JPH02135793A - Manufacture of film carrier having thick film element - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はフィルムキャリア、特にその絶縁層内に抵抗や
コンデンサ等の厚膜素子を埋設してなるフィルムキャリ
アの製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Field of Application) The present invention relates to a method for manufacturing a film carrier, particularly a film carrier in which thick film elements such as resistors and capacitors are embedded in an insulating layer thereof.
（従来の技術）
フィルムキャリアは、第４図に示すように、樹脂フィル
ム（２１）上に絶縁層（２２）等を介して導体パターン
（２４）を形成し、この導体パターン（２４）の−部を
樹脂フィルム（２１）等に形成したデバイス孔（２５）
内に突出させるようにして、この突出した導体パターン
（２４）の一部（インナーリード（２６） ）に対して
電子部品（２７）を実装する形式のものが多い、そして
、この種のフィルムキャリア（２０）においては、その
インナーリー）（（２６）と導体パターン（２４）との
間に電子部品（２７）を保護するための抵抗やコンデン
サ等の回路素子（２３）を形成しなければならないこと
がある。(Prior Art) As shown in FIG. 4, a film carrier is a film carrier in which a conductor pattern (24) is formed on a resin film (21) via an insulating layer (22), etc., and the - A device hole (25) formed in a resin film (21) etc.
In many cases, the electronic component (27) is mounted on a part of the protruding conductor pattern (24) (inner lead (26)) so as to protrude inward, and this type of film carrier In (20), a circuit element (23) such as a resistor or capacitor must be formed between the inner layer (26) and the conductor pattern (24) to protect the electronic component (27). Sometimes.
このような抵抗やコンデンサ等の回路素子（２３）を、
印刷やデイスペンサー等によって厚膜状態のもの（以下
、このような回路素子（２３）を厚膜素子（２３）とい
う）として形成したフィルムキャリア（２０）は、それ
自体を薄型化できること、限られたエリアを有効に利用
できること、厚膜素子（２３）と導体パターン（２４）
との電気的接続が容易であること等種々な利点を有して
いることから、近年多用されてきているものである。Circuit elements (23) such as resistors and capacitors,
The film carrier (20) formed as a thick film by printing, a dispenser, etc. (hereinafter, such a circuit element (23) will be referred to as a thick film element (23)) has the advantage that it can be made thinner and has a limited number of features. Thick film element (23) and conductor pattern (24)
It has been widely used in recent years because it has various advantages such as easy electrical connection with other devices.
このような所謂厚膜素子（２３）を有するフィルムキャ
リア（２０）の一般的な製造方法は、絶縁層（２２）上
に形成した導体パターン（２４）間の所定位置に厚膜素
子（２３）となるべきベース１〜を印刷した後、焼成し
て形成するものであるが、この方法にあっては、厚膜素
子（２３）が絶縁層（２２）上に盛り一ヒがった状態に
なることから、その物理的衝撃に対する保護を確実に行
なう必要かあるだけでなく、よりコンパクトなフィルム
キャリア（２０）か要求される場合には不向であった。A general method for manufacturing a film carrier (20) having such a so-called thick film element (23) is to place the thick film element (23) at a predetermined position between conductor patterns (24) formed on an insulating layer (22). It is formed by printing the bases 1 to 1 which are to become, and then firing them, but in this method, the thick film element (23) is raised on the insulating layer (22) and then heated. Therefore, it is not suitable for cases where not only is it necessary to ensure protection against physical impact, but also a more compact film carrier (20) is required.
また、この方法にあっては、ペーストを焼成する際に基
材となる樹脂フィルム（２１）が溶融することがないよ
う、ペーストとして焼成温度の低い樹脂系のものしか用
いることができず、精度の高いサーミット系のもの（焼
成温度的７００°Ｃ）等を用いることかできなかった。In addition, in this method, in order to prevent the base resin film (21) from melting when firing the paste, only resin-based pastes with a low firing temperature can be used, and the precision It was not possible to use a thermite type material with high temperature (firing temperature: 700°C).
そこで、厚膜素子を絶縁層内に埋設することが考えられ
、これに関連する技術とし、例えば特公昭５６−１１２
０４号公報に示されたような製造方法か既に提案されて
いる。この公報に示された製造方法は、第５図に示すよ
うに、
「厚さ２ｍｍ以下のアルミニウム板（３１）の片側に熱
硬化性樹脂接着剤層（３２）を構成し、該接着剤層（３
２）に金属箔（３：ｌａ）をｔね加熱、加圧して一体化
した後、前記金属箔（３３ａ）を写真印刷或はスクリー
ン印刷−エツチングの常法で所定の金属箔抵抗回路（３
３）としてアルミニウム板（３１）を基体とする金属箔
抵抗回路板を得、該金属箔抵抗回路板の金属箔抵抗回路
（３３）のない側に緩衝性を有するクウション材（コ５
）を重ねこれを当板（３６）に挟み加熱、加圧して前記
金属箔抵抗回路（３３）を前記熱硬化性樹脂接着剤層（
３２）中に沈入せしめた後前記りウシ臼ン材（３５）を
除去する工程からなることを特徴とするアルミニウム板
（３１）を基体とする平面化金属箔抵抗回路板（３０）
の製造法」である。この製造方法は、回路素子（金属箔
抵抗回路（：ｌ：ｌ））を厚膜法によって形成するもの
ではないため、金属箔抵抗回路（：１３） （回路素子
）を熱硬化性樹脂接着剤層（３２） （絶縁層）内に埋
設することはできても、中層■等によって回路素子を形
成する場合のメリットが全く生かされていないものであ
る。それだけでなく、この従来の製造方法にあっては、
基材（コ１）の金属箔抵抗回路（コ３）とは反対側が最
終的に突出するため、完全に平板状のものとすることは
困難なものであった。換言すれば、フィルムキャリアは
、それ自体を薄型化できることや限られたエリアを有効
に利用できるというメリットを有する実装形態を実現で
きるものであるのに、回路素子を有するものとして上記
のようにした場合には、そのメリットが十分生かされな
くなるのである。その理由は、回路素子等が突出したも
のとなったのでは、全体の平滑性を確保しながら電子部
品の実装を行なえなくなるからである。Therefore, it has been considered to embed a thick film element in an insulating layer, and related technologies include, for example, Japanese Patent Publication No. 56-112
A manufacturing method as shown in Japanese Patent No. 04 has already been proposed. As shown in FIG. 5, the manufacturing method disclosed in this publication is as follows: "A thermosetting resin adhesive layer (32) is formed on one side of an aluminum plate (31) with a thickness of 2 mm or less, (3
After integrating the metal foil (3:la) with the metal foil (3:la) by heating and pressurizing it for a period of time, the metal foil (33a) is formed into a predetermined metal foil resistance circuit (3:la) by a conventional method of photo printing or screen printing/etching.
As 3), a metal foil resistance circuit board having an aluminum plate (31) as a base is obtained, and a cushioning material (co5) having cushioning properties is provided on the side of the metal foil resistance circuit board where the metal foil resistance circuit (33) is not provided.
) are stacked and sandwiched between the backing plates (36) and heated and pressurized to bond the metal foil resistance circuit (33) to the thermosetting resin adhesive layer (
32) A flattened metal foil resistance circuit board (30) having an aluminum plate (31) as a base, which comprises a step of removing the bovine mortar material (35) after being deposited therein.
"Manufacturing method". This manufacturing method does not form the circuit element (metal foil resistance circuit (:l:l)) by the thick film method, so the metal foil resistance circuit (:13) (circuit element) is bonded using thermosetting resin adhesive. Even if it is possible to embed it in the layer (32) (insulating layer), the advantages of forming a circuit element using the intermediate layer (2) or the like are not utilized at all. Not only that, but with this traditional manufacturing method,
Since the side of the base material (C1) opposite to the metal foil resistance circuit (C3) eventually protrudes, it was difficult to form a completely flat plate. In other words, a film carrier can realize a mounting form that has the advantages of being thinner and making effective use of a limited area; In some cases, the benefits may not be fully utilized. The reason for this is that if circuit elements or the like protrude, it becomes impossible to mount electronic components while ensuring overall smoothness.
そこで、本発明者は、厚膜による回路素子形成というメ
リットを十分生かしながら、厚膜素子が絶縁層内に埋設
されたフィルムキャリアを形成すべく鋭意研究した結果
４本発明を完成したのである。Therefore, the present inventor conducted intensive research to form a film carrier in which a thick film element is embedded in an insulating layer while fully taking advantage of the advantage of forming a circuit element using a thick film, and as a result, the present invention was completed.
（発明が解決しようとする課題）
本発明は以上のような経緯に基づいてなされたもので、
その解決しようとする課題は、厚膜素子を絶縁層内・に
埋設したフィルムキャリアの従来の製造方法における不
完全性である。(Problem to be solved by the invention) The present invention has been made based on the above circumstances.
The problem to be solved is the imperfection in the conventional manufacturing method of a film carrier in which thick film elements are embedded within an insulating layer.
そして、本発明の目的とするところは、厚膜素子が絶縁
層内に確実に埋設され、しかも厚ｒａ素子と導体パター
ンとめ接続信頼性が高い厚ｓｉ子に有するフィルムキャ
リアを確実に製造することのできる方法を簡単な構成に
よって提供することにある。It is an object of the present invention to reliably manufacture a film carrier in which a thick film element is reliably embedded in an insulating layer, and which has a thick Si element with high reliability of connection between the thick RA element and the conductor pattern. The purpose of this invention is to provide a method with a simple configuration.
（課題を解決するための手段及び作用）以上の！！Ｉ！
題を解決するために４本発明の採った手段は実施例に対
応する図面を参照して説明すると、
ｒ絶縁層（１２）内に埋設された厚膜素子（１３）と、
この厚膜素子（１３）と電気的に接続されて絶縁層（１
２）上に形成された導体パターン（１４）とを有するフ
ィルムキャリア（１０）を、次の各工程を経て製造する
方法。(Means and actions to solve the problem) Above! ! I!
The four measures taken by the present invention to solve the problem will be explained with reference to the drawings corresponding to the embodiments.
The insulating layer (1) is electrically connected to this thick film element (13).
2) A method of manufacturing a film carrier (10) having a conductive pattern (14) formed thereon through the following steps.
（イ）導体パターン（１４）となる金属箔（１４ａ）に
。(a) To the metal foil (14a) that becomes the conductor pattern (14).
厚膜素子（１コ）となるペーストを塗布する工程；
（ロ）塗布されたペーストを金属箔（１４ａ）とともに
焼成することにより、金属箔（Ｌ４ａ）上に厚膜素子（
１３）を形成する工程：
（ハ）金属箔（１４ａ）と絶縁層（１２）とを、厚膜素
子（１３）が間に入るように一体化して、厚膜素子（１
３）を絶縁！ （１２）内に埋設する工程；（ニ）金属
箔（１４ａ）を所定の導体パターン（１４）とする工程
。１
である。Step of applying the paste that will become the thick film element (1 piece); (b) By baking the applied paste together with the metal foil (14a), the thick film element (1 piece) is formed on the metal foil (L4a).
Step of forming 13): (c) The metal foil (14a) and the insulating layer (12) are integrated with the thick film element (13) between them to form the thick film element (13).
3) Insulate! (12) step of embedding; (d) step of forming the metal foil (14a) into a predetermined conductor pattern (14); It is 1.
この本発明の製造方法は、最終的に第１図及び第２図に
示したようなフィルムキャリア（１０）を製造するため
のものであり、タイプの異なるフィルムキャリア（１０
）を製造する場合に、それぞれ適用できるものである。This manufacturing method of the present invention is for finally manufacturing a film carrier (10) as shown in FIGS.
) can be applied to each case.
ここで、まず、本発明の製造方法によって形成されるべ
きフィルムキャリア（ｌＯ）について、その概略構成を
説明する。First, the schematic structure of the film carrier (IO) to be formed by the manufacturing method of the present invention will be described.
第１図に示したフィルムキャリア（１０）は、本発明に
係る製造方法によ一ワて形成され得る基本的構成を有し
ているもので、基材となる樹脂フィルム（１１）上の絶
縁層（１２）の表面側に厚膜素子（１３）を有していて
、これら各厚膜素子（１３）は絶縁層（Ｉ２）内に埋設
されているものである。そして、絶縁層（１２）上に形
成されている導体パターン（１４）の一部は厚膜素子（
１３）と完全に密着しており、その厚膜素子（１３）に
対する電気的接続が完全になづているものである。形成
する厚膜素子としては、一般的な抵抗の他、ＩＣ保護抵
抗、インピーダンス整合抵抗等がある。The film carrier (10) shown in FIG. 1 has a basic structure that can be formed by the manufacturing method according to the present invention, and has an insulating film on a resin film (11) serving as a base material. A thick film element (13) is provided on the surface side of the layer (12), and each of these thick film elements (13) is embedded in the insulating layer (I2). A part of the conductive pattern (14) formed on the insulating layer (12) is connected to the thick film element (
13), and the electrical connection to the thick film element (13) is completely followed. Thick film elements to be formed include, in addition to general resistors, IC protection resistors, impedance matching resistors, and the like.
また、第２図に示したフィルムキャリア（１０）は、導
体パターン（１４）のポンディングパッド下に厚膜素子
が形成されているものである。Further, the film carrier (10) shown in FIG. 2 has a thick film element formed under the bonding pad of the conductor pattern (14).
以上のようなフィルムキャリア（１０）を形成するには
、まず第３図（ａ）及び（ｂ）に示すように、（イ）導
体パターン（１４）となる金属箔（１４ａ）に、厚Ｗ！
！素子（１３）となるサーメット系或いは樹脂系等のペ
ーストを塗布する必要かある。そして、（ロ）この塗布
されたペーストを金属箔（１４ａ）とともに焼成するこ
とにより、金属ｆｆ１（１４ａ）上に厚膜素子（１３）
を形成するのである。In order to form the film carrier (10) as described above, first, as shown in FIGS. !
! It is necessary to apply a cermet-based or resin-based paste to form the element (13). (b) By firing this applied paste together with the metal foil (14a), a thick film element (13) is formed on the metal ff1 (14a).
It forms.
すなわち、本発明の重要なポイントは、抵抗やコンデン
サ等の厚膜素子（１３）となるべきペーストを金Ａ１箔
（１４ａ）に塗布しておき、これを焼成することにある
。このように、厚膜素子（１３）となるペーストを金属
箔Ｃ１４ａ）に塗布してから、これを金属箔（１４ａ）
とともに焼成することにより、例えば溶剤を含むペース
トであればペーストを構成している溶剤等を完全に消失
させ得るものであり、Ｎ、Ｍ素子（１３）としてその抵
抗値や容量の正確なものとして形成できるだけでなく、
完成された厚膜素子（Ｉ３）と金属箔（１４ａ）との密
着を強固なものとすることができるのである。換言すれ
ば、金属箔（１４ａ）は後の工程において導体パターン
（１４）に形成されるのであるが、特にこの（ロ）の工
程は、導体パターン（１４）と各厚膜素子（１３）との
電気的な接続信頼性を高めるために重要な工程なのであ
る。また、厚膜素子（１３）となるペーストを金属箔（
１４ａ）に塗布してから、これを金属箔（１４ａ）とと
もに焼成する、すなわちペーストが塗布された金属箔（
１４ａ）を樹脂フィルム（１１）に固着する前に焼成す
ることにより、厚膜素子（１３）となるペーストの焼結
温度が樹脂フィルム（１１）の溶融温度に何ら制限され
ず、焼結温度が高いサーメット系のペースト等の使用が
可能となるのである。That is, the important point of the present invention is to apply a paste that will become a thick film element (13) such as a resistor or capacitor to a gold A1 foil (14a), and then to bake this. In this way, after applying the paste that will become the thick film element (13) to the metal foil C14a), apply the paste to the metal foil (14a).
For example, in the case of a paste containing a solvent, the solvent constituting the paste can be completely eliminated by firing it with the N, M element (13), which has an accurate resistance value and capacitance. Not only can you form
This allows for strong adhesion between the completed thick film element (I3) and the metal foil (14a). In other words, the metal foil (14a) will be formed into a conductor pattern (14) in a later step, but in particular, this step (b) is a process in which the conductor pattern (14) and each thick film element (13) are formed into a conductor pattern (14). This is an important process for increasing the reliability of electrical connections. In addition, the paste that will become the thick film element (13) is coated with metal foil (
14a) and then firing it together with the metal foil (14a), i.e. the metal foil (14a) coated with the paste.
By firing 14a) before fixing it to the resin film (11), the sintering temperature of the paste that becomes the thick film element (13) is not limited to the melting temperature of the resin film (11), and the sintering temperature can be increased. This makes it possible to use expensive cermet-based pastes.
ここで使用する金属＠（１４ａ）は、箔単体として取扱
っても良いが１例えば陽極酸化処理したステンレス板上
に１％電解めっきを析出させ、このめっき皮膜を金属箔
（１４ａ）として、前記ステンレス板と一体的に取扱い
、（ハ）の工程後に前記ステンレス板からｇＮ離すると
いう手段を行なえば金属箔（］、４ａ）やその上に形成
される厚膜素子（１３）の取扱いが容易どなる。The metal @ (14a) used here may be handled as a single foil, but 1.For example, 1% electrolytic plating is deposited on an anodized stainless steel plate, and this plating film is used as the metal foil (14a). If the metal foil (4a) and the thick film element (13) formed thereon are handled integrally with the plate and separated by gN from the stainless steel plate after the step (c), the metal foil (4a) and the thick film element (13) formed thereon can be easily handled. .
次に、第３図（ｃ）に示すように、（ハ）金属箔（１４
ａ）と絶縁層（１２）とを、厚ｍ−ｘ子（１３）が間に
入るように一体化して、厚Ｗ１１素子（１３）を絶縁層
（１２）内に埋設するのである。この工程も、絶縁層（
１２）内に厚Ｓ素子（１３）を埋設するという本来の目
的を達成させるものであるから、本発明の重要なポイン
トである。この工程では、樹脂フィルム（ＩＩ）上の絶
縁層（１２）に対して導体パターン（１４）を熱圧着等
によって固着するものであり、絶縁層（Ｉ２）の表面が
金属箔（１４ａ）によって覆われた状態で行なわれるの
であるから、金属箔（１４ａ）またはこれを圧着する当
板または、ロールによって絶縁層（１２）の表面の完全
な平面化が図られる。また、熱圧着によって絶縁層（１
２）が少し流動するから、この流動によって絶縁層（１
２）は厚膜素子（ＩＪ）の周囲を完全に包囲するのであ
り、これにより各厚Ｓ素子（１コ）は絶＄［（１２）内
に完全に埋設されるのである。Next, as shown in FIG. 3(c), (c) metal foil (14
a) and the insulating layer (12) are integrated so that the thick m-x element (13) is interposed therebetween, and the thick W11 element (13) is embedded in the insulating layer (12). This process also requires an insulating layer (
This is an important point of the present invention because it achieves the original purpose of embedding the thick S element (13) in the 12). In this step, the conductor pattern (14) is fixed to the insulating layer (12) on the resin film (II) by thermocompression bonding or the like, and the surface of the insulating layer (I2) is covered with a metal foil (14a). Therefore, the surface of the insulating layer (12) can be completely flattened by the metal foil (14a) or a contact plate or roll that presses the metal foil (14a). In addition, an insulating layer (1
2) flows a little, so this flow causes the insulating layer (1
2) completely surrounds the thick film element (IJ), and as a result, each thick S element (1 piece) is completely buried within the thick film element (12).
その後、第３図（ｄ）に示すように、（ニ）金属箔（＋
４ａ）に対してエツチング等の常法を施すことにより、
この金属箔（１４ａ）を所定の導体パターン（１４）と
するのである、これに、より、各厚膜素子（１３）か絶
縁層（１２）内に埋設されており、かつ各厚膜素子（１
３）が導体パターン（１４）と完全に密着したフィルム
キャリア（ｌＯ）となるのである。After that, as shown in FIG. 3(d), (d) metal foil (+
By applying conventional methods such as etching to 4a),
This metal foil (14a) is used as a predetermined conductor pattern (14), so that each thick film element (13) is embedded in the insulating layer (12), and each thick film element (14) is embedded in the insulating layer (12). 1
3) becomes a film carrier (lO) that is in complete contact with the conductor pattern (14).
（実施例）
次に、本発明に係る製造方法の実施例を、第３図を参照
して詳細に説明する。(Example) Next, an example of the manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.
まず、金属箔（１４ａ）として、厚さ３５４ｍの銅箔を
用意し、これに金属酸化物を基剤とし溶剤や結合剤で厚
膜しやすいように混練したペーストをスクリーン印刷し
た。勿論、このペースト印刷は、金属箔（１４ａ）に形
成した規準孔に対する位置決めを行ないながら行なった
。金属酸化物としては、厚膜素子（１３）を抵抗体とす
る場合には酸化ルテニウムを採用し、厚膜素子（１３）
をコンデンサとする場合にはチタン酸バリウムを採用し
た。同一・のフィルムキャリア（１０）上に厚膜抵抗体
と厚膜コンデンサの両方を形成する場合には、両者のペ
ースト印刷を別々に行なワた。First, a copper foil with a thickness of 354 m was prepared as the metal foil (14a), and a paste made of a metal oxide as a base and kneaded with a solvent and a binder so as to be easily formed into a thick film was screen printed on the foil. Of course, this paste printing was performed while positioning with respect to the reference holes formed in the metal foil (14a). As the metal oxide, ruthenium oxide is used when the thick film element (13) is used as a resistor;
When used as a capacitor, barium titanate was used. If both a thick film resistor and a thick film capacitor are to be formed on the same film carrier (10), paste printing of both is performed separately.
以Ｅのようにペーストを厚膜した金属箔（１４ａ）を、
非酸化性雰囲気中で焼成して、Ｅ記ペーストを完全にメ
タライズ化した。これにより、裏面の所定位置に各厚膜
素子（１３）を有する金属箔（１４ａ）を得た。The metal foil (14a) coated with a thick paste as shown in E is
The E paste was completely metallized by firing in a non-oxidizing atmosphere. Thereby, a metal foil (14a) having each thick film element (13) at a predetermined position on the back surface was obtained.
各厚膜素子（１：ｌ）を有する金属箔（＋４ａ）を、熱
圧着プレス機または熱圧着ロールプレス機にかけて、樹
脂フィルム（１１）上のエポキシ樹脂絶縁層（１２）に
熱圧着した。勿論、この熱圧着は、各厚膜素子（１３）
が絶縁層（１２）と金属箔（１４ａ）間になるようにし
て行なった。なお、絶縁層（１２）の材料によっては高
周波圧着を行なった。 以上のように絶縁層（１２）と
−・体止された金属箔（＋４ａ）の表面に所定のエツチ
ングレジストを形成して、この金属箔（１４ａ）を常法
によるエツチングによって導体パターン（１４）とした
。The metal foil (+4a) having each thick film element (1:l) was thermocompression bonded to the epoxy resin insulating layer (12) on the resin film (11) using a thermocompression press or a thermocompression roll press. Of course, this thermocompression bonding is applied to each thick film element (13).
This was done in such a way that it was located between the insulating layer (12) and the metal foil (14a). Note that high frequency crimping was performed depending on the material of the insulating layer (12). A predetermined etching resist is formed on the surface of the metal foil (+4a) which is bonded to the insulating layer (12) as described above, and the conductor pattern (14) is formed by etching this metal foil (14a) by a conventional method. And so.
（発明の効果）
以上説明した通り１本発明にあっては、上記実施例にて
例示した如く、
ｒ絶縁層内に埋設された厚膜素子と、この厚膜素子と電
気的に接続されて前記絶縁層上に形成された導体パター
ンとを有するフィルムキャリアを、次の各工程を経て製
造する方法。(Effects of the Invention) As explained above, in the present invention, as exemplified in the above embodiment, a thick film element embedded in an r insulating layer, and an electrically connected to the thick film element are provided. A method of manufacturing a film carrier having a conductor pattern formed on the insulating layer through the following steps.
（イ）前記導体パターンとなる金属箔に、前記厚膜素子
となるペーストを塗布する工程：（ロ）塗布された前記
ペーストを前記金属箔とともに焼成することにより、前
記金属箔上に前記厚膜素子を形成する工程：
（ハ）前記金属箔と前記絶縁層とを、前記厚膜素子か間
に入るように一体化して、前記厚膜素子を前記絶縁層内
に埋設する工程；
（ニ）前記金属箔を所定の導体パターンとする工程。Ｊ
にその特徴かあり、これにより、厚膜素子が絶縁層内に
確実に埋設され、しかも厚膜素子と導体パターンとの接
続信頼性が高いフィルムキャリアを確実に製造すること
のできる方法を簡単な構成によって提供することができ
るのである。(b) Applying the paste that will become the thick film element to the metal foil that will become the conductor pattern: (b) By baking the applied paste together with the metal foil, the thick film will be formed on the metal foil. Step of forming an element: (c) A step of integrating the metal foil and the insulating layer so that the thick film element is interposed therebetween, and embedding the thick film element in the insulating layer; (d) A step of forming the metal foil into a predetermined conductor pattern. J has this feature, and it provides a simple method for reliably manufacturing a film carrier in which thick film elements are reliably embedded in an insulating layer, and the connection between the thick film elements and conductor patterns is highly reliable. It can be provided by a suitable configuration.
すなわち、本発明に係る製造方法によれば、各厚膜素子
が絶縁層内に完全に埋設されているとともに、これら各
厚膜素子と導体パターンとの電気的接続を完全にしたフ
ィルムキャリアを、現在ある一般的な装置を使用しても
確実に製造することができるのである。That is, according to the manufacturing method according to the present invention, a film carrier in which each thick film element is completely embedded in an insulating layer and in which each thick film element and a conductive pattern are electrically connected, It can be reliably manufactured using currently available general equipment.
また、本発明の製造方法によれば、厚！！素子となるべ
きペーストを予め金属箔上で焼成するため、フィルムの
溶融温度を考慮する必要かなく。Moreover, according to the manufacturing method of the present invention, the thickness! ! Since the paste that will become the element is baked on the metal foil in advance, there is no need to consider the melting temperature of the film.
厚膜素子としては樹脂系のものばかりでなく精度の高い
サーメット系のものも使用でき、各厚膜素子と導体パタ
ーンとの接続信頼性を高めることができるのである。勿
論、厚膜素子と導体パターン間に絶縁体を介在するよう
な加工を前景って施しておくことにより、電気的接続を
行なわない導体パターンを絶縁体りに形成することもで
きるのである。As the thick film elements, not only resin-based ones but also highly accurate cermet-based ones can be used, and the connection reliability between each thick film element and the conductor pattern can be improved. Of course, by performing processing to interpose an insulator between the thick film element and the conductor pattern, it is also possible to form the conductor pattern without electrical connection using the insulator.
さらに、本発明の製造方法によれば、絶縁層または基材
の反対側に各厚膜素子の逃げのための突出部分が形成さ
れないから、フィルムキャリアとして平板状のものとす
ることができる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, since no protruding portions for escape of each thick film element are formed on the opposite side of the insulating layer or the base material, a flat film carrier can be used.
第１図及び第２図のそれぞれは本発明に係る製造方法に
よって形成したフィルムキャリアを示す部分拡大断面図
、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る製造方法をその
工程順に示す部分断面図、第４図は従来のフィルムキャ
リアを示す部分拡大断面図、第５図（ａ）〜（ｄ）は従
来の製造方法をその工程順に示す部分断面図である。
符号の説明
１０・・・フィルムキャリア、１１・・・樹脂フィルム
、１２・・・絶縁層、１コ・・・厚膜素子、１４・・・
導体パターン。
１４ａ・・・金属箔、１５・・・デバイス孔、１６・・
・インナーリート、１７・・・電子部品。
以上1 and 2 are partially enlarged sectional views showing a film carrier formed by the manufacturing method according to the present invention, and FIGS. 3(a) to 3(d) show the manufacturing method according to the present invention in the order of steps. FIG. 4 is a partially enlarged sectional view showing a conventional film carrier, and FIGS. 5(a) to 5(d) are partial sectional views showing a conventional manufacturing method in the order of its steps. Explanation of symbols 10...Film carrier, 11...Resin film, 12...Insulating layer, 1...Thick film element, 14...
conductor pattern. 14a...Metal foil, 15...Device hole, 16...
・Inner REIT, 17...Electronic parts. that's all
Claims (1)
気的に接続されて前記絶縁層上に形成された導体パター
ンとを有するフィルムキャリアを、次の各工程を経て製
造する方法。 （イ）前記導体パターンとなる金属箔に、前記厚膜素子
となるベーストを塗布する工程； （ロ）塗布された前記ペーストを前記金属箔とともに焼
成することにより、前記金属箔上に前記厚膜素子を形成
する工程； （ハ）前記金属箔と前記絶縁層とを、前記厚膜素子が間
に入るように一体化して、前記厚膜素子を前記絶縁層内
に埋設する工程； （ニ）前記金属箔を所定の導体パターンとする工程。[Claims] A film carrier having a thick film element embedded in an insulating layer and a conductive pattern electrically connected to the thick film element and formed on the insulating layer is processed through the following steps. A method of manufacturing through. (b) Applying a base plate, which will become the thick film element, to the metal foil, which will become the conductor pattern; (B) By baking the applied paste together with the metal foil, the thick film will be formed on the metal foil. a step of forming an element; (c) a step of integrating the metal foil and the insulating layer with the thick film element interposed therebetween, and embedding the thick film element in the insulating layer; (d) A step of forming the metal foil into a predetermined conductor pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289724A JPH02135793A (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Manufacture of film carrier having thick film element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289724A JPH02135793A (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Manufacture of film carrier having thick film element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135793A true JPH02135793A (en) | 1990-05-24 |
Family
ID=17746933
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| JP63289724A Pending JPH02135793A (en) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | Manufacture of film carrier having thick film element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135793A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147228A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | Wiring board and its manufacturing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856387A (en) * | 1981-09-08 | 1983-04-04 | プレ−・エレクトロフアインニカニツシエ・ウエルケ・ヤコブ・プレ−・ナツハフオ−ゲル・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ− | Method of producing printed circuit board |
| JPS62265731A (en) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Nec Corp | Lead frame |
| JPS637693A (en) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | 新神戸電機株式会社 | Manufacture of printed circuit board with resistance circuit |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63289724A patent/JPH02135793A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856387A (en) * | 1981-09-08 | 1983-04-04 | プレ−・エレクトロフアインニカニツシエ・ウエルケ・ヤコブ・プレ−・ナツハフオ−ゲル・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ− | Method of producing printed circuit board |
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| JP2008147228A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | Wiring board and its manufacturing method |
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