JPH02153614A - 無線受信回路配置 - Google Patents

無線受信回路配置

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JPH02153614A
JPH02153614A JP1263787A JP26378789A JPH02153614A JP H02153614 A JPH02153614 A JP H02153614A JP 1263787 A JP1263787 A JP 1263787A JP 26378789 A JP26378789 A JP 26378789A JP H02153614 A JPH02153614 A JP H02153614A
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JP
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signal
circuit
input
frequency
bandpass filter
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JP1263787A
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Michael E Barnard
マイケル エドウィン バーナード
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、縦続接続された信号用の帯域フィルタと、所
望の受信された信号を中間周波数へ変換する周波数変換
回路と、周波数変換された所望の受信された信号を復調
する復調回路とよりなり、該周波数変換回路は、局部発
振回路と該局部発振回路の出力が接続された第1の入力
及び帯域フィルタの出力が接続された第2の入力を有す
るミキサー回路とからなる無線受信回路配置であって、
該配置は帯域フィルタ用同調制御回路を有し、該同調制
御回路は、その周波数が所望の受信された信号の周波数
に実質的に等しい局部的に発生された信号を帯域濾波器
の入力に印加する手段と、周波数変換回路の出力を帯域
濾波器の同調制御入力に結合し帯域濾波器を実質的に該
局部的に発外された信号の周波数に自動的に同調させる
制御ループとよりなる無線受信回路に係る。
この一般的種類の一つの知られた回路配置は日本国特開
昭59−027613号に開広されている。この知られ
た配置において、局部発振回路の出力周波数は異なる所
望の受信された信号に対して配置を同調させるよう可変
でき、帯域フィルタは同時に同調される。同調it.l
1御回路の自回路2つの間のトラッキングエラーを除去
することである。同調制御回路が、所望の受信された信
号が弱い場合でも、満足に動作するのを確実にするよう
、帯域フィルタの入力はアンテナから局部的に擬似放送
信号を発生する付属回路の出力へ一時的に切り換えられ
る。
オペレーティングシステムを実行するのに要求される組
立体動作を極小化し及び/又は回路の占める容積を減少
さゼるべく1又はそれ以上の半導体チップ上に出来るだ
け回路を集積化できることがばしば電子回路膜i1及び
開発の一つの目的である。かかるチップは通常保護理由
の為カプセル化され、このカプセル化は外部導電コネク
タを設けられ例えば電源供給及び信号入力及び出力目的
の為、集積回路の一部が外部から電気的にアクセスでき
るようにする。コネクタはいゆわるボンドワイヤにより
チップの関連した点へ通常にS型内に接続される。集積
回路形成で実行するのが容易でない1つの回路素子はイ
ンダクタであり、これはインダクタンスを静電的に終端
されたジャイレーイタ回路のようなものでシュミレート
されるようにする。しかし、これらの回路はその周波数
がラジオの目的に対してより関心のある例えば108又
は109Hzのオーダの周波数で動作することが要求さ
れる場合それ自体は実際的でない。従って、例えば10
8又は109Hz範囲の周波数帯で動作する無線受信器
用の無線周波数帯域フィルタの誘導成分はディスクリー
トインダクタとして通常実行されねばならなく、その事
実は動作システムを実行するのに要求されるアセンブリ
動作の数を最小化し及び/又は回路により占有された容
積の減少を可能にする,。
上記の目的との矛盾に直面する、本発明の目的はこの問
題を軽減することである1。
本発明は中間周波数は実質的に零であり、局部的に発生
された信号を帯域フィルタの入力へ印加する手段は局部
発振回路の出力から該帯域フィルタの入力へ接続する手
段からなり、該配置の一部はカプセル化された半導体チ
ップ上に1!積化され、帯域フィルタはチップと共にカ
プセル化されたディスクリートコンポーネントとして存
在するインダクタを含むことを特徴とする、上記第1パ
ラグラフで述べた回路配置を提供する。
上記第1パラグラフで述べた如き配置がいわゆる零中間
周波型で配置された場合、及びその一部が集積回路で構
成された場合、帯域フィルタ誘導値成分を集積回路と共
にカプセル化されたディスクリートインダクタとして作
成することが実際的であり、も同調1IIIJ御回路は
配置から配置へインダクタの値の必然的変化を補償し、
それによりフィルタの同調がいつも実質的に正しいこと
を確実にする。特別な種類の周波数変換回路を含む(実
質的な)雪中間周波受信器において、局部発振器の作動
周波数は所望の受信された信号の周波数に実質的に等し
く、従って、同調制御ループ用の基準周波数として用い
られ、キャリアは、例えば所望の受信された信号がいわ
ゆる[分散スペクトル1である場合のように騒音により
マスクされるほど受信されたキャリアの振幅が)1常に
小さい場合でも、制御ループを満足に動作させるのを可
能とする。前記日本国特開昭59−027613号に記
載された配置に対して、本発明による配置においては、
制御ループは配置の動作期間中連続的に動作するよう配
置されてもよい。その理由は局部発振回路によりフィル
タへ供給された信号は周波数変換器により直流に変換さ
れる。雪中間周波受信器は不可避的に生ずる直流偏差を
除去するため復調回路の前に直流阻止手段を通常含み、
その手段は周波数変換された局部発振信号を阻止し、そ
れを復調器に現われた周波数変換された所望の信号と相
り干渉しない様にする。明らかに、制御ループの入力信
号は直流阻止手段の前に取られらなければならない。
インダクタの委求された値が適当である場合、インダク
タはチップへ接続されたボンドワイヤからなってもよい
発振信号は帯域フィルタを介してミキサー回路の第2の
入力へ又ミキサー回路の第1の入力へ印加される。従っ
てミキサー回路出力の直流成分は印加された2つの信号
の相対的位相とそれらの振幅の両方に依存する。知られ
ている如く、帯域フィルタにより発生された位相シフト
は帯域の中心周波数及びフィルタを通って送信された信
号の周波数の間の差(もしあるなら)に依存し、その差
が零の場合通常零になり、さもなければ差の符号により
決定された符号を有する。1従って、該相対的位相はそ
れ自体フィルタ(もしあるなら)ミスチューニングの度
合及び方向を表わし、1lltlループは、周波数変換
回路の出力から、ミキサー回路の第1の入力に印加され
た局部発振信号の位相に関連した帯域フィルタを介して
ミキサーの回路の第2の入力へ印加された発振信号の位
相を表わす同調制御信号を取り出しこの同調制御信号を
該同調制御入力へ印加する手段からなる。90°位相シ
フターがミキサー回路入力の1つに設けられた場合、そ
れで得られるミ駐す−回路/位相シフターの組合せは該
相対的位相用の検出器として直接に働き、その結果その
出力信号の直流成分は必要なら位相反転及び/又は増幅
の後、同調制御信号入力への応用に直接用いられる。
必要な同調制御信号を発生するためフィルタにより発生
された位相シフトを用いるのに代えて、信号の周波数は
フィルタ通過帯域の中心周波数に等しい場合、フィルタ
により送信された信号の減衰は最小になるという事実で
使用がなされる。
この為、その代替として、該制御ループは、帯域フィル
タによる発振信号の減衰を表わしミキサー回路の第1の
入力に印加された発振信号の位相に関連して帯域フィル
タを介してミキサー回路の第2の入力に印加された発振
信号を位相とは独立の信号を周波数変換回路の出力から
取り出す手段と、周期的に変る同調制御信号を該同調制
御信号入力に印加する手段と、同調制御信号の以前の変
化から起こる減衰を表わす信号の変化の方向に依存した
rEJ調!!Jlll信号の各変化の方向を制御し、こ
れにより該減衰を最小化する手段とよりなる。雪中間周
波受信器は、一対の直角関係の零中間周波チャンネルを
生じる、それらの周波数変換回路の一対の直交関係のミ
キサーを用いる。これがそうである場合、減衰を表わす
位相独立信号は2つのチャンネルの信号の直流成分の値
を2乗し、結果を互いに加えることにより発生される。
以下図面と共に本発明の詳細な説明する。
第1図において、無線受信回路配置はアンテナ接続され
る入力1及び復調された所望の受信信号用の出力2を有
する。入力1は信号結合手段6の入力4及び出力5を介
して帯域入力フィルタ3に接続される。フィルタ3の出
力信号は信号スプリッタ11の入力37及び出力38.
39を夫々介して各多重ミキサー9及び10の第1の人
カフ及び8に供給される。局部発振回路12の出力信号
は信号スプリッタ17の入力15及び出力16及び信号
スプリッタ18を介して90″位相シフタ19はミキサ
ー入力14への信号路に設けられている。ミキサー9及
び10の出力信号は、夫々低域フィルタ23及び直流阻
止コンデンサ24を介して、また低域フィルタ25及び
直流阻止コンデンサ26を夫々介して復調器22の入力
20及び21に夫々供給される。復調回路22の出力は
出力2を構成する。帯域人ノコフィルタ3は入力1での
受信された所望の信号の周波数に同調され、局部発振回
路12の出力周波数はこの周波数に実質的に等しくなる
よう配置され、これにより所望の信号は(直角)ミキサ
ー9及び10により実質的に零の中間周波数に変換され
る。
上記受信器の信号スプリッタ17及び信号結合器6以外
の部分は従来の雪中間周波受信器よりなり、周波数変換
された所望の受信信号は、フィルタ23.25によりフ
ィルタされ、直流成分が1ヤバシタ24.26により取
り除かれた後復調器22により復調される。復調522
用の適宜な構造は良く知られており、採用された特別な
構造はなかんずく所望の受信信号で用いられた変調は型
により決められる。
局部発振回路12の出力信号は又スプリッタ17の出力
27及び結合器6の入力28を介してフィルタ3の入力
へ接続され、従ってミ、1サー9及び10の入カフ及び
8へも伝送される。(多重)ミャサー9及び10は、9
0°位相シフター19があるのでそれらの入力信号のこ
の成分を零周波数に変換し、ミキサー10は実際にその
入力信号のこの成分の位相検出器として動作する3、従
って配置入力1からミキサー入力8へ伝送された同じ周
波数の信号の振幅がこの成分の振幅と比べて無視できる
場合(例えば所望の受信信号が抑圧キャリア又は分散ス
ペクトル型である場合容易に配置されるように)、フィ
ルタ25の出力信号の直流成分の符号及び振幅は、位相
シフター19に印加された局部発振信号の位相からミキ
サー10の入力信号の該成分の位相の偏差の程度及び感
度の問題である。この直流成分(ある場合)低域制御ル
ープフィルタ29によりさらにフィルタされ、入力フィ
ルタ3の同調制御信号入力30へ印加される。
知られているように、−次帯域フィルタにより発生され
た位相シフトは入力信号の周波数がその帯域の中心周波
数の一端から他端へ正から負に変わり、位相シフトは中
心周波数で零である。この事実はフィルタ3の自動同調
を行なうよう第1図の回路で用いられ、その中でフィル
タ3により送信された発振回路12からの信号の位相が
フィルタ3の応答特性の中心周波数に対する該信号の周
波数の関係に依存し、従ってフィルタ29により伝送さ
れた直流成分が該関係を表わす結果になる98この成分
は同調制御信号入力30に印加され、局部発振器12の
出力周波数からその偏差を減少し、従って入力端子1上
に受信された所望の信号の周波数に実質的に等しい該中
心周波数を自動的に調整するような意味で中心周波数を
調整する。(信号は直接に位相検出器の一方の入力に、
またフィルタを通った後他方の入力へ印加され、位相検
出器の得られる出力信号が信号の周波数へフィルタを同
調するのに用いられるいわゆるトラッキングフィルタは
、それ自体例えば英国特許明細1幻204426から知
られていることに注意すべきである)。
実際、少なくともフィルタ30の誘導成分はデイスクリ
ート部品として存在し、少なくとも第1図の配置の残り
の部分は半導体チップ上にそれ自体知られている方法で
集積化される。かかるチップは第2図の31で概略的に
示され、第2図で、一対の延長部33A及び33Bを設
けられた金属板32上に従来の方法で設けられる。延長
部33は製造中支持をなし、この間中、それらがチップ
上に集積化された回路の種々の点用の外部に対し電気的
な8!J電接続を一般的に与えるリード34A−34J
も含むリードフレームの一部を形成する。
(延長部33は、要求されるなら、チップ31の裏に対
して外部への接続を捉供しう る)。このために、チップの関連した領域は従来のいわ
ゆる「ボンドワイヤJ 35A−35Kを介して関連し
たリード34へ接続される。これらの2つのボンドワイ
ヤ35J及び35には夫々同じリード34Jに接続され
る。延長部33及びり一部34の突出部以外の組立体全
体は例えば射出成形技術による保護カプセル封止36(
破線で示す)で従来方法で覆われる。
リード34Kに接続された2つのボンドワイヤ35及び
35には実際第1図の入力フィルタ3の誘導成分を構成
する。第3図はこれが達成されうる方法の回路図を示す
第3図に示される如く、ワイヤ35Jが結合された集積
回路31の点は第1図の信号結合器6の出力5に対応し
、ワイヤ35にはチップ31上に集積化された可変容量
ダイオード41の陽極に対応する回路31の点40にボ
ンドされる。ダイオード41の陰極は(4J、積化され
た)抵抗42を介して点30へ即ちフィルタ3の同調1
b制御入力を構成する集積回路の点へ、又チップ31上
に集積化された第2の可変容量ダイオード43の陰極へ
夫々集積回路内で接続される。ダイオード43の陽極は
、第1図の信号スプリッタ11の入力37を構成する回
路の点へ集積回路内で接続される。第3図の目的に対し
、ダイオード41及びは43がいつも逆バイアスされる
よう、同調制御入力3゜に供給された制御信号はいつら
正であるとする。
(第1図のミキサー9及び1o用の従来構造は差動出力
を有し、これはミキサー10の出力から同調制御入力3
0への信号路のどこかに従来のディファレンシャルシン
グル1ンデツド変換器(図示せず)を含むことによりい
つも正である信号へ変換されてもよい。) 第3図のボンドワイヤ35J及び35Kが夫々有限イン
ダクタンスを示すので、そのインダクタンスは直列に接
続され、これらのワイヤは直列に接続された可変容量ダ
イオード41及び43と共に点5及び37間に接続され
た直列共振回数を形成する。かくて、実際上、帯域フィ
ルタは必要により点5及び37の間に存在し、通過特性
の中心周波数は点30へ印加されたIQ御倍信号よりダ
イオード41及び43の容量を変えることにより可変で
きる。ワイヤ35J及び35に、L+及びL2のインダ
クタンスが夫々で、ダイオード41及び43の容量が夫
々C+及びC2である場合、存在するかかる寄生インピ
ーダンスを無視すると点5及び37間のインピーダンス
は、[(C1+C2)−W2C+ 2  (L1+12
)]/jwC1C2で与えられることが分る。従ってフ
ィルタ中心m波数はw2= (CI+02)/ (L1
+12)ClO2で与えられ、それからC1,C2が増
加するにつれ、即ち制御入力3oへ印加された制御電圧
値が減少するにつれ減少することがわかる。
第4図は、第2図の2つのボンドワイヤ35J。
35Kが第1図の入力フィルタ3の誘導成分を構成する
仁とがなされうる2番目の方法の回路図を示す。ここで
夫々第1図の結合器6の出力及びスプリッタ11の入力
に対応する回路31の点5及び37はチップ上に集積化
された一対の直列に接続されたコンデンサ44.45に
より相互接続され、これらのコンデンサの共通点は、チ
ップ上にも集積化された抵抗46を介して第1図の入力
フィルタ3の同調制御信号入力30に対応した点に接続
される。この共通点はチップ上にも集積化された一対の
可変容量ダイオード47.48の陰極にも接続される。
ワイヤ35J、35にはチップの夫々の49.50にボ
ンドされ、その点は夫々ダイオード47.48の陽極に
対応する。第4図の配置において、リード34Jは接地
される。
各ワイヤ35J、35には有限のインダクタンスを示す
ので、部品48.35にの如く、部品47.35Jは直
列共振回路を構成し、この共振回路は並列に接続される
。再び、ワイヤ3,5 J 。
35にのインダクタンスは夫々L1.L2であり、コン
デンサ47.48の容量は夫々C1,C2であり、寄生
インピーダンスを無視すると、コンデンサ44及び45
の共通点及び接地間のインピーダンスは次式で与えられ
る。
(1−w2LICI)(1−w’ 12C2)/[jw
Cl (1−w212C2) +JwC2(1−w’ LICI ) このインピーダンスはW2.、Q又は(C1+C2)/
、(L1+L2)CIC2の場合に最大で、w2−1/
LIC1又は1/L2C2の場合に最小である。従って
、第4図に詳細に示した回路は1つの極及び2つの零(
直列コンデンサ44及び45により発生されたw−0で
の零を無視する)を示す点5.37間の周波数特性を有
し、通過特性の中心周波数はw2= (C1+C2)/
 (L1+L2)CIC2、即ち、第3図のフィルタに
対して得られるのと同じ表現で与えられる。この中心周
波数は第3図の配置図に同様に点30を介してダイオー
ド47.48に印加された逆バイアスを変えることによ
り変られつる。3 第1図のフィルタ3のディスクリート誘導成分がいわゆ
るボンドワイヤにより構成されることは必須ではなく、
明らかにボンドワイヤのインダクタンスが要求されるオ
ーダーのものであることが適切なだけである。択一的に
これらの成分は他の適切な形式であってもよい。この点
について、集積回路及び関連したディスクリート成分か
らなるパッケージに関して記載している例えば英国特V
1明mra第2160707号、 I[f[明1111
85104521カ参照される。
上記の配置において、入力フィルタ3用の同調制御信号
は実際ミキサー10(おそらく上記のディファレンシャ
ルツウシングル1ンデツド変換器による増幅及び/又は
変換の後)の出力信号の直流成分であるが、この直流成
分の大きさと符号はフィルタ帯域特性の中心周波数及び
発振器12の出力周波数の間の差の大きさ及び符号を直
接に表わし、同調制御信号は別の方法で得られる。従っ
て、例えばフィルタ帯域特性中心周波数が発振器12の
出力周波数と一致する場合、フィルタ3による発振出力
信号の減衰は最小になり、従ってフィルタ3は2つの直
角チャンネルの中の信号の振幅が最大になるまで動的方
法で同調されるという事実が利用される。これがなされ
る1つの方法を第5.6因に関して以下説明する。
第5図はループフィルタ29の入力がフィルタ25の出
力から取除かれ、その代り、ディジタルアナログ変換器
51の出力へ接続される第1図の配置の変形例を示す。
中間周波数低域フィルタ23.25の出力は(各直流阻
止コンデンサ24゜26に加えて)夫々振幅2乗器52
.53に接続される。図示の如く振幅2乗器52及び5
3は逓倍器の形式をとり、出力フィルタ23は逓倍器5
2の両方の入力へ接続され、フィルタ25の出力は逓倍
器53の両方の入力へ接続される。逓倍器52.53の
出力信号は加算回路54で共に加算され、結果はアナロ
クディジタル変換器55によりディジタルに変換される
。(2東回路52及び53は、加算器54の出力信号が
入力フィルタ3により発生された位相シフトに依存せず
、従って減衰を表わし、或いはフィルタ3により発生さ
れた発振器12の出力信号の減衰を表わすよう設けられ
る)。変換器55の出力はカウンタ58及び蓄積位置7
0を含む適宜にプログラムされたマイクロコンピュータ
又はシーケンサ57の並列入力ボート56に接続される
。カウンタ58の並列出力は変換器51の入力へンイク
ロ」ンピ1−タ又はシーケンサ57の平行出力ボート5
9を介して、接続される。
マイクロコンピュータ又はシーケンサ57は種々のブロ
ックが下記の意味を有する第6図のフローチャートによ
り示された動作を実行するようプログラムされる。
60へスタート。
61−カウンタ58の内容Cを零に設定する。
(Ci =C)。
62−変換器55の出力りは所定量゛[より大きいか。
(DOT?)。
63−カウンタ58をインクリメントする(Ci =C
+1 )。
64−蓄積位置70の内容へを変換器55の出力の最新
値りに等しくなるよう設定する。(AニーD)。
65−カウンタ58をインクリメントする(Ci=C+
1)。
66−変換器55の出力りは蓄積位!!70の最新値A
より大きいか。(D>A?)。
67−蓄積位置70の内容Aを変換器55の出力りの最
新値に等しくなるよう設定する。(A:=D)。
68−カウンタ58をディクリメントする(Ci =C
−1)。
69−変換器55の出力りは蓄積位置70の最新値Aよ
り大きいか。(D>A?)。
従って、60でスタートとした後、カウンタ58は零に
設定され、それにより最小の同調電圧を第3図のバリキ
ャップ41.43又は第4図のバリキャップ47.48
へ印加されるようにする。
次に中間周波数信号の振幅が特定の同値を越えるかどう
かを段1162で検査する。ノーの場合、hウンタ58
は段階63でインクリメントされ、それにより同調電圧
を増し、検査62が繰り返される。この処理は、中間周
波信号の振幅がフィルタ3が発振器12の出力周波数に
近づく周波数に同調される点の同値を実際越えるまで、
続けられる。
次のカウンタ58はさらにインクリメントされ、中間周
波数の振幅がもはや増えずその点で同w4電圧が段N6
7〜69により再び減じられることが検査66で検査さ
れる迄、同調電圧が更に増加する。検査69が同II電
圧の減少がもはや中1!1m波信号振幅の増加を引きお
こさないことを検出した時、段階64@に戻る。従って
、同調電圧が所望の値について発振し、これらの発振の
大きさはループ64−66及び67−69が繰り返され
る周波数及びフィルタ29の遮断周波数を適宜に選ぶこ
とにより低く保たれる。マイクロコンピュータ又はシー
ケンサ57は、例えば必要なら、第2図のチップ31上
に集積化され、他の動作を行なうよう配置される。
当業者にとって、多くの変形は、クレームにより限定さ
れる本発明の範囲内の上記実施例に対してなされうる。
例えば第1図のフィルタ3は第3゜4図に関して説明し
たちの以外の形をとってもよい。従って、例えばボンド
ワイヤ45K及び第4図の関連した可変容邑ダイオード
48は省略してもよく、ダイオード47を抵抗46から
供給されたそれらの共通点を有する一対の互いに逆方向
接続されたダイオードで置き換えられる。増幅器及び他
の部品は第1図の配置の種々の信号路に含まれてもよい
(同調制御信号入力30に印加された信号の位相はそれ
らから離れるよりはむしろ発振器12の出力周波数の方
にフィルタ3を同調させるよう注意する)。勿論、配置
は1対の直交チャンネルよりむしろ単一の中間周波チャ
ンネルを用いてもよい。チップ31の取付は及びカプセ
ル化は、第2図に関して述べられた以外の方法で達成さ
れてもよく、半導体チップへの取付は及び接続の代替方
法は当業者には良く知られている。
本開示を読めば当業者には他の変形は明らかである。か
かる変形は既に設計、受信器及び構成部品の製造で既に
知られている他の特徴を含み、これは記述した特徴に代
って又は加えて用いられる。
クレームが特徴の特別な組合せに対しこの出願で明らか
にされるが本出願の開示の範囲は、それを明示的に又は
暗示的に又は普遍化してここに記載した新規な特徴又は
特徴の新規な組合ゼを含むことをも理解されるべきであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1実施例の回路系統図、 第2図はカプセル化された集積回路形式の第1図の回路
の実際の構造の斜視図、 第3図は第1図のブロックの一つの第1の可能な実際的
構成図、 第4図は第1図のブロックの該−つの第2の可能な実際
的構成図、 第5図は第1図の回路の一部に対する可能な変形例を示
す図、 第6図は第5図の変形により実行される段階を示すフロ
ーチャート図である。 1.4,7,8.13,14,15.20゜21.28
.37・・・入力、2,5,16,27゜38.39・
・・出力、3・・・帯域入力フィルタ、5゜37.40
.49.50・・・点、6・・・信号結合手段、9.1
0・・・多重ミキサー、11.17.18・・・信号ス
プリッタ、12・・・振幅回路、19・・・位相シフタ
ー、22・・・I[講回路、23.25・・・低域フィ
ルタ、24.26・・・直流阻止コンデンサ、29・・
・低域フィルタループフィルタ、30・・・同調制御信
号入力、32・・・金属板、33.33A、33B・・
・延長部、34A−34J・・・リード、35A−35
K・・・ボンドワイヤ、36・・・カプセル封止、41
゜43.47.48・・・可変容量ダイオード、42゜
46・・・抵抗、44.45・・・コンデンサ、51・
・・ディジタル・アナログ変換器、52.53・・・振
幅2乗器、54・・・加算回路、55・・・アナログ・
ディジタル変換器、56・・・並列入力ポート、57・
・・シーケンサ、58・・・カウンタ、59・・・並列
出力ボート、70・・・蓄積位置。 特許出願人 エメ・ベー・フィリップス・ノルーイラン
ベンフ7ブリケン r                    1一 L               J 口ハ 一

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)縦続接続された信号用の帯域フィルタと、所望の
    受信された信号を中間周波数へ変換する周波数変換回路
    と、周波数変換された所望の受信された信号を復調する
    復調回路とよりなり、該周波数変換回路は、局部発振回
    路と該局部発振回路の出力が接続された第1の入力及び
    帯域フィルタの出力が接続された第2の入力を有するミ
    キサー回路とからなる無線受信回路配置であつて、該配
    置は帯域フィルタ用同調制御回路を有し、該同調制御回
    路は、その周波数が所望の受信された信号の周波数に実
    質的に等しい局部的に発生された信号を帯域濾波器の入
    力に印加する手段と、周波数変換回路の出力を帯域濾波
    器の同調制御入力に結合し帯域濾波器を実質的に該局部
    的に発生された信号の周波数に自動的に同調させる制御
    ループとよりなり、 中間周波数は実質的に零であり、局部的に発生された信
    号を帯域フィルタの入力へ印加する手段は局部発振回路
    の出力から該帯域フィルタの入力へ接続する手段からな
    り、該配置の一部は、カプセル化された半導体チップ上
    に集積化され、帯域フィルタはチップと共にカプセル化
    されたディスクリートコンポーネントとして存在するイ
    ンダクタを含むことを特徴とする回路配置。
  2. (2)インダクタはチップに接続されたボンドワイヤか
    らなることを特徴とする請求項1記載の回路配置。
  3. (3)制御ループは配置の動作周期の間連続的に作動す
    るよう配置されていることを特徴とする請求項1又は2
    記載の回路配置。
  4. (4)該制御ループは、ミキサー回路の第1の入力に印
    加された局部発振信号の位相に関連して帯域フィルタを
    介してミキサー回路の第2の入力に印加された発振信号
    の位相を表わす同調制御信号を周波数変換回路の出力か
    ら取り出し、該同調制御信号を該同調制御信号入力に印
    加する手段からなることを特徴とする上記請求項1乃至
    3項のうちいずれか一項記記載の回路配置。
  5. (5)該制御ループは、帯域フィルタによる発振信号の
    減衰を表わしミキサー回路の第1の入力に印加された発
    振信号の位相に関連して帯域フィルタを介してミキサー
    回路の第2の入力に印加された発振信号の位相とは独立
    の信号を周波数変換回路の出力から取り出す手段と、周
    期的に変る同調制御信号を該同調制御信号入力に印加す
    る手段と、同調制御信号の以前の変化から起こる減衰を
    表わす信号の変化の方向に依存した同調制御信号の各変
    化の方向を制御し、これにより該減衰を最小化する手段
    とよりなることを特徴とする請求項1乃至3のうちいず
    れか一項記載の回路配置。
  6. (6)図面の第1、2及び第3図、第1、2及び第4図
    、図面の第5、6図で変形された場合の第1、2及び3
    図又は第1、2及び第4図に関して記載された無線受信
    回路配置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1056255C (zh) * 1993-01-30 2000-09-06 汤姆森电子消费品公司 变频器
US5459758A (en) * 1993-11-02 1995-10-17 Interdigital Technology Corporation Noise shaping technique for spread spectrum communications
DE4341221A1 (de) * 1993-12-03 1995-06-08 Thomson Brandt Gmbh Anordnung zur Verringerung von Störungen bei Schwingkreisen in integrierten Schaltungen
US5796959A (en) * 1995-10-12 1998-08-18 Interdigital Technology Corporation Noise shaping technique for spread spectrum communications
US5937341A (en) * 1996-09-13 1999-08-10 University Of Washington Simplified high frequency tuner and tuning method
GB2332109B (en) * 1997-12-04 2001-06-27 Nec Technologies Direct conversion receiver pre-selection
US5926752A (en) * 1998-01-15 1999-07-20 Trw Inc. Apparatus and method for remote convenience message transmission and control with a tunable filter receiver
JP3216597B2 (ja) * 1998-02-09 2001-10-09 日本電気株式会社 ダイレクトコンバージョン受信装置
DE60102548T2 (de) * 2000-02-04 2005-02-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fm-rundfunkempfänger
US7088765B1 (en) * 2000-03-15 2006-08-08 Ndsu Research Foundation Vector calibration system
EP1143551A1 (de) 2000-04-05 2001-10-10 Infineon Technologies AG Integrierte Hochfrequenzschaltung
DE60107816T2 (de) 2000-11-23 2005-12-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Korrekturschaltung für gleichspannungsoffset mit gleichspannungsregelungsschleife und gleichspannungsblockierungsschaltung
US6954774B1 (en) * 2001-12-20 2005-10-11 Rockwell Collins Bandpass filter with ability to tune a pass frequency, passband gain and filter Q
US7596195B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-29 Broadcom Corporation Bandpass filter with reversible IQ polarity to enable a high side or low side injection receiver architecture
US7603098B2 (en) 2004-03-31 2009-10-13 Broadcom Corporation Programmable IF frequency filter for enabling a compromise between DC offset rejection and image rejection
US7272375B2 (en) 2004-06-30 2007-09-18 Silicon Laboratories Inc. Integrated low-IF terrestrial audio broadcast receiver and associated method
WO2006133159A2 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 The Regents Of The University Of California Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks
US7583950B2 (en) * 2006-10-05 2009-09-01 Harris Corporation High linearity tunable bandpass filter
US10158434B2 (en) * 2016-10-24 2018-12-18 Infineon Technologies Ag Circuit, system, and method for operating and calibrating a radio frequency transceiver

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4408350A (en) * 1982-02-19 1983-10-04 Erwin Donath Enhanced selectivity signal receiver
JPS5927613A (ja) * 1982-08-05 1984-02-14 Sanyo Electric Co Ltd ラジオ受信機の選局装置
US4476583A (en) * 1983-02-28 1984-10-09 Rca Corporation Electronic tracking for tuners
JPS6122656A (ja) * 1984-07-10 1986-01-31 Nec Corp 発振用トランジスタ素子
JPS61171207A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 Nec Corp 受信機
DE3516492A1 (de) * 1985-05-08 1986-11-13 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Funkempfaenger
KR870001910B1 (ko) * 1985-05-31 1987-10-21 삼성전자부품 주식회사 다중챈널방송수신기의 하이패스/로우패스 절환필터
US4653117A (en) * 1985-11-18 1987-03-24 Motorola, Inc. Dual conversion FM receiver using phase locked direct conversion IF

Also Published As

Publication number Publication date
DE68922177T2 (de) 1995-11-02
EP0364035A3 (en) 1991-04-03
EP0364035B1 (en) 1995-04-12
DE68922177D1 (de) 1995-05-18
GB2223896A (en) 1990-04-18
GB8823879D0 (en) 1988-11-16
US4965853A (en) 1990-10-23
EP0364035A2 (en) 1990-04-18

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