JPH02135777U - - Google Patents

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JPH02135777U
JPH02135777U JP4545589U JP4545589U JPH02135777U JP H02135777 U JPH02135777 U JP H02135777U JP 4545589 U JP4545589 U JP 4545589U JP 4545589 U JP4545589 U JP 4545589U JP H02135777 U JPH02135777 U JP H02135777U
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JP
Japan
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ring
valve
valve body
ball screw
motor
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JP4545589U
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の真空バルブを有する気相成長
装置の例の、閉状態の縦断面図。第２図は同じも
のの開状態の縦断面図。第３図は閉弁動作に於け
るタイムチヤート。第４図は開弁動作に於けるタ
イムチヤート。第５図は本考案で使うクラツチの
特性を示す図でａは被動軸トルクＱ２と、被動軸
回転数／原動軸回転数の比を示すグラフ、ｂは被
動軸トルクＱ２、原動軸トルクＱ１の関係を示す
グラフ、ｃは制御電圧Ｖと臨界トルクＱｃの関係
を示すグラフ。第６図は従来例に係る真空バルブ
を示す縦断面図。第７図はＯリング近傍拡大断面
図。 １……石英リアクタ、２……冷却ジヤケツト、
３……高周波コイル、４……サセプタ、５……排
気用ＳＵＳチヤンバ、６……弁体、７……Ｏリン
グ、８……搬送及び予備室、９……ベローズ、１
０……駆動板、１１……ボールネジ、１２……ガ
イドシヤフト、１３……リニアベアリング、１４
……ラジアルベアリング、１５……モータ、１７
……回転昇降軸、１８……フオーク、１９……リ
ミツトスイツチ、２０……回転シール、２１……
ウエハ、２２……パウダークラツチ、２３……制
御器、２４……プーリ、２５……ベルト、２６…
…プーリ、２７，２８……Ｏリング、３０……試
料交換室、３１……弁座、３２……弁体環、３３
……環状溝、３５……固定板、３６……蓋板、３
７……無励磁電磁ブレーキ、３８……リミツトス
イツチ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 円筒形の弁体６と、弁体６の端面に穿たれた環
    状溝３３に嵌込まれたＯリング７と、円環状の弁
    座３１とを有し、弁体６のＯリング７を弁座３１
    に押しつけることによつて閉じ、弁体６のＯリン
    グ７を弁座３１から離すことによつて開く真空バ
    ルブであつて、弁体６を保持する昇降可能な駆動
    板１０と、駆動板１０を昇降させるため回転可能
    に設けたボールネジ１１と、モータ１５と、モー
    タ１５の回転力をボールネジ１１に伝達するため
    の動力伝達機構と、動力伝達機構の中に介装され
    一定トルクＱｃ以下で回転を伝えＱｃを越えると
    空滑りして回転を伝えないクラツチ２２と、ボー
    ルネジ１１に制動をかける無励磁電磁ブレーキ３
    ７とよりなり、閉弁動作時において、Ｏリング７
    が弁座３１に押しつけられＯリング７の応力が一
    定値Ｆｃに達しクラツチが空滑りを始めた後にモ
    ータを停止するようにした事を特徴とする真空バ
    ルブ。
JP4545589U 1989-04-18 1989-04-18 Pending JPH02135777U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003060973A1 (ja) * 2002-01-10 2005-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5190029A (ja) * 1975-02-04 1976-08-06

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JP4574987B2 (ja) * 2002-01-10 2010-11-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置

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