JPH02154262A - Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition

Info

Publication number
JPH02154262A
JPH02154262A JP30854388A JP30854388A JPH02154262A JP H02154262 A JPH02154262 A JP H02154262A JP 30854388 A JP30854388 A JP 30854388A JP 30854388 A JP30854388 A JP 30854388A JP H02154262 A JPH02154262 A JP H02154262A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
atom
alkyl group
formula
photosensitive resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30854388A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kuniaki Sato
邦明 佐藤
Yasunori Kojima
小島 康則
Toshiaki Ishimaru
敏明 石丸
Nobuyuki Hayashi
信行 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP30854388A priority Critical patent/JPH02154262A/en
Publication of JPH02154262A publication Critical patent/JPH02154262A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a photosensitive resin compsn. capable of providing a photosensitive element having high photosensitivity even in a form of thick film by incorporating a photoinitiating mixture contg. a specified polymer, a specified amino benzilidene carbonyl compd., and a specified N-aryl-alpha-amino acid into a compsn. CONSTITUTION:A polymer having recurrent units expressed by the formula I, an amino benzylidene carbonyl compd. expressed by the formula II, and an N-aryl-alpha-amino acid expressed by the formula III, are incorporated in a compsn. In the formula II, each R3-R6 is an alkyl group; each R7 and R8 is an H atom, or a cyano group, etc.; each R9-R16 is an H atom, Cl atom, etc.; X is an O atom or S atom, etc. In the formula III, each R17 and R21 is an H atom, cyano group, etc.; R22 is an H atom, alkyl group, etc.; each R23 and R24 is an H atom or an alkyl group. Thus, a photosensitive resin compsn. capable of providing a photosensitive element having high photosensitivity even in a form of thick film is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、特に厚膜として利用する場合にも高い光感度
を有することができる耐熱性に優れた感光性樹脂組成物
及びこれを用いた感光性エレメントに関する。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a photosensitive resin composition with excellent heat resistance that can have high photosensitivity even when used as a thick film, and a photosensitive resin composition using the same. Concerning photosensitive elements.

(従来の技術) 従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子は。(Conventional technology) Conventionally, heat-resistant polymers typified by polyimide.

耐熱性、!気的および機械的特性に優れているため、半
導体工業における固体素子への絶縁膜やノくツシベーシ
ョン膜などの形成材料、あるいは半導体集積回路の形成
用レジスト材などとして用いられており、また、プリン
ト配線板の分野においても基板上への回路パターン形成
用レジスト材、あるいは眉間絶縁材料等として広く用い
られている。
Heat-resistant,! Due to its excellent chemical and mechanical properties, it is used as a forming material for insulating films and insulating films for solid-state devices in the semiconductor industry, and as a resist material for forming semiconductor integrated circuits. In the field of printed wiring boards, it is also widely used as a resist material for forming circuit patterns on boards, or as an insulating material between the eyebrows.

近年、半導体工業にあっては、従来より無機材料を用い
て行なわれていた層間絶縁材料として。
In recent years, in the semiconductor industry, inorganic materials have traditionally been used as interlayer insulation materials.

主にポリイミド樹脂等のように耐熱性に優れた有機物が
、その特性を生かして使用されてきている。
Organic materials with excellent heat resistance, such as polyimide resin, have been mainly used to take advantage of their properties.

しかしながら、半導体集積回路やプリント基板上の回路
のパターン形成は、基材表面へのレジスト材の造膜、所
定箇所への露光、エツチング等による不要箇所の除去、
基材表面の清浄作業等繁雑で多岐に亘る工程を経てパタ
ーン形成が行なわれることから、露光、現像によってパ
ターン形成後も必要な部分のレジスト材料を、絶縁材料
としてそのまま残して用いることができる耐熱性感光材
料の開発が望憧れている。
However, pattern formation of semiconductor integrated circuits and circuits on printed circuit boards involves forming a film of resist material on the surface of the base material, exposing predetermined areas to light, removing unnecessary areas by etching, etc.
Since pattern formation is performed through a complex and diverse process such as cleaning the surface of the base material, a heat-resistant resist material that can be used as an insulating material even after the pattern is formed by exposure and development. The development of photosensitive materials is aspirational.

しかして、これらの材料として1例えば感光性ポリイミ
ド、環化ポリブタジェン等をベースポリマとした耐熱感
光材料が提案されておシ、特に。
As these materials, for example, heat-resistant photosensitive materials using a base polymer such as photosensitive polyimide or cyclized polybutadiene have been proposed.

感光性ポリイミドは、その耐熱性が優れていることや不
純物の排除が容易であることなどの点から特に注目され
ている。
Photosensitive polyimide has attracted particular attention because of its excellent heat resistance and the ease with which impurities can be removed.

このような感光性ポリイミドとしては9例えば特公昭4
9−17374号公報により、ポリイミド前駆体と重ク
ロム酸塩からなる系が最初に提案されたが、この材料は
、実用的な光感度を有するとともに膜形成能が高いなど
の長所を有する反面。
Examples of such photosensitive polyimides include 9, for example,
9-17374, a system consisting of a polyimide precursor and a dichromate was first proposed, but while this material has advantages such as practical photosensitivity and high film-forming ability.

保存安定性に欠け、またポリイミド中にクロムイオンが
残存することなどの欠点があり、実用には至らなかった
It lacked storage stability and had drawbacks such as residual chromium ions in the polyimide, so it was not put into practical use.

また他の例として1%公昭55−30207号公報によ
゛]ポリイミド前駆体に感光基をエステル結合で導入し
&/l光性ポリイミド前駆体が提案されているが、この
材料は、光感度が低く実用に供するには不十分である。
As another example, a photosensitive polyimide precursor has been proposed in which a photosensitive group is introduced into a polyimide precursor through an ester bond, according to 1% Publication No. 30207/1983. is low and insufficient for practical use.

一方、特開昭57−168942号公報により。On the other hand, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 168942/1983.

ポリアミド酸と光活性な官能基を有するアミンとの混合
物を主成分とする感光性組成物が提案されている。
A photosensitive composition containing a mixture of a polyamic acid and an amine having a photoactive functional group as a main component has been proposed.

しかしながら、この感光性組成物は、膜厚を厚くするに
つれて光感度が低下し、現像時に儂が膨潤してしまうと
いう問題を有している。
However, this photosensitive composition has the problem that as the film thickness increases, the photosensitivity decreases and the composition swells during development.

また、側鎖に二重結合を持つポリアミド酸を主成分とす
る組成物に、長波長増感剤を配合してなる感光性組成物
が、特開昭59−84936号公報により提案されてい
るが、このものも前記同様厚膜では光感度が低く、実用
に供するには不十分であった。
Furthermore, a photosensitive composition is proposed in JP-A-59-84936, in which a long-wavelength sensitizer is blended into a composition mainly composed of polyamic acid having a double bond in its side chain. However, similar to the above, this thick film had low photosensitivity and was insufficient for practical use.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、特に厚膜として使用する場合にも高い
光感度を有することができる耐熱性に優れた感光性樹脂
組成物及びこれを用l/−また感光性エレメントを提供
するものである。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above. The present invention provides a photosensitive resin composition having excellent properties and a photosensitive element using the same.

(i!題を解決するための手段) 本発明は。(i!Means for solving the problem) The present invention is.

囚 −形成+1)で表わされる繰り返し単位を有する重
合体 (但し2式中R1は4価の芳香族基でありs  R2は
2価の芳香族基であり、Yは1価のエチレン性不飽和基
を有する有機基であり、nl”tOまたは1゜mは1ま
たは2で、かつn −1−m = 2となるように選ば
れる) 並びに (Bl  −形式(If)で表わされるアミノベンジリ
デンカルボニル化合物 立二水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、ア
ルキル基またはアリール基であり、ム。
A polymer having a repeating unit represented by (formation + 1) (wherein R1 is a tetravalent aromatic group, R2 is a divalent aromatic group, and Y is a monovalent ethylenically unsaturated group). an organic group having the group nl''tO or 1°m is 1 or 2 and n −1−m = 2) and (aminobenzylidenecarbonyl represented by the Bl − form (If)) The compound is a dihydrogen atom, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group, or an aryl group.

R2゜* no * Ru + R+s + R14e
 R+sおよびaSSはそれぞれ独立に水素原子、塩素
原子、臭素原子。
R2゜* no * Ru + R+s + R14e
R+s and aSS are each independently a hydrogen atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

アルキル基、アリール基またはアルコキシ基であり、X
は酸素原子、硫黄原子またはアルキル基。
is an alkyl group, aryl group or alkoxy group, and
is an oxygen atom, a sulfur atom, or an alkyl group.

アラルキル基、アリール基、アロイル基、アシル基もし
くは水素原子で置換された窒素原子である)および−形
式(I[Ilで表わされるN−アリール−α−アミノ酸
an aralkyl group, an aryl group, an aroyl group, an acyl group, or a nitrogen atom substituted with a hydrogen atom) and -form (N-aryl-α-amino acid represented by I[Il).

(式中、几3.R4,R5およびR・はそれぞれ独立に
アルキル基であr、 R7および山はそれぞれ独(式中
* R1? s an l RI9 + R243およ
び几2、はそれぞれ独立に水素原子、シアン基、アルキ
ル基またはハロゲン原子であり、R22は水素原子、ア
ルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシアルキル基。
(In the formula, 几3.R4, R5 and R are each independently an alkyl group, and R7 and M are each independently a hydrogen group. an atom, a cyan group, an alkyl group, or a halogen atom, and R22 is a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a hydroxyalkyl group.

アルコキシアルキル基、アミノアルキル基または71J
−ル基、R23およびR24は々れぞれ独立に水素原子
またはアルキル基である) を含む光開始剤系を含有1−でなる感光性樹脂組成物に
関する。
Alkoxyalkyl group, aminoalkyl group or 71J
-R23 and R24 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group.

また1本発明は、前記感光性樹脂組成物を基体上に積層
してなる感光性エレメント【関する。
The present invention also relates to a photosensitive element formed by laminating the photosensitive resin composition on a substrate.

本発明に用いられる■成分の一般式(1)で表わされる
繰り返し単位を有する重合体は9例えば、下記一般弐(
■l−または(Vlで表わされる化合物と芳香族ジアミ
ンとを重縮合することによって得られる。
The polymer having a repeating unit represented by the general formula (1) of component (1) used in the present invention is 9, for example, the following general 2 (2).
(2) It is obtained by polycondensing a compound represented by l- or (Vl) and an aromatic diamine.

(但し1式中、 R3およびRollは4価の芳香族基
であシ、Xはハロゲン原子またはヒドロキシル基。
(However, in Formula 1, R3 and Roll are tetravalent aromatic groups, and X is a halogen atom or a hydroxyl group.

Yは1価のエチレン性不飽和基を有する有機基である) 一形式副または(V)で表わされる化合物と芳香族ジア
ミンとの反応は、不活性な有機溶媒中で0〜100℃の
温度で行なわれることが好ましく、5〜60℃の温度で
行なわれることがより好ましい。
(Y is an organic group having a monovalent ethylenically unsaturated group) The reaction between the compound represented by one form or (V) and the aromatic diamine is carried out at a temperature of 0 to 100°C in an inert organic solvent. The temperature is preferably 5 to 60°C, and more preferably 5 to 60°C.

−形式(!V)または(V)で表わされる化合物と芳香
族ジアミンは、−形式債)または(V)で表わされる化
合物/芳香族ジアミンが0.8 / 1〜1.2/l(
モル比)の割合で使用するのが好ましく、はぼ等モルで
使用するのがより好ましい。
- The compound represented by the form (!V) or (V) and the aromatic diamine are mixed in a ratio of 0.8/1 to 1.2/l (the compound represented by the form (!V) or (V)/aromatic diamine).
It is preferable to use a molar ratio), and it is more preferable to use an approximately equimolar amount.

また、−形式(■)または(Vlで表わされる化合物と
芳香族ジアミンとの反応は、カルボジイミド型脱水縮合
剤1例えば、ジシクロへキシルカルボジイミドなどやア
ミン類等の脱ハロゲン化剤9例えばピリジンやトリエチ
ルアミン等を用いることにより促進される。
In addition, the reaction between a compound represented by the -form (■) or (Vl) and an aromatic diamine can be carried out using a carbodiimide-type dehydration condensing agent 1, such as dicyclohexylcarbodiimide, and a dehalogenating agent such as amines, 9 such as pyridine or triethylamine. This is facilitated by using .

上記反応に用いる有機溶媒としては、生成する一般式(
1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体を完全に
溶解する極性溶媒が一般に好ましく。
As the organic solvent used in the above reaction, the general formula (
Polar solvents that completely dissolve the polymer having repeating units represented by 1) are generally preferred.

例えば、N−メチル−2−ピロリドン、 N、N−ジメ
チルアセトアミド、  N、N−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素。
For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea.

ホキサメチルリン酸トリアミド、r−ブチロラクトン、
N、N−ジメチルプロピレンウレア、N、N−ジメチル
エチレンウレア等が挙げられる。
Phoxamethyl phosphate triamide, r-butyrolactone,
N,N-dimethylpropyleneurea, N,N-dimethylethyleneurea, and the like.

また、場合により上記の反応混合物から重合体を単離す
るには、アルコール類または水に反応混合物を少量ずつ
加える方法が好ましい。
Further, in order to isolate the polymer from the above-mentioned reaction mixture in some cases, it is preferable to add the reaction mixture to alcohol or water little by little.

このようにして得られた固体を、再度反応に用いる有機
溶媒に溶解し、アルコール類または水に加えて再沈澱さ
せることを繰り返すことにより精製することができる。
The solid thus obtained can be purified by repeating dissolving it in the organic solvent used for the reaction, adding it to alcohol or water, and reprecipitating it.

一般式(1v)または(V)で表わされる化合物は2例
えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物を、エチレン性
不飽和基を有するヒドロキシ化合物で全てまたは部分的
に開環させて半エステル化することKより、またはさら
に前記半エステル化物を塩化チオニルや五塩化リンなど
で酸ハロゲン化することにより得ることができる。芳香
族テトラカルボン酸二無水物とエチレン性不飽和基を有
するヒドロキシ化合物との反応は9例えば、ピリジン、
ジメチルアミノピリジンなどを添加することにより促進
できる。
The compound represented by the general formula (1v) or (V) is obtained by semi-esterifying an aromatic tetracarboxylic dianhydride by completely or partially ring-opening it with a hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group. It can be obtained from K or further by acid halogenating the half-esterified product with thionyl chloride, phosphorus pentachloride, or the like. The reaction between an aromatic tetracarboxylic dianhydride and a hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group can be performed using, for example, pyridine,
This can be promoted by adding dimethylaminopyridine or the like.

本発明に用いられる芳香族テトラカルボン酸二無水物と
しては9例えば、ピロメリット酸二無水物、  3.3
’、4.4’−ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水
物、3.3:4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、メタ−ターフェニル−3,a、”4.4″−テ
トラカルボン酸二無水物、パラ−ターフェニル−3、3
,”4.4″−テトラカルボン酸二無水物、1,2,5
.6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
6゜7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、  2
,3゜5.6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、1
,4゜5.8−ナフタレ/テトラカルボン酸二無水物、
3゜4、9.10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物
Examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride used in the present invention include 9, for example, pyromellitic dianhydride, 3.3
', 4.4'-hensiphenotetracarboxylic dianhydride, 3.3:4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, meta-terphenyl-3,a, "4.4"-tetra Carboxylic dianhydride, para-terphenyl-3,3
,"4.4"-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,5
.. 6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,
6゜7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2
,3゜5.6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 1
,4゜5.8-naphthalene/tetracarboxylic dianhydride,
3°4,9.10-perylenetetracarboxylic dianhydride.

4.4′−スルホニルシフタル酸二無水物などが挙げら
れる。
4.4'-sulfonyl cyphthalic dianhydride and the like.

本発明に用いられるエチレン性不飽和基を有するヒドロ
キシ化合物としては1例えば、トリメチロールプロパン
ジアクリレート、トリメチO−ルプロパンジメタクリレ
ート、トリメチロールエタンジアクリレート、トリメチ
ロールエタンジメタクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリ
レート。
Examples of the hydroxy compound having an ethylenically unsaturated group used in the present invention include trimethylolpropane diacrylate, trimethyolpropane dimethacrylate, trimethylolethane diacrylate, trimethylolethane dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, Pentaerythritol trimethacrylate.

2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−ヒドロ
キシ−3−フェノキシプロピルメタクリレート、アリル
アルコール、グリセリンジアリルエーテル、トリメチロ
ールプロパンジアリルエーテル、トリノ’F−ロールエ
タンジアリルエーテル、ペンタエリスリトールジアリル
エーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ジ
エチレングリコールモノアリルエーテル、ジクリセロー
ルトリアリルエーテル、クロチルアルコール、ビニルフ
ェノール、シンナミルアルコール、アリルフェノール、
0−シンナミルフェノール。
2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, allyl alcohol, glycerin diallyl ether , trimethylolpropane diallyl ether, trino'F-rollethane diallyl ether, pentaerythritol diallyl ether, ethylene glycol monoallyl ether, diethylene glycol monoallyl ether, dicrycerol triallyl ether, crotyl alcohol, vinylphenol, cinnamyl alcohol, allyl phenol,
0-Cinnamylphenol.

(RFiHまたはCHsである)。(RFiH or CHs).

(RFiHまたはCHsである) 等が挙げられる。(RFiH or CHs) etc.

これらのヒドロキシ化合物は、単独でも2f!類以上を
組合わせても使用することができる。
These hydroxy compounds alone have 2f! It is also possible to use a combination of the above types.

上記−形式(関または一形式閏で表わされる化合物との
重縮合により一般式(1)で表わされる繰り返し単位を
有する重合体を与える芳香族ジアミンとt、テハ、 例
、tば、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、a−
1’−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニルス
ルホン、4.4’−シアミノシフェニルスルフィド、ベ
ンジジン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレ
ンジアミン、1.5−ナフタレ/ジアミン、2.6−ナ
フタレ/ジアミン、  2.2−ビス(4−アミノフェ
ノキシフェニル)フロパン。
An aromatic diamine which yields a polymer having a repeating unit represented by the general formula (1) by polycondensation with a compound represented by the above-mentioned form (Seki or one form) '-diaminodiphenyl ether, a-
1'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-cyaminocyphenylsulfide, benzidine, meta-phenylenediamine, para-phenylenediamine, 1,5-naphthalene /diamine, 2.6-naphthalene/diamine, 2.2-bis(4-aminophenoxyphenyl)furopane.

ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン。Bis(4-aminophenoxyphenyl)sulfone.

2.2−ビス(p−アミノフェニル)へキサフロロプロ
パン等が用込られる。
2.2-bis(p-aminophenyl)hexafluoropropane and the like are used.

これらの芳香族ジアミンは、単独でも2種類以上を組合
せても使用することができる。
These aromatic diamines can be used alone or in combination of two or more.

また、−形式(I]で表わされるポリイミド前駆体を得
るときには、耐熱性を低下させぬ程度に、ジアミノシロ
キサンを併用することができる。
Furthermore, when obtaining the polyimide precursor represented by the -format (I), diaminosiloxane can be used in combination to the extent that heat resistance is not reduced.

この化合物としては1例えば。Examples of this compound include 1.

などが挙げられる。Examples include.

また、この他に一形式関で表わされるジアミノアミド化
合物も用いることができる。
In addition, diaminoamide compounds represented by one formula can also be used.

(ただしp Arは芳香族基、ZはSoxまたはCOを
示し、1個のアミノ基とZ −NH3とは互いにオルト
位に位置する) この化合物としては1例えば、4.4’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−3−スルホンアミ)’、3.4’−ジ
アミノジフェニルエーテル−4−スルホンアミド、入4
′−ジアミノジフェニルエーテル−3′−スルホンアミ
ド、&3′−ジアミノジフェニルエーテル−4−スルホ
ンアミド、4.4’−ジアミノジフェニルメタン−3−
スルホンアミド、入4′−ジアミノジフェニルメタン−
4−スルホンアミド、3゜4’ −ジアミノジフェニル
メタン−3′−スルホンアミド、3.3’−ジアミノジ
フェニルメタン−4−スルホンアミド、4.4’−ジア
ミノジフェニルスルホンー3−スルホンアミド、3.4
’−ジアミノジフェニルスルホン−4−スルホンアミド
、a、4’−ジアミノジフェニルスルホン−3′−スル
ホンアミド。
(However, pAr is an aromatic group, Z is Sox or CO, and one amino group and Z -NH3 are located in the ortho position to each other.) This compound includes 1, for example, 4,4'-diaminodiphenyl ether- 3-sulfonamide)', 3,4'-diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide, containing 4
'-Diaminodiphenyl ether-3'-sulfonamide, &3'-diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenylmethane-3-
Sulfonamide, 4'-diaminodiphenylmethane-
4-sulfonamide, 3゜4'-diaminodiphenylmethane-3'-sulfonamide, 3.3'-diaminodiphenylmethane-4-sulfonamide, 4.4'-diaminodiphenylsulfone-3-sulfonamide, 3.4
'-Diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide, a,4'-diaminodiphenylsulfone-3'-sulfonamide.

3、3’ −ジアミノジフェニルスルホン−4−スルホ
ンアミド、4.4’−ジアミノジフェニルサルファイド
−3−スルホンアミド、入4′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−4−スルホンアミド、&3’−ジアミノジ
フェニルサルファイド−4−スルホンアミド、λ4′−
ジアミノジフェニルサルファイド−3′−スルホンアミ
ド、1,4−ジアミノベンゼン−2−スルホンアミド、
44′−ジアミノジフェニルエーテルー3−カルボンア
ミド、3.4′−ジアミノジフェニルエーテル−4−カ
ルボンアミド、3゜4′−ジアミノジフェニルエーテル
−3′−カルボンアミド、入3′−ジアミノジフェニル
エーテル−4−カルボンアミド、4.4’−ジアミノジ
フェニルメタン−3−カルボンアミド、3.4’−ジア
ミノジフェニルメタン−4−カルボンアミド、14′−
ジアミノジフェニルメタン−3′−カルボンアミド、3
゜3′−ジアミノジフェニルメタン−4−カルボンアミ
ド、4.4’−ジアミノジフェニルスルホン−3−カル
ボンアミド、3.4’−ジアミノジフェニルスルホン−
4−カルボンアミド、14′−ジアミノジフェニルスル
ホン−3′−カルボンアミ)”、a3’−ジアミノジフ
ェニルスルホン−4−カルボンアミド。
3,3'-diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide-3-sulfonamide, 4'-diaminodiphenylsulfide-4-sulfonamide, &3'-diaminodiphenylsulfide-4- Sulfonamide, λ4'-
Diaminodiphenyl sulfide-3'-sulfonamide, 1,4-diaminobenzene-2-sulfonamide,
44'-diaminodiphenyl ether-3-carbonamide, 3.4'-diaminodiphenyl ether-4-carbonamide, 3゜4'-diaminodiphenyl ether-3'-carbonamide, 3'-diaminodiphenyl ether-4-carbonamide, 4.4'-diaminodiphenylmethane-3-carbonamide, 3.4'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 14'-
Diaminodiphenylmethane-3'-carbonamide, 3
゜3'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-
4-carbonamide, 14'-diaminodiphenylsulfone-3'-carbonamide)'', a3'-diaminodiphenylsulfone-4-carbonamide.

4.4′−ジアミノジフェニルサルファイド−3−カル
ボンアミド、&4′−ジアミノジフェニルサルファイド
−4−カルボンアミド、13′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−4−カルボンアミド、ふ4′−ジアミノジ
フェニルサルファイド−3′−スルホン了ミド、1,4
−ジアミノベンゼン−2−カルボンアミド等が挙げられ
る。
4.4'-diaminodiphenyl sulfide-3-carbonamide, &4'-diaminodiphenyl sulfide-4-carbonamide, 13'-diaminodiphenyl sulfide-4-carbonamide, 4'-diaminodiphenyl sulfide-3'-sulfone Ryo Mido, 1,4
-diaminobenzene-2-carbonamide and the like.

本発明において用いられる(B)成分の光開始剤系には
、上記−形式(II)で表わされるアミノベンジリデン
カルボニル化合物が用いられるが、このアミノベンジリ
デンカルボニル化合物は1例えば、オーガユックリアク
ション(Organic Reaction )第16
巻I/c詳しく述べられている方法により、シクロヘキ
サノン誘導体とp−アミノベンズアルデヒドのアルドー
ル型縮合により容易に合成することができる。
In the photoinitiator system of component (B) used in the present invention, an aminobenzylidene carbonyl compound represented by the above-mentioned format (II) is used. ) No. 16
It can be easily synthesized by aldol-type condensation of a cyclohexanone derivative and p-aminobenzaldehyde according to the method detailed in Volumes I/c.

一形式+II)で表わされるアミノベンジリデンカルボ
ニル化合物としては1例えば、スロービス(p−N、N
−ジメチルアミノベンジリデン)−4−オキソシクロヘ
キサノン、2.6−ビス(p−N、N−ジエチルアミノ
ベンジリデン)−4−オキンシクロヘキサノン、z6−
ビス(p −N、N−ジメチルアミノベンジリデン)−
4−チアシクロヘキサノン、2.6−ビス(p  Ne
N−ジエチルアミノベンジリデン)−4−チアシクロヘ
キサノン、2.6−ビx(p−N、N−ジメチルアミノ
ベンジリデン)−4−メチル−4−アザシクロへキサノ
ン12+6−ヒス(p−N、N−ジエチルアミノベンジ
リデン)−4−メチル−4−アザシクロへキサノン、Z
6−ビス(p−N、N−ジメチルアミンベンジリデン)
−4−エチル−4−アザシクロヘキサノン、2.6−ビ
ス(p−NUN−ジエチルアミノベンジリデン)−4−
エチル−4−アザシフ日ヘキサノン、Z6−ビス(4’
−N、N−ジエチルアミノ−2′−メトキシベンジリデ
ン)−4−オキソシクロヘキサノン。
Examples of the aminobenzylidene carbonyl compound represented by one form + II) include 1, for example, slobis (p-N, N
-dimethylaminobenzylidene)-4-oxocyclohexanone, 2,6-bis(p-N,N-diethylaminobenzylidene)-4-oxocyclohexanone, z6-
Bis(p-N,N-dimethylaminobenzylidene)-
4-thiacyclohexanone, 2,6-bis(p Ne
N-diethylaminobenzylidene)-4-thiacyclohexanone, 2,6-bix(p-N,N-dimethylaminobenzylidene)-4-methyl-4-azacyclohexanone 12+6-his(p-N,N-diethylaminobenzylidene) )-4-methyl-4-azacyclohexanone, Z
6-bis(p-N,N-dimethylaminebenzylidene)
-4-Ethyl-4-azacyclohexanone, 2,6-bis(p-NUN-diethylaminobenzylidene)-4-
Ethyl-4-azasifhexanone, Z6-bis(4'
-N,N-diethylamino-2'-methoxybenzylidene)-4-oxocyclohexanone.

2.6−ビス(4’−N、N−ジエチルアミノ−2′−
メチルベンジリデン)−4−オキソシクロヘキサノン、
スロービス(4’−N、N−ジエチルアミン−2′−メ
トキシベンジリデン)−4−チアシクロヘキサノン、ス
ロービス< z −N、N−ジエチルアミノ−τ−メチ
ルベンジリデン)−4−+アシクロヘキサノン、2.6
−ビス(4’−N、N−ジエチルアミノ−2′−メトキ
シベンジリデン)−4−メチル−4−アザシクロへキサ
ノン、スロービス(4’−N。
2.6-bis(4'-N,N-diethylamino-2'-
methylbenzylidene)-4-oxocyclohexanone,
Slow bis(4'-N, N-diethylamine-2'-methoxybenzylidene)-4-thiacyclohexanone, Slow bis < z -N, N-diethylamino-τ-methylbenzylidene)-4-+acyclohexanone, 2.6
-bis(4'-N, N-diethylamino-2'-methoxybenzylidene)-4-methyl-4-azacyclohexanone, slow bis(4'-N.

N−ジエチルアミン−2′−メチルベンジリデン)−4
−メチル−4−アザシクロへキサノン、2.6−ビス(
4’−N、N−ジエチルアミノ−2′−メトキシベンジ
リデン)−4−アザシクロへキサノン。
N-diethylamine-2'-methylbenzylidene)-4
-Methyl-4-azacyclohexanone, 2,6-bis(
4'-N,N-diethylamino-2'-methoxybenzylidene)-4-azacyclohexanone.

2.6−ビス(4’=N、N−ジエチルアミン−2′−
メチルベンジリデン)−4−エチル−4−アザシクロへ
キサノン等があるが、感度の点から一般式(II)にお
いてXが炭素数1〜12のアルキル基または炭素数1〜
12のアラルキル基で置換された窒素原子である化合物
が好ましい。
2.6-bis(4'=N, N-diethylamine-2'-
methylbenzylidene)-4-ethyl-4-azacyclohexanone, etc., but from the viewpoint of sensitivity, X in general formula (II) is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
Compounds in which the nitrogen atom is substituted with 12 aralkyl groups are preferred.

上記のアミノベンジリデンカルボニル化合物は。The above aminobenzylidene carbonyl compound is.

単独で使用しても2種以上を併用してもよい。They may be used alone or in combination of two or more.

本発明において用いられるCB+成分の光開始剤系には
、上記の一般式(It)で表わされるN−アリール−α
−アミノ酸が用いられるが、このN−アリール−α−ア
ミノ酸は2例えばアニリン類とモノクロル酢酸の反応か
ら容易に合成することができる。
The photoinitiator system of the CB+ component used in the present invention includes N-aryl-α represented by the above general formula (It).
The N-aryl-α-amino acid can be easily synthesized from the reaction of 2, for example, anilines and monochloroacetic acid.

N−アリール−α−アミノ酸としては1例えば。As the N-aryl-α-amino acid, for example:

N−フェニルクリシン、N−メチル−N−フェニルクリ
フシ。N−エチル−N−フェニルグリシン。
N-phenyl chrysin, N-methyl-N-phenyl chrysin. N-ethyl-N-phenylglycine.

N−(n−7’ロビル)−N−フェニルクリシン。N-(n-7'rovir)-N-phenylchrysine.

N−(n−ブチル)−N−フェニルグリシン、N−(2
−メトキシエチル)−N−フェニルグリシン、N−メチ
ル−N−フェニルアラニン、N−エチル−N−フェニル
アラニン、N−(n−7’ロビル)−N−フェニルアラ
ニン、  N−(n −7’fk)−N−フェニルアラ
ニン、N−メチル−N−フェニルバリン、N−メチル−
N−フェニルロイシン。
N-(n-butyl)-N-phenylglycine, N-(2
-methoxyethyl)-N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylalanine, N-ethyl-N-phenylalanine, N-(n-7'robil)-N-phenylalanine, N-(n-7'fk)- N-phenylalanine, N-methyl-N-phenylvaline, N-methyl-
N-phenylleucine.

N−メチル−N−(p−トリル)グリシン、N−エチル
−N−(p−1リル)グリシン、N−(n−ブロビル)
−N−(p−トリル)グリシン、N−(n−ブチル)−
N−(p−4リル)グリシン。
N-methyl-N-(p-tolyl)glycine, N-ethyl-N-(p-1lyl)glycine, N-(n-brobyl)
-N-(p-tolyl)glycine, N-(n-butyl)-
N-(p-4yl)glycine.

N−メチル−N−(p−クロロフェニル)グリシン、N
−エチル−N−(p−クロロフェニル)クリシン、N−
(p−クロロフェニル)り+)シン。
N-methyl-N-(p-chlorophenyl)glycine, N
-ethyl-N-(p-chlorophenyl)chrysin, N-
(p-chlorophenyl)ri+)syn.

N−(p−シアノフェニル)グリシン、N−(p−ブロ
モフェニル)グリシン、N−エチル−N−(p−シアノ
フェニル)グリシン、N−(n−プロピル)−N−(p
−クロロフェニル)グリシン。
N-(p-cyanophenyl)glycine, N-(p-bromophenyl)glycine, N-ethyl-N-(p-cyanophenyl)glycine, N-(n-propyl)-N-(p
-chlorophenyl)glycine.

N−メチル−N−(p−ブロモフェニル)グリシン、N
−エチル−N−(p−7’ロモフエニル)クリシン、N
−(n−ブチル)−N−(p−ブロモフェニル)グリシ
ン、N、N−ジフェニルグリシン。
N-methyl-N-(p-bromophenyl)glycine, N
-ethyl-N-(p-7'romophenyl)chrysin, N
-(n-butyl)-N-(p-bromophenyl)glycine, N,N-diphenylglycine.

N−メチル−N−(p−ヨードフェニル)グリシン等が
あるが、感度および保存安定性の点でシアノ基またはハ
ロゲンで置換されたフェニル基を有するものが好ましい
Examples include N-methyl-N-(p-iodophenyl)glycine, but those having a cyano group or a phenyl group substituted with a halogen are preferred from the viewpoint of sensitivity and storage stability.

上記の一般式(III)で表わされるN−アリール−α
−アミノ酸は、単独で使用しても2種類以上を併用して
もよい。
N-aryl-α represented by the above general formula (III)
-Amino acids may be used alone or in combination of two or more.

これらの光開始剤系の使用量は、感光性樹脂組成物の感
度および塗膜の耐熱性の点から、感光性樹脂組成物から
有機溶媒および光開始剤系を除いた成分100i量部に
対して9通常0.01〜301看部、好ましくは0.1
〜10重量部とされる。
From the viewpoint of the sensitivity of the photosensitive resin composition and the heat resistance of the coating film, the amount of these photoinitiator systems to be used is determined based on 100 parts of the photosensitive resin composition excluding the organic solvent and photoinitiator system. 9 usually 0.01 to 301 parts, preferably 0.1
~10 parts by weight.

また、感光性樹脂組成物の熱的な安定性を向上させるた
めに、公知の熱重合禁止剤を共存させてもよい。
Further, in order to improve the thermal stability of the photosensitive resin composition, a known thermal polymerization inhibitor may be present.

熱重合禁止剤としては9例えば、p−メトキシフェノー
ル、ヒドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロー
ル、フェノチアジン、クロラニールウナフチルアミン、
β−ナフトール、z6−ジーt−ブチル−p−クレゾー
ル、ピリジン、ニトロベンゼン、p−トルイジン、メチ
レンブルー2.2′−メチレンビス(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール)、2.2’−メチレンビス(4
−エチル−6−t−ブチルフェノール)等が挙げられる
Examples of thermal polymerization inhibitors include p-methoxyphenol, hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, phenothiazine, chloranyl unaphthylamine,
β-naphthol, z6-di-t-butyl-p-cresol, pyridine, nitrobenzene, p-toluidine, methylene blue 2.2'-methylenebis(4-methyl-6-
t-butylphenol), 2,2'-methylenebis(4
-ethyl-6-t-butylphenol) and the like.

本発明において必要に応じて重合性不飽和化合物を用い
ることができる。
In the present invention, a polymerizable unsaturated compound can be used as necessary.

重合性不飽和化合物としては9例えば、アクリル酸、メ
チルアクリレート、エチルアクリレート。
Examples of polymerizable unsaturated compounds include acrylic acid, methyl acrylate, and ethyl acrylate.

n−プロピルアクリレート、イングロビルアクリレート
、n−ブチルアクリレート、インブチルアクリレート、
シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、
カルピトールアクリレート。
n-propyl acrylate, inglovir acrylate, n-butyl acrylate, inbutyl acrylate,
Cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate,
Calpitol acrylate.

メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチル
アクリレート、ヒドロキシプロピル7りIJL/−ト、
ジプロピレングリコールジアクリレート# z2−ビス
−(4−アクリロキシジェトキシフェニル)プロパン、
Z2−ビス−(4−アクリロキシプロピルキシフェニル
)プロパン、トリメチロールプロパンジアクリレート、
ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリ
アクリレート、トリアクリルホルマール、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、トリス(2−ヒドロキ
シエチル)イソシアヌル酸。
Methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, butoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl IJL/-t,
Dipropylene glycol diacrylate #z2-bis-(4-acryloxyjethoxyphenyl)propane,
Z2-bis-(4-acryloxypropylxyphenyl)propane, trimethylolpropane diacrylate,
Pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, triacryl formal, tetramethylolmethanetetraacrylate, tris(2-hydroxyethyl)isocyanuric acid.

(nは1〜30の整数である) メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリ
レート、プロピルメタクリレート、z2−ビス−(4−
メタクリロキシジェトキシフェニル)7’oパン、トリ
メチロールプロノくンジメタクリレート、ペンタエリス
リトールジメタクリレート。
(n is an integer from 1 to 30) Methacrylic acid, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, z2-bis-(4-
methacryloxyjethoxyphenyl) 7'opan, trimethylolpronochloride dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate.

トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリメタクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラメタクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチ
ル)インシアヌル酸。
Trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, tris(2-hydroxyethyl)in cyanuric acid.

[1 一←CH2CH2O+FFr−C−CH=CHz 。[1 1←CH2CH2O+FFr-C-CH=CHz.

(n、mはn 十mが2〜30となる整数である)(n
は1〜30の整数である)。
(n, m are integers where n 10 m is 2 to 30) (n
is an integer from 1 to 30).

O −一+CHzCHzO−+FFV−CCCH,2H3 (n、mはn−)−mが1〜30となる整数である)。O -1+CHzCHzO-+FFV-CCCH, 2H3 (n and m are integers from 1 to 30).

HzBr などを挙げることができる。HzBr etc. can be mentioned.

本発明において必要に応じて光架橋剤を用いることがで
きる。
In the present invention, a photocrosslinking agent can be used as necessary.

光架橋剤として1例えば。For example, 1 as a photocrosslinking agent.

などの芳香族アジド化合物を挙げることができる。Examples include aromatic azide compounds such as.

本発明の感光性樹脂組成物は、有機溶媒を含有すること
ができる。
The photosensitive resin composition of the present invention can contain an organic solvent.

そのような有機溶媒としては1例えば前記した一般式(
1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体を完全に
溶解する溶媒等を用いることができる。
Examples of such organic solvents include 1, for example, the above-mentioned general formula (
A solvent or the like that completely dissolves the polymer having the repeating unit represented by 1) can be used.

このような場合、有機溶媒の使用fは、感光性樹脂組成
物の10〜95!fit%とすることが好ましく、30
〜80重量%とすることがより好ましい。
In such a case, the organic solvent used f is 10 to 95! of the photosensitive resin composition. It is preferable to set it as fit%, and 30
More preferably, the content is 80% by weight.

本発明の感光性樹脂組成物は9通常の微細加工技術によ
りパターン加工することができる。
The photosensitive resin composition of the present invention can be patterned by conventional microfabrication techniques.

本発明の感光性樹脂組成物を、ガラス基板、シリコンウ
ェハー、銅張り積層板等の支持基板上にスピンナーを用
いた回転塗布、浸漬、噴霧印桐等の手段により塗布し乾
燥し塗膜とすることができる。
The photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a support substrate such as a glass substrate, silicon wafer, or copper-clad laminate by means such as spin coating using a spinner, dipping, or spraying, and is dried to form a coating film. be able to.

塗膜の膜厚は、塗布手段9本発明の感光性重合体組成物
のフェノの固形分濃度、粘度等により調整できる。
The thickness of the coating film can be adjusted by adjusting the coating means 9, the solid content concentration of the phenol in the photosensitive polymer composition of the present invention, the viscosity, etc.

また、感光性樹脂組成物を可撓性の基体9例えサンドイ
ッチ構造の感光性エレメントを予め作成し、この感光性
エレメントの≠$カバーシートを剥がして被覆すべき支
持基板上に塗膜を形成することも可能である。
In addition, a photosensitive resin composition is applied to a flexible substrate 9, for example, a photosensitive element having a sandwich structure is prepared in advance, and the cover sheet of this photosensitive element is peeled off to form a coating film on the supporting substrate to be coated. It is also possible.

支持基板上の、塗膜に光源を照射し9次いで。The coating film on the support substrate was then irradiated with a light source.

未露光部分を現像液で溶解除去することによりレリーフ
・パターンが得られる。
A relief pattern is obtained by dissolving and removing the unexposed areas with a developer.

この際、光源は例えば、紫外線、可視光線、放射線等が
用いることができる。
At this time, as a light source, for example, ultraviolet rays, visible light, radiation, etc. can be used.

現像液としては2例えば、N−メチル−2−ピロリドン
、N−アセチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメ
チルイミダゾリジノン。
Examples of the developer include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, dimethylimidazolidinone. .

N−ベンジル−2−ピロリドン、N−アセチル−C−カ
プロラクタム等の極性溶媒が単独で、またはポリアミド
酸の非溶媒9例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン。
Polar solvents such as N-benzyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-C-caprolactam alone or non-solvents of polyamic acids such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene.

アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、トルエン、キシレン、メチルセロンル
ブ、水、塩基性化合物、塩基性水溶液等との混合液とし
て用いることができる。
It can be used as a mixed solution with acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, toluene, xylene, methyl selon rub, water, a basic compound, a basic aqueous solution, etc.

塩基性化合物として1例えば、モノエタノールアミン、
ジェタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド。
As a basic compound, for example, monoethanolamine,
Jetanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide.

炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム等が
挙げられる。
Examples include sodium carbonate, potassium carbonate, and sodium phosphate.

塩基性水溶液を調整する場合、塩基性化合物の使用量は
、水100重量部に対して通常0.0001〜3014
量部用いることが好ましく、0.05〜5重量部用いる
ことがより好ましい。
When preparing a basic aqueous solution, the amount of the basic compound used is usually 0.0001 to 3014 parts by weight per 100 parts by weight of water.
It is preferable to use 0.05 to 5 parts by weight, more preferably 0.05 to 5 parts by weight.

次めで、現像により形成されたレリーフ・パターンを、
リンス液により洗浄し、現像溶液を除去することができ
る。
Next, the relief pattern formed by development is
The developer solution can be removed by cleaning with a rinse solution.

リンス液としては、現像液との混和性のよいポリアミド
酸の非溶媒が用いられ2例えば、メタノール、エタノー
ル、イングロビルアルコール、ベンゼン、トルエン、ギ
シレン、メチルセロソルフ。
As the rinsing solution, a non-solvent of polyamic acid having good miscibility with the developer is used, such as methanol, ethanol, inglobil alcohol, benzene, toluene, cylene, and methyl cellosol.

水等が挙げられる。Examples include water.

上記処理により得られるレリーフ・パターンは。What is the relief pattern obtained by the above treatment?

ポリイミドの前駆体であり、150〜450°Cの加熱
処理により、イミド環や他の環状基を持つ耐熱性のレリ
ーフ・パターンとなる。
It is a precursor of polyimide, and when heated at 150 to 450°C, it becomes a heat-resistant relief pattern with imide rings and other cyclic groups.

(実施例) 以下1本発明を実施例、参考例および比較例を用いて説
明する。チは重fチを意味する。
(Example) The present invention will be explained below using Examples, Reference Examples, and Comparative Examples. Chi means heavy f chi.

参考例1 一般式(1)で表わされる繰り返し単位金有する重合体
の合成 ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物3Z2g(o
、iモル)に、  NMP 200 mlおよび2−ヒ
ドロキシメタクリレート26.09(0,2モル)を加
えて室温にて12時間攪拌した。この溶液に水冷下、塩
化チオニル35gを1時間かけて滴下し、その後室温で
2時間攪拌を行なった。この溶液にジアミノジフェニル
エーテル20.09(0,1モル)を加えて8時間攪拌
した。
Reference Example 1 Synthesis of polymer having repeating unit gold represented by general formula (1) 2 g of benzophenone tetracarboxylic dianhydride 3Z (o
, imol) were added with 200 ml of NMP and 26.09 (0.2 mol) of 2-hydroxymethacrylate, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. To this solution, 35 g of thionyl chloride was added dropwise over 1 hour while cooling with water, followed by stirring at room temperature for 2 hours. 20.09 (0.1 mol) of diaminodiphenyl ether was added to this solution and stirred for 8 hours.

さらに、エタノール40 mlを加えて4時間撹拌し、
その後51の水中にゆるやかに注入したところ糸状の固
形物が析出した。これを重合体PI−1とした。
Furthermore, 40 ml of ethanol was added and stirred for 4 hours.
Thereafter, when the mixture was slowly poured into water in No. 51, a thread-like solid substance was precipitated. This was designated as polymer PI-1.

参考例2 λ6−ビス(p−N、N−ジエチルアミノベンジリデン
)−4−メチル−4−アザシクロへキサノン(K−1)
の合成 N−メチル−4−ピペリド72G<17.7mmol)
と、p−N、N−ジエチルアミノベンズアルデヒド6.
26 g (35,4mmol)を100 mlのナス
型フラスコに入れ、0.59の水酸化ナトリウムを溶解
した50mj’のメタノールを加え、磁気攪拌子を入れ
て攪拌しながら還流用冷却器をつけて約1時間加熱還流
させた。放冷した後、析出したオレンジ色の結晶をr別
しメタノールでよく洗浄した。ベンゼン/クロロホルム
溶媒から再結晶し精製した。
Reference Example 2 λ6-bis(p-N,N-diethylaminobenzylidene)-4-methyl-4-azacyclohexanone (K-1)
Synthesis of N-methyl-4-piperide 72G<17.7mmol)
and p-N,N-diethylaminobenzaldehyde6.
Put 26 g (35.4 mmol) in a 100 ml eggplant-shaped flask, add 50 mj' of methanol in which 0.59 sodium hydroxide was dissolved, and add a magnetic stirrer and stir while turning on a reflux condenser. The mixture was heated under reflux for about 1 hour. After cooling, the precipitated orange crystals were separated and thoroughly washed with methanol. It was purified by recrystallization from benzene/chloroform solvent.

2.6−ビス(p−ジエチルアミノベンジリデン)−4
−オキソシクロヘキサノン(K−2)についても同様に
して合成した。
2.6-bis(p-diethylaminobenzylidene)-4
-Oxocyclohexanone (K-2) was also synthesized in the same manner.

このようにして合成したアミノベンジリデンカルボニル
化合物のH’−NMIIデータ(溶媒として重水素化ク
ロロホルム、内部標準としてテトラメチルシランを用い
た)と、メタノール中での紫外可視吸収特性をそれぞれ
表3と表4に示す。
The H'-NMII data of the aminobenzylidenecarbonyl compound thus synthesized (deuterated chloroform was used as the solvent and tetramethylsilane was used as the internal standard) and the UV-visible absorption characteristics in methanol are shown in Table 3 and Table 3, respectively. 4.

実施例1〜8 参考例1で得た重合体PI−1togをN−メチル−2
−ピロリドン259を加え溶液とし。
Examples 1 to 8 Polymer PI-1tog obtained in Reference Example 1 was converted into N-methyl-2
- Add pyrrolidone 259 to make a solution.

表1に示した各光開始剤および光架橋剤を表示した重量
を加え、実施例1〜8に供する均一な溶液を得た。
The indicated weights of each photoinitiator and photocrosslinking agent shown in Table 1 were added to obtain a homogeneous solution for use in Examples 1-8.

この各溶液を、フィルタ濾過してシリコンウェハ上に滴
下し1回転数1500〜2500 rpmで30秒間ス
ピンコードした。得られた塗膜を80℃で10分間乾燥
させ、塗膜の膜厚を測定した。次に、塗膜を大日本印刷
社製スルーホールテストパターンを用いて超高圧水銀灯
(8mW/cm” )で80秒間露光した。
Each of these solutions was filtered, dropped onto a silicon wafer, and spin-coded for 30 seconds at a rotation speed of 1,500 to 2,500 rpm. The resulting coating film was dried at 80° C. for 10 minutes, and the thickness of the coating film was measured. Next, the coating film was exposed for 80 seconds to an ultra-high pressure mercury lamp (8 mW/cm'') using a through-hole test pattern manufactured by Dainippon Printing Co., Ltd.

その後、N−メチル−2−ピロリドン3容、メfkアル
コール4容、1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液3容からなる混合液で浸漬現像を行なった後、
水でリンスを行ない、空気スグレにより乾燥した。解像
力はスルホールの最大の大きさを測定した。
After that, immersion development was performed with a mixed solution consisting of 3 volumes of N-methyl-2-pyrrolidone, 4 volumes of mefk alcohol, and 3 volumes of 1% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution.
It was rinsed with water and dried with air sougere. The resolution was determined by measuring the maximum size of the through holes.

パターンの硬化状態は、現像後の塗膜の残膜率(現像後
の塗膜の膜厚÷現像前の塗膜の膜厚×100)によって
調べた。
The cured state of the pattern was examined by the residual film rate of the coating film after development (thickness of the coating film after development÷thickness of the coating film before development×100).

また、塗膜を窒素雰囲気下350℃で1時間加熱処理し
、フィルムを作製しその熱分解開始温度を調べた。得ら
れた結果は表1に示す。
Further, the coating film was heat-treated at 350° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere to produce a film, and its thermal decomposition onset temperature was investigated. The results obtained are shown in Table 1.

比較例1〜4 重合体PI−IK対し1表2に示した各光開始剤系およ
び重合性不飽和化合物を加え、比較例1〜4に供する均
一な溶液を得た。この各溶液を。
Comparative Examples 1 to 4 Each photoinitiator system and polymerizable unsaturated compound shown in Table 2 were added to the polymer PI-IK to obtain a uniform solution to be used in Comparative Examples 1 to 4. Each of these solutions.

フィルタ濾過してシリコンウェハー上に滴下し。Filter it and drop it onto a silicon wafer.

回転数を1500 rpm で30秒間スピンコードし
た。
Spin code was performed at a rotation speed of 1500 rpm for 30 seconds.

得られた塗膜を80’Cで10分間乾燥させ、塗膜の膜
厚を測定した。
The resulting coating film was dried at 80'C for 10 minutes, and the thickness of the coating film was measured.

実施例1〜4と同様の方法で、この塗膜の特性を調べた
The properties of this coating film were investigated in the same manner as in Examples 1-4.

得られた結果は表2に示す。        。The results obtained are shown in Table 2.      .

以下、5:1τ1 表4 紫外可視吸収特性(MeOH中) (発明の効果) 本発明になる感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性
エレメントは、特に厚膜として利用する場合にも高い光
感度を有することができ、耐熱性も優れたものである。
Hereinafter, 5:1τ1 Table 4 Ultraviolet-visible absorption characteristics (in MeOH) (Effects of the invention) The photosensitive resin composition of the present invention and the photosensitive element using the same have high light absorption characteristics, especially when used as a thick film. It can be sensitive and has excellent heat resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、(A)一般式( I )で表わされる繰り返し単位を
有する重合体 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、式中R_1は4価の芳香族基であり、R_2は
2価の芳香族基であり、Yは1価のエチレン性不飽和基
を有する有機基であり、nは0または1、mは1または
2で、かつn+m=2となるように選ばれる) 並びに (B)一般式(II)で表わされるアミノベンジリデンカ
ルボニル化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_3、R_4、R_5およびR_6はそれぞ
れ独立にアルキル基であり、R_7およびR_8はそれ
ぞれ独立に水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、アルキル基またはアリール基であり、R_9、R_
1_0、R_1_1、R_1_2、R_1_3、R_1
_4、R_1_5およびR_1_6はそれぞれ独立に水
素原子、塩素原子、臭素原子、アルキル基、アリール基
またはアルコキシ基であり、Xは酸素原子、硫黄原子ま
たはアルキル基、アラルキル基、アリール基、アロイル
基、アシル基もしくは水素原子で置換された窒素原子で
ある)および一般式(III)で表わされるN−アリール
−α−アミノ酸。 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R_1_7、R_1_8、R_1_9、R_2
_0およびR_2_1はそれぞれ独立に水素原子、シア
ノ基、アルキル基またはハロゲン原子であり、R_2_
2は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロ
キシアルキル基、アルコキシアルキル基、アミノアルキ
ル基またはアリール基、R_2_3およびR_2_4は
それぞれ独立に水素原子またはアルキル基である) を含む光開始剤系を含有してなる感光性樹脂組成物。 2、請求項1記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
てなる感光性エレメント。
[Claims] 1. (A) A polymer having a repeating unit represented by the general formula (I) ▲ There are numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (I) (However, in the formula, R_1 is a tetravalent aromatic group, R_2 is a divalent aromatic group, Y is an organic group having a monovalent ethylenically unsaturated group, n is 0 or 1, m is 1 or 2, and n+m=2. and (B) an aminobenzylidenecarbonyl compound represented by the general formula (II) ▲ There are numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (In the formula, R_3, R_4, R_5 and R_6 are each independently an alkyl group. R_7 and R_8 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group, or an aryl group, and R_9, R_
1_0, R_1_1, R_1_2, R_1_3, R_1
_4, R_1_5 and R_1_6 are each independently a hydrogen atom, chlorine atom, bromine atom, alkyl group, aryl group or alkoxy group, and X is an oxygen atom, a sulfur atom or an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, an aroyl group, an acyl group. or a nitrogen atom substituted with a hydrogen atom) and an N-aryl-α-amino acid represented by the general formula (III). ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(III) (In the formula, R_1_7, R_1_8, R_1_9, R_2
_0 and R_2_1 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, an alkyl group, or a halogen atom, and R_2_
2 is a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyalkyl group, an alkoxyalkyl group, an aminoalkyl group or an aryl group, and R_2_3 and R_2_4 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group). A photosensitive resin composition made of 2. A photosensitive element obtained by laminating the photosensitive resin composition according to claim 1 on a substrate.
JP30854388A 1988-12-06 1988-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition Pending JPH02154262A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30854388A JPH02154262A (en) 1988-12-06 1988-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30854388A JPH02154262A (en) 1988-12-06 1988-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02154262A true JPH02154262A (en) 1990-06-13

Family

ID=17982293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30854388A Pending JPH02154262A (en) 1988-12-06 1988-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02154262A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194857A (en) * 1990-11-22 1992-07-14 Hitachi Chem Co Ltd New photo-initiator and photo-polymerizable composition employing said photo initiator
JPH05134406A (en) * 1991-11-15 1993-05-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194857A (en) * 1990-11-22 1992-07-14 Hitachi Chem Co Ltd New photo-initiator and photo-polymerizable composition employing said photo initiator
JPH05134406A (en) * 1991-11-15 1993-05-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3424085B2 (en) Method for producing relief structure by i-ray irradiation
JPH05232701A (en) Photosensitive resin compound
US5851736A (en) Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern
JPH0658534B2 (en) Actinic radiation-sensitive polymer composition
JP3093055B2 (en) Heat resistant negative photoresist composition, photosensitive substrate, and negative pattern forming method
JP2000247958A (en) Hexaarylbiimidazole compound, photosensitive composition using the same and production of pattern and electronic part
JPH05100424A (en) Photosensitive resin composition and developing method
JPH02154262A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition
JPH02157845A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same
JP4013098B2 (en) Photosensitive polyimide precursor composition and pattern manufacturing method using the same
JP2949759B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element
JP2540926B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same
JPH11209613A (en) Photosensitive polyimide precursor composition and production of pattern by using same
JP2540927B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same
JPH1138619A (en) Photosensitive polyimide precursor composition and pattern forming method by using the same
JPS5915449A (en) Photosensitive resin composition
JP2000019727A (en) Photosensitive polyimide precursor composition and manufacture of pattern using it
JP2890491B2 (en) Actinic radiation sensitive polymer composition
JP4058656B2 (en) Photosensitive polyimide precursor composition and pattern production method using the same
JPH01118514A (en) Photosensitive polymer composition
JPH01105242A (en) Photosensitive resin composition
JPH06282071A (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH03170547A (en) Photopolymer composition
JP2540925B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same
JPH02154261A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element using this photosensitive resin composition