JPH02150844A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH02150844A JPH02150844A JP63305223A JP30522388A JPH02150844A JP H02150844 A JPH02150844 A JP H02150844A JP 63305223 A JP63305223 A JP 63305223A JP 30522388 A JP30522388 A JP 30522388A JP H02150844 A JPH02150844 A JP H02150844A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に使用されるフォトマス
クの製造方法に関する。
クの製造方法に関する。
半導体集積回路の製造に使用されるフォトマスクは通常
ガラス基板上に被着されたクロム等の金属層を、レジス
ト膜の露光・現像工程を介し所望のマスクパターンにバ
ターニングする事によって製造される。こ・のレジスト
膜の露光には電子ビームまたは紫外線が用いられている
が、電子ビーム露光の場合は現像後にレジスト残渣が生
じるのでデスカム処理と呼ばれる工程が付加される。こ
のデスカム処理はプラズマによるエツチング技術を用い
たレジスト残渣の除去手段である。従来のデスカム処理
工程によれば、レジスト膜の露光・現像工程を終えたマ
スク基板はバレル型または平行平板型の処理室内に収容
され、レジスト膜の表面が薄く除去されるようにエツチ
ングされる。
ガラス基板上に被着されたクロム等の金属層を、レジス
ト膜の露光・現像工程を介し所望のマスクパターンにバ
ターニングする事によって製造される。こ・のレジスト
膜の露光には電子ビームまたは紫外線が用いられている
が、電子ビーム露光の場合は現像後にレジスト残渣が生
じるのでデスカム処理と呼ばれる工程が付加される。こ
のデスカム処理はプラズマによるエツチング技術を用い
たレジスト残渣の除去手段である。従来のデスカム処理
工程によれば、レジスト膜の露光・現像工程を終えたマ
スク基板はバレル型または平行平板型の処理室内に収容
され、レジスト膜の表面が薄く除去されるようにエツチ
ングされる。
さらに最近ではデスカム処理をイオンビームを用いて行
いその加速電圧をフォトマスク内全面の寸法ばらつき予
測データに基づき制御する方法も提案されている（昭和
６２年特許願第４１８７６号公報）。
いその加速電圧をフォトマスク内全面の寸法ばらつき予
測データに基づき制御する方法も提案されている（昭和
６２年特許願第４１８７６号公報）。
しかしながら、このレジスト残渣の発生要因にはレジス
ト塗布・露光・現像・エッチング等のばらつきが複雑に
絡み合っており、残渣量の分布、即ち寸法の分布が均一
ではない。その上従来のデスカム処理は残渣量分布のば
らつきを考慮しない一括処理である為、デスカス処理を
行ってもばらつきはほとんど低減されない。
ト塗布・露光・現像・エッチング等のばらつきが複雑に
絡み合っており、残渣量の分布、即ち寸法の分布が均一
ではない。その上従来のデスカム処理は残渣量分布のば
らつきを考慮しない一括処理である為、デスカス処理を
行ってもばらつきはほとんど低減されない。
また昭和６２年特許願第４１８７６号に公報に記載され
ている方法ではばらつきの低減には大きな効果があるが
、イオンビームで基板全面をくまなく走査する為、非常
に時間がかかるという欠点がある。
ている方法ではばらつきの低減には大きな効果があるが
、イオンビームで基板全面をくまなく走査する為、非常
に時間がかかるという欠点がある。
本発明は上述の問題点を解決し、パターン寸法のばらつ
きを低減すると共に短時間でレジスト残渣を除去してフ
ォトマスクを製造することを目的としている。
きを低減すると共に短時間でレジスト残渣を除去してフ
ォトマスクを製造することを目的としている。
本発明のフォトマスト製造方法は、ガラス基板表面に被
着したマスク用金属層のパターニング、マスク用金属上
のレジスト膜除去、プラズマ中でのデスカム処理の後、
寸法ばらつき予測データに基づきイオンビームの加速電
圧の制御しながらマスク用金属層のパターンエツジ部の
みを走査するデスカム処理を施す構成になっている。
着したマスク用金属層のパターニング、マスク用金属上
のレジスト膜除去、プラズマ中でのデスカム処理の後、
寸法ばらつき予測データに基づきイオンビームの加速電
圧の制御しながらマスク用金属層のパターンエツジ部の
みを走査するデスカム処理を施す構成になっている。
第１図は本発明の一実施例を示す製造方法の工程図、第
２図は本発明を実施する為のデスカム処理装置のブロッ
ク図、第３図はデスカム処理の工程図である。
２図は本発明を実施する為のデスカム処理装置のブロッ
ク図、第３図はデスカム処理の工程図である。
本実施例によれば、ガラス基板１の全面に従来と同じく
まずマスク用金属層〈例えばクロム〉を被着く第１図（
ａ） ） ｔ、た後、この上にレジスト膜３を被着する
（第１図（ｂ）〉。ついでレジスト膜３が所望のマスク
パターンを形成するように電子ビーム４により露光（第
１図（Ｃ））した後、現像する（第１図（ｄ））。この
電子ビーム４によるレジスト膜３の露光・現像工程によ
って第１図（ｄ）に示すようにマスク用金属層２上には
レジストパターン３ａ、３ｂと共に極めて薄いレジスト
残渣５が広く分布して形成される。この残渣５のみを除
去する目的で従来のプラズマ中でのデスカムを従来の処
理時間の１／１０〜１／２０という短時間実施する（第
１図（ｅ））、Ｌかる後寸法バラツキ予測データに応じ
て加速電圧を変えてパターンエツジ部のみをイオンビー
ム６でスキャン（第１図（ｆ）および第３図）して残渣
を完全に除去する（第１図（ｇ））、次にレジストパタ
ーン３ａ、３ｂ、に覆われていない部分の金属層２をエ
ツチングし、金属層２をパターニングする（第１図（ｈ
））、この後、レジスト膜３ａ、３ｂを剥離しフォトマ
スクが完成する（第１図（ｉ））。
まずマスク用金属層〈例えばクロム〉を被着く第１図（
ａ） ） ｔ、た後、この上にレジスト膜３を被着する
（第１図（ｂ）〉。ついでレジスト膜３が所望のマスク
パターンを形成するように電子ビーム４により露光（第
１図（Ｃ））した後、現像する（第１図（ｄ））。この
電子ビーム４によるレジスト膜３の露光・現像工程によ
って第１図（ｄ）に示すようにマスク用金属層２上には
レジストパターン３ａ、３ｂと共に極めて薄いレジスト
残渣５が広く分布して形成される。この残渣５のみを除
去する目的で従来のプラズマ中でのデスカムを従来の処
理時間の１／１０〜１／２０という短時間実施する（第
１図（ｅ））、Ｌかる後寸法バラツキ予測データに応じ
て加速電圧を変えてパターンエツジ部のみをイオンビー
ム６でスキャン（第１図（ｆ）および第３図）して残渣
を完全に除去する（第１図（ｇ））、次にレジストパタ
ーン３ａ、３ｂ、に覆われていない部分の金属層２をエ
ツチングし、金属層２をパターニングする（第１図（ｈ
））、この後、レジスト膜３ａ、３ｂを剥離しフォトマ
スクが完成する（第１図（ｉ））。
次に本発明に用いる第２図のデスカム処理装置の説明を
行う、デスカム処理装置はイオンビームを作り出すイオ
ン源７、ヒータ電源１３とビームを成形するアパーチャ
８、ビームの加速・フォーカス調整を行うフォーカスレ
ンズ９、加速電源１４、加速制御部１５、フォーカス電
源１６、フォーカス制御部１７、ビームのブランキング
を行うブランキング電極１０、ブランキング電源１８、
ブランキング制御部１つ、ビームの偏向を行う偏向電極
１１、偏向電源２ｏ、偏向制御部２１、フォトマスク１
をセットするステージ１２、ステージを移動させるモー
タ２２、ステージ制御部２３、寸法バラツキ予測データ
、露光パターンデータを入力するデータ入力装置２５、
入力データの変換装置２４より構成される。
行う、デスカム処理装置はイオンビームを作り出すイオ
ン源７、ヒータ電源１３とビームを成形するアパーチャ
８、ビームの加速・フォーカス調整を行うフォーカスレ
ンズ９、加速電源１４、加速制御部１５、フォーカス電
源１６、フォーカス制御部１７、ビームのブランキング
を行うブランキング電極１０、ブランキング電源１８、
ブランキング制御部１つ、ビームの偏向を行う偏向電極
１１、偏向電源２ｏ、偏向制御部２１、フォトマスク１
をセットするステージ１２、ステージを移動させるモー
タ２２、ステージ制御部２３、寸法バラツキ予測データ
、露光パターンデータを入力するデータ入力装置２５、
入力データの変換装置２４より構成される。
本装置に入力された寸法バラツキ予測データと露光パタ
ーンデータに基づき寸法バラツキに応じた加速電圧でパ
ターンエツジ部のみをイオンビームで操作する（第３図
）。
ーンデータに基づき寸法バラツキに応じた加速電圧でパ
ターンエツジ部のみをイオンビームで操作する（第３図
）。
第４図は本発明の他の実施例を示す図である。
この例ではイオンビームをパターン毎ではなくマスク基
板の一方から順次スキャンしている。本方法によればス
テージの動きにむだがなくデスカム時間が短くなる利点
がある。
板の一方から順次スキャンしている。本方法によればス
テージの動きにむだがなくデスカム時間が短くなる利点
がある。
以上説明したように本発明によるフォトマスク製造方法
を用いれば寸法ばらつきの小さいフォトマスクが迅速に
製造できる効果がある。
を用いれば寸法ばらつきの小さいフォトマスクが迅速に
製造できる効果がある。
第１図は本発明のフォトマスクの製造方法を示す工程図
、第２図は本発明の実施する為のデスカム処理装置のブ
ロック図、第３図、第４図はイオンビームの走査状態を
示す平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・マスク用金属層、２ａ。 ２ｂ、２ｃ・・・マスクパターン、３・・・レジスト膜
、３ａ、３ｂ・・・レジストパターン、４・・・電子ビ
ーム、５・・・レジスト残渣、６・・・イオンビーム、
７・・・イオン源、８・・・アパーチャ、９・・・フォ
ーカスレンズ、１０・・・ブランキング電極、１１・・
・偏向電極、１２・・・ステージ、１３・・・ヒータ電
源、１４・・・加速電源、１５・・・加速制御部、１６
・・・フォーカス電源、１７・・・フォーカス制御部、
１８・・・ブランキング電源、１つ・・・制御部、２０
・・・偏向電源、２１・・・偏向制御部、２２・・・モ
ータ、２３・・・ステージ制御部、 ２４・・・変換装置、
、第２図は本発明の実施する為のデスカム処理装置のブ
ロック図、第３図、第４図はイオンビームの走査状態を
示す平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・マスク用金属層、２ａ。 ２ｂ、２ｃ・・・マスクパターン、３・・・レジスト膜
、３ａ、３ｂ・・・レジストパターン、４・・・電子ビ
ーム、５・・・レジスト残渣、６・・・イオンビーム、
７・・・イオン源、８・・・アパーチャ、９・・・フォ
ーカスレンズ、１０・・・ブランキング電極、１１・・
・偏向電極、１２・・・ステージ、１３・・・ヒータ電
源、１４・・・加速電源、１５・・・加速制御部、１６
・・・フォーカス電源、１７・・・フォーカス制御部、
１８・・・ブランキング電源、１つ・・・制御部、２０
・・・偏向電源、２１・・・偏向制御部、２２・・・モ
ータ、２３・・・ステージ制御部、 ２４・・・変換装置、
Claims (1)
- ガラス基板の一主面上にマスク用金属を被着する工程と
、前記マスク用金属層の全面にレジスト膜を塗布する工
程と、前記レジスト膜を所望のマスクパターンに形成す
るレジスト膜の露光・現像工程と、プラズマ中でレジス
ト膜の残渣を除去するデスカム工程と、前記レジスト膜
の塗布・露光・現像・エッチング工程で生じる寸法ばら
つき予測データ・露光パターンデータおよびイオンビー
ム加速度制御信号に基づきパターンエッジ部のみを走査
するイオンビーム処理工程とを含む事を特徴とするフォ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522388A JP2697035B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522388A JP2697035B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150844A true JPH02150844A (ja) | 1990-06-11 |
| JP2697035B2 JP2697035B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17942523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30522388A Expired - Lifetime JP2697035B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697035B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214159A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Nec Corp | フォトマスクの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30522388A patent/JP2697035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214159A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Nec Corp | フォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2697035B2 (ja) | 1998-01-14 |
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