JPH02137681A - フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
フィルムコンデンサの製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
21\−ノ
本発明は積層フィルムコンデンサの製造方法に関するも
のである。
のである。
従来の技術
金属化フィルムを誘電体とする積層フィルムコンデンサ
の大きな欠点として切断面に電極端面が露出するために
、絶縁抵抗のバラツキが大きい、あるいは端面放電を生
じる、あるいは耐湿性試験等の結果も不良品となるもの
が多いことなどが指摘され、改善が求められてきた。
の大きな欠点として切断面に電極端面が露出するために
、絶縁抵抗のバラツキが大きい、あるいは端面放電を生
じる、あるいは耐湿性試験等の結果も不良品となるもの
が多いことなどが指摘され、改善が求められてきた。
このような問題点を解決するため、特公昭63−361
31号公報において、切断面にYAGレーザあるいは炭
酸ガス・レーザを照射し、切断面に露出している蒸着金
属を除去したり、蒸着金属の除去とともに切断面に近い
部分の誘電体を相互に溶着させる方法が提案されている
。
31号公報において、切断面にYAGレーザあるいは炭
酸ガス・レーザを照射し、切断面に露出している蒸着金
属を除去したり、蒸着金属の除去とともに切断面に近い
部分の誘電体を相互に溶着させる方法が提案されている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の方法は赤外レーザを用いた熱加工
であるため、蒸着金属の除去あるいは誘電体の融着時に
発生する温度上昇によって、コンデンサ素子にショート
等の特性低下が発生しやす3 へ−/ く、加工条件の幅が非常に狭く困難なものであることが
判明した。
であるため、蒸着金属の除去あるいは誘電体の融着時に
発生する温度上昇によって、コンデンサ素子にショート
等の特性低下が発生しやす3 へ−/ く、加工条件の幅が非常に狭く困難なものであることが
判明した。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、有機材料からなる誘
電体と電極とを多重に交互に重ね合わせた積層フィルム
・コンデンサにおいて、絶縁抵抗等の特性が良好なフィ
ルム・コンデンサの製造方法を提供するものである。
電体と電極とを多重に交互に重ね合わせた積層フィルム
・コンデンサにおいて、絶縁抵抗等の特性が良好なフィ
ルム・コンデンサの製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のフィルム・コンデ
ンサの製造方法は、誘電体材料よりも電極材料の方が、
波長0.4μm以下のいずれかのレーザ・ビームに対す
る吸収率が高い積層フィルム・コンデンサの切断面に、
波長0.4μm以下のレーザ・ビームを照射し、電極の
切断面部分を優先的に除去するものである。
ンサの製造方法は、誘電体材料よりも電極材料の方が、
波長0.4μm以下のいずれかのレーザ・ビームに対す
る吸収率が高い積層フィルム・コンデンサの切断面に、
波長0.4μm以下のレーザ・ビームを照射し、電極の
切断面部分を優先的に除去するものである。
作 用
本発明によって、誘電体材料よりも電極材料の方が、波
長0.4μm以下のレーザ・ビームに対する吸収率が高
い積層フィルム・コンデンサの切断面に、波長0.4μ
m以下のレーザ・ビームを照射することによシ量子切断
が行なわれ、温度上昇の少ない低温プロセスで電極を優
先的に除去することにより、誘電体に熱影響を与えるこ
となく、容易に絶縁抵抗の向上をはかることができる。
長0.4μm以下のレーザ・ビームに対する吸収率が高
い積層フィルム・コンデンサの切断面に、波長0.4μ
m以下のレーザ・ビームを照射することによシ量子切断
が行なわれ、温度上昇の少ない低温プロセスで電極を優
先的に除去することにより、誘電体に熱影響を与えるこ
となく、容易に絶縁抵抗の向上をはかることができる。
実施例
以下、本発明のフィルム・コンデンサの製造方法につい
て、実施例にもとづいて説明する。
て、実施例にもとづいて説明する。
第1図は本発明の第1の実施例であるフィルム・コンデ
ンサの製造方法の構成図を示すものである。第1図にお
いて、1はエキシマ・レーザ発振器、2はレーザ・ビー
ム、3はfi層フィルム・コンデンサである。エキシマ
・レーザ発振器1から出たレーザービーム2の光路内に
おいて、積層フィルム・コンデンサ3の電極引き出し端
面と隣り合った、切断面にレーザ・ビーム2が照射され
るように設置される。レーザ・ビーム2の断面積は2s
onnx’7mmであるので、光路内に複数の積層フィ
ルム・コンデンサ3を設置することが可能である。
ンサの製造方法の構成図を示すものである。第1図にお
いて、1はエキシマ・レーザ発振器、2はレーザ・ビー
ム、3はfi層フィルム・コンデンサである。エキシマ
・レーザ発振器1から出たレーザービーム2の光路内に
おいて、積層フィルム・コンデンサ3の電極引き出し端
面と隣り合った、切断面にレーザ・ビーム2が照射され
るように設置される。レーザ・ビーム2の断面積は2s
onnx’7mmであるので、光路内に複数の積層フィ
ルム・コンデンサ3を設置することが可能である。
第2図は積層フィルム・コンデンサ3の前記切5 ヘー
ジ 断面に対して直角方向の断面図である。第2図において
、4は上部絶縁フィルム、5は誘電体で材料は厚さ4μ
mのポリプロピレン(p、p、)、6と7はそれぞれ極
性の異なる電極で材料はアルミニウムで、厚さは約40
0八である。レーザ・ビム2が波長248nmのKrF
レーザ・ビームのとき、誘電体6のビーム吸収率は約1
7係、電極6と7のビーム吸収率は約25チである。ま
た、誘電体6のC−C,C−H等の結合エネルギーは約
80〜1001cal / mol、アルミニウムの結
合エネルギーは55 k2I/ mojである。したが
って切断面全面にほぼ均一なレーザ・ビーム2が照射さ
れた場合、電極6と7が誘電体フィルム6よりも優先的
に加工される。
ジ 断面に対して直角方向の断面図である。第2図において
、4は上部絶縁フィルム、5は誘電体で材料は厚さ4μ
mのポリプロピレン(p、p、)、6と7はそれぞれ極
性の異なる電極で材料はアルミニウムで、厚さは約40
0八である。レーザ・ビム2が波長248nmのKrF
レーザ・ビームのとき、誘電体6のビーム吸収率は約1
7係、電極6と7のビーム吸収率は約25チである。ま
た、誘電体6のC−C,C−H等の結合エネルギーは約
80〜1001cal / mol、アルミニウムの結
合エネルギーは55 k2I/ mojである。したが
って切断面全面にほぼ均一なレーザ・ビーム2が照射さ
れた場合、電極6と7が誘電体フィルム6よりも優先的
に加工される。
第3図は、第2図の加工終了後の断面図である。
電極6と7が優先的に加工されるため、電極6と7は誘
電体5の端面よシ後退している。本実施例ではエキシマ
・レーザを用いたが、このレーザ・ビームは光子エネル
ギーが高く、加工点において微小スポットに集光しなく
とも、電極6と7の照61・−7 対端部を除去加工することができる。また紫外レーザに
よる量子切断を利用した加工であるため、温度上昇が少
なく、周辺に影響を与えにくい。さらに、レーザ・ビー
ム2はパルヌ状に照射されるため、さらに熱影響は小さ
くなシ、加工の制御性にも優れている。
電体5の端面よシ後退している。本実施例ではエキシマ
・レーザを用いたが、このレーザ・ビームは光子エネル
ギーが高く、加工点において微小スポットに集光しなく
とも、電極6と7の照61・−7 対端部を除去加工することができる。また紫外レーザに
よる量子切断を利用した加工であるため、温度上昇が少
なく、周辺に影響を与えにくい。さらに、レーザ・ビー
ム2はパルヌ状に照射されるため、さらに熱影響は小さ
くなシ、加工の制御性にも優れている。
なお、波長が0.4μm以下であれば、エキシマ以外の
レーザでも良いことは言うまでもない1.また誘電体材
料および電極材料も本実施例の例に限るものではない。
レーザでも良いことは言うまでもない1.また誘電体材
料および電極材料も本実施例の例に限るものではない。
本実施例で得られた積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗
の値を第4図に示す。比較例−1としてエキシマレーザ
のかわシにYAGレーザを用いた場合も示す。ここで絶
縁抵抗が1×106Ω以下の場合はショートとした、 第4図に示すように本実施例の積層型フィルムコンデン
サは絶縁抵抗が高く、バラツキも小さい。
の値を第4図に示す。比較例−1としてエキシマレーザ
のかわシにYAGレーザを用いた場合も示す。ここで絶
縁抵抗が1×106Ω以下の場合はショートとした、 第4図に示すように本実施例の積層型フィルムコンデン
サは絶縁抵抗が高く、バラツキも小さい。
これは本発明が再現性が高く、したがって歩留が高いこ
とを示している。比較例−1ではほとんどのサンプルが
ショートになっていた。
とを示している。比較例−1ではほとんどのサンプルが
ショートになっていた。
7ヘーノ
次に本実施例のコンデンサと、切断面になにも処理しな
いコンデンサ(比較例−2)を直流外圧破壊試験に供し
た結果を第6図に示す。
いコンデンサ(比較例−2)を直流外圧破壊試験に供し
た結果を第6図に示す。
第6図に示すように、本実施例は比較例−2に比べて、
端面放電を開始する電圧が非常に高く、破壊電圧に近い
。これは第3図に示すように電極が切断面位置よシ内部
に後退しているために端面放電がおこりにくくなってい
るためであると考えられる。
端面放電を開始する電圧が非常に高く、破壊電圧に近い
。これは第3図に示すように電極が切断面位置よシ内部
に後退しているために端面放電がおこりにくくなってい
るためであると考えられる。
発明の効果
以上のように本発明は、電極と、波長が0.4μm以下
のレーザ・ビームに対する吸収率が20チ以下でかつビ
ーム吸収率が電極材料よりも小さな有機材料からなる誘
電体との積層フィルム・コンデンサの切断面に、波長0
.4μm以下のレーザ・ビームを照射し、電極を優先的
に除去することによシ、絶縁抵抗のバラツキが小さく、
端面放電を生じることがなく、耐湿特性が良好なフィル
ム・コンデンサを、高い歩留で安定して製造することが
できる。
のレーザ・ビームに対する吸収率が20チ以下でかつビ
ーム吸収率が電極材料よりも小さな有機材料からなる誘
電体との積層フィルム・コンデンサの切断面に、波長0
.4μm以下のレーザ・ビームを照射し、電極を優先的
に除去することによシ、絶縁抵抗のバラツキが小さく、
端面放電を生じることがなく、耐湿特性が良好なフィル
ム・コンデンサを、高い歩留で安定して製造することが
できる。
第1図は本発明の第1の実施例におけるフィルム・コン
デンサの製造方法の構成図、第2図は加工状態における
積層フィルム・コンデンサの断面図、第3図は加工終了
後のフィルム・コンデンサの断面図、第4図はコンデン
サの絶縁抵抗値を示スクラフ、第6図はコンデンサの端
面放電開始電圧と破壊電圧を示すグラフである。 1・・・・・・エギシマ・レーザ発振器、2・・・・・
・レーザ・ビーム、3・・・・・・積層フィルム・コン
デンサ、5・・・・誘電体、6.7・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名J Oつ 派 綜
デンサの製造方法の構成図、第2図は加工状態における
積層フィルム・コンデンサの断面図、第3図は加工終了
後のフィルム・コンデンサの断面図、第4図はコンデン
サの絶縁抵抗値を示スクラフ、第6図はコンデンサの端
面放電開始電圧と破壊電圧を示すグラフである。 1・・・・・・エギシマ・レーザ発振器、2・・・・・
・レーザ・ビーム、3・・・・・・積層フィルム・コン
デンサ、5・・・・誘電体、6.7・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名J Oつ 派 綜
Claims (2)
- (1)複数の電極と、前記電極間に配置されている、少
なくとも1層以上で、波長が0.4μm以下のレーザ・
ビームに対する吸収率が20%以下でかつビーム吸収率
が電極材料よりも小さな有機材料からなる誘電体との積
層物における電極引出し端面と隣り合った切断面に、前
記誘電体材料への吸収率が電極材料よりも小さい波長0
.4μm以下のレーザ・ビームを照射し、前記電極の前
記切断面近傍を優先的に除去することを特徴とするフィ
ルムコンデンサの製造方法。 - (2)切断面にパルス化された波長0.4μm以下のレ
ーザ・ビームを照射し、電極を優先的に除去することを
特徴とする請求項1記載のフィルムコンデンサの製造方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63287991A JPH02137681A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | フィルムコンデンサの製造方法 |
KR1019890016540A KR920009174B1 (ko) | 1988-11-15 | 1989-11-15 | 적층 필름 콘덴서의 제조방법 |
US07/436,786 US4990742A (en) | 1988-11-15 | 1989-11-15 | Method of making laminated film capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63287991A JPH02137681A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02137681A true JPH02137681A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17724384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63287991A Pending JPH02137681A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4990742A (ja) |
JP (1) | JPH02137681A (ja) |
KR (1) | KR920009174B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4091418T1 (de) * | 1989-08-24 | 1997-07-31 | Murata Manufacturing Co | Mehrschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5345361A (en) * | 1992-08-24 | 1994-09-06 | Murata Erie North America, Inc. | Shorted trimmable composite multilayer capacitor and method |
US5347423A (en) * | 1992-08-24 | 1994-09-13 | Murata Erie North America, Inc. | Trimmable composite multilayer capacitor and method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2495427A1 (fr) * | 1980-11-07 | 1982-06-04 | Benedite Claude | Procede et installation de traitement par rayonnement electromagnetique tel que faisceau laser, d'une piece composite |
US4909818A (en) * | 1988-11-16 | 1990-03-20 | Jones William F | System and process for making diffractive contact |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63287991A patent/JPH02137681A/ja active Pending
-
1989
- 1989-11-15 KR KR1019890016540A patent/KR920009174B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-11-15 US US07/436,786 patent/US4990742A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4990742A (en) | 1991-02-05 |
KR920009174B1 (ko) | 1992-10-14 |
KR910010560A (ko) | 1991-06-29 |
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