JP2540927B2 - Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same - Google Patents

Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same

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JP2540927B2 JP63318815A JP31881588A JP2540927B2 JP 2540927 B2 JP2540927 B2 JP 2540927B2 JP 63318815 A JP63318815 A JP 63318815A JP 31881588 A JP31881588 A JP 31881588A JP 2540927 B2 JP2540927 B2 JP 2540927B2
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Description

【発明の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 本発明は、耐熱性、電気的および機械的特性に優れ、
半導体工業における固体素子への絶縁膜、パッシベーシ
ョン膜の形成材料、半導体の集積回路、多層プリント配
線板等の層間絶縁材料等として好適な感光性樹脂組成物
およびこれを用いた感光性エレメントに関する。
Detailed Description of the Invention << Field of Industrial Application >> The present invention has excellent heat resistance, electrical and mechanical properties,
The present invention relates to a photosensitive resin composition suitable as an insulating film for a solid element in the semiconductor industry, a material for forming a passivation film, an interlayer insulating material for semiconductor integrated circuits, multilayer printed wiring boards and the like, and a photosensitive element using the same.

《従来の技術》 近年、半導体工業においては、層間絶縁に従来の無機
材料に代えて有機物がその特性を活かして使用されてお
り、主としてポリイミド樹脂等の耐熱性に優れた材料が
用いられているが、パターン形成上煩雑な工程を必要と
することから、露光、現像によって、パターン形成後
も、これをそのまま残し絶縁材料として用いることがで
きる耐熱感光材料の出現が望まれている。
<< Prior Art >> In recent years, in the semiconductor industry, an organic material is used for interlayer insulation instead of a conventional inorganic material by utilizing its characteristics, and a material having excellent heat resistance such as a polyimide resin is mainly used. However, since a complicated step is required for pattern formation, it is desired to develop a heat-resistant photosensitive material that can be used as an insulating material by leaving it as it is even after pattern formation by exposure and development.

これらの材料として、例えば感光性ポリイミド、環化
ポリブタジエンをベースポリマとした耐熱感光材料等が
提案されており、特に感光性ポリイミドはその耐熱性の
優秀さや不純物排除の容易さ等から特に注目されてい
る。
As these materials, for example, photosensitive polyimides, heat-resistant photosensitive materials based on cyclized polybutadiene as a base polymer, and the like have been proposed, and in particular, photosensitive polyimides have been particularly attracting attention because of their excellent heat resistance and easy exclusion of impurities. There is.

感光性ポリイミドとしては、ポリイミド前駆体と重ク
ロム酸塩からなる系が最初に提案されたが(特公昭49-1
7374号公報)、この材料は実用的な感光度を有し、膜形
成能が高い等の長所を有する反面、保存安定性に欠け、
またポリイミド中にクロムイオンが残存する等の欠点が
あり、実用には至らなかった。
As a photosensitive polyimide, a system consisting of a polyimide precursor and a dichromate was first proposed (Japanese Patent Publication No. Sho 49-1).
No. 7374), this material has practical photosensitivity and has advantages such as high film-forming ability, but on the other hand, it lacks storage stability.
In addition, there is a defect that chromium ions remain in the polyimide, and it has not been practically used.

また他の例として、ポリイミド前駆体に感光基をエス
テル結合で導入した感光性ポリイミド前駆体が提案され
ているが(特公昭55-30207号公報)、感光基を導入する
際に脱塩酸反応を含むために最終的に塩化物が残り、こ
の除去が問題となっている。
As another example, a photosensitive polyimide precursor in which a photosensitive group is introduced into a polyimide precursor by an ester bond has been proposed (Japanese Patent Publication No. 55-30207), but a dehydrochlorination reaction occurs when the photosensitive group is introduced. Because of the inclusion, the chloride finally remains, and this removal is a problem.

このような問題点を回避すべく、ポリイミド前駆体に
感光基を有する化合物を混合する方法(特開昭54-10982
8号公報)や、ポリイミド前駆体中の官能基と感光基を
有する化合物の官能基とを反応させて感光基を導入する
方法も開発されている(特開昭56-243434号公報、特開
昭60-100143号公報)。
In order to avoid such problems, a method of mixing a compound having a photosensitive group with a polyimide precursor (JP-A-54-10982).
No. 8) or a method of introducing a photosensitive group by reacting a functional group in a polyimide precursor with a functional group of a compound having a photosensitive group (JP-A-56-243434). Sho 60-100143).

《発明が解決しようとする課題》 しかしながら、上記の如き感光性ポリイミドにあって
は、耐熱性重視の観点から芳香族ポリイミド前駆体がベ
ースポリマとして用いられている。
<< Problems to be Solved by the Invention >> However, in the photosensitive polyimide as described above, an aromatic polyimide precursor is used as a base polymer from the viewpoint of importance of heat resistance.

こうした芳香族ポリイミド前駆体は、溶解性に本質的
な問題があるとともに紫外領域での光透過率が低く、厚
膜を形成するのが困難である。こうして厚膜形成が困難
なために、絶縁材料として用いる場合には回路の平坦化
や低誘電率化に問題を残しており、その改善が望まれて
いる。
Such an aromatic polyimide precursor has an essential problem in solubility and has a low light transmittance in the ultraviolet region, which makes it difficult to form a thick film. Since it is difficult to form a thick film in this way, when it is used as an insulating material, there remain problems in flattening the circuit and lowering the dielectric constant, and improvement thereof is desired.

例えば、感光性ポリイミドとして芳香族ポリイミド前
駆体と感光基を有する化合物とを溶解した場合に、この
溶液から塗膜を形成する乾燥工程においては大部分の良
溶媒が揮発し、乾燥後の塗膜は、芳香族ポリイミド前駆
体と感光基を有する化合物から構成されることになる。
このような感光基を有する化合物は、一般に芳香族ポリ
イミド前駆体に対しては貧溶媒であるため、芳香族ポリ
イミド前駆体は不溶化し、白化現象を塗膜に発生させる
一方、こうした溶解性の問題から露光工程に供すること
が困難となる。
For example, when an aromatic polyimide precursor and a compound having a photosensitive group are dissolved as a photosensitive polyimide, most of the good solvent is volatilized in the drying step for forming a coating film from this solution, and the coating film after drying is dried. Is composed of an aromatic polyimide precursor and a compound having a photosensitive group.
Since the compound having such a photosensitive group is generally a poor solvent for the aromatic polyimide precursor, the aromatic polyimide precursor is insolubilized and a whitening phenomenon occurs in the coating film. Therefore, it becomes difficult to use the exposure process.

また、感光性ポリイミドを含めた大部分の感光性樹脂
は、共存させた光重合開始剤に吸収された光エネルギが
反応の引き金となり、分子内または分子間に化学的また
は構造的変化を生ずることにより像形成を行なうもので
あり、現行の大部分の光重合開始剤は吸収波長が紫外領
域であるため、この領域での光透過率の小さい芳香族ポ
リイミド前駆体を用いたベースポリマでは厚膜形成が難
しくなる。
Also, in most photosensitive resins including photosensitive polyimide, the light energy absorbed by the coexisting photopolymerization initiator triggers the reaction, causing chemical or structural changes within or between molecules. Since most of the current photopolymerization initiators have an absorption wavelength in the ultraviolet region, the base polymer using an aromatic polyimide precursor with a small light transmittance in this region is a thick film. Difficult to form.

このため、芳香族ポリイミド前駆体をベースポリマに
用いた感光性ポリイミドでは、白化現象および光透過性
の悪さから、膜厚が限定されてしまい、厚膜なパターン
を形成することは甚だしく困難である。
Therefore, in the photosensitive polyimide using the aromatic polyimide precursor as the base polymer, the film thickness is limited due to the whitening phenomenon and poor light transmission, and it is extremely difficult to form a thick film pattern. .

また、このような溶解性および光透過性の問題を回避
するために、脂肪族ポリイミド前駆体に重合性不飽和結
合するエポキシ化合物を付加せしめた付加物溶液に感光
基を有する化合物を混合する法(特開昭59-68332号公
報)も開発されているが、エポキシ化合物エポキシ基と
ポリイミド前駆体との反応性が低いため、付加物が得に
くいという問題点があった。
In order to avoid such problems of solubility and light transmission, a method of mixing a compound having a photosensitive group into an adduct solution obtained by adding an epoxy compound having a polymerizable unsaturated bond to an aliphatic polyimide precursor. (JP-A-59-68332) has also been developed, but there is a problem that an adduct is difficult to obtain due to low reactivity between an epoxy compound epoxy group and a polyimide precursor.

本発明は、上記問題点に鑑み、溶解性および光透過性
に優れ、厚膜形成可能な感光性樹脂組成物を提供するこ
とを目的とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition that has excellent solubility and light transmission properties and that can form a thick film.

《課題を解決するための手段》 本発明は、下記一般式(I)で示される繰り返し単位
を有するエチレン性不飽和基含有ポリアミド酸および光
開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物に関する。
<< Means for Solving the Problem >> The present invention relates to a photosensitive resin composition containing an ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid having a repeating unit represented by the following general formula (I) and a photoinitiator.

(但し、式中、R1で表わされる4価の脂環式基であり、R2はエチレン性不
飽和基を有する2価の芳香族基である) また、本発明は前記感光性樹脂組成物を基体上に積層
してなる感光性エレメントに関する。
(However, in the formula, R 1 is Which is a tetravalent alicyclic group represented by R 2 and R 2 is a divalent aromatic group having an ethylenically unsaturated group) Further, in the present invention, the photosensitive resin composition is laminated on a substrate. To a photosensitive element.

本発明に用いられるエチレン性不飽和基含有ポリアミ
ド酸は、例えば、次式(II)で表わされる新規なジシク
ロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸二無水物
エチレン性不飽和基を含有するジアミンを有機溶媒中
で反応させることによって得られる。
The ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid used in the present invention is, for example, a novel dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula (II): It is obtained by reacting a diamine containing an ethylenically unsaturated group in an organic solvent.

この酸無水物は、新規な化合物で、次式(III)の反
応によって得られる。
This acid anhydride is a novel compound and is obtained by the reaction of the following formula (III).

例えば、ビフェニル−3,4,3′,4′−テトラカルボン
酸テトラメチルエステルをロジウム触媒を用いて水素化
反応させ、これに鉱酸触媒の入った水溶液を加えて、加
熱リフラックスさせ加水分解を行なう。
For example, biphenyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid tetramethyl ester is hydrogenated using a rhodium catalyst, and an aqueous solution containing a mineral acid catalyst is added to this to heat reflux to hydrolyze. Do.

この後、加熱するかあるいは無水酢酸を加えることに
よって、ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカル
ボン酸二無水物とすることができる。
Then, by heating or adding acetic anhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride can be obtained.

また、エチレン性不飽和基含有ポリアミド酸を得ると
きには、溶解性および光透過性を低下させぬ程度に芳香
族テトラカルボン酸二無水物を併用してもよい。
When obtaining an ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid, an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride may be used in combination to the extent that solubility and light transmittance are not deteriorated.

芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えばピ
ロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、メタ−タ−フェニル−3,
3″,4,4″−テトラカルボン酸二無水物、パラ−タ−フ
ェニル−3,3″,4,4″−テトラカルボン酸二無水物、1,
2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピ
リジンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテト
ラカルボン酸二無水物、4,4′−スルホニルジフタル酸
二無水物等が挙げられる。
Examples of aromatic tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, and 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid. Acid dianhydride, meta-ta-phenyl-3,
3 ″, 4,4 ″ -tetracarboxylic dianhydride, para-phenyl-3,3 ″, 4,4 ″ -tetracarboxylic dianhydride, 1,
2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7
-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylene Examples thereof include tetracarboxylic dianhydride and 4,4′-sulfonyldiphthalic dianhydride.

本発明に用いられるエチレン性不飽和基を含有するジ
アミンとしては、例えば、4,4′−ジアミノカルコン、
3,4′−ジアミノカルコン、4,4′−ジアミノジベンザル
アセトン、3,4′−ジアミノジベンザルアセトン、3,5−
ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル、3,5−ジ
アミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル、3,5−ジ
アミノ安息香酸グリシジルアクリル酸エステル、3,5−
ジアミノ安息香酸グリシジルメタクリル酸エステル、3,
5−ジアミノ安息香酸ケイ皮酸エステル、2,4−ジアミノ
安息香酸エチルアクリル酸エステル、2,4−ジアミノ安
息香酸エチルメタクリル酸エステル、2,4−ジアミノ安
息香酸グリシジルアクリル酸エステル、2,4−ジアミノ
安息香酸グリシジルメタクリル酸エステル、2,4−ジア
ミノ安息香酸ケイ皮酸エステル、4−アクリルアミド−
3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアクリ
ルアミド−3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4−
シンナムアミド−3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,5−ジアミノベンジルアクリレート、3,5−ジアミ
ノベンジルメタクリレート、2,4−ジアミノベンジルア
クリレート、2,4−ジアミノベンジルメタクリレート、
および次式で示されるジアミン等が挙げられる。
Examples of the diamine containing an ethylenically unsaturated group used in the present invention include, for example, 4,4′-diaminochalcone,
3,4'-diaminochalcone, 4,4'-diaminodibenzalacetone, 3,4'-diaminodibenzalacetone, 3,5-
Diaminobenzoic acid ethyl acrylate, 3,5-diaminobenzoic acid ethyl methacrylic acid ester, 3,5-diaminobenzoic acid glycidyl acrylate, 3,5-
Glycidyl methacrylic acid diaminobenzoate, 3,
5-Diaminobenzoic acid cinnamic acid ester, 2,4-diaminobenzoic acid ethyl acrylate, 2,4-diaminobenzoic acid ethyl methacrylic acid ester, 2,4-diaminobenzoic acid glycidyl acrylate, 2,4- Diaminobenzoic acid glycidyl methacrylic acid ester, 2,4-diaminobenzoic acid cinnamic acid ester, 4-acrylamide-
3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diacrylamide-3,4'-diaminodiphenyl ether, 4-
Cinnamamide-3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,5-diaminobenzyl acrylate, 3,5-diaminobenzyl methacrylate, 2,4-diaminobenzyl acrylate, 2,4-diaminobenzyl methacrylate,
And diamines represented by the following formulas.

また、エチレン性不飽和基含有ポリアミド酸を得ると
きに、組成物の感度を低下させぬ程度にその他のエチレ
ン性不飽和基を含まないジアミン、ジアミノアミド化合
物を併用してもよい。
Further, when obtaining the polyamic acid containing an ethylenically unsaturated group, another diamine or diaminoamide compound containing no ethylenically unsaturated group may be used in combination to the extent that the sensitivity of the composition is not deteriorated.

エチレン性不飽和基を含まないジアミンとしては、例
えば、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフイド、ベ
ンジジン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレ
ンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレ
ンジアミン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニ
ル)プロパン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)
スルホン等の芳香族ジアミンが挙げられる。
Examples of the diamine containing no ethylenically unsaturated group include, for example, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, Benzidine, meta-phenylenediamine, para-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis (4-aminophenoxyphenyl)
Aromatic diamines such as sulfones may be mentioned.

また、次の一般式(IV) (但し、式中R3は2価の炭化水素基、R4は1価の炭化水
素基であり、mは1以上の整数である)で示されるジア
ミノシロキサンを用いることができ、この化合物として
は、例えば、 等が挙げられる。
In addition, the following general formula (IV) (Wherein R 3 is a divalent hydrocarbon group, R 4 is a monovalent hydrocarbon group, and m is an integer of 1 or more), and a diaminosiloxane represented by the formula can be used. Is, for example, Etc.

また、エチレン性不飽和基を含まないジアミノアミド
化合物としては、例えば、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル−3−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−3′−スルホンアミド、3,4′
−ジアミノジフェニルエーテル−4−スルホンアミド、
4,4′−ジアミノジフェニルメタン−3−スルホンアミ
ド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−4−スルホン
アミド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−3′−ス
ルホンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルメタン−4
−スルホンアミド、4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン−3−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニル
スルホン−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン−3′−スルホンアミド、3,3′−ジア
ミノジフェニルスルホン−4−スルホンアミド、4,4′
−ジアミノジフェニルサルファイド−3−スルホンアミ
ド、3,3′−ジアミノジフェニルサルファイド−4−ス
ルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルサルファイ
ド−3′−スルホンアミド、1,4−ジアミノベンゼン−
2−スルホンアミド、4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル−3−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−4−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル−3′−カルボンアミド、3,3′ジア
ミノジフェニルエーテル−4−カルボンアミド、4,4′
−ジアミノジフェニルメタン−3−カルボンアミド、3,
4′−ジアミノジフェニルメタン−4−カルボンアミ
ド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−3′−カルボ
ンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルメタン−4−カ
ルボンアミド、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン−
3−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルスル
ホン−4−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン−3′−カルボンアミド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン−4−カルボンアミド、4,4′−ジ
アミノジフェニルサルファイド−3−カルボンアミド、
3,4′−ジアミノジフェニルサルファイド−4−カルボ
ンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルサルファイド−
4−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルサル
ファイド−3′−スルホンアミド、1,4−ジアミノベン
ゼン−2−スルホンアミド等が挙げられる。
Examples of the diaminoamide compound containing no ethylenically unsaturated group include, for example, 4,4′-diaminodiphenyl ether-3-sulfonamide, 3,4′-diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide and 3,4′-diamino. Diphenyl ether-3'-sulfonamide, 3,4 '
-Diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide,
4,4'-diaminodiphenylmethane-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylmethane-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylmethane-3'-sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenylmethane-4
-Sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-3'-sulfonamide, 3,3 ′ -Diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide, 4,4 ′
-Diaminodiphenyl sulfide-3-sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide-3'-sulfonamide, 1,4-diaminobenzene-
2-sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenyl ether-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenyl ether-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenyl ether-3'-carbonamide, 3,3'diamino Diphenyl ether-4-carbonamide, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane-3-carbonamide, 3,
4'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylmethane-3'-carbonamide, 3,3'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone-
3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-3'-carbonamide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone-4-carbonamide, 4, 4'-diaminodiphenyl sulfide-3-carbonamide,
3,4'-diaminodiphenyl sulfide-4-carbonamide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide-
4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide-3'-sulfonamide, 1,4-diaminobenzene-2-sulfonamide and the like can be mentioned.

なお、芳香族テトラカルボン酸二無水物、エチレン性
不飽和基を含まないジアミン、一般式(IV)で示される
ジアミノシクロキサンおよびエチレン性不飽和基を含ま
ないジアミノアミド化合物を使用した場合は、エチレン
性不飽和基含有ポリアミド酸は、一般式(I)で示され
る繰り返し単位と異なる繰り返し単位を含むことができ
る。
Incidentally, when using an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride, a diamine containing no ethylenically unsaturated group, a diaminocycloxane represented by the general formula (IV) and a diaminoamide compound containing no ethylenically unsaturated group, The ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid can contain a repeating unit different from the repeating unit represented by the general formula (I).

本発明におけるポリアミド酸は、例えば、N−メチル
−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−
ジメチルプロピレンウレア、N,N−ジメチルエチレンウ
レア、ヘキサメチレンホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、p−クロロフェノール、p−ブロモフェノー
ル等の極性の高い有機溶媒に上記のジアミン成分を溶解
した後、ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカル
ボン酸二無水物またはこれを含む酸成分を加え、80℃以
下、好ましくは室温付近ないしそれ以下の温度で撹拌し
ながら反応させることによって得ることができる。酸成
分とジアミン成分とは等モルで用いられることが好まし
い。
The polyamic acid in the present invention is, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-
Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N, N-
After dissolving the above diamine component in a highly polar organic solvent such as dimethylpropyleneurea, N, N-dimethylethyleneurea, hexamethylenephosphoramide, tetramethylenesulfone, p-chlorophenol, p-bromophenol, dicyclohexyl- It can be obtained by adding 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride or an acid component containing the same and reacting with stirring at a temperature of 80 ° C or lower, preferably around room temperature or lower. . The acid component and the diamine component are preferably used in equimolar amounts.

本発明における光開始剤としては、例えば、ミヒラー
ズケトン、ベンゾイン、2−メチルベンゾイン、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテ
ル、2−t−ブチルアントラキノン、1,2−ベンゾ−9,1
0−アントラキノン、アントラキノン、メチルアントラ
キノン、4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサント
ン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−イソプロピル
チオキサントン、1,5−アセナフテン、2,2−ジメトキシ
−2−フェニルアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、2−メチル−[4−(メチル
チオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノ
ン、ジアセチル、ベンジル、ベンジルジメチルケター
ル、ベンジルジエチルケタール、ジフェニルジスルフィ
ド、3,3′−カルボニルビス(7−ジエチルアミノ)ク
マリン、2,6−ビス(P−N,N−ジエチルアミノベンジリ
デン)−4−メチル−4−アザシクロヘキサノン、アン
トラセン等を挙げることができる。
Examples of the photoinitiator in the present invention include Michler's ketone, benzoin, 2-methylbenzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, 2-t-butylanthraquinone, 1,2-benzo-9, 1
0-anthraquinone, anthraquinone, methylanthraquinone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 1,5-acenaphthene, 2,2-dimethoxy- 2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, diacetyl, benzyl, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, diphenyl disulfide, 3, Examples thereof include 3'-carbonylbis (7-diethylamino) coumarin, 2,6-bis (PN, N-diethylaminobenzylidene) -4-methyl-4-azacyclohexanone and anthracene.

これらの光開始剤の使用量は、感光性樹脂組成物の感度
および塗膜の耐熱性の点から、エチレン性不飽和基含有
ポリアミド酸100重量部に対して0.01〜30重量部とする
ことが好ましく、0.1〜10重量部とすることがより好ま
しい。
The amount of these photoinitiators used, from the viewpoint of the sensitivity of the photosensitive resin composition and the heat resistance of the coating film, may be 0.01 to 30 parts by weight relative to 100 parts by weight of the ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid. It is more preferably 0.1 to 10 parts by weight.

これらの光開始剤に公知の光開始剤であるアミン類を
少量併用することもできる。
A small amount of known photoinitiators amines can be used in combination with these photoinitiators.

かかるアミン類の具体例としては、p−ジメチルアミ
ノ安息香酸エチル、p−ジエチルアミノ安息香酸エチ
ル、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、p−ジエ
チルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸−2−(ジメ
チルアミノ)エチル、p−ジメチルアミノベンゾアルデ
ヒド、p−ジエチルアミノベンゾアルデヒド、N,N−ジ
エチルアントラニル酸エチル、p−ジメチルアミノベン
ゾニトリル、p−ジエチルアミノベンゾニトリル、N−
フェニルグリシン、N−(P−クロロフェニル)グリシ
ン、N−(P−シアノフェニル)グリシン、N−(P−
ブロモフェニル)グリシン、N,N−ジエチルアミノナフ
タレン等が挙げられる。
Specific examples of such amines include ethyl p-dimethylaminobenzoate, ethyl p-diethylaminobenzoate, isoamyl p-dimethylaminobenzoate, isoamyl p-diethylaminobenzoate, and 2- (dimethylamino) ethyl benzoate. p-dimethylaminobenzaldehyde, p-diethylaminobenzaldehyde, ethyl N, N-diethylanthranilate, p-dimethylaminobenzonitrile, p-diethylaminobenzonitrile, N-
Phenylglycine, N- (P-chlorophenyl) glycine, N- (P-cyanophenyl) glycine, N- (P-
Bromophenyl) glycine, N, N-diethylaminonaphthalene and the like can be mentioned.

また、感光性樹脂組成物の熱的な安定性を向上させる
ために、公知の熱重合禁止剤を共存させることができ
る。
Further, in order to improve the thermal stability of the photosensitive resin composition, a known thermal polymerization inhibitor can coexist.

かかる熱重合禁止剤としては、例えば、p−メトキシ
フェノール、ヒドロキノン、t−ブチルカテコール、ピ
ロガロール、フェノーチアジン、クロラニール、ナフチ
ルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−p
−クレゾール、ピリジン、ニトロベンゼン、p−トルイ
ジン、メチレンブルー、2,2′−メチレンビス(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレン
ビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)などが
挙げられ、その使用量はエチレン性不飽和基含有ポリア
ミド酸100重量部に対して0.001〜10重量部とすることが
好ましい。
Examples of the thermal polymerization inhibitor include p-methoxyphenol, hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, phenothiazine, chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-t-butyl-p.
-Cresol, pyridine, nitrobenzene, p-toluidine, methylene blue, 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-t-butylphenol), etc. The amount used is preferably 0.001 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid containing an ethylenically unsaturated group.

本発明では、必要に応じて重合性不飽和化合物を用い
ることもでき、アクリル酸系化合物、メタクリル酸系化
合物等が実用的である。
In the present invention, a polymerizable unsaturated compound may be used if necessary, and acrylic acid compounds and methacrylic acid compounds are practical.

アクリル酸系化合物としては、例えば、アクリル酸、
メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピ
ルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチ
ルアクリレート、イソブチルアクリレート、シクロヘキ
シルアクリレート、ベンジルアクリレート、カルビトー
ルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキ
シエチルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、
ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルア
クリレート、ブチレングリコールモノアクリレート、N,
N−ジメチルアミノエチルアクリレート、N,N−ジエチル
アミノエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、
テトラヒドロフルフリルアクリレート、ペンタエリスリ
トールモノアクリレート、トリメチロールプロパンモノ
アクリレート、アリルアクリレート、1,3−プロピレン
グリコールジアクリレート、1,4−ブチレングリコール
ジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジアクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ジプロ
ピレングリコールジアクリレート、2,2−ビス−(4−
アクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス−(4−アクリロキシプロピルキシフェニル)プロパ
ン、トリメチロールプロパンジアクリレート、ペンタエ
リスリトールジアクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、トリアクリルホルマール、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチ
ル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル、 等を挙げることができる。
Examples of acrylic acid compounds include acrylic acid,
Methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate, carbitol acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, butoxyethyl acrylate,
Hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, butylene glycol monoacrylate, N,
N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N-diethylaminoethyl acrylate, glycidyl acrylate,
Tetrahydrofurfuryl acrylate, pentaerythritol monoacrylate, trimethylolpropane monoacrylate, allyl acrylate, 1,3-propylene glycol diacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate Acrylate, dipropylene glycol diacrylate, 2,2-bis- (4-
Acryloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2-bis- (4-acryloxypropyloxyphenyl) propane, trimethylolpropane diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, triacrylformal , Tetramethylolmethane tetraacrylate, acrylic acid ester of tris (2-hydroxyethyl) isocyanuric acid, Etc. can be mentioned.

また、メタクリル酸系化合物としては、例えば、メタ
クリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリレー
ト、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレ
ート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリ
レート、オクチルメタクリレート、エチルヘキシルメタ
クリレート、メトキシエチルメタクリレート、エトキシ
エチルメタクリレート、ブトキシエチルメタクリレー
ト、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレー
ト、ヒドロキシペンチルメタクリレート、N,N−ジメチ
ルアミノメタクリレート、N,N−ジエチルアミノメタク
リレート、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルメタクリレート、メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、アリルメタクリレート、トリメチロー
ルプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトール
モノメタクリレート、1,3−ブチレングリコールジメタ
クリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、2,2−
ビス−(4−メタクリロキシジエトキシフェニル)プロ
パン、トリメチロールプロパンジメタクリレート、ペン
タエリスリトールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメ
タクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリ
レート、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌル
酸のメタクリル酸エステル、 等を挙げることができる。
Examples of the methacrylic acid compound include methacrylic acid, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, octyl methacrylate, ethylhexyl methacrylate, methoxyethyl methacrylate, ethoxyethyl. Methacrylate, butoxyethyl methacrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl methacrylate, hydroxypentyl methacrylate, N, N-dimethylamino methacrylate, N, N-diethylamino methacrylate, glycidyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, Methacryloxy propyl trimethoxy silane, allyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 2,2
Bis- (4-methacryloxydiethoxyphenyl) propane, trimethylolpropane dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, tetramethylolmethane tetramethacrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanuric acid Of methacrylic acid ester, Etc. can be mentioned.

本発明の感光性樹脂組成物は、上記のエチレン性不飽
和基含有ポリアミド酸および光開始剤を適当な有機溶媒
に溶解することにより溶液状態とすることができる。こ
の有機溶媒として、前記のポリアミド酸を製造する際の
反応に用いた有機溶媒を用いても良く、他の有機溶媒を
用いても良い。このような場合、有機溶媒の使用量は感
光性樹脂組成物の20〜95重量%とされることが好まし
く、40〜90重量%とされることがより好ましい。
The photosensitive resin composition of the present invention can be brought into a solution state by dissolving the ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid and the photoinitiator in a suitable organic solvent. As this organic solvent, the organic solvent used in the reaction for producing the polyamic acid may be used, or another organic solvent may be used. In such a case, the amount of the organic solvent used is preferably 20 to 95% by weight of the photosensitive resin composition, and more preferably 40 to 90% by weight.

本発明の感光性樹脂組成物は、通常の微細加工技術に
よりパターン加工することが可能である。
The photosensitive resin composition of the present invention can be patterned by a usual fine processing technique.

本発明の感光性樹脂組成物を、ガラス基板、シリコン
ウエーハ等の支持基板上にスピンナーを用いた回転塗
布、浸漬、噴霧印刷等の手段を用いて塗布し乾燥し塗膜
とすることができる。塗膜の膜厚は塗布手段、本発明の
感光性樹脂組成物のワニスの固形分濃度,粘度等により
調節可能である。
The photosensitive resin composition of the present invention can be applied on a supporting substrate such as a glass substrate or a silicon wafer by means of spin coating using a spinner, dipping, spray printing, etc. and dried to form a coating film. The thickness of the coating film can be adjusted by the coating means, the solid content concentration and viscosity of the varnish of the photosensitive resin composition of the present invention.

また、感光性樹脂組成物を可撓性の基体、例えばポリ
エステルフィルム上に塗布・乾燥して積層し、この上に
ポリエチレン等のカバーシートを設けてサンドイッチ構
造の感光性エレメントを予め作成し、この感光性エレメ
ントのカバーシートを剥がして被覆すべき基板上に塗膜
を形成することも可能である。カバーシートは必ずしも
用いなくても良い。
In addition, a photosensitive resin composition is applied on a flexible substrate, for example, a polyester film, dried and laminated, and a cover sheet of polyethylene or the like is provided on the substrate to preliminarily prepare a photosensitive element having a sandwich structure. It is also possible to peel off the cover sheet of the photosensitive element and form a coating on the substrate to be coated. The cover sheet does not necessarily have to be used.

支持基板上の塗膜に活性光線を画像的に照射し、次い
で未露光部分を現像液で溶解除去することにより、レリ
ーフ・パターンが得ることができる。この際、光源は紫
外線、可視光線、放射線等が用いることができる。
A relief pattern can be obtained by imagewise irradiating the coating film on the supporting substrate with actinic rays and then dissolving and removing the unexposed portion with a developing solution. At this time, ultraviolet light, visible light, radiation or the like can be used as the light source.

現像液としては、例えば、N−メチル−2−ピロリド
ン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチ
ルイミダゾリジノン、N−ベンジル−2−ピロリドン、
N−アセチル−ε−カプロラクタム等の非プロトン性極
性溶媒が、単独でまたはポリアミド酸の非溶媒、例え
ば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルセロソルブ、水、塩基、塩基性水溶液等との
混合液として用いられる。
Examples of developers include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphortriamide, and dimethylimidazolidinone. , N-benzyl-2-pyrrolidone,
An aprotic polar solvent such as N-acetyl-ε-caprolactam is used alone or as a non-solvent for a polyamic acid, for example, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, cyclohexanone, cyclopentanone, acetone, methyl ethyl ketone, It is used as a mixed solution with methyl cellosolve, water, a base, a basic aqueous solution and the like.

塩基としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、リン酸ナトリウム等が挙げられる。塩基性水溶液
を調整する場合は、塩基の使用量は、水100重量部に対
して0.0001〜30重量部であることが好ましく、0.05〜5
重量部であることがより好ましい。
Examples of the base include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate and the like. When preparing a basic aqueous solution, the amount of the base used is preferably 0.0001 to 30 parts by weight, and 0.05 to 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight of water.
More preferably, it is parts by weight.

次いで、現像により形成されたレリーフ・パターン
は、リンス液により洗浄し、現像溶媒を除去することが
できる。
Then, the relief pattern formed by the development can be washed with a rinse liquid to remove the developing solvent.

リンス液としては、現像液との混和性のよいポリアミ
ド酸の非溶媒が用いられ、例えば、メタノール、エタノ
ール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルセロソルブ、水等が挙げられる。
As the rinse liquid, a non-solvent of polyamic acid having good miscibility with the developer is used, and examples thereof include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, and toluene.
Examples include xylene, methyl cellosolve, water and the like.

上記処理により得られるレリーフ・パターンはポリイ
ミドの前駆体であり、150〜450℃の加熱処理により、イ
ミド環や他の環状基を持つ耐熱性レリーフ・パターンと
なる。
The relief pattern obtained by the above treatment is a polyimide precursor, and by heat treatment at 150 to 450 ° C., it becomes a heat-resistant relief pattern having an imide ring and other cyclic groups.

《実施例》 以下、本発明を実施例、比較例および参考例を用いて
説明する。
<< Example >> Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples, Comparative Examples and Reference Examples.

参考例 ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸お
よびその無水物の合成例 (1)ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボ
ン酸テトラメチルエステルの製造 電磁石による上下撹拌装置の付いた容量500mlオート
クレーブ(坂下化学機器(株)製 SE-50型 電磁上下
撹拌式オートクレーブ)にビフェニル−3,4,3,3′,4′
−テトラカルボン酸テトラメチルエステル38.6g(0.100
モル)、テトラヒドロフラン193gおよび活性炭に5重量
%ロジウムを担持させた触媒(日本エンゲルハルド社
製)3.86gを仕込み、水素圧力30kg/cm2、反応温度100℃
で水素化反応を行なった。反応時間3.5時間で水素の消
費が停止し、そのときの蓄圧器内の水素圧力の減少量か
ら求めた消費水素量は理論消費水素量(0.60モル)の9
8.7%であった。
Reference example Synthesis example of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid and its anhydride (1) Production of dicyclohexyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid tetramethyl ester Biphenyl-3,4,3,3 ', 4' in a 500 ml autoclave (SE-50 type electromagnetic vertical stirring autoclave manufactured by Sakashita Chemical Co., Ltd.) equipped with a stirrer
-Tetracarboxylic acid tetramethyl ester 38.6 g (0.100
Mol), 193 g of tetrahydrofuran, and 3.86 g of a catalyst (made by Nippon Engelhard Co., Ltd.) in which activated carbon is loaded with 5 wt% rhodium, hydrogen pressure of 30 kg / cm 2 , reaction temperature of 100 ° C.
The hydrogenation reaction was carried out. The hydrogen consumption stopped at the reaction time of 3.5 hours, and the hydrogen consumption amount calculated from the decrease amount of the hydrogen pressure in the accumulator at that time was 9 times the theoretical hydrogen consumption amount (0.60 mol).
It was 8.7%.

反応液中の活性炭担持ロジウム触媒を濾過操作により
除去した後、エバポレーションで溶媒テトラヒドロフラ
ンを除去し、白色ワックス状のジシクロヘキシル−3,4,
3′,4′−テトラカルボン酸テトラメチルエステルを36.
87g(0.0925モル)得た。1H‐NMR(日立製作所(株)製
日立R-250型 核磁気共鳴スペクトロメーター)によ
る分析の結果、ベンゼン核水素および炭素−炭素二重結
合に付いている水素は見出されず、水素化反応は完結し
ていることがわかった。
After removing the activated carbon-supported rhodium catalyst in the reaction solution by filtration, the solvent tetrahydrofuran was removed by evaporation, and white waxy dicyclohexyl-3,4,4,
36 'of 3', 4'-tetracarboxylic acid tetramethyl ester.
87 g (0.0925 mol) was obtained. As a result of 1 H-NMR (Hitachi Ltd. Hitachi R-250 type nuclear magnetic resonance spectrometer) analysis, hydrogen on the benzene nucleus hydrogen and carbon-carbon double bond was not found, and the hydrogenation reaction It turned out to be complete.

(2)ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボ
ン酸の製造 冷却管を取付けた1ナス形フラスコにジシクロヘキ
シル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸メチルエステル2
9.9g(0.075モル)を入れ、これにメタノール200gを加
え均一溶液とした後、10%水酸化ナトリウム溶液200gを
加え、100℃の油浴に入れ、リフラックスを6時間行な
った。この後、エバポレーションによりメタノールを留
去し、反応液量が140gになるまで濃縮し、これに36%塩
酸48mlを加え、pH1とした。pH4〜5で液は白濁し、pH1
では白色の微細な粉末が沈澱した。沈澱物を濾過で取り
出し、この後水洗、乾燥し17.8gの白色微粉末状結晶の
ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸を
得た(0.052モル)。
(2) Production of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid Dicyclohexyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid methyl ester 2 was placed in a round-bottomed flask equipped with a cooling tube.
After adding 9.9 g (0.075 mol) and adding 200 g of methanol to this to make a homogeneous solution, 200 g of 10% sodium hydroxide solution was added, and the mixture was placed in an oil bath at 100 ° C. and refluxed for 6 hours. Then, methanol was distilled off by evaporation, the reaction solution was concentrated to 140 g, and 48 ml of 36% hydrochloric acid was added to adjust the pH to 1. The solution becomes cloudy at pH 4 to 5, pH 1
Then, a white fine powder was precipitated. The precipitate was filtered off, washed with water and dried to obtain 17.8 g of white fine powdery crystals of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid (0.052 mol).

この結晶の赤外吸収スペクトル(日立製作所(株)製
日立260-30型 赤外分光光度計を用いKBr法で測定)
を第1図に示し、その1H‐NMRスペクトルを第2図に示
す。
Infrared absorption spectrum of this crystal (measured by KBr method using Hitachi 260-30 type infrared spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd.)
Is shown in FIG. 1 , and its 1 H-NMR spectrum is shown in FIG.

第2図において、2.50ppmの吸収は溶媒d6−ジメチル
スルホキシドに基づく吸収であり、3.35ppmの吸収は溶
媒に含まれている水による吸収である。これら2つを除
いた吸収において、11.95ppmのカルボキシル基プロトン
に基づく吸収と、0.87〜3.00ppmのシクロヘキサン環プ
ロトンに基づく吸収の積分強度比は、前者:後者が29:1
32(=4:18.2)であり、理論値(式(I)の化合物)に
一致した。
In FIG. 2, the absorption at 2.50 ppm is absorption based on the solvent d 6 -dimethyl sulfoxide, and the absorption at 3.35 ppm is absorption due to water contained in the solvent. In the absorption excluding these two, the integrated intensity ratio of the absorption based on the carboxyl group proton of 11.95 ppm and the absorption based on the cyclohexane ring proton of 0.87 to 3.00 ppm is 29: 1 for the former: the latter.
32 (= 4: 18.2), which was in agreement with the theoretical value (compound of formula (I)).

また、この結晶の融点は219〜222℃であり、元素分析
の結果、炭素56.24%、水素6.53%であり、式(I)の
化合物の計算値炭素56.13%、水素6.48%に一致した。
The melting point of this crystal was 219 to 222 ° C., and as a result of elemental analysis, it was 56.24% carbon and 6.53% hydrogen, which were in agreement with the calculated values of 56.13% carbon and 6.48% hydrogen for the compound of formula (I).

(3)ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボ
ン酸二無水物の製造 冷却管を取付けた300mlナス形フラスコに、ジシクロ
ヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸15.0g(0.04
4モル)と無水酢酸180gとを仕込み、150℃の油浴に入
れ、1時間リフラックスさせた。
(3) Preparation of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride In a 300 ml eggplant-shaped flask equipped with a cooling tube, dicyclohexyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid 15.0 was added. g (0.04
4 mol) and 180 g of acetic anhydride were charged and put in an oil bath at 150 ° C. for reflux for 1 hour.

この後、熱時濾過を行ない、濾液を放冷させたとこ
ろ、白色結晶が析出した。この結晶を濾過操作で取り出
し、圧力30mmHg、温度100℃で2時間乾燥した後の結晶
量は10.8g(0.035モル)であった。
Thereafter, filtration was performed while heating, and the filtrate was allowed to cool, whereby white crystals were precipitated. The crystals were taken out by filtration and dried at a pressure of 30 mmHg and a temperature of 100 ° C. for 2 hours to give 10.8 g (0.035 mol) of crystals.

結晶の融点は231〜234℃であり、元素分析の結果、炭
素62.59%、水素6.01%で、理論値(式(II)の化合
物)の炭素62.74%、水素5.92%とよく一致した。
The melting point of the crystal was 231 to 234 ℃. Elemental analysis showed that the carbon was 62.59% and hydrogen was 6.01%, which were in good agreement with the theoretical values (compound of formula (II)) carbon 62.74% and hydrogen 5.92%.

この結晶の赤外吸収スペクトルを第3図に示すととも
に、1H‐NMRスペクトルを第4図に示す。第4図におい
て、10〜13ppmの低磁場におけるカルボン酸プロトンの
吸収はなく、無水物になっていることがわかる。
The infrared absorption spectrum of this crystal is shown in FIG. 3, and the 1 H-NMR spectrum is shown in FIG. In FIG. 4, it can be seen that there is no absorption of carboxylic acid protons in a low magnetic field of 10 to 13 ppm, and the substance is an anhydride.

実施例1 窒素気流下で4,4′−ジアミノカルコン11.9g(0.05モ
ル)を、N−メチル−2−ピロリドン70gに溶解してジ
アミン溶液を調合した。
Example 1 A diamine solution was prepared by dissolving 11.9 g (0.05 mol) of 4,4'-diaminochalcone in 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone under a nitrogen stream.

次に、この溶液を水冷によって約15℃の温度に保ちな
がら、撹拌下に参考例で得られたジシクロヘキシル−3,
4,3′,4′−テトラカルボン酸二無水物15.4g(0.05モ
ル)を加え、室温で8時間撹拌を続け、ポリアミド酸溶
液を得た。
Next, while maintaining this solution at a temperature of about 15 ° C. with water cooling, dicyclohexyl-3, obtained in Reference Example, was stirred under stirring.
15.4 g (0.05 mol) of 4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride was added, and stirring was continued at room temperature for 8 hours to obtain a polyamic acid solution.

このポリアミド酸溶液20gにイルガキュア907(チバガ
イギー社製 2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フ
ェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン)0.
1gおよび2−イソプロピルチオキサントン(ワードブレ
キンソップ社製)0.01gを加えて、次いで1μm孔のフ
ィルタを用いて加圧濾過して、感光性樹脂組成物を得
た。
Irgacure 907 (2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one manufactured by Ciba-Geigy) was added to 20 g of this polyamic acid solution.
1 g and 0.01 g of 2-isopropylthioxanthone (manufactured by Ward Brekinsop Co., Ltd.) were added, and then pressure filtration was performed using a filter having a pore size of 1 μm to obtain a photosensitive resin composition.

次いで、この組成物をスピナーでシリコンウエーハ上
に塗布し、80℃で10分乾燥して20.5μm厚の感光性被膜
を得た。この被膜を80μmのラインアンドスペースの縞
模様のフォトマスクを用いて密着露光し、500Wの超高圧
水銀灯で600mJ/cm2照射した。露光後、N−メチル−2
−ピロリドン、エタノールおよび2%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液の混合液(N−メチル−2
−ピロリドン/エタノール/20%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液=1/4/5(重量比))で現像
し、次いでエタノールでリンスしてレリーフ・パターン
を得た。
Then, this composition was applied onto a silicon wafer with a spinner and dried at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a photosensitive film having a thickness of 20.5 μm. This coating was contact-exposed using a 80-μm line-and-space striped photomask and irradiated with a 500 W ultra-high pressure mercury lamp at 600 mJ / cm 2 . After exposure, N-methyl-2
-Pyrrolidone, ethanol and 2% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (N-methyl-2
-Pyrrolidone / ethanol / 20% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution = 1/4/5 (weight ratio)), and then rinsed with ethanol to obtain a relief pattern.

次いで、窒素雰囲気下180℃で30分、300℃で60分加熱
処理し、膜厚11.5μmのポリイミドレリーフ・パターン
を得た。このとき、パターンは強固に基板に密着し、フ
ォトマスクのパターンが忠実に転写されていた。
Then, heat treatment was performed at 180 ° C. for 30 minutes and 300 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a polyimide relief pattern having a film thickness of 11.5 μm. At this time, the pattern firmly adhered to the substrate, and the pattern of the photomask was faithfully transferred.

実施例2 実施例1で用いた4,4′−ジアミノカルコンの代わり
に、3.5−ジアミノベンジルアクリレート9.6g(0.05モ
ル)をN−メチル−2−ピロリドン70gに溶解し、次に
ジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸二
無水物15.4g(0.05モル)を加え、ポリアミド酸の溶液
を合成した。
Example 2 Instead of the 4,4'-diaminochalcone used in Example 1, 9.6 g (0.05 mol) of 3.5-diaminobenzyl acrylate was dissolved in 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone, then dicyclohexyl-3, A solution of polyamic acid was synthesized by adding 15.4 g (0.05 mol) of 4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride.

このポリアミド酸溶液20gに、イルガキュア907を0.2g
および2−イソプロピルチオキサントン0.05gを加え、
次いで1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過して、感光
性樹脂組成物を得た。
To 20 g of this polyamic acid solution, 0.2 g of Irgacure 907
And 0.05 g of 2-isopropylthioxanthone are added,
Then, pressure filtration was performed using a filter having a pore size of 1 μm to obtain a photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、鮮明なパターンを得ることができた。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, a clear pattern could be obtained.

実施例3 実施例1で用いた4,4′−ジアミノカルコンの代わり
に、3,5−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステル1
2.5g(0.05モル)をN−メチル−2−ピロリドン65gに
溶解し、次にジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラ
カルボン酸二無水物12.3g(0.04モル)および3,3′,4,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物2.94g(0.01
モル)を加え、ポリアミド酸の溶液を合成した。
Example 3 In place of 4,4′-diaminochalcone used in Example 1, 3,5-diaminobenzoic acid ethyl acrylate 1
2.5 g (0.05 mol) was dissolved in 65 g N-methyl-2-pyrrolidone, then 12.3 g (0.04 mol) dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride and 3,3' ,Four,
2.94 g of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (0.01
Mol) was added to synthesize a polyamic acid solution.

このポリアミド酸溶液20gに、N,N−ジエチルアミノ安
息香酸エチル(和光純薬工業社製)3.0gおよび2,4−ジ
エチルチオキサントン(日本化薬社製)2.0gを加え、次
いで1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過して、感光性
樹脂組成物を得た。
To 20 g of this polyamic acid solution, 3.0 g of ethyl N, N-diethylaminobenzoate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 2.0 g of 2,4-diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) were added, and then a filter having a pore size of 1 μm was added. It pressure-filtered using and obtained the photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、鮮明なパターンを得ることができた。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, a clear pattern could be obtained.

実施例4 窒素気流下で4,4′−ジアミノカルコン9.52g(0.04モ
ル)および4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.0g
(0.01モル)を、N−メチル−2−ピロリドン70gに溶
解し、次にジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テトラカ
ルボン酸二無水物15.4g(0.05モル)を加え、ポリアミ
ド酸の溶液を合成した。
Example 4 Under nitrogen stream, 4,4'-diaminochalcone 9.52 g (0.04 mol) and 4,4'-diaminodiphenyl ether 2.0 g
(0.01 mol) was dissolved in 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and then 15.4 g (0.05 mol) of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride was added, The solution was synthesized.

このポリアミド酸溶液20gに、イルガキュア907を0.15
gおよび2−イソプロピルチオキサントン0.05gを加え、
次いで1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過して、感光
性樹脂組成物を得た。
To 20 g of this polyamic acid solution, 0.15 of Irgacure 907 was added.
g and 2-isopropylthioxanthone 0.05 g,
Then, pressure filtration was performed using a filter having a pore size of 1 μm to obtain a photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、鮮明なパターンを得ることができた。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, a clear pattern could be obtained.

実施例5 窒素気流下で3,5′−ジアミノベンジルアクリレート
9.12g(0.045モル)および1,3−ビス(γ−アミノプロ
ピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン1.24g(0.
005モル)(信越化学工業(株)製 LP-103)をN−メ
チル−2−ピロリドン70gに溶解し、次にジシクロヘキ
シル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸二無水物15.4g
(0.05モル)を加え、ポリアミド酸の溶液を合成した。
Example 5 3,5'-Diaminobenzyl acrylate under nitrogen stream
9.12 g (0.045 mol) and 1,3-bis (γ-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 1.24 g (0.
(005 mol) (LP-103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was dissolved in 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and then 15.4 g of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride.
(0.05 mol) was added to synthesize a polyamic acid solution.

このポリアミド酸溶液20gに、イルガキュア907を0.2g
および2−イソプロピルチオキサントン0.05gを加え、
次いで1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過して、感光
性樹脂組成物を得た。
To 20 g of this polyamic acid solution, 0.2 g of Irgacure 907
And 0.05 g of 2-isopropylthioxanthone are added,
Then, pressure filtration was performed using a filter having a pore size of 1 μm to obtain a photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、鮮明なパターンを得ることができた。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, a clear pattern could be obtained.

実施例6 実施例5で得られたポリアミド酸溶液20gに、FA-731A
(日立化成工業(株)製 トリス(2−アクリロイルエ
チル(イソシアヌレート)1.0g、N,N−ジエチルアミノ
安息香酸エチル3.0gおよび2,4′−ジエチルチオキサン
トン2.0gを加え、次いで1μm孔のフィルタを用いて加
圧濾過して、感光性樹脂組成物を得た。
Example 6 To 20 g of the polyamic acid solution obtained in Example 5, FA-731A was added.
(Hitachi Chemical Co., Ltd., tris (2-acryloylethyl (isocyanurate) 1.0 g, ethyl N, N-diethylaminobenzoate 3.0 g and 2,4'-diethylthioxanthone 2.0 g) were added, and then a filter having a pore size of 1 μm was added. It pressure-filtered using and obtained the photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、鮮明なパターンを得ることができた。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, a clear pattern could be obtained.

比較例1 ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー(J.
Org.Chem.)第31巻3438頁(1966年)で述べられている
方法で、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸を
合成し、これを無水酢酸を用いて脱水閉環させ、1,2,4,
5−シクロヘキサンカルボン酸二無水物を得た。この酸
無水物15.692g(70ミリモル)と4,4′−ジアミノカルコ
ン14.28g(70ミリモル)およびN−メチル−2−ピロリ
ドン69.321gを用い、実施例一と同様にしてポリアミド
酸の溶液を合成した。
Comparative Example 1 Journal of Organic Chemistry (J.
Org. Chem.) Vol. 31, p. 3438 (1966), 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid was synthesized and dehydrated and ring-closed by using acetic anhydride. , 2,4,
5-Cyclohexanecarboxylic acid dianhydride was obtained. Using 15.692 g (70 mmol) of this acid anhydride, 14.28 g (70 mmol) of 4,4'-diaminochalcone and 69.321 g of N-methyl-2-pyrrolidone, a polyamic acid solution was synthesized in the same manner as in Example 1. did.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、現像後パターンにクラックを生じ、像形成す
ることはできなかった。
Next, when patterning was performed by the same operation as in Example 1, cracks were generated in the pattern after development, and image formation was not possible.

比較例2 実施例1で用いたジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−
テトラカルボン酸二無水物の代わりに、ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物14.7g(0.05モル)をN−メチル
−2−ピロリドン100gに溶解し、次に3,5−ジアミノベ
ンジルアクリレート9.6g(0.05モル)を加え、ポリアミ
ド酸の溶液を合成した。
Comparative Example 2 Dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'- used in Example 1
Instead of tetracarboxylic dianhydride, 14.7 g (0.05 mol) of biphenyltetracarboxylic dianhydride was dissolved in 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and then 9.6 g (0.05 mol of 3,5-diaminobenzyl acrylate). ) Was added to synthesize a polyamic acid solution.

このポリアミド酸溶液20gに、イルガキュア907を0.2g
および2−イソプロピルチオキサントン0.05gを加え、
次いで1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過して、感光
性樹脂組成物を得た。
To 20 g of this polyamic acid solution, 0.2 g of Irgacure 907
And 0.05 g of 2-isopropylthioxanthone are added,
Then, pressure filtration was performed using a filter having a pore size of 1 μm to obtain a photosensitive resin composition.

次いで、実施例1と同様の操作でパターン化を行なっ
たところ、現像後、パターンにクラックを生じ、像形成
をすることはできなかった。
Next, patterning was performed by the same operation as in Example 1. As a result, after development, cracks were generated in the pattern, and it was not possible to form an image.

《発明の効果》 本発明になる感光性樹脂組成物およびこれを用いた感
光性エレメントは、溶解性および光透過性に優れ、厚膜
形成可能な層間絶縁材料を得ることができるものであ
る。
<< Effects of the Invention >> The photosensitive resin composition and the photosensitive element using the same according to the present invention are excellent in solubility and light transmittance and can provide an interlayer insulating material capable of forming a thick film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は参考例で製造した中間体であるジシクロヘキシ
ル−3,4,3′,4′−テトラカルボン酸の赤外線吸収スペ
クトル、第2図はその1H‐NMRスペクトル、第3図は参
考例で製造したジシクロヘキシル−3,4,3′,4′−テト
ラカルボン酸無水物の赤外線吸収スペクトル、第4図は
その1H‐NMRスペクトルを示す。
FIG. 1 is an infrared absorption spectrum of dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid, which is an intermediate produced in Reference Example, FIG. 2 is its 1 H-NMR spectrum, and FIG. 3 is Reference Example. The infrared absorption spectrum of the dicyclohexyl-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid anhydride prepared in 1. is the 1 H-NMR spectrum.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 高之 茨城県日立市東町4丁目13番1号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 石丸 敏明 茨城県日立市東町4丁目13番1号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 林 信行 茨城県日立市東町4丁目13番1号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 児嶋 充雅 茨城県日立市東町4丁目13番1号 日立 化成工業株式会社山崎工場内 (56)参考文献 特開 昭60−72925(JP,A) 特開 昭58−55926(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Takayuki Saito, 4-13-1, Higashimachi, Hitachi, Ibaraki Prefecture, Ibaraki Laboratory, Hitachi Chemical Co., Ltd. (72) Toshiaki Ishimaru, 4-13, Higashimachi, Hitachi, Ibaraki No. 1 Hitachi Chemical Co., Ltd. in Ibaraki Research Center (72) Inventor Nobuyuki Hayashi 4-13-1, Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. in Ibaraki Research Center (72) Inventor Mitsumasa Kojima 4 Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture 13-13-1 Hitachi Chemical Co., Ltd. Yamazaki factory (56) References JP-A-60-72925 (JP, A) JP-A-58-55926 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】下記一般式(I)で示される繰り返し単位
を有するエチレン性不飽和基含有ポリアミド酸および光
開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物。 (但し、式中、R1で表わされる4価の脂環式基であり、R2はエチレン性不
飽和基を有する2価の芳香族基である)
1. A photosensitive resin composition comprising an ethylenically unsaturated group-containing polyamic acid having a repeating unit represented by the following general formula (I) and a photoinitiator. (However, in the formula, R 1 is Is a tetravalent alicyclic group represented by and R 2 is a divalent aromatic group having an ethylenically unsaturated group)
【請求項2】請求項1記載の感光性樹脂組成物を基体上
に積層してなる感光性エレメント。
2. A photosensitive element obtained by laminating the photosensitive resin composition according to claim 1 on a substrate.
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