JPH03186847A - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition

Info

Publication number
JPH03186847A
JPH03186847A JP32615789A JP32615789A JPH03186847A JP H03186847 A JPH03186847 A JP H03186847A JP 32615789 A JP32615789 A JP 32615789A JP 32615789 A JP32615789 A JP 32615789A JP H03186847 A JPH03186847 A JP H03186847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamine
diamino
bis
tetracarboxylic dianhydride
dianhydride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32615789A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Toko
都甲 明
Nobuyuki Sashita
暢幸 指田
Etsu Takeuchi
江津 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP32615789A priority Critical patent/JPH03186847A/en
Publication of JPH03186847A publication Critical patent/JPH03186847A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain the heat resistant photosensitive polyimide resin compsn. with which the production process is simple and which is free from the fluctuation in products and allows spary development by constituting the compsn. of a specific polymer, and a sensitizer and/or initiator. CONSTITUTION:This compsn. consists of the polymer essentially consisting of the constitutional unit expressed by formula I and the sensitizer and/or initia tor. In the formula I, R1, R2 denote an arom. cyclic group; R3 denote -H, -CH3, -C2H5; R4 denotes -H-, -CH3, -C2H5, -CH2OH, -C6H5; (n) denotes 1 to 2; (m) denotes 0 to 2. The method for photosensitization which can take advantage of the excellent characteristics intrinsic to the polyimide resin as they are is established in this way and this method is simple. The resulted photosensitive resin compsn. withstands the spray development as well.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、高耐熱の感光性ポリイミド樹脂組成物に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a highly heat-resistant photosensitive polyimide resin composition.

[従来の技術] 従来、半導体素子の表面保護膜、眉間絶縁膜などには、
耐熱性が優れ、また卓越した電気的特性、機械的特性な
どを有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半
導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの薄
型化、小型化、半田リフローによる表面実装方式などへ
の移行により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著し
い向上の要求があり、これまでのポリイミド樹脂では、
対応が困難となってきた。
[Conventional technology] Conventionally, surface protection films of semiconductor elements, glabella insulating films, etc.
Polyimide resin is used because it has excellent heat resistance and outstanding electrical and mechanical properties. However, in recent years, semiconductor devices have become more highly integrated and larger, sealing resin packages have become thinner and smaller, and solder With the shift to surface mounting methods using reflow, there is a demand for significant improvements in heat cycle resistance, heat shock resistance, etc., and conventional polyimide resins have
It has become difficult to respond.

一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が最
近注目を集めてきた。
On the other hand, technology that imparts photosensitivity to polyimide resin itself has recently attracted attention.

これらの感光性を付与したポリイミド樹脂を使用すると
、付与していないポリイミド樹脂に比較してパターン作
成工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性の強いエツ
チング液を使用しなくてすむので、安全、公害上も優れ
ており、ポリイミド樹脂の感光性化は重要な技術となる
ことが期待されている。
Using polyimide resins that have been given these photosensitizers not only simplifies the pattern creation process compared to polyimide resins that have not been given photosensitivity, but also eliminates the need for highly toxic etching solutions, making them safer. It is also excellent in terms of pollution, and photosensitization of polyimide resin is expected to become an important technology.

感光性ポリイミド樹脂としては、例えば下式(A)で示
されるような構造のエステル基で感光性基を付与したポ
リイミド前駒体組成物(特公昭55−41422号公報
)あるいは下式(B) で示されるような構造のポリアミック酸に化学線により
2量化、または重合可能な炭素−炭素二重結合およびア
ミノ基または、その四級化塩を含む化合物を添加した組
成物(例えば特公昭59−52822号公報)などが知
られている。
As the photosensitive polyimide resin, for example, a polyimide front piece composition to which a photosensitive group is added with an ester group having a structure as shown in the following formula (A) (Japanese Patent Publication No. 55-41422) or the following formula (B) A composition prepared by adding a compound containing a carbon-carbon double bond and an amino group that can be dimerized or polymerized by actinic radiation, or a quaternized salt thereof to a polyamic acid having the structure shown in 52822), etc. are known.

これらは、いずれも適当な有機溶剤に溶解し、ワニス状
態で塗布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照
射し、現像、リンス処理して所望のパターンを得、さら
に加熱処理することによりポリイミド被膜としている。
All of these are dissolved in a suitable organic solvent, applied as a varnish, dried, exposed to ultraviolet light through a photomask, developed and rinsed to obtain the desired pattern, and then heat-treated to form a polyimide. It is a coating.

しかし、かかる従来の組成物は、次の欠点を有している
。すなわち、(A)に示す組成物においては、まずテト
ラカルボン酸二無水物と感光基を有するアルコールをエ
ステル化反応させ、次にジアミンとアミド化反応を行な
い製造するという著しく複雑な工程を経るため、製品の
安定化が困難であった。(B)に示す組成物においては
、ポリアミック酸に感光剤を添加混合するだけでよいた
め、製造工程は著しく簡単であるが、ポリアミック酸 
4− と感光剤とのイオン結合力が著しく弱いため、(A)に
示す組成物に可能なスプレー現像(現像液をスプレーで
噴きつけて急速に短時間で現像する方法)が不可能であ
った。
However, such conventional compositions have the following drawbacks. That is, the composition shown in (A) is produced through an extremely complicated process of first causing an esterification reaction between a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol having a photosensitive group, and then performing an amidation reaction with a diamine. , it was difficult to stabilize the product. In the composition shown in (B), the manufacturing process is extremely simple because it is only necessary to add and mix a photosensitizer to polyamic acid.
4- Because the ionic bonding force between the photosensitive agent and the photosensitive agent is extremely weak, spray development (a method of rapid development in a short period of time by spraying a developing solution), which is possible with the composition shown in (A), is impossible. Ta.

[発明が解決しようとする課題] 本発明の目的とするところは、製造工程が簡単で、製品
のバラツキがなく、かつスプレー現像可能な、耐熱性感
光性ポリイミド樹脂組成物を提供するにある。
[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to provide a heat-resistant photosensitive polyimide resin composition that has a simple manufacturing process, has no product variation, and is spray developable.

[課題を解決するための手段] 本発明は下記の一般式(I) (式中R1+ R2:芳香族環状基。[Means to solve the problem] The present invention relates to the following general formula (I) (In the formula, R1+ R2: aromatic cyclic group.

R3:  H,CH3,−C2H5 R<ニーH,−CH3,C2H5゜ CH20H、−Ce H5 n:1〜2I m:0〜2) で表される構造単位を主成分とするポリマーと、増感剤
及び/または開始剤からなる感光性樹脂組成物である。
R3: H, CH3, -C2H5 R<nee H, -CH3, C2H5゜CH20H, -Ce H5 n: 1-2I m: 0-2) A polymer whose main component is a structural unit represented by It is a photosensitive resin composition consisting of an agent and/or an initiator.

[作用] 本発明において用いるポリマーは、例えば下記の方法に
よって合成される。
[Function] The polymer used in the present invention is synthesized, for example, by the following method.

すなわち、下記−形式CI) (n=1の場合) (n=2の場合) で示される酸と、 下記−形式(TI ) で示されるアミンと、 下記−形式(III ) +(OH3C \ N−C0−C= CI2          ・・・・
 CIII )/ R−R3 で示されるN−メチロールアクリルアミド類とを、〔I
〕と(: TI )を反応させたあと(III )を加
えて更に反応させることによって合成される。CI)と
(IT )の反応は、通常、常温で数時間で完了し、(
III )との反応は50〜100°Cで半時間ないし
数時間で完了する。触媒を使用すれば反応はより早く完
結するが、無触媒でも充分に進行する。このように、反
応は著しく簡単に、バラツキもなく完了させることがで
きる。
That is, an acid represented by the following form CI) (when n = 1) (when n = 2), an amine represented by the following form (TI), and the following form (III) + (OH3C \ N -C0-C=CI2...
CIII)/R-R3 and N-methylolacrylamide represented by [I
] and (TI), and then add (III) and further react. The reaction between CI) and (IT) is usually completed in several hours at room temperature, and (
The reaction with III) is completed in half an hour to several hours at 50-100°C. The reaction will complete more quickly if a catalyst is used, but it will proceed satisfactorily even without a catalyst. In this way, the reaction can be completed extremely easily and consistently.

一般式(I)において、R1の芳香族環状基を有する酸
としては、n=1のトリカルボン酸無水物やn=2のテ
トラカルボン酸二無水物などが用いられ、酸無水物成分
は1種類でも、2種類以上の混合物でもかまわない。用
いられる酸無水物の種類としては、例えば、トリメリッ
ト酸無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−1,
2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2
.2’ 、3.3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2,3.3’ 。
In general formula (I), as the acid having an aromatic cyclic group in R1, tricarboxylic acid anhydride with n=1, tetracarboxylic dianhydride with n=2, etc. are used, and there is only one type of acid anhydride component. However, a mixture of two or more types may be used. Examples of the acid anhydride used include trimellitic anhydride, pyromellitic dianhydride, benzene-1,
2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3.3',4
.. 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2
.. 2', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3'.

4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフ
タレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、
ナフタレン−1,、2、5、6−テトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−1,,2,4,5−テトラカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テトラ
カルボン酸二無水物、4.8−ジメチル−1,2,3,
5,6,7−へキサヒドロナフタレン−1,2,5,6
−テトラカルボン酸二無水物、4.8−ジメチル−1,
2,3,5,6,7−へキサヒドロナフタレン−2,3
,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,6−シクロ
ロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボン酸二無
水物、2.7−シクロロナフタレンー1. 、4 、5
 、8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6.7−
チトラクロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカル
ボン酸二無水物、1 、4.5゜8−テトラクロロナフ
タレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、
3.3’ 、4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2.2’ 、3.3’−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’ 、4’−ジフェニルテ
I・ラカルボン酸二無水物、3.3” 、4.4″−p
−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2.2”、
3.3”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物
、2,3゜3” 、4”−1)−テルフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキ
シフェニル)−プロパンニ無水物、2,2−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)−プロパンニ無水物、ビス
(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテルニ無水物、
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテルニ無水
物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタンニ無
水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタンニ
無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホ
ンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ス
ルホンニ無水物、l、1−ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)エタンニ無水物、1.1−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)エタンニ無水物、ペリレン−2,
3,8,9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3
,4,9,10−テトラカルボン−9= 酸二無水物、ペリレン−4,5,1,0,11−テトラ
カルボン酸二無水物、ペリレン−5,6,11,1,2
−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2
,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン
−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、フェナ
ンスレン−1,2゜9.10−テトラカルボン酸二無水
物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン
酸二無水物、ピラジン−2゜3.5.6−テトラカルボ
ン酸二無水物、ピロリジン−2゜3.4.5−テトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−2゜3.4.5−テト
ラカルボン酸二無水物などがあげられるが、これらに限
定されるものではない。
4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride,
Naphthalene-1,,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, Naphthalene-1,,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, Naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride anhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,
5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6
-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,
2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3
, 6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-cyclonaphthalene-1.4,5.8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-cyclonaphthalene-1. ,4,5
, 8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6.7-
Titrachloronaphthalene-1.4,5.8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4.5゜8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride,
3.3', 4.4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2.2', 3.3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3.3', 4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride Acid dianhydride, 3.3", 4.4"-p
-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2.2",
3.3"-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3°3",4"-1)-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(2,3-dicarboxylic phenyl)-propanihydride, 2,2-bis(3,
4-dicarboxyphenyl)-propanihydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl)ether dianhydride,
Bis(3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(2,3-dicarboxy phenyl)sulfone dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dianhydride, l,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis(3,4-dicarboxy phenyl)ethane dianhydride, perylene-2,
3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3
,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,1,0,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,1,2
-Tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2
, 7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2゜9.10-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1 , 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2゜3.5.6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2゜3.4.5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene- Examples include, but are not limited to, 2°3.4.5-tetracarboxylic dianhydride.

1m式(II )において、R2の芳香族環状基を有す
るアミンとしては、m=0のジアミンやm=1のジアミ
ノカルボン酸、m=2のジアミノジカルボン酸などが用
いられ、アミン成分は1種類でも、2種類以上の混合物
でもかまわない。用いられるアミンの種類としては例え
ばm−フェニレン−ジアミン、1−イソプロピル−2,
4−フェニレン−ジアミン、p−フェニレン−ジアミン
、4,4′−ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′
−ジアミノ−ジフェニルプロパ 10− ン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルエタン、3,3′
−ジアミノ−ジフェニルエタン、4,4′−ジアミノ−
ジフェニルメタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルメ
タン、4.4′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、3
.3′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,4′−
ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノ−ジ
フェニルスルホン、4.4′−ジアミノ−ジフェニルエ
ーテル、3.3′−ジアミノ−ジフェニルエーテル、ベ
ンジジン、3.3′−ジアミノ−ビフェニル、3,3′
−ジメチル−4,4′ジアミノ−ビフェニル、3,3′
−ジメトキシ−ベンジジン、4.4”−ジアミノ−p−
テルフェニル、3.3”ジアミノ−p−テルフェニル、
ビス(p−アミノ−シクロへキシル)メタン、ビス(p
−β−アミノ〜t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(
p−β−メチル−δ−アミノペンチル)ベンゼン、p−
ビス(2−メチル−4−アミノ−ペンチル)ベンゼン、
p−ビス(1,l−ジメチル−5−アミノ−ペンチル)
ベンゼン、1.5−ジアミノ−ナフタレン、2,6−シ
アミツーナフタレン、2,4−ビス(βアミノ−4−ブ
チル)トルエン、2,4−ジアミノ−トルエン、m−キ
シレン−2,5−ジアミン、p−キシレン−2゜5−ジ
アミン、m−キシリレン−ジアミン、p−キシリレン−
ジアミン、2,6−シアミツーピリジン、2,5−ジア
ミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキ
サジアゾール、1,4−ジアミノ−シクロヘキサン、ピ
ペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジアミン、
プロピレン−ジアミン、2.2−ジメチル−プロピレン
−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペンタメチレ
ン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、2゜5−ジ
メチル−へキサメチレン−ジアミン、3−メトキシ−へ
キサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン−ジアミン、
2,5−ジメチル−へブタメチレン−ジアミン、3−メ
チル−へブタメチレン−ジアミン、4,4−ジメチル−
へブタメチレン−ジアミン、オクタメチレン−ジアミン
、ノナメチレン−ジアミン、5−メチ/l、−ノナメチ
レン−ジアミン、2,5−ジメチル−ノナメチレン−ジ
アミン、デカメチレン−ジアミン、1,1.0−ジアミ
ノ−1,10−ジメチル−デカン、2,11−ジアミノ
−ドデカン、l、12−ジアミノ−オクタデカン、2,
12ジアミノ−オクタデカン、2,17−ジアミノシロ
キサン、ジアミノシロキサン、2,6−ジアミツー4−
カルボキシリックベンゼン、3.3′−ジアミノ−4,
4’−ジカルボキシリックベンジジンなどがあげられる
が、これらに限定されるものではない。
In Formula 1m (II), as the amine having an aromatic cyclic group for R2, diamine with m = 0, diaminocarboxylic acid with m = 1, diaminodicarboxylic acid with m = 2, etc. are used, and the number of amine components is one type. However, a mixture of two or more types may be used. Examples of the types of amines used include m-phenylene-diamine, 1-isopropyl-2,
4-phenylene-diamine, p-phenylene-diamine, 4,4'-diamino-diphenylpropane, 3,3'
-Diamino-diphenylpropane, 4,4'-diamino-diphenylethane, 3,3'
-diamino-diphenylethane, 4,4'-diamino-
diphenylmethane, 3,3'-diamino-diphenylmethane, 4,4'-diamino-diphenyl sulfide, 3
.. 3'-diamino-diphenyl sulfide, 4,4'-
Diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diamino-diphenyl sulfone, 4,4'-diamino-diphenyl ether, 3,3'-diamino-diphenyl ether, benzidine, 3,3'-diamino-biphenyl, 3,3'
-dimethyl-4,4'diamino-biphenyl, 3,3'
-dimethoxy-benzidine, 4.4”-diamino-p-
Terphenyl, 3.3” diamino-p-terphenyl,
Bis(p-amino-cyclohexyl)methane, bis(p-amino-cyclohexyl)methane
-β-amino~t-butylphenyl)ether, bis(
p-β-methyl-δ-aminopentyl)benzene, p-
bis(2-methyl-4-amino-pentyl)benzene,
p-bis(1,l-dimethyl-5-amino-pentyl)
Benzene, 1,5-diamino-naphthalene, 2,6-cyamitunaphthalene, 2,4-bis(β-amino-4-butyl)toluene, 2,4-diamino-toluene, m-xylene-2,5-diamine , p-xylylene-2゜5-diamine, m-xylylene-diamine, p-xylylene-
Diamine, 2,6-cyamitopyridine, 2,5-diamino-pyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, 1,4-diamino-cyclohexane, piperazine, methylene-diamine, ethylene- diamine,
Propylene-diamine, 2,2-dimethyl-propylene-diamine, tetramethylene-diamine, pentamethylene-diamine, hexamethylene-diamine, 2゜5-dimethyl-hexamethylene-diamine, 3-methoxy-hexamethylene-diamine, hepta methylene-diamine,
2,5-dimethyl-hebutamethylene-diamine, 3-methyl-hebutamethylene-diamine, 4,4-dimethyl-
Hebutamethylene-diamine, octamethylene-diamine, nonamethylene-diamine, 5-methylene-diamine, -nonamethylene-diamine, 2,5-dimethyl-nonamethylene-diamine, decamethylene-diamine, 1,1.0-diamino-1,10 -dimethyl-decane, 2,11-diamino-dodecane, l, 12-diamino-octadecane, 2,
12diamino-octadecane, 2,17-diaminosiloxane, diaminosiloxane, 2,6-diamino-4-
Carboxylic benzene, 3,3'-diamino-4,
Examples include, but are not limited to, 4'-dicarboxylic benzidine.

8式〔1n〕で示されるN−メチロールアクリルアミド
類としては、N−メチロールアクリルアミド、N−メチ
ロールメタクリルアミド、N、N−ジメチロールアクリ
ルアミド、N、N−ジメチロールメタクリルアミド、N
−メチロール−N−メチルアクリルアミド、N−メチロ
ール−N−メチルメタクリルアミド、N−メチロール−
N−エチルアクリルアミド、N−メチロール−N−エチ
ルメタクリルアミドなどがあげられるが、これらに限定
されるものではない。
The N-methylol acrylamides represented by formula 8 [1n] include N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylamide, N,N-dimethylol acrylamide, N,N-dimethylol methacrylamide, N-
-Methylol-N-methylacrylamide, N-methylol-N-methylmethacrylamide, N-methylol-
Examples include, but are not limited to, N-ethylacrylamide and N-methylol-N-ethylmethacrylamide.

本発明において用いられる増感剤としてはベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、アントロン、p、p’−テトラメ
チルジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、フェ
ナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナ
フテン、ベンゾキノン、N−アセチル−p−ニトロアニ
リン、p−ニトロアニリン、2−エチルアントラキノン
、2−ターシャリ−ブチルアン 13− トラキノン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチル
アミン、ピクラミド、1.2−ベンズアンスラキノン、
3−メチル−1,3−ジアザ−1,9−ベンズアンスロ
ン、p。
Sensitizers used in the present invention include benzophenone, acetophenone, anthrone, p,p'-tetramethyldiaminobenzophenone (Michler's ketone), phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene, benzoquinone, N-acetyl-p- Nitroaniline, p-nitroaniline, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, 1,2-benzanthraquinone,
3-Methyl-1,3-diaza-1,9-benzanthrone, p.

p′−テトラエチルジアミノベンゾフェノン、2−クロ
ロ−4−ニトロアニリン、ジベンザルアセトン、1゜2
−ナフトキノン、2,5−ビス−(4′−ジエチルアミ
ノベンザル)−シクロペンタン、2,6−ビス−(4′
−ジエチルアミノベンザル)−シクロヘキサノン、2.
6−ビス−(4′−ジメチルアミノベンザル)−4−メ
チル−シクロヘキサノン、2,6−ビス=(4′−ジエ
チルアミノベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン
、4,4′−ビス−(ジメチルアミノ)−カルコン、4
,4′−ビス−(ジエチルアミノ)−カルコン、p−ジ
メチルアミノベンジリデンインダノン、1,3−ビス−
(4′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、1,3
−ビス−(4′−ジエチルアミノベンザル)−アセトン
、N−フェニル−ジェタノールアミン、N−p−トリル
−ジエチルアミンやスチソル化合物、クマリン化合物な
どがあるが、これらに限定されるものでなく、単独また
は併用して使用することができる。
p'-tetraethyldiaminobenzophenone, 2-chloro-4-nitroaniline, dibenzalacetone, 1゜2
-naphthoquinone, 2,5-bis-(4'-diethylaminobenzal)-cyclopentane, 2,6-bis-(4'
-diethylaminobenzal)-cyclohexanone, 2.
6-bis-(4'-dimethylaminobenzal)-4-methyl-cyclohexanone, 2,6-bis=(4'-diethylaminobenzal)-4-methyl-cyclohexanone, 4,4'-bis-(dimethyl amino)-chalcone, 4
, 4'-bis-(diethylamino)-chalcone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 1,3-bis-
(4'-dimethylaminobenzal)-acetone, 1,3
Examples include, but are not limited to, -bis-(4'-diethylaminobenzal)-acetone, N-phenyl-jetanolamine, N-p-tolyl-diethylamine, stisol compounds, coumarin compounds, etc. Or it can be used in combination.

 14− 本発明において用いられる開始剤としては2,2−ジメ
トキシ−2−フェニル−アセ]・フェノン、1−ヒドロ
キシ−シクロへキシル−フェニルケトン、2−メチル−
14−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−
1−プロパン、3.3’ 、4.4’−テトラ−(t−
ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、ベンジ
ル、ベンゾイン−イソプロピルエーテル、ベンゾイン−
イソブチルエーテル、4,4′−ジメトキシベンジル、
1,4〜ジベンゾイルベンゼン、4−ベンゾイルビフェ
ニル、2−ベンゾイルナフタレン、メチル−〇−ベンゾ
イルベンゾエート、2,2′−ビス(O−クロロフェニ
ル)−4゜4’ 、5.5’−テトラフェニル−1,2
′−ビイミダゾール、IO−ブチル−2−クロロアクリ
ドン、エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、ジベ
ンゾイルメタン、2.4−ジエチルチオキサントン、3
,3−ジメチル−4−メトキシーペンゾフエノン、2−
ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−
オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロパン−I−オン、1−(4−ドデ
シルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン
−l−オン、1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2
−(O−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル
−プロパンブタンジオン−2−(O−ベンゾイル)オキ
シム、】、2−ジフェニル−エタンジオン−1−(O−
ベンゾイル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパン
トリオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム、1−フェ
ニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(O−ベ
ゾイル)オキシムやグ+)シン化合物、オキサシロン化
合物などがあるが、これらに限定されるものではなく、
単独または併用して使用することができる。
14- Initiators used in the present invention include 2,2-dimethoxy-2-phenyl-ace]phenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2-methyl-
14-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-
1-propane, 3.3', 4.4'-tetra-(t-
butylperoxycarbonyl)benzophenone, benzyl, benzoin-isopropyl ether, benzoin-
Isobutyl ether, 4,4'-dimethoxybenzyl,
1,4-dibenzoylbenzene, 4-benzoylbiphenyl, 2-benzoylnaphthalene, methyl-〇-benzoylbenzoate, 2,2'-bis(O-chlorophenyl)-4゜4', 5,5'-tetraphenyl- 1,2
'-biimidazole, IO-butyl-2-chloroacridone, ethyl-4-dimethylaminobenzoate, dibenzoylmethane, 2,4-diethylthioxanthone, 3
, 3-dimethyl-4-methoxypenzophenone, 2-
Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-
1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-I-one, 1-(4-dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-I-one, 1-phenyl- 1,2-butanedione-2
-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-propanebutanedione-2-(O-benzoyl)oxime, ], 2-diphenyl-ethanedione-1-(O-
benzoyl)oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2-(O-benzoyl)oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2-(O-bezoyl)oxime, g+)cine compounds, oxacylone compounds These include, but are not limited to,
Can be used alone or in combination.

本発明による耐熱性、感光性樹脂組成物には、接着助剤
やレベリング剤その他各種充填剤を添加してもよい。
An adhesion aid, a leveling agent, and various other fillers may be added to the heat-resistant, photosensitive resin composition of the present invention.

本発明による感光性樹脂組成物の使用方法は、まず、該
組成物を適当な支持体、例えばシリコンウェハーやセラ
ミック基板などに塗布する。塗布方法は、スピンナーを
用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、
浸漬、印刷、ロールコーティングなどで行なう。次に、
60〜80°Cの低温でプリベークして塗膜を乾燥後、
所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線として
は、X線、電子線、紫外線、可視光線などが使用できる
が、200〜500nmの波長のものが好ましい。
The method for using the photosensitive resin composition according to the present invention is to first apply the composition to a suitable support such as a silicon wafer or a ceramic substrate. Application methods include rotation application using a spinner, spray application using a spray coater,
This can be done by dipping, printing, roll coating, etc. next,
After pre-baking at a low temperature of 60-80°C and drying the coating,
Actinic radiation is applied to the desired pattern shape. As the actinic radiation, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible light, etc. can be used, but those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable.

次に、未照射部を現像液で溶解除去することによりレリ
ーフパターンを得る。現像液としては、N−メチル−2
−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジメチルホルムアミドなどや、メタノール、イソプロ
ピルアルコール、水などを単独または混合して使用する
。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波
などの方式が可能であるが、中でも現像時間が最も短く
、工程にインラインで組込むことができて、しかも仕上
りパターンが最も綺麗なスプレー現像が最も好ましい。
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unirradiated areas with a developer. As a developer, N-methyl-2
-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N
- Dimethylformamide, methanol, isopropyl alcohol, water, etc. are used alone or in combination. Spray, paddle, immersion, and ultrasonic development methods are available, but spray development is the most effective because it takes the shortest development time, can be incorporated in-line into the process, and provides the cleanest finished pattern. preferable.

スプレー現像は、かなりの圧力をかけて現像液を噴霧す
るため、照射部の溶解度がゼロないしは限りなく小さい
塗膜でなければ、未照射部と一緒に溶解してしまい、レ
リーフパターンを残さなくなってしまう。従来の組成物
にはスプレー現像できないものがかなり多かったが、本
発明による組成物はこれが可能で、インライン工程にそ
のま 17− ま組込むことができる。
In spray development, the developer is sprayed under considerable pressure, so unless the coating film has zero or extremely low solubility in the irradiated areas, it will dissolve together with the unirradiated areas, leaving no relief pattern. Put it away. While many conventional compositions cannot be spray developed, the compositions of the present invention can be developed and can be directly incorporated into in-line processes.

次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンス
する。リンス液としては、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、酢酸ブチルなどを使用する。次
に加熱処理を行ない、イミド環を形成し、耐熱性に富む
最終パターンを得る。
Next, the relief pattern formed by development is rinsed. As the rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butyl acetate, etc. are used. Next, heat treatment is performed to form imide rings and obtain a final pattern with high heat resistance.

本発明による感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバ
ーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜などとして
も有用である。
The photosensitive resin composition according to the present invention is useful not only for semiconductor applications but also as an interlayer insulating film for multilayer circuits, a cover coat for flexible copper clad boards, a solder resist film, a liquid crystal alignment film, and the like.

以下実施例により本発明を具体的に説明する。The present invention will be specifically explained below using Examples.

実施例1 3.3’ 、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物57gと、アミンとして4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル33gと下記式 で示されるシリコーンジアミン10gとの混合物をN−
メチルピロリドンに投入し、20℃で6時間反応させた
Example 1 A mixture of 57 g of 3.3', 4.4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 33 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether as an amine, and 10 g of silicone diamine represented by the following formula was N-
The mixture was poured into methylpyrrolidone and reacted at 20°C for 6 hours.

得られたポリアミック酸にN−メチロールアクリルアミ
ド60gを投入し、80°Cで1時間反応させた。得ら
れたポリマーの分子量は24000で期待通りのもので
あった。
60 g of N-methylolacrylamide was added to the obtained polyamic acid and reacted at 80°C for 1 hour. The molecular weight of the obtained polymer was 24,000, which was as expected.

次に、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンゾオキ
サゾール4gとN−フェニルグリシン8gを添加し、室
温で混合溶解し、感光性樹脂組成物を得た。
Next, 4 g of 2-(p-dimethylaminostyryl)benzoxazole and 8 g of N-phenylglycine were added and mixed and dissolved at room temperature to obtain a photosensitive resin composition.

得られた組成物をアルミ板上にスピンナーで塗布し、乾
燥機により65°Cで1時間乾燥した。
The obtained composition was applied onto an aluminum plate using a spinner and dried at 65°C for 1 hour using a dryer.

このフィルムにコダック社製フォトグラフィックステッ
プタブレットNo2.21ステツプ(本グレースケール
では、段数が一段増加するごとに透過光量が前段の17
f2に減少するので現像後の残存段階が大きいものほど
感度が良い)を重ね、500mj/cm2の紫外線を照
射した。
This film is coated with a Kodak Photographic Step Tablet No. 2.21 Step (in this gray scale, as the number of steps increases, the amount of transmitted light increases by 17 steps from the previous step).
f2, so the larger the residual stage after development, the better the sensitivity).

次に、これをスプレー現像機にセットし、N−メチルピ
ロリドン60重量%、キシレン40重量%の現像液を用
い現像、さらにイソプロピルアルコールでリンスをした
ところ12段までパターンが残存し、高感度であること
が判った。
Next, this was set in a spray developing machine and developed using a developer containing 60% by weight of N-methylpyrrolidone and 40% by weight of xylene. When the pattern was further rinsed with isopropyl alcohol, the pattern remained up to 12 steps, and the pattern remained with high sensitivity. I found out something.

現像時間は、わずか30秒であった。Development time was only 30 seconds.

次に、前述と同様な方法でシリコンウェハー上に塗布し
全面露光し、現像、リンスの各工程を行い、さらに15
0.250.350°Cで各々30分間加熱硬化した。
Next, the coating was applied onto a silicon wafer in the same manner as described above, the entire surface was exposed, development and rinsing steps were performed, and further 15
Each was heated and cured at 0.250°C and 350°C for 30 minutes.

密着力試験のため1mm角に100個カッl−L、セロ
テープで引き剥がそうとしたが、■個も剥がれず、高密
着性であることが判った。
For an adhesion test, I cut 100 pieces into a 1 mm square and tried to peel them off with cellophane tape, but not a single piece came off, indicating high adhesion.

また、別途アルミ板上に塗布し、全面露光、現像、リン
ス、熱硬化したあとアルミ板をエツチングで除去し、フ
ィルムを得た。
Separately, it was coated on an aluminum plate, exposed to light over the entire surface, developed, rinsed, and cured with heat, and then the aluminum plate was removed by etching to obtain a film.

得られたフィルムの引張強度(JIS K−6760)
は16Kg/n+m2と大きく(大きい方が良い)、熱
分解開始温度は400°Cと高かった(高い方が良い)
Tensile strength of the obtained film (JIS K-6760)
was as large as 16Kg/n+m2 (bigger is better), and the thermal decomposition onset temperature was as high as 400°C (higher is better).
.

得られたフィルムの体積抵抗率(JrSC−6481)
は3XiO16Ω・印と大きく(大きい方が良い)、誘
電率も3.2(IMH2)と低かった(低い方が良い)
Volume resistivity of the obtained film (JrSC-6481)
was as large as 3XiO16Ω・mark (the larger the better), and the dielectric constant was as low as 3.2 (IMH2) (the lower the better)
.

比較例1 実施例1におけるポリアミック酸にジエチルアミノメタ
クリレート6(1gを投入し、室温で混合した。次に、
実施例1と同様に2−(p−ジメチルアミノスチリル)
ベンゾオキサゾール4gとN−フェニルグリシン8gを
添加し、感光性樹脂組成物を得た。この組成物をシリコ
ンウェハーに塗布し、露光し、現像しようとしたが、ス
プレー現像で未露光部だけではなく露光部までも溶解し
、レリーフパターンは得られなかった。
Comparative Example 1 Diethylaminomethacrylate 6 (1 g) was added to the polyamic acid in Example 1 and mixed at room temperature. Next,
2-(p-dimethylaminostyryl) as in Example 1
4 g of benzoxazole and 8 g of N-phenylglycine were added to obtain a photosensitive resin composition. An attempt was made to apply this composition to a silicon wafer, expose it to light, and develop it, but spray development dissolved not only the unexposed areas but also the exposed areas, and no relief pattern could be obtained.

比較例2 3.3’ 、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物57gと、2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート48gをγ−ブチロラクトンに溶解後、触媒として
ピリジンを30 g 7Pi加し、20°Cで24時間
反応させ、エステル化物を得た。次にアミド化触媒とし
てジシクロへキシルカルボジイミド73gを添加後、4
.4′−ジアミノジフェニルエーテル33gと実施例1
に記載のシリコーンジアミン10gを 21− 添加し、20°Cで8時間反応させた。次に、このスラ
リー状物を濾別し、濾液を70リツトルのエタノールに
激しく撹拌しながら滴下して重合物を析出させた後、】
2時間静置した。沈澱物を濾別し、乾燥し、粉砕した。
Comparative Example 2 After dissolving 57 g of 3.3', 4.4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 48 g of 2-hydroxyethyl methacrylate in γ-butyrolactone, 30 g of 7Pi of pyridine was added as a catalyst, and the mixture was heated at 20°C. The mixture was reacted for 24 hours to obtain an esterified product. Next, after adding 73 g of dicyclohexylcarbodiimide as an amidation catalyst, 4
.. 33 g of 4'-diaminodiphenyl ether and Example 1
10 g of the silicone diamine described in 21- was added and reacted at 20°C for 8 hours. Next, this slurry was separated by filtration, and the filtrate was added dropwise to 70 liters of ethanol with vigorous stirring to precipitate a polymer.
It was left to stand for 2 hours. The precipitate was filtered off, dried and ground.

得られたポリマーの分子量は6500で予想よりかなり
小さなものであった。そこで再度同様の方法でポリマー
を合成したが、この場合も分子量は11000にとどま
った。この方法は、工程が長時間で煩雑であるだけでな
く、バラツキの大きなものであることがわかった。
The molecular weight of the obtained polymer was 6,500, which was much smaller than expected. Therefore, a polymer was synthesized again using the same method, but the molecular weight remained at 11,000 in this case as well. It was found that this method not only requires a long and complicated process, but also has large variations.

次に、このポリマーをN−メチル−2−ピロリドンに溶
解し、実施例1と同様の増感剤、開始剤を添加し、感光
性樹脂組成物を得た後、同様に塗布、露光、現像した。
Next, this polymer was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone, and the same sensitizer and initiator as in Example 1 were added to obtain a photosensitive resin composition, which was then coated, exposed, and developed in the same manner. did.

この場合、スプレー現像は可能で、現像時間は30秒、
感度は11段と高かった。
In this case, spray development is possible, and the development time is 30 seconds.
The sensitivity was as high as 11 steps.

しかし、実施例1と同様に熱処理し、フィルムの評価を
行なおうとしたが、フィルムの引張強度はいずれも3k
g/mm2以下しかなく、信性性の評価はできなかった
However, when an attempt was made to heat-treat and evaluate the film in the same manner as in Example 1, the tensile strength of the film was 3K.
g/mm2 or less, and reliability could not be evaluated.

[発明の効果]  22− 本発明により、ポリイミド樹脂本来の優れた特性をその
まま生かせる感光性化の方法が確立した。
[Effects of the Invention] 22- According to the present invention, a photosensitization method has been established that allows the original excellent properties of polyimide resin to be utilized as they are.

しかもその方法は簡単であり、得られた感光性樹脂組成
物はスプレー現像にも耐えるもので、使用上からも優れ
た加工性を備えたものであった。
Furthermore, the method was simple, and the resulting photosensitive resin composition was resistant to spray development and had excellent processability in terms of use.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記式〔 I 〕で示されるポリアミック酸、▲数
式、化学式、表等があります▼・・・・〔 I 〕 (式中R_1、R_2:芳香族環状基、 R3:−H、−CH_3、−C_2H_5 R_4:−H、−CH_3、−C_2H_5、−CH_
2OH、−C_6H_5 n:1〜2、m:0〜2) で示される構造単位を主成分とするポリマーと、増感剤
及び/または開始剤からなる感光性樹脂
(1) Polyamic acid represented by the following formula [I], ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼... [I] (In the formula, R_1, R_2: aromatic cyclic group, R3: -H, -CH_3 , -C_2H_5 R_4: -H, -CH_3, -C_2H_5, -CH_
2OH, -C_6H_5 n: 1 to 2, m: 0 to 2) A photosensitive resin consisting of a polymer whose main component is a structural unit represented by
JP32615789A 1989-12-18 1989-12-18 Photosensitive resin composition Pending JPH03186847A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32615789A JPH03186847A (en) 1989-12-18 1989-12-18 Photosensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32615789A JPH03186847A (en) 1989-12-18 1989-12-18 Photosensitive resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03186847A true JPH03186847A (en) 1991-08-14

Family

ID=18184691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32615789A Pending JPH03186847A (en) 1989-12-18 1989-12-18 Photosensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03186847A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5587275A (en) * 1994-07-05 1996-12-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
US5616448A (en) * 1995-01-27 1997-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
WO2003038526A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Kaneka Corporation Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
EP1892574A1 (en) 2006-08-21 2008-02-27 JSR Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and electronic component having the same
JP2010122654A (en) * 2008-10-24 2010-06-03 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition and cured product thereof
WO2010095385A1 (en) 2009-02-20 2010-08-26 サンアプロ株式会社 Sulfonium salt, photo-acid generator, and photosensitive resin composition
US8247481B2 (en) 2008-10-27 2012-08-21 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and ABA block copolymer
US8309295B2 (en) 2006-08-29 2012-11-13 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, hardening product thereof, and circuit board equipped therewith
US8455173B2 (en) 2009-01-30 2013-06-04 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product of the composition, and method of producing insulating film

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5587275A (en) * 1994-07-05 1996-12-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
US5616448A (en) * 1995-01-27 1997-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
WO2003038526A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Kaneka Corporation Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
US7141614B2 (en) 2001-10-30 2006-11-28 Kaneka Corporation Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
EP1892574A1 (en) 2006-08-21 2008-02-27 JSR Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and electronic component having the same
US7714033B2 (en) 2006-08-21 2010-05-11 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and electronic component comprising the same
US8309295B2 (en) 2006-08-29 2012-11-13 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, hardening product thereof, and circuit board equipped therewith
JP2010122654A (en) * 2008-10-24 2010-06-03 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition and cured product thereof
US8247481B2 (en) 2008-10-27 2012-08-21 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product thereof and ABA block copolymer
US8455173B2 (en) 2009-01-30 2013-06-04 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, cured product of the composition, and method of producing insulating film
KR20110118821A (en) 2009-02-20 2011-11-01 산아프로 가부시키가이샤 Sulfonium salt, photo-acid generator, and photosensitive resin composition
WO2010095385A1 (en) 2009-02-20 2010-08-26 サンアプロ株式会社 Sulfonium salt, photo-acid generator, and photosensitive resin composition
US8617787B2 (en) 2009-02-20 2013-12-31 San-Apro, Ltd. Sulfonium salt, photo-acid generator, and photosensitive resin composition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0430221B1 (en) Photosensitive resin composition
US5587275A (en) Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
JPH03186847A (en) Photosensitive resin composition
US5616448A (en) Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
JP4329182B2 (en) Alkali negative developing photosensitive resin composition, pattern manufacturing method and electronic component
JPH04116557A (en) Pattern forming method of photosensitive resin composition
JPH0827538B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2862627B2 (en) Photosensitive resin composition and pattern forming method
JP2809787B2 (en) Photosensitive resin composition
JPH0470661A (en) Photosensitive resin composition
JPH03186849A (en) Photosensitive resin composition
JP2693670B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2809788B2 (en) Photosensitive resin composition
JPH03170549A (en) Photopolymer composition
JPH03186848A (en) Photosensitive resin composition
JPH05134406A (en) Production of semiconductor device
JP2809790B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2809789B2 (en) Photosensitive resin composition
JPH03192360A (en) Photosensitive resin composition
JPH03192155A (en) Photosensitive resin composition
JPH0495962A (en) Photosensitive resin composition
JPH03170547A (en) Photopolymer composition
JPH06282071A (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH06102674A (en) Pattern processing method for photosensitive polyamide acid ester resin composition
JPH06130664A (en) Negative photosensitive resin composition