is referred to as rPI-2J.

実施例3〜8 PI−1およびPI−2の重合体に対し、更に表1に示
した各光開始剤および重合性不飽和化合物を表示した重
量を加え、実施例3〜8に供する均一な溶液を得た。
Examples 3 to 8 To the polymers of PI-1 and PI-2, the indicated weights of each photoinitiator and polymerizable unsaturated compound shown in Table 1 were further added to form a homogeneous product for use in Examples 3 to 8. A solution was obtained.

この各溶液を、フィルタ濾過してシリコンウェハー上に
滴下し2回転数200 Orpmで30秒間スピンコー
ドした。
Each of these solutions was filtered and dropped onto a silicon wafer, and spin-coded for 30 seconds at two revolutions of 200 Orpm.

得られた塗膜を80℃で10分間乾燥させ、塗膜の膜厚
を測定した。
The resulting coating film was dried at 80° C. for 10 minutes, and the thickness of the coating film was measured.

次に、塗膜80μmのラインアンドスペースのフォトマ
スクを用いて超高圧水銀灯(8mW/am2)で70秒
間露光した。
Next, using a line-and-space photomask with a coating film of 80 μm, it was exposed to ultra-high pressure mercury lamp (8 mW/am 2 ) for 70 seconds.

その後、N、N−ジメチルアセトアミド1容、エチルア
ルコール4容、1%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液4容からなる混合液で現像を行なった後、水
でリンスを行ない、空気スプレーにより乾燥したところ
、鮮明なパターンが得られた。
After that, development was carried out with a mixed solution consisting of 1 volume of N,N-dimethylacetamide, 4 volumes of ethyl alcohol, and 4 volumes of 1% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsed with water, and dried by air spray. A clear pattern was obtained.

パターンの硬化状態は、現像後の塗膜の残膜率(現像後
の塗膜の膜厚÷現像前の塗膜の膜厚X100)によって
調べた。
The cured state of the pattern was examined by the remaining film rate of the coating film after development (thickness of the coating film after development ÷ thickness of the coating film before development x 100).

また、塗膜を窒素雰囲気下350℃で1時間加熱処理し
、フィルムを作製し下記(1)および(2)の物性試験
を行々い表1に示す結果を得た。
Further, the coating film was heat-treated at 350° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere to prepare a film, and the following physical property tests (1) and (2) were conducted to obtain the results shown in Table 1.

(1)熱分解開始温度 qllc 感光性i証放物をガラス基板上に塗布し。(1) Thermal decomposition start temperature qllc Coat a photosensitive i-type parabolite on a glass substrate.

乾燥後300℃で1時間熱処理してフィルムを作成し、
フィルムをガラス基板から剥離した。
After drying, heat treatment was performed at 300°C for 1 hour to create a film.
The film was peeled off from the glass substrate.

測定した。It was measured.

(2)  重量減少率 上記フィルム8 気中300℃/3 0mgを用いて(1)と同じ装置で空 0分保持後の重量減少率を測定 した。(2) Weight reduction rate Above film 8 Air 300℃/3 Empty using the same equipment as (1) using 0 mg. Measure weight loss rate after holding for 0 minutes did.

比較例1〜3 実施例で用いたジシクロへキシル−3,4,3:4′−
テトラカルボン酸二無水物の代わりにベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物32.2g(0,1モル)を用
いて、N−メチル−2−ピロリドン200m1および2
−ヒドロキシエチルメタクリレート26.09(0,2
モル)を加えて室温にて12時間攪拌した。この溶液に
氷冷下、塩化チオニル359を1時間かけて滴下し、そ
の後室温で4時間攪拌した。
Comparative Examples 1 to 3 Dicyclohexyl-3,4,3:4'- used in Examples
Using 32.2 g (0.1 mol) of benzophenone tetracarboxylic dianhydride instead of tetracarboxylic dianhydride, 200 ml of N-methyl-2-pyrrolidone and 2
-Hydroxyethyl methacrylate 26.09 (0,2
mol) and stirred at room temperature for 12 hours. Thionyl chloride 359 was added dropwise to this solution over 1 hour under ice cooling, and then stirred at room temperature for 4 hours.

この溶液にジアミノジフェニルエーテル20.。Add 20% of diaminodiphenyl ether to this solution. .

9(0,1モル)を加えて室温にて8時間攪拌した。9 (0.1 mol) was added and stirred at room temperature for 8 hours.

この溶液を実施例1と同様にして5jの水中にゆるやか
に注入し、その後、エタノールと水で洗浄し乾燥させて
重合体を得た。得られた重合体をrPI−3Jとする。
This solution was slowly poured into water of 5j in the same manner as in Example 1, and then washed with ethanol and water and dried to obtain a polymer. The obtained polymer is referred to as rPI-3J.

この重合体に表1に示した各光開始剤および重合性不飽
和化合物を表示した重量を加え、比較例1〜3iC供す
る均一な溶液を得た。
The indicated weights of each photoinitiator and polymerizable unsaturated compound shown in Table 1 were added to this polymer to obtain a homogeneous solution used in Comparative Examples 1 to 3iC.

この各溶液を、フィルタ濾過してシリコンウェハー上に
滴下し9回転数を200 Orpmで30秒間スピンコ
ードした。
Each of the solutions was filtered, dropped onto a silicon wafer, and spin coded at 9 rotations of 200 Orpm for 30 seconds.

得られた塗膜を80℃で10分間乾燥させ、塗膜の膜厚
を測定した。
The resulting coating film was dried at 80° C. for 10 minutes, and the thickness of the coating film was measured.

実施例3〜8と同様の方法で、この塗膜の特性を調べた
The properties of this coating film were investigated in the same manner as in Examples 3-8.

(発明の効果) 本発明の感光性重合体組成物及びこれを用いた感光性エ
レメントは、光透過性および溶解性に優れるとともに、
基材表面に対する厚膜の形成が可能である。
(Effect of the invention) The photosensitive polymer composition of the present invention and the photosensitive element using the same have excellent light transmittance and solubility, and
It is possible to form a thick film on the surface of the base material.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は参考例で製造した中間体であるジシクロへキシ
ル−3,4,3:4′−テトラカルボン酸の赤外線吸収
スペクトル、第2図はその’H−NMRスペクトル、第
3図は参考例で製造したジシクロへキシル−3,4,3
: 4’−テトラカルボン酸無水物の赤外線吸収スペク
トル、第4図はその’H−NMRスペクトルを示す。
Figure 1 shows the infrared absorption spectrum of dicyclohexyl-3,4,3:4'-tetracarboxylic acid, which is an intermediate produced in the reference example, Figure 2 shows its 'H-NMR spectrum, and Figure 3 is for reference. Dicyclohexyl-3,4,3 prepared in Example
: Infrared absorption spectrum of 4'-tetracarboxylic anhydride; FIG. 4 shows its 'H-NMR spectrum.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、一般式(1)で表わされる繰り返しを有する重合体
及び光開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中R_1は▲数式、化学式、表等があります
▼で表わされる4価の脂環式基、R_2は2価の芳香族
基を表わし、Yは1価のエチレン性不飽和基を有する有
機基であり、nは0または1、mは1または2で、かつ
n+m:2となるように選ばれる) 2 請求項1記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
てなる感光性エレメント。
[Claims] 1. A photosensitive resin composition containing a repeating polymer represented by general formula (1) and a photoinitiator. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (However, in the formula, R_1 is a tetravalent alicyclic group represented by ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.), R_2 is a divalent aromatic group, and Y is an organic group having a monovalent ethylenically unsaturated group, n is 0 or 1, m is 1 or 2, and n+m:2 is selected) 2 The photosensitive resin composition according to claim 1 A photosensitive element made by layering materials on a substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05127384A (en) * 1991-11-06 1993-05-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5624343A (en) * 1979-08-06 1981-03-07 Hitachi Ltd Photosensitive heat resistant polymer composition
JPS5855926A (en) * 1981-09-29 1983-04-02 Masaki Hasegawa Formation of image using polyamide type linear polymer
JPS59131927A (en) * 1983-01-18 1984-07-28 Nitto Electric Ind Co Ltd Photosensitive resin composition
JPS59213725A (en) * 1983-05-17 1984-12-03 Mitsubishi Electric Corp Photosensitive heat-resistant material
JPS6390532A (en) * 1986-10-03 1988-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photosensitive polyamic acid

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5624343A (en) * 1979-08-06 1981-03-07 Hitachi Ltd Photosensitive heat resistant polymer composition
JPS5855926A (en) * 1981-09-29 1983-04-02 Masaki Hasegawa Formation of image using polyamide type linear polymer
JPS59131927A (en) * 1983-01-18 1984-07-28 Nitto Electric Ind Co Ltd Photosensitive resin composition
JPS59213725A (en) * 1983-05-17 1984-12-03 Mitsubishi Electric Corp Photosensitive heat-resistant material
JPS6390532A (en) * 1986-10-03 1988-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photosensitive polyamic acid

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05127384A (en) * 1991-11-06 1993-05-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition

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