JPH06130664A - Negative photosensitive resin composition - Google Patents

Negative photosensitive resin composition

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Publication number
JPH06130664A
JPH06130664A JP28472192A JP28472192A JPH06130664A JP H06130664 A JPH06130664 A JP H06130664A JP 28472192 A JP28472192 A JP 28472192A JP 28472192 A JP28472192 A JP 28472192A JP H06130664 A JPH06130664 A JP H06130664A
Authority
JP
Japan
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formula
group
diamino
dianhydride
diamine
Prior art date
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Pending
Application number
JP28472192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Banba
敏夫 番場
Nobuyuki Sashita
暢幸 指田
Mitsuhiro Yamamoto
光弘 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP28472192A priority Critical patent/JPH06130664A/en
Publication of JPH06130664A publication Critical patent/JPH06130664A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a negative pattern with high sensitivity and high resolution by using specified polyamide acid ester, naphthoquinone diazide compd. and photopolymn. initiator as essential components. CONSTITUTION:This compsn. consists of polyamide acid ester expressed by formula I, naphthoquinone diazide compd., and photopolymn. initiator. In the formula I, R1 is a tervalent or quadrivalent org. group, R2 is a bivalent org. group, R3 is expressed by formula II, R4 is expressed by the formula II or -CH3 or -C2H5, R5 is a 2- to 6-valent org. group, and R6 is H or CH3. R1-R6 are indepenent and may be same or different. (l), (m), (n) are 0 or 1, (p) is integer of 1 to 5, and (x), (y), (z) are percentages of the respective structural unit satisfying 0<x, y<100, 0<z<80 and x+y+z=100. The polamide acid ester expressed by the formula I shows high reacitivity and the hardened material has good heat resistance, mechanical characteristics and electric characteristics.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は高感度でかつ高解像度を
有するネガ型のパターンが得られる感光性ポリイミド樹
脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive polyimide resin composition capable of obtaining a negative pattern having high sensitivity and high resolution.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜などには、耐熱性が優れ、また卓越した電気絶縁
性、機械強度などを有するポリイミドが用いられている
が、ポリイミドパターンを作成する繁雑な工程を簡略化
する為にポリイミド自身に感光性を付与する技術が最近
注目を集めている。例えば、下式
2. Description of the Related Art Conventionally, a polyimide having excellent heat resistance and excellent electrical insulation and mechanical strength has been used for a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element. Recently, a technique for imparting photosensitivity to polyimide itself has been attracting attention in order to simplify the complicated process. For example, the following formula

【0003】[0003]

【化2】 [Chemical 2]

【0004】で示されるような構造のエステル基で感光
性基を付与したポリイミド前駆体組成物(例えば特公昭
55−41422号公報)などが知られている。これら
は、いずれも適当な有機溶剤に溶解し、ワニス状態で塗
布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照射し、
現像、リンス処理して所望のパターンを得、さらに加熱
処理することによりポリイミド皮膜としている。
There is known a polyimide precursor composition (for example, Japanese Examined Patent Publication No. 55-41422) in which a photosensitive group is provided with an ester group having a structure as shown in FIG. All of these are dissolved in a suitable organic solvent, applied in a varnish state, dried, and then irradiated with ultraviolet rays through a photomask,
A polyimide film is formed by developing and rinsing to obtain a desired pattern and further heat treatment.

【0005】感光性を付与したポリイミドを使用すると
パターン作成工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性
の強いエッチング液を使用しなくてすむので安全でかつ
公害上も優れており、ポリイミドの感光性化は、今後一
層重要な技術となることが期待されている。しかし、か
かるエステル基を付与したポリイミド前駆体に従来の光
重合開始剤および光増感剤を添加したネガ型感光性ポリ
イミド樹脂組成物では感度と解像度の両特性を同時に満
たすのが困難であった。
The use of a photosensitized polyimide not only has the effect of simplifying the pattern forming process, but it is also safe and excellent in pollution because it does not require the use of a highly toxic etching solution. It is expected that sexualization will become an even more important technology in the future. However, in a negative-type photosensitive polyimide resin composition obtained by adding a conventional photopolymerization initiator and a photosensitizer to a polyimide precursor provided with such an ester group, it was difficult to simultaneously satisfy both characteristics of sensitivity and resolution. .

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はポリア
ミド酸中のカルボキシル基に、単又は多官能な感光性
基、さらに低級なアルコールを共有結合で導入したポリ
アミド酸エステルに、ナフトキノンジアジド化合物及び
光重合開始剤を配合することにより、高感度でかつ高解
像度のネガ型パターンが得られる感光性樹脂組成物を提
供するものである。
The object of the present invention is to provide a naphthoquinone diazide compound, a polyamic acid ester in which a mono- or polyfunctional photosensitive group and a lower alcohol are covalently introduced into a carboxyl group in a polyamic acid. By providing a photopolymerization initiator, it is intended to provide a photosensitive resin composition capable of obtaining a negative pattern having high sensitivity and high resolution.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
(1)
The present invention is based on the formula (1):

【0008】[0008]

【化3】 [Chemical 3]

【0009】で示されるポリアミド酸エステルと(B)
ナフキノンジアジド化合物及び(C)光重合開始剤から
なるネガ型感光性樹脂組成物である。
And a polyamic acid ester represented by (B)
It is a negative photosensitive resin composition comprising a naphthoquinone diazide compound and (C) a photopolymerization initiator.

【0010】[0010]

【作用】本発明において用いる式(1)で示されるポリ
アミド酸エステルは、高い反応性を示し、かつ硬化物は
良好な耐熱性、機械特性、電気特性を有する。
The polyamic acid ester represented by the formula (1) used in the present invention exhibits high reactivity, and the cured product has good heat resistance, mechanical properties and electrical properties.

【0011】式(1)中、R1は3又は4価の有機基を
有する化合物から導入されるもので、通常芳香族テトラ
カルボン酸又はその誘導体及び芳香族トリカルボン酸又
はその誘導体が主に使用される。例えば、トリメリット
酸無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−1,
2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テ
トラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,5,6
−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,
4,5−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,
4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−
1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、4,8−
ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフ
タレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、
4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒ
ドロナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二
無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8
−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタ
レン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、
2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,
5,8−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−
テトラクロロナフタレン−2,3,6,7−テトラカル
ボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3”,4,
4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、
2,2”,3,3”−p−テルフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2,3,3”,4”−p−テルフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカ
ルボキシフェニル)−プロパン二無水物、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水
物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二
無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテ
ル二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メ
タン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジ
カルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ベ
リレン−2,3,8,9−テトラカルボン酸二無水物、
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水
物、ペリレン−4,5,10,11−テトラカルボン酸
二無水物、ペリレン−5,6,11,12−テトラカル
ボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,7,8−テ
トラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,
6,7−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−
1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水物、シクロ
ペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水
物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無
水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸
二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボ
ン酸二無水物などがあげられるが、これらに限定される
ものではない。また、使用にあたっては、1種類でも2
種類以上の混合物でもかまわない。
In the formula (1), R 1 is introduced from a compound having a trivalent or tetravalent organic group, and usually aromatic tetracarboxylic acid or its derivative and aromatic tricarboxylic acid or its derivative are mainly used. To be done. For example, trimellitic anhydride, pyromellitic dianhydride, benzene-1,
2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′,
4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride,
2,2 ', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride Anhydrous, naphthalene-1,2,5,6
-Tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,
4,5-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,
4,5,8-Tetracarboxylic acid dianhydride, naphthalene-
1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-
Dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride,
4,8-Dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,5 8
-Tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride,
2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4
5,8-Tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8-
Tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-diphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,3 ', 4'-diphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ", 4
4 "-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride,
2,2 ", 3,3" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ", 4" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,2 3-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3 , 4-Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl)
Methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane Dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, berylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride,
Perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride , Phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,
6,7-Tetracarboxylic acid dianhydride, phenanthrene-
1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, Examples thereof include, but are not limited to, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride and thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride. In addition, when using one type, 2
It may be a mixture of more than one kind.

【0012】式(1)中、R2は、2価の有機基で、そ
の導入には通常芳香族ジアミン及び/又はその誘導体が
使用される。例えばm−フェニレン−ジアミン、1−イ
ソプロピル−2,4−フェニレン−ジアミン、p−フェ
ニレン−ジアミン、4,4’−ジアミノ−ジフェニルプ
ロパン、3,3’−ジアミノ−ジフェニルプロパン、
4,4’−ジアミノ−ジフェニルエタン、3,3’−ジ
アミノ−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−ジフ
ェニルメタン、3,3’−ジアミノ−ジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、3,
3’−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,4’−ジ
アミノ−ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−ジ
フェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−ジフェニルエ
ーテル、3,3’−ジアミノ−ジフェニルエーテル、ベ
ンジジン、3,3’−ジアミノ−ビフェニル、3,3’
−ジメチル−4,4’−ジアミノ−ビフェニル、3,
3’−ジメトキシ−ベンジジン、4,4”−ジアミノ−
p−テルフェニル、3,3”−ジアミノ−p−テルフェ
ニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキシル)メタン、ビ
ス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、
ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル)ベンゼ
ン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ−ペンチル)ベ
ンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノ−ペ
ンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ−ナフタレン、
2,6−ジアミノ−ナフタレン、2,4−ビス(β−ア
ミノ−t−ブチル)トルエン、2,4−ジアミノ−トル
エン、m−キシレン−2,5−ジアミン、p−キシレン
−2,5−ジアミン、m−キシリレン−ジアミン、p−
キシリレン−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリジン、
2,5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−1,
3,4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−シクロ
ヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン
−ジアミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジメチル
−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、
ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミ
ン、2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、3
−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレ
ン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン−ジ
アミン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、4,
4−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタメチ
レン−ジアミン、ノナメチレン−ジアミン、5−メチル
−ノナメチレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ノナメ
チレン−ジアミン、デカメチレン−ジアミン、1、10
−ジアミノ−1,10−ジメチル−デカン、2,11−
ジアミノ−ドデカン、1,12−ジアミノ−オクタデカ
ン、2,12−ジアミノ−オクタデカン、2,17−ジ
アミノ−アイコサン、ジアミノシロキサン、2,6−ジ
アミノ−4−カルボキシリックベンゼン、3,3’−ジ
アミノ−4,4’−ジカルボキシリックベンジジンなど
があげられるが、これらに限定されるものではない。ま
た使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物で
もかまわない。
In the formula (1), R 2 is a divalent organic group, and an aromatic diamine and / or its derivative is usually used for its introduction. For example, m-phenylene-diamine, 1-isopropyl-2,4-phenylene-diamine, p-phenylene-diamine, 4,4'-diamino-diphenylpropane, 3,3'-diamino-diphenylpropane,
4,4′-diamino-diphenylethane, 3,3′-diamino-diphenylethane, 4,4′-diamino-diphenylmethane, 3,3′-diamino-diphenylmethane, 4,4′-diamino-diphenylsulfide, 3,
3′-diamino-diphenyl sulfide, 4,4′-diamino-diphenyl sulfone, 3,3′-diamino-diphenyl sulfone, 4,4′-diamino-diphenyl ether, 3,3′-diamino-diphenyl ether, benzidine, 3, 3'-diamino-biphenyl, 3,3 '
-Dimethyl-4,4'-diamino-biphenyl, 3,
3'-dimethoxy-benzidine, 4,4 "-diamino-
p-terphenyl, 3,3 ″ -diamino-p-terphenyl, bis (p-amino-cyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether,
Bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-amino-pentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-amino-pentyl) benzene, 1 , 5-diamino-naphthalene,
2,6-diamino-naphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diamino-toluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5- Diamine, m-xylylene-diamine, p-
Xylylene-diamine, 2,6-diamino-pyridine,
2,5-diamino-pyridine, 2,5-diamino-1,
3,4-oxadiazole, 1,4-diamino-cyclohexane, piperazine, methylene-diamine, ethylene-diamine, propylene-diamine, 2,2-dimethyl-propylene-diamine, tetramethylene-diamine,
Pentamethylene-diamine, hexamethylene-diamine, 2,5-dimethyl-hexamethylene-diamine, 3
-Methoxy-hexamethylene-diamine, heptamethylene-diamine, 2,5-dimethyl-heptamethylene-diamine, 3-methyl-heptamethylene-diamine, 4,
4-dimethyl-heptamethylene-diamine, octamethylene-diamine, nonamethylene-diamine, 5-methyl-nonamethylene-diamine, 2,5-dimethyl-nonamethylene-diamine, decamethylene-diamine, 1,10
-Diamino-1,10-dimethyl-decane, 2,11-
Diamino-dodecane, 1,12-diamino-octadecane, 2,12-diamino-octadecane, 2,17-diamino-icosane, diaminosiloxane, 2,6-diamino-4-carboxylic benzene, 3,3'-diamino- Examples thereof include, but are not limited to, 4,4′-dicarboxylic benzidine. In use, one kind or a mixture of two or more kinds may be used.

【0013】式(1)中、R3はアクリル(メタクリ
ル)基を1〜5基有する感光性基、R4は、アクリル
(メタクリル)基を1〜5基有する感光性基又はメチル
基、エチル基である。R3、R4中、アクリル(メタクリ
ル)基が0では架橋構造が得られず好ましくない。また
6官能以上のアクリル(メタクリル)基は工業上製造が
困難であるばかりでなく、分子量が大きくなるため相溶
性が低下し好ましくない。R3、R4を導入するための化
合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアク
リレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、
ペンタエリスリトールアクリレートジメタクリレート、
ペンタエリスリトールジアクリレートメタクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタメタクリレート、グリセロールジ
アクリレート、グリセロールジメタクリレート、グリセ
ロールアクリレートメタクリレート、トリメチロールプ
ロパンジアクリレート、1,3−ジアクリロイルエチル
−5−ヒドロキシエチルイソシアヌレート、1,3−ジ
メタクリレート−5−ヒドロキシエチルイソシアヌレー
ト、エチレングリコール変性ペンタエリスリトールトリ
アクリレート、プロピレングリコール変性ペンタエリス
リトールトリアクリレート、トリメチロールプロパンジ
アクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、
グリシジルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、ポ
リエチレングリコール変性メタクリレート、ポリエチレ
ングリコール変性アクリレート、ポリプロピレングリコ
ール変性アクリレート、ポリプロピレングリコール変性
メタクリレートなどがあげられるが、これらに限定され
ない。これらの使用にあたっては1種類でも2種類以上
の混合物でもかまわない。また、R4のメチル基又はエ
チル基は、通常それぞれメタノール、エタノール等から
誘導される。
In the formula (1), R 3 is a photosensitive group having 1 to 5 acrylic (methacryl) groups, and R 4 is a photosensitive group having 1 to 5 acryl (methacryl) groups or a methyl group or ethyl group. It is a base. When R 3 and R 4 have an acrylic (methacrylic) group of 0, a crosslinked structure cannot be obtained, which is not preferable. Further, a hexafunctional or higher-functional acryl (methacryl) group is not preferable because it is industrially difficult to produce and the compatibility is lowered because the molecular weight becomes large. Examples of the compound for introducing R 3 and R 4 include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate,
Pentaerythritol acrylate dimethacrylate,
Pentaerythritol diacrylate methacrylate,
Dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, glycerol diacrylate, glycerol dimethacrylate, glycerol acrylate methacrylate, trimethylolpropane diacrylate, 1,3-diacryloylethyl-5-hydroxyethyl isocyanurate, 1,3-di Methacrylate-5-hydroxyethyl isocyanurate, ethylene glycol modified pentaerythritol triacrylate, propylene glycol modified pentaerythritol triacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, glycidyl Methacrylate,
Examples thereof include, but are not limited to, glycidyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, polyethylene glycol-modified methacrylate, polyethylene glycol-modified acrylate, polypropylene glycol-modified acrylate, polypropylene glycol-modified methacrylate, and the like. In using these, one kind or a mixture of two or more kinds may be used. The methyl group or ethyl group of R 4 is usually derived from methanol, ethanol or the like.

【0014】本発明に使用する式(1)で示されるポリ
アミド酸エステルは、カルボキシル基にR3が導入され
た構造単位の割合がx、一部にR3が、残りにR4が導入
された構造単位の割合がy、カルボキシル基がR4で置
換された構造単位の割合がzであり、3種の構造単位が
混在しているものである。それぞれ、0<x,y<10
0、0<z<80で、かつx+y+z=100を満たす
もので、x、y、zは各構造単位の百分率を示すもので
ある。R4が−CH3又は−C25の場合には、zが80
以上であると感光基量が少なく感度が低く実用性が少な
い。
[0014] polyamic acid ester represented by the formula (1) used in the present invention, the proportion of the structural unit R 3 is introduced into the carboxyl group is x, a part in R 3, R 4 is introduced into the remaining The ratio of the structural units is y, the ratio of the structural units in which the carboxyl group is substituted with R 4 is z, and three types of structural units are mixed. 0 <x, y <10 respectively
0, 0 <z <80, and x + y + z = 100 are satisfied, and x, y, and z represent the percentage of each structural unit. When R 4 is -CH 3 or -C 2 H 5 is, z is 80
When it is above, the amount of the photosensitive group is small and the sensitivity is low and the practicality is low.

【0015】本発明におけるポリアミド酸エステル
(A)は、通常以下のようにして合成される。まず、多
官能感光基R3、R4を導入するためのアルコール基を有
する化合物を溶媒に溶解させ、これに過剰の酸無水物又
はその誘導体を反応させる。この後、残存するカルボキ
シル基、酸無水物基に、ジアミンを反応させることによ
り合成することができる。
The polyamic acid ester (A) in the present invention is usually synthesized as follows. First, a compound having an alcohol group for introducing the polyfunctional photosensitive groups R 3 and R 4 is dissolved in a solvent, and excess acid anhydride or its derivative is reacted with this. After that, the remaining carboxyl group and acid anhydride group can be reacted with diamine to synthesize.

【0016】本発明における(B)ナフトキノンジアジ
ド化合物は、従来ポジ型フォトレジストの感光剤として
用いられている化合物である。その作用機構としては、
光が当たるとナフトキノンジアミド化合物が分子内転位
を起こし、インデンカルボン酸を生じ、その結果、アル
カリ水溶液に可溶となる。つまり光が当った所が現像液
に溶解するいわゆるポジ型の感光剤である。このキノン
ジアジドをポリイミドに用いた例としてはポリアミド酸
にナフトキノンジアジドを添加したもの(特開昭52−
13315号公報)、溶媒可溶性ポリイミドにナフトキ
ノンジアジドを添加したもの(特開昭63−13032
号公報)、また、ポリアミド酸エステルにナフトキノン
ジアジドを添加したもの(特開平3−115461号公
報)が挙げられることが、これらすべてポジ型の感光性
樹脂の感光剤としてナフトキノンジアジドを使用してい
るのが現状である。しかし、本発明の式(1)で示され
るポリアミド酸エステルに光重合開始剤と共に用いる
と、優れた増感効果を示し、また高解度のネガ型のパタ
ーンが得られる。この相乗効果がいかにして発現される
か、その理由は今のところ明確でない。ナフトキノンジ
アジドとしては、例えば
The naphthoquinonediazide compound (B) in the present invention is a compound conventionally used as a photosensitizer for a positive photoresist. The mechanism of action is
When exposed to light, the naphthoquinonediamide compound undergoes intramolecular rearrangement to produce indenecarboxylic acid, and as a result, it becomes soluble in an alkaline aqueous solution. In other words, it is a so-called positive type photosensitizer that dissolves in a developing solution when exposed to light. An example of using this quinonediazide in a polyimide is a polyamic acid to which naphthoquinonediazide is added (Japanese Patent Laid-Open No. 52-
No. 13315), a solvent-soluble polyimide to which naphthoquinonediazide is added (JP-A-63-13032).
JP-A No. 3-115461) and polyamic acid ester to which naphthoquinonediazide is added. All of these use naphthoquinonediazide as a photosensitizer for a positive photosensitive resin. is the current situation. However, when the polyamic acid ester represented by the formula (1) of the present invention is used together with a photopolymerization initiator, an excellent sensitizing effect is exhibited and a negative type pattern having a high resolution is obtained. The reason why this synergistic effect is developed is not clear so far. Examples of naphthoquinone diazide include

【0017】[0017]

【化4】 [Chemical 4]

【0018】[0018]

【化5】 [Chemical 5]

【0019】[0019]

【化6】 [Chemical 6]

【0020】[0020]

【化7】 [Chemical 7]

【0021】等があげられるが、これに限定されるもの
ではない。
Examples thereof include, but are not limited to:

【0022】本発明における光重合開始剤としては、一
般的なUV硬化樹脂に用いられる下記のものを用いるこ
とができる。ベンジル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピル
エーテル、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベン
ゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4’−メチル
ジフェニルサルファイド、ベンジルジメチルケタール、
2−n−ブトキシエチル−4−ジメチルアミノベンゾエ
ート、2−クロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチ
オキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソ
ン、2−ジメチルアミノエチルベンゾエート、p−ジメ
チルアミノ安息香酸エチル、p−ジメチルアミノ安息香
酸イソアミル、3,3’−ジメチル−4−メトキシベン
ゾフェノン、2,4−ジメチルチオキサンソン、1−
(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フ
ェニル−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピル
フェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1
−オンイソプロピルチオキサンソン、メチルベンゾイル
フォーメート、2−メチル−1−〔4(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルホリノプロパノン−1、N−フェニ
ルグリシン、1−フェニル−1’,2−プロパンジオン
−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム、テトラ
(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等
があげられるが、これに限定されるものではない。な
お、これらは単独でも複数を混合してもよい。
As the photopolymerization initiator in the present invention, the following compounds used for general UV curing resins can be used. Benzyl, benzoin ethyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin isopropyl ether, benzophenone, benzoyl benzoic acid, methyl benzoyl benzoate, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide, benzyl dimethyl ketal,
2-n-butoxyethyl-4-dimethylaminobenzoate, 2-chlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2-dimethylaminoethylbenzoate, p-dimethylaminobenzoic acid Ethyl acid, isoamyl p-dimethylaminobenzoate, 3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone, 2,4-dimethylthioxanthone, 1-
(4-dodecylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 1- (4- Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1
-One isopropyl thioxanthone, methyl benzoyl formate, 2-methyl-1- [4 (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1, N-phenylglycine, 1-phenyl-1 ', 2-propanedione Examples include, but are not limited to, 2- (O-ethoxycarbonyl) oxime, tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, and the like. In addition, these may be individual or may mix several.

【0023】また、本発明では更なる感度向上を目的と
して、炭素−炭素二重結合を有する光重合性モノマーを
添加することもできる。その具体例としては、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチレン
グリコールジアクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルア
クリレート、N−メチロールアクリルアミド、N,N−
ジメチルアクリルアミド及びこれらのアクリレート、ア
クリルアミドをメタクリレート、メタクリルアミドに変
えたものを用いることができる。
Further, in the present invention, a photopolymerizable monomer having a carbon-carbon double bond may be added for the purpose of further improving the sensitivity. Specific examples thereof include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, polyethylene. Glycol diacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, N-methylol acrylamide, N, N-
Dimethyl acrylamide and acrylates of these and those obtained by changing acrylamide to methacrylate or methacrylamide can be used.

【0024】本発明によるネガ型感光性樹脂組成物に
は、接着助剤、禁止剤、レベリング剤その他各種充填剤
を添加してもよい。
To the negative photosensitive resin composition according to the present invention, an adhesion aid, an inhibitor, a leveling agent and other various fillers may be added.

【0025】本発明によるネガ型感光性樹脂組成物の使
用方法は、まず、該組成物を適当な支持体、例えばシリ
コンウェハーやセラミック、アルミ基板などに塗布す
る。塗布方法は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレ
ーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコー
ティング等で行なう。次に、60〜80℃の低温でプリ
ベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線
を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、
可視光線などが使用できるが、200〜500nmの波長
のものが好ましい。
In the method of using the negative photosensitive resin composition according to the present invention, first, the composition is applied to a suitable support such as a silicon wafer, a ceramic or an aluminum substrate. The coating method is spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating, or the like. Next, after prebaking at a low temperature of 60 to 80 ° C. to dry the coating film, a desired pattern shape is irradiated with actinic rays. The actinic rays include X-rays, electron rays, ultraviolet rays,
Visible light and the like can be used, but those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable.

【0026】次に、未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりネガ型のレリーフパターンを得る。現像液とし
ては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどや、
メタノール、イソプロピルアルコール、水、アルカリ水
溶液などを単独または混合して使用する。現像方法とし
ては、スプレー、パドル、浸漬、超音波などの方式が可
能である。
Next, the unirradiated portion is dissolved and removed with a developing solution to obtain a negative relief pattern. As the developing solution, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, or the like,
Methanol, isopropyl alcohol, water, alkaline aqueous solution, etc. may be used alone or as a mixture. As a developing method, a method such as spraying, paddle, dipping, or ultrasonic wave can be used.

【0027】次に、現像によって形成したレリーフパタ
ーンをリンスする。リンス液としては、メタノール、キ
シレン、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸ブ
チル、水などを使用する。次に加熱処理を行ない、イミ
ド環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
Next, the relief pattern formed by development is rinsed. As the rinse liquid, methanol, xylene, ethanol, isopropyl alcohol, butyl acetate, water or the like is used. Next, heat treatment is performed to form an imide ring, and a final pattern having high heat resistance is obtained.

【0028】本発明による感光性樹脂組成物は、半導体
用途のみならず、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル
銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向
膜などとしても有用である。
The photosensitive resin composition according to the present invention is useful not only for semiconductors, but also as an interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexible copper clad board, a solder resist film, a liquid crystal alignment film and the like.

【0029】[0029]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例1 ピロメリット酸二無水物65.5g(0.30モル)と
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物225.5g(0.70モル)とを、グリセロー
ルジメタクリレート456.5g(2.00モル)でカル
ボキシル基をエステル化した後、4,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル170.2g(0.85モル)をジシク
ロヘキシルカルボジイミドを縮合剤として、ポリアミド
酸エステル共重合物を得た。ジシクロヘキシルウレアを
濾別後、エタノールに再沈し、固形物を濾過し、減圧乾
燥した。このポリアミド酸エステル100重量部にミヒ
ラーズケトン6重量部、テトラエチレングリコールジア
クリレート10重量部、下記式(2)に示されるナフト
キノンジアミド化合物3重量部及びメチルエーテルハイ
ドロキノン0.1重量部をN−メチルピロリドンキ10
0重量部に溶解させ、感光性樹脂組成物を得た。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 65.5 g (0.30 mol) of pyromellitic dianhydride and 225.5 g (0.70 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride were mixed with glycerol dihydrate. After esterifying the carboxyl group with 456.5 g of methacrylate (2.00 mol), 170.2 g (0.85 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether was used as a condensing agent for dicyclohexylcarbodiimide to prepare a polyamic acid ester copolymer. Obtained. The dicyclohexylurea was filtered off and then reprecipitated in ethanol, the solid matter was filtered and dried under reduced pressure. To 100 parts by weight of this polyamic acid ester, 6 parts by weight of Michler's ketone, 10 parts by weight of tetraethylene glycol diacrylate, 3 parts by weight of a naphthoquinone diamide compound represented by the following formula (2) and 0.1 part by weight of methyl ether hydroquinone were added to N-methylpyrrolidone. Ki 10
It was dissolved in 0 part by weight to obtain a photosensitive resin composition.

【0030】[0030]

【化8】 [Chemical 8]

【0031】得られた溶液をシリコンウェハー上に、膜
厚10μmの厚さになるようにスピンナーで塗布し、乾
燥機により70℃で1時間乾燥した。得られたフィルム
を凸版印刷製解像度評価用マスクを介し、超高圧水銀ラ
ンプで照射した。次いでN−メチル−2−ピロリドン5
0重量%、キシレン50重量%の現像液を用い、スプレ
ーで現像、さらにイソプロピルアルコールでリンスをし
たところ、露光量800mJ/cm2でも15μmまで解像
し、高解像度であることがわかった。 実施例2 実施例1において用いられているグリセロールジメタク
リレートを228.3g(1.0モル)に減らし、メタノ
ール32.0g(1.0モル)を加え反応させた。この他
は同様の方法で樹脂組成を得、同様の評価を実施したと
ころ、露光量1,000mJ/cm2でも12μmまで解像し、
高解像度であることがわかった。 実施例3 実施例1において用いられているグリセロールジメタク
リレートを2−ヒドロキシエチルメタクリレート26
0.3g(2モル)に変更し、樹脂組成物を得、同様の
評価を実施したところ、露光量1,000mJ/cm2でも18
μmまで解像し、高解像度であることがわかった。 実施例4 実施例1において用いられているナフトキノンジアジド
化合物(2)を下記式(3)で示されるナフトキノンジ
アジド化合物を1重量部に変更し、同様の方法で樹脂組
成物を得、同様の評価を実施したところ、露光量700
mJ/cm2でも10μmまで解像し、高解像度であることが
わかった。
The obtained solution was applied onto a silicon wafer with a spinner so as to have a thickness of 10 μm, and dried at 70 ° C. for 1 hour by a dryer. The obtained film was irradiated with an ultra-high pressure mercury lamp through a resolution evaluation mask manufactured by Toppan Printing. Then N-methyl-2-pyrrolidone 5
0 wt%, with xylene 50% by weight of the developer, the developer in a spray, was further were rinsed with isopropyl alcohol, resolved to 15μm even exposure 800 mJ / cm 2, it was found that a high resolution. Example 2 The glycerol dimethacrylate used in Example 1 was reduced to 228.3 g (1.0 mol), and 32.0 g (1.0 mol) of methanol was added and reacted. Other than this, a resin composition was obtained by the same method and the same evaluation was carried out. Even when the exposure amount was 1,000 mJ / cm 2 , the resolution was up to 12 μm.
It turned out to be a high resolution. Example 3 Glycerol dimethacrylate used in Example 1 was replaced with 2-hydroxyethylmethacrylate 26.
When the amount was changed to 0.3 g (2 mol) and a resin composition was obtained and the same evaluation was carried out, it was 18 even when the exposure amount was 1,000 mJ / cm 2.
It was resolved up to μm and was found to have high resolution. Example 4 The naphthoquinonediazide compound (2) used in Example 1 was changed to 1 part by weight of the naphthoquinonediazide compound represented by the following formula (3), and a resin composition was obtained by the same method, and the same evaluation was conducted. The exposure amount was 700
Even with mJ / cm 2 , resolution was up to 10 μm, and it was found that the resolution was high.

【0032】[0032]

【化9】 [Chemical 9]

【0033】実施例5 実施例1において用いられているナフトキノンジアジド
化合物(2)を下記式(4)で示されるナフトキノンジ
アジド化合物を1重量部に変更し、同様の方法で樹脂組
成物を得、同様の評価を実施したところ、露光量800
mJ/cm2でも18μmまで解像し、高解像度であることが
わかった。
Example 5 The naphthoquinonediazide compound (2) used in Example 1 was changed to 1 part by weight of the naphthoquinonediazide compound represented by the following formula (4), and a resin composition was obtained by the same method, When the same evaluation was performed, the exposure amount was 800
Even with mJ / cm 2 , resolution was achieved up to 18 μm and it was found that the resolution was high.

【0034】[0034]

【化10】 [Chemical 10]

【0035】比較例1 実施例1において添加しているナフトキノンジアジド化
合物(2)を省いて評価を実施したところ、1,500mJ
/cm2の光を照射しても、良好なパターンが得られなかっ
た。 比較例2 実施例1において添加しているナフトキノンジアジド化
合物(2)を省き、またミヒラーズケトンを6重量部か
ら10重量部に、また、テトラエチレングリコールジア
クリレートを20重量部に増やし、同様の評価を実施し
たところ、露光量1,200mJ/cm2でパターンはできた
が、解像度が40μmと悪く実用性に問題があった。 比較例3 実施例1において添加しているミヒラーズケトンを省い
て、同様の方法で評価を行ったところ、現像時に露光
部、未露光部ともすべて溶解し、パターンが得られなか
った。
Comparative Example 1 When the naphthoquinonediazide compound (2) added in Example 1 was omitted and evaluated, it was 1,500 mJ.
A good pattern was not obtained even when irradiated with light of / cm 2 . Comparative Example 2 The naphthoquinonediazide compound (2) added in Example 1 was omitted, Michler's ketone was increased from 6 parts by weight to 10 parts by weight, and tetraethylene glycol diacrylate was increased to 20 parts by weight. When it was carried out, a pattern was formed with an exposure dose of 1,200 mJ / cm 2 , but the resolution was poor at 40 μm and there was a problem in practicality. Comparative Example 3 When the Michler's ketone added in Example 1 was omitted and the evaluation was performed in the same manner, both the exposed and unexposed areas were dissolved during development and no pattern was obtained.

【0036】[0036]

【発明の効果】従来、ポリアミド酸のカルボキシル基に
エステル状に感光性基を導入する技術が知られていた
が、かかる技術に従来の光開始剤を添加しただけでは感
度と解像度の両特性を同時に満たすのは困難であった。
本発明においてポリアミド酸のカルボキシル基に単又は
多官能な感光性基、さらに低級なアルコールを共有結合
で導入したポリアミド酸エステルに、ナフトキノンジア
ジド化合物と光重合開始剤を配合することにより、感
度、解像度が同時に大幅に改善されることが出来た。
EFFECTS OF THE INVENTION Conventionally, a technique for introducing a photosensitive group into a carboxyl group of a polyamic acid in an ester form has been known. However, if a conventional photoinitiator is added to such a technique, both sensitivity and resolution characteristics can be obtained. It was difficult to meet at the same time.
In the present invention, a monofunctional or polyfunctional photosensitive group in the carboxyl group of the polyamic acid, a polyamic acid ester in which a lower alcohol is covalently introduced, a naphthoquinonediazide compound and a photopolymerization initiator are added to thereby obtain sensitivity and resolution. Was able to be greatly improved at the same time.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/027

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)下記式(1)で示されるポリアミド
酸エステルと 【化1】 (B)ナフトキノンジアジド化合物及び(C)光重合開
始剤を必須成分とするネガ型感光性樹脂組成物。
1. A polyamic acid ester represented by the following formula (1): A negative photosensitive resin composition comprising (B) a naphthoquinonediazide compound and (C) a photopolymerization initiator as essential components.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022202647A1 (en) 2021-03-22 2022-09-29 富士フイルム株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

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