JPH02151010A - 貫通型磁器コンデンサ - Google Patents
貫通型磁器コンデンサInfo
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- JPH02151010A JPH02151010A JP30408788A JP30408788A JPH02151010A JP H02151010 A JPH02151010 A JP H02151010A JP 30408788 A JP30408788 A JP 30408788A JP 30408788 A JP30408788 A JP 30408788A JP H02151010 A JPH02151010 A JP H02151010A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、耐半田性の極めて良好な電極を設けた貫通型
磁器コンデンサに関するものである。
磁器コンデンサに関するものである。
（従来の技術及びその問題点）
貫通型磁器コンデンサ、例えば円筒型貫通型磁器コンデ
ンサは、貫通孔を有する磁器素体の内外面にそれぞれ電
極が形成され、内部電極には磁器素体の貫通孔に挿入さ
れた貫通端子が半田により接続され、外部電極には外部
端子が半田により接続されている。そして、通常、内部
電極および外部電極は、銀の焼き付は法もしくはニッケ
ルの無電解メツキ法によりそれぞれ形成され、電極と端
子との接続は半田浸漬法により行われていた。
ンサは、貫通孔を有する磁器素体の内外面にそれぞれ電
極が形成され、内部電極には磁器素体の貫通孔に挿入さ
れた貫通端子が半田により接続され、外部電極には外部
端子が半田により接続されている。そして、通常、内部
電極および外部電極は、銀の焼き付は法もしくはニッケ
ルの無電解メツキ法によりそれぞれ形成され、電極と端
子との接続は半田浸漬法により行われていた。
しかしながら、このような従来の貫通型磁器コンデンサ
では、半田浸漬工程において、半田が電極内部に浸透し
、拡散して電極と合金化し、その後の半田の凝固、収縮
とともに電極を一部磁器素体から剥離させるため、静電
容量劣化がみられるという欠点を有していた。
では、半田浸漬工程において、半田が電極内部に浸透し
、拡散して電極と合金化し、その後の半田の凝固、収縮
とともに電極を一部磁器素体から剥離させるため、静電
容量劣化がみられるという欠点を有していた。
このため特公昭５３−１４２９７号公報には、この容量
劣化を防ぐ目的で貫通孔を有する磁器素体の内部電極及
び外部電極としてそれぞれ少なくとも２層の導電層を形
成させ、この２層の導電層間にシリコーン層を形成させ
た貫通型磁器コンデンサが開示されている。
劣化を防ぐ目的で貫通孔を有する磁器素体の内部電極及
び外部電極としてそれぞれ少なくとも２層の導電層を形
成させ、この２層の導電層間にシリコーン層を形成させ
た貫通型磁器コンデンサが開示されている。
また特開昭５６−１５７０１６号には同様な貫通型磁器
コンデンサにおいて２履の導電層間にリン酸塩皮膜を形
成させる開示がなされている。
コンデンサにおいて２履の導電層間にリン酸塩皮膜を形
成させる開示がなされている。
しかしながらこれら公報に記載された貫通型磁器コンデ
ンサにおける半田浸漬工程前後での静電容量の変化率は
良好であるものの、シリコーン膜やリン酸塩皮膜の耐水
性、耐酸性に問題があるためか製造された貫通型磁器コ
ンデンサにおける誘電正接の変化量のバラツキが大きか
った。
ンサにおける半田浸漬工程前後での静電容量の変化率は
良好であるものの、シリコーン膜やリン酸塩皮膜の耐水
性、耐酸性に問題があるためか製造された貫通型磁器コ
ンデンサにおける誘電正接の変化量のバラツキが大きか
った。
このためさらに優れた電気特性を有し、しかも半田浸漬
工程前後での静電容量や誘電正接の劣化を防止した、製
品間の電気特性が安定した貫通型磁器コンデンサが求め
られていた。
工程前後での静電容量や誘電正接の劣化を防止した、製
品間の電気特性が安定した貫通型磁器コンデンサが求め
られていた。
（問題点を解決するための技術的手段）本発明は、上記
の問題点を解消し、優れた電気特性を有し、製品間の電
気特性の安定した貫通型磁器コンデンサに関する。
の問題点を解消し、優れた電気特性を有し、製品間の電
気特性の安定した貫通型磁器コンデンサに関する。
本発明によれば、貫通型磁器コンデンサにおいて、内部
電極及び外部電極がそれぞれ少なくとも２層の導電層で
形成され、この２層の導電層間にエポキシ層が形成され
ている貫通型磁器コンデンサが提供される。
電極及び外部電極がそれぞれ少なくとも２層の導電層で
形成され、この２層の導電層間にエポキシ層が形成され
ている貫通型磁器コンデンサが提供される。
以下、本発明の貫通型磁器コンデンサについて図面に従
って詳述する。
って詳述する。
第１図中、１は貫通型磁器素体、２は内部電極、３は外
部電極で、それぞれニッケルＮ２ａ、３ａ、エポキシ層
２ｂ、３ｂ、ニッケル層２ｃ、３ｃ、スズＪｉ２ｄ、３
ｄが順次積層されて形成されている。４は外部電極３に
半田７により接続された外部端子、５は磁器素体１の貫
通孔に挿入され、内部電極２と半田６により接続された
貫通端子である。
部電極で、それぞれニッケルＮ２ａ、３ａ、エポキシ層
２ｂ、３ｂ、ニッケル層２ｃ、３ｃ、スズＪｉ２ｄ、３
ｄが順次積層されて形成されている。４は外部電極３に
半田７により接続された外部端子、５は磁器素体１の貫
通孔に挿入され、内部電極２と半田６により接続された
貫通端子である。
内部電極２、外部電極３を構成する導電層の材質として
は、ニッケル、銅、スズ、銀等を目的に応じて適宜選択
することができ、上記電極の形成方法としては無電解メ
ツキ、スパッタリング、真空蒸着、電解メツキ、焼き付
は等、任意の方法を選択することができる。またエポキ
シ層２ｂ、３ｂは、各種のエポキシを用いて形成するこ
とができる。
は、ニッケル、銅、スズ、銀等を目的に応じて適宜選択
することができ、上記電極の形成方法としては無電解メ
ツキ、スパッタリング、真空蒸着、電解メツキ、焼き付
は等、任意の方法を選択することができる。またエポキ
シ層２ｂ、３ｂは、各種のエポキシを用いて形成するこ
とができる。
（製造例）
本発明の貫通型磁器コンデンサは、例えば以下の方法に
より製造することができる。まず、無電解ニッケルメッ
キ法により貫通型磁器素体１上にニッケル層２ａ、３ａ
を形成し、次いで市販のエポキシ樹脂とアミン系硬化剤
（３，１７：１）の混合物の１０〜２０重量％溶液中に
磁器素体ｌを浸漬させた後、この磁器素体１を引き上げ
て遠心分離器にかけ、過剰のエポキシを除去するととも
に含浸させたエポキシを均一に分散させた。そして最終
的にこの磁器素体ｌを１５０〜１８０°Ｃで２０〜６０
分間保持しエポキシ樹脂を乾燥、硬化させ、エポキシ層
２ｂ、３ｂを形成する。次いで、無電解ニッケルメッキ
法によりニッケルＪｉ２ｃ、３ｃを形成し、このニッケ
ル層２ｃ、３ｃ上に電解メツキ法によりスズ層２ｄ、３
ｄを形成し、さらにスズ６３重量％、鉛３７重景％の半
田を２３０℃で溶融させておき、この半田中に磁器素体
１を３〜１０秒間浸漬させた。
より製造することができる。まず、無電解ニッケルメッ
キ法により貫通型磁器素体１上にニッケル層２ａ、３ａ
を形成し、次いで市販のエポキシ樹脂とアミン系硬化剤
（３，１７：１）の混合物の１０〜２０重量％溶液中に
磁器素体ｌを浸漬させた後、この磁器素体１を引き上げ
て遠心分離器にかけ、過剰のエポキシを除去するととも
に含浸させたエポキシを均一に分散させた。そして最終
的にこの磁器素体ｌを１５０〜１８０°Ｃで２０〜６０
分間保持しエポキシ樹脂を乾燥、硬化させ、エポキシ層
２ｂ、３ｂを形成する。次いで、無電解ニッケルメッキ
法によりニッケルＪｉ２ｃ、３ｃを形成し、このニッケ
ル層２ｃ、３ｃ上に電解メツキ法によりスズ層２ｄ、３
ｄを形成し、さらにスズ６３重量％、鉛３７重景％の半
田を２３０℃で溶融させておき、この半田中に磁器素体
１を３〜１０秒間浸漬させた。
上記方法にて製造された試料における半田浸漬工程前後
の静電容量及び誘電正接を測定したところ、電気特性が
良好であり、半田浸漬工程前後の静電容量の変化率が良
好で、誘電正接の変化量が小さく、しかも製品間のバラ
ツキも小さかった。
の静電容量及び誘電正接を測定したところ、電気特性が
良好であり、半田浸漬工程前後の静電容量の変化率が良
好で、誘電正接の変化量が小さく、しかも製品間のバラ
ツキも小さかった。
また絶縁抵抗値が高く、浸漬工程前後での絶縁抵抗値の
低下もながった。結果を、第１表に示す。
低下もながった。結果を、第１表に示す。
（発明の効果）
本発明の貫通型磁器コンデンサは、内部電極及び外部電
極がそれぞれ少なくとも２Ｎの導電層で形成され、２層
の導電層間にエポキシ層を形成させて電極を設けたこと
により、半田浸漬工程において多量の半田が導電層に浸
透、拡散した場合でも、エポキシ層が最下層の導電層を
保護するため、半田浸漬工程前後の静電容量、誘電正接
及び絶縁抵抗の劣化を防止でき、しかも優れた静電容量
、誘電正接、絶縁抵抗を有している。
極がそれぞれ少なくとも２Ｎの導電層で形成され、２層
の導電層間にエポキシ層を形成させて電極を設けたこと
により、半田浸漬工程において多量の半田が導電層に浸
透、拡散した場合でも、エポキシ層が最下層の導電層を
保護するため、半田浸漬工程前後の静電容量、誘電正接
及び絶縁抵抗の劣化を防止でき、しかも優れた静電容量
、誘電正接、絶縁抵抗を有している。
第１図は本発明に係る貫通型磁器コンデンサの断面図で
ある。 １：貫通型磁器素体、２：内部電極、２ｂ、３ｂ：エポ
キシ層、３：外部電極、４：外部端子、５：貫通端子、
６．７：半田。
ある。 １：貫通型磁器素体、２：内部電極、２ｂ、３ｂ：エポ
キシ層、３：外部電極、４：外部端子、５：貫通端子、
６．７：半田。
Claims (1)
- 貫通型磁器コンデンサにおいて、内部電極及び外部電
極がそれぞれ少なくとも２層の導電層で形成され、この
２層の導電層間にエポキシ層が形成されていることを特
徴とする貫通型磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30408788A JPH02151010A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 貫通型磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30408788A JPH02151010A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 貫通型磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151010A true JPH02151010A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17928867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30408788A Pending JPH02151010A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 貫通型磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418850B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2004-02-19 | 주식회사 사리전자 | 세라믹관통형컨덴서의 제조방법 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP30408788A patent/JPH02151010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418850B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2004-02-19 | 주식회사 사리전자 | 세라믹관통형컨덴서의 제조방법 |
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