JPH02132840A - Manufacturing device - Google Patents

Manufacturing device

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JPH02132840A
JPH02132840A JP1027798A JP2779889A JPH02132840A JP H02132840 A JPH02132840 A JP H02132840A JP 1027798 A JP1027798 A JP 1027798A JP 2779889 A JP2779889 A JP 2779889A JP H02132840 A JPH02132840 A JP H02132840A
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wafer
tweezers
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coating
processing
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Mitsuru Ushijima
満 牛島
Masami Akumoto
飽本 正己
Osamu Hirakawa
修 平河
Yoshio Kimura
義雄 木村
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Multi-Process Working Machines And Systems (AREA)
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to selectively modify treating processes and to obtain a manufacturing device having a high throughput of treatment by a method wherein the process for materials to be treated having a plurality of treating processes arranged opposite to one another is selected in a desired order of process and the materials to be treated are transferred. CONSTITUTION:In a carrying-in/carrying-out mechanism 120, which selects a plurality of processes arranged opposite to one another and transfers wafers W, a tweezers 121 delivers wafers W previous to treatment to tweezers 112 and 113 of a transfer device 110 and an interface to receive wafers W subse quent to treatment is provided at the boundary between a passage 102 and the mechanism 120. The wafers W are subjected to treatment at treating stations 103 to 108 according to a prescribed order. The operation of this device 110 is controlled by a control system. Accordingly, by modifying a program of the control system, the treatments at the treating stations can be arbitrarily set. Thereby, the throughput of the treatments which can correspond to various processes can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、製造装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a manufacturing apparatus.

(従来の技術) IC等の半導体装置の製造には,シリコンのような半導
体単結晶のウエハーにトランジスタ等の素子を形成する
ために、多数の微細加工工程が含まれる。その中で、ウ
エハーの表面に所定のレジストパターンを形成するPE
P(photoe’ngraving pro−ces
s)は非常に重要な地位を占める。何故なら、PEPで
形成されるレジストパターンはエッチングマスク等とし
て使用され,現在の微細加工技術の基礎を提供するから
である。
(Prior Art) Manufacturing of semiconductor devices such as ICs includes a large number of microfabrication steps in order to form elements such as transistors on a semiconductor single crystal wafer such as silicon. Among them, PE is used to form a predetermined resist pattern on the surface of the wafer.
P (photoe'ngraving process
s) occupies a very important position. This is because the resist pattern formed with PEP is used as an etching mask and provides the basis of current microfabrication technology.

PEPにおけるレジストパターンの形成は、ウエハー表
面にフォトレジストを塗布して均一な膜厚のフォトレジ
スト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜の所定領
域を選択的に露光する工程と、該露光されたフォトレジ
スト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する工
程とからなる。このうち露光工程は、例えばステップ・
アンド・リピート・アライナー(ステッパーと称される
)等の露光装置を用いて行なわれる。他方、基板表面に
フォトレジスト膜を形成する工程は、例えば以下に説明
する装置を用いて行なわれる。
Formation of a resist pattern in PEP involves a step of applying photoresist to the wafer surface to form a photoresist film with a uniform thickness, a step of selectively exposing a predetermined region of the photoresist film, and a step of selectively exposing a predetermined area of the photoresist film to light. The photoresist film is developed to form a desired resist pattern. Among these, the exposure process is, for example, a step
This is performed using an exposure device such as an and repeat aligner (referred to as a stepper). On the other hand, the step of forming a photoresist film on the surface of the substrate is performed using, for example, the apparatus described below.

第7図は、トラック方式と呼ばれるフォトレジスト膜形
成装置での処理手順を示すフローチャートである。この
装置は図示のように、夫々予備加熱工程4、冷却工程5
,塗布工程6、加熱工程8を行なう処理ステーションを
有している。表面にフォトレジスト膜を形成すべき半導
体ウエハー1は、カセット状容器2に収納されてこの装
置に導入される。半導体ウエハー1は一枚づつカセット
2から取出され、ベルト搬送機構3により順次各処理ス
テーションに搬送され、所定の処理を施される。予備加
熱工程4において、ウエハー1は加熱により水分を除去
される。予備加熱されたウエハー1は、冷却工程5で冷
却された後、塗布工程6に送られる。塗布工程6では,
例えばスピンナーコーター(spinner coat
er)等の塗布装置により、ウエハー1の表面にフォト
レジストが均一に塗布される。フォトレジストを塗布さ
れたウエハー1は、ウォーキングビーム方式と称される
搬送機構7を具備した加熱工程8に送られる。この加熱
工程8で加熱されることにより,ウエハーに塗布された
フォトレジスト液は膜状に安定化される。
FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure in a photoresist film forming apparatus called a track method. As shown in the figure, this device has a preheating step 4 and a cooling step 5, respectively.
, a coating process 6 and a heating process 8. A semiconductor wafer 1 on which a photoresist film is to be formed is housed in a cassette-shaped container 2 and introduced into this apparatus. Semiconductor wafers 1 are taken out one by one from a cassette 2, and sequentially transported to each processing station by a belt transport mechanism 3, where they are subjected to predetermined processing. In the preheating step 4, the wafer 1 is heated to remove moisture. The preheated wafer 1 is cooled in a cooling step 5 and then sent to a coating step 6. In coating step 6,
For example, spinner coater
The photoresist is uniformly applied to the surface of the wafer 1 using a coating device such as er). The wafer 1 coated with photoresist is sent to a heating process 8 equipped with a transport mechanism 7 called a walking beam system. By heating in this heating step 8, the photoresist solution applied to the wafer is stabilized in the form of a film.

加熱工程8を終了し,表面に初期のフォトレジスト′g
IVf4が形成されたウエハー9は、ベルト搬送機構3
により,処理済みのウエハーを収納するためのカセット
10に収納される。
After completing the heating step 8, the initial photoresist is deposited on the surface.
The wafer 9 on which IVf4 is formed is transferred to the belt conveyance mechanism 3
The wafers are then stored in a cassette 10 for storing processed wafers.

(発明が解決しようとする課題) 上記のように,従来の装置においては夫々の独立した処
理ステーションが直列に配置され,処理されるべき半導
体ウエハーはこれらのステーションを所定の順序で、か
つ一方通行で必ず通り、必要の有無に関係なく処理を受
けなければならないようになっている。このため、一旦
設定された処理順序を任意に変更することはできず,ま
た或る処理ステーションだけを選択的に通過させること
も不可能であった。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional apparatus, independent processing stations are arranged in series, and semiconductor wafers to be processed move through these stations in a predetermined order and through one-way traffic. As always, the process must be processed regardless of whether it is necessary or not. For this reason, it has been impossible to arbitrarily change the processing order once set, and it has also been impossible to selectively pass through only a certain processing station.

これに対し、半導体ウエハー1に半導体素子を形成する
に必要な処理工程はその順序をも含めて,ウエハー1に
形成されるICの種類によって変る。
On the other hand, the processing steps required to form semiconductor elements on the semiconductor wafer 1, including their order, vary depending on the type of IC to be formed on the wafer 1.

にもかかわらず、上記従来のフォトレジスト膜形成装置
では、或る処理工程が不要な半導体ウエハーについても
総ての処理工程を実施せざるを得ないため,スループッ
トを向上する妨げとなっている。
Nevertheless, in the conventional photoresist film forming apparatus described above, all processing steps must be performed even on semiconductor wafers that do not require certain processing steps, which is an obstacle to improving throughput.

従って、処理すべき半導体ウエハー1の種類に応じ、装
置に設けられた処理ステーションのうち、どの処理ステ
ーションをどの順序で使用するかを任意に変更できる装
置が望まれる。
Therefore, it is desired to have an apparatus that can arbitrarily change which processing stations are used in which order among the processing stations provided in the apparatus, depending on the type of semiconductor wafer 1 to be processed.

本発明は,上述の従来事情に対処してなされたもので、
処理工程を必要に応じ選択的に変更が可能で処理のスル
ープットが高い製造装置を提供しようとするものである
The present invention has been made in response to the above-mentioned conventional circumstances, and
The present invention aims to provide a manufacturing apparatus that can selectively change processing steps as necessary and has a high processing throughput.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(4aMを解決するための手段) すなわち本発明は、複数の処理工程を対向配置し,これ
ら対向配置された工程間被処理体を所望する工程順に上
記工程を選択して搬送することを可能にしたことを特徴
とする。
(Means for Solving 4aM) That is, the present invention makes it possible to arrange a plurality of processing steps facing each other and to select and transport the objects to be processed between the steps arranged facing each other in the desired order of steps. It is characterized by what it did.

(作 用) 本発明製造装置では、対向配置された複数の工程間を選
択して被処理体を搬送できるようにした製造装置により
、被処理体の種類に応じた褒造工程を選択し得る。
(Function) In the manufacturing apparatus of the present invention, the manufacturing apparatus is capable of transporting objects to be processed by selecting between a plurality of processes arranged facing each other, so that it is possible to select a reward process according to the type of object to be processed. .

(実施例) 以下、本発明製造装置を塗布T!A像装置に適用した一
実施例を図面を参照して説明する。
(Example) Hereinafter, the manufacturing device of the present invention will be applied to the coating T! An embodiment applied to an A-image device will be described with reference to the drawings.

第1図は,フォトレジスト膜の塗布現伶装置100を示
す平面図であり、図中、101は本体基台である。 こ
の基台101の中央部には、矢印Y方向(横方向)に延
設された通路102が設けられている。 この通路10
2の一方の側には、未処理の半導体ウエハーを加熱して
水分等を除去するためのHMDS処理を伴うか,又は単
に加熱する予備加熱ステーション103、予備加熱され
たウエハーを冷却するための冷却ステーション104、
 例えばフォトレジスト液を塗布した後のウエハーを加
熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するために用い
る垂直方向にそれぞれ2枚の加熱装置を有する第1及び
第2の加熱ステーション105, 106が設けられて
いる。また,通路102の他方の側には,予備加熱およ
び冷却を終了したウエハーの表面に、例えばフォトレジ
スト液を塗布するために用いる第1および第2の塗布ス
テーション107, 108が設けられている。なお、
図では冷却ステーション104、および予備加熱ステー
ション103、第1,第2の加熱ステーション105,
 106が平面的に配置されているように記載されてい
るが、これは便宜上のもので,実際には冷却ステーショ
ン104の上に予備加熱ステーション103の加熱装置
が上下に2枚設けられた積層構造となっている。
FIG. 1 is a plan view showing a photoresist film coating apparatus 100, and in the figure, 101 is a main body base. A passage 102 extending in the direction of arrow Y (lateral direction) is provided in the center of the base 101. This passage 10
On one side of 2, there is a preheating station 103 for heating an unprocessed semiconductor wafer to remove moisture etc. with HMDS treatment or simply heating it, and a cooling station 103 for cooling the preheated wafer. station 104,
For example, first and second heating stations 105 and 106 each having two heating devices in the vertical direction are provided for heating the wafer after applying a photoresist solution and forming a dry photoresist film. ing. Further, on the other side of the passageway 102, first and second coating stations 107 and 108 are provided, which are used to apply, for example, a photoresist solution to the surface of a wafer that has been preheated and cooled. In addition,
In the figure, a cooling station 104, a preheating station 103, a first heating station 105, a second heating station 105,
106 are described as being arranged in a plane, but this is for convenience; in reality, it is a laminated structure in which two heating devices for the preheating station 103 are provided above and below the cooling station 104. It becomes.

通路102には、この通路102内を例えばボールスク
リュー等の図示しない駆動機構によってY方向に移動す
るハンドリング手段例えばウエハー搬送装置110が設
けられている。この搬送装置110はキャリッジ111
を有し、このキャリッジ111にはバキュームピンセッ
ト例えばウェハーWを吸着保持するための2つのピンセ
ット112, 113が上下に重畳されて取付けられて
いる。ピンセット112, 113は夫々独立にX方向
(縦方向)、Y方向(横方向)に移動可能で、重畳され
たピンセット112, 113は同時にZ方向(垂直方
向)に平行移動が可能で、また0方向に回動することが
できる。ビンセット112, 1.13のこのような平
行移動および回動を可能とするため、 キャリッジ11
1にはステッピングモータ及びこれに連結されたボール
スクリュー等の図示しない駆動機構が設けられている。
The passage 102 is provided with a handling means such as a wafer transfer device 110 that moves in the Y direction within the passage 102 by a drive mechanism (not shown) such as a ball screw. This transport device 110 is a carriage 111
Vacuum tweezers, for example, two tweezers 112 and 113 for suctioning and holding a wafer W, are attached to the carriage 111 in a vertically overlapping manner. The tweezers 112 and 113 can be moved independently in the X direction (vertical direction) and the Y direction (horizontal direction), and the superimposed tweezers 112 and 113 can be moved in parallel in the Z direction (vertical direction) at the same time. It can be rotated in any direction. To enable such parallel movement and rotation of the bin sets 112, 1.13, the carriage 11
1 is provided with a driving mechanism (not shown) such as a stepping motor and a ball screw connected thereto.

ピンセット112, 113は、一方のピンセットでウ
エハーを保持して処理ステーションに搬送し、この処理
ステ一ションに処理済ウエハーがあった時、他のピンセ
ットで処理済ウエハーをピックアップし、上記ウエハー
をセットする。 この搬送装[110はウエハーWを前
述の各処理ステーション103〜108に搬送するため
に用いられる。
The tweezers 112 and 113 hold a wafer with one of the tweezers and transport it to a processing station, and when there is a processed wafer at this processing station, the other tweezers pick up the processed wafer and set the wafer. do. This transport device [110] is used to transport the wafer W to each of the aforementioned processing stations 103-108.

基台101の左側には、ウエハー搬入搬出機構120が
設けられている。 この搬入搬出機構120には、処理
前の半導体ウエハーW.を収容したウエハーカセット1
22及び処理後のウエハーWFを収容するウエハーカセ
ット123が設けられている。 また,搬入搬出機構1
20はウエハーWの裏面を吸着保持するためのピンセッ
ト121 を具備している。このピンセット121は、
 前記のピンセット112, 113と同様の構成によ
りX,Y方向に平行移動が可能になっている。 このピ
ンセット121は、処理前のウエハーW8をカセット1
22から取出し、また処理済みのウエWFをウエハーカ
セット123に収納する。
A wafer loading/unloading mechanism 120 is provided on the left side of the base 101. This loading/unloading mechanism 120 includes semiconductor wafers W before processing. Wafer cassette 1 containing
22 and a wafer cassette 123 that accommodates the processed wafer WF. In addition, the loading/unloading mechanism 1
Reference numeral 20 includes tweezers 121 for holding the back surface of the wafer W by suction. This tweezers 121 is
A configuration similar to that of the tweezers 112 and 113 described above allows for parallel movement in the X and Y directions. This tweezers 121 holds the unprocessed wafer W8 in the cassette 1.
The processed wafer WF is taken out from the wafer cassette 22 and stored in the wafer cassette 123.

搬入搬出機構120のピンセット121は,処理前のウ
エハーWBを搬送装置110のピンセット112, 1
13に渡し, また処理後のウエハーWFをピンセット
112, 113から受け取る。この受渡しを可能とす
るインターフェースが、通路102と搬入搬出機構12
0との境界に設けられている。
The tweezers 121 of the loading/unloading mechanism 120 transfer the unprocessed wafer WB to the tweezers 112, 1 of the transfer device 110.
The processed wafer WF is transferred to the tweezers 112 and 113, and the processed wafer WF is received from the tweezers 112 and 113. The interface that enables this delivery is the passage 102 and the loading/unloading mechanism 12.
It is provided on the border with 0.

また、搬送装置110のピンセット112, 113は
、各処理ステーション103〜108との間でウエハー
Wの受渡しを行なう。これによって、ウエハーWは所定
の順序に従い、各処理ステーション103〜108での
処理を受ける。そして、搬送装置110の動作は、全て
図示しない制御システムによって制御されるようになっ
ている。従って、制御システムのプログラムを変更する
ことによって、処理ステーション103〜10Bにおけ
る処理を任意に設定することができる。即ち、処理ステ
ーション103〜108における処理の幾つかのみを行
なうことも、処理の順序を変更することも可能である。
Further, the tweezers 112 and 113 of the transfer device 110 transfer the wafer W to and from each of the processing stations 103 to 108. Thereby, the wafer W is processed at each of the processing stations 103 to 108 in accordance with a predetermined order. All operations of the transport device 110 are controlled by a control system (not shown). Therefore, by changing the program of the control system, the processing in the processing stations 103 to 10B can be arbitrarily set. That is, it is possible to perform only some of the processes in the processing stations 103-108, or to change the order of the processes.

第2図および第3図A〜第3図Cに、上記ピンセット1
12, 113, 121を詳細に記載している。 こ
れらの図において、21はピンセット本体である。
In Fig. 2 and Fig. 3A to Fig. 3C, the above tweezers 1 are shown.
12, 113, and 121 are described in detail. In these figures, 21 is the tweezers body.

この本体21には3つの支点22, 23. 24が突
設され、半導体ウエハーWはこれら支点によって三点支
持される。この三点支持は、ピンセット21表面のゴミ
の付着を防止する効果がある。これら支点22〜24の
内24には、その頂面に開口した真空吸着のための吸引
口が設けられている。また、ウエハーWのアラインメン
トのために、ウエハーWの周縁に対応した円弧状のガイ
ド部材25と、ストッパ部材26とが設けられている。
This main body 21 has three fulcrums 22, 23. 24 are provided protrudingly, and the semiconductor wafer W is supported at three points by these supporting points. This three-point support has the effect of preventing dust from adhering to the surface of the tweezers 21. Of these fulcrums 22 to 24, 24 is provided with a suction port opened at its top surface for vacuum suction. Further, for alignment of the wafer W, an arc-shaped guide member 25 corresponding to the periphery of the wafer W and a stopper member 26 are provided.

半導体ウエハーWは,まず第3図Aに示す状態でピンセ
ット上に載置される。この状態では、ウエハーWはアラ
インメントされておらず、真空吸着もされていない。つ
いで、第3図Bに示すように、ピンセットをストッパ部
材26に向けて水平に移動させ、ウエハーWのオリエン
テーションフラットWaがストッパ部材26に当接させ
る。その後,更に水平移動を続けることにより、半導体
ウエハーWはピンセットの支点22〜24上をスライド
し、最終的にはガイド部材25に当接して停止する。従
って、もし第3図Aの状態でウエハーWの位置がビンセ
ットの中央部からズレていたとしても、ガイド部材25
に案内されることによって、ピンセット中央の所定位置
にアラインメントすることができる。
The semiconductor wafer W is first placed on tweezers in the state shown in FIG. 3A. In this state, the wafer W is not aligned and is not vacuum-adsorbed. Next, as shown in FIG. 3B, the tweezers are moved horizontally toward the stopper member 26, so that the orientation flat Wa of the wafer W is brought into contact with the stopper member 26. Thereafter, by further continuing the horizontal movement, the semiconductor wafer W slides on the fulcrums 22 to 24 of the tweezers, and finally comes into contact with the guide member 25 and stops. Therefore, even if the position of the wafer W deviates from the center of the bin set in the state shown in FIG. 3A, the guide member 25
By being guided by the tweezers, alignment can be achieved at a predetermined position in the center of the tweezers.

第4図は、通路102とウエハー搬入搬出機構120と
の境界に設けられたインターフェース機構30を示して
いる。このインターフェース機構30はピンセット12
1 とピンセット112, 113との間で受渡しされ
る半導体ウエハーWを一時待機させる機能を有し,真空
吸着機構により半導体ウエハーWを保持する保持部材3
1と、この保持部材を昇降させるための駆動装置(例え
ばエアシリンダ)32とからなっている。搬入搬出機構
120のピンセット121が図示の位置に半導体ウエハ
ーWを搬送してくると.保持部材32が上昇し、図示の
ように半導体ウエハーWを持上げて保持する。次に、レ
ジスト塗布現像装置100側のウエハー搬送装置110
が、図示のインターフェース機構30の位置に移動する
。そして,保持部材3lが下降することにより、保持部
材31に保持されている半導体ウエハーWはピンセット
112又は113に載置される。ピンセット112, 
113からピンセット121への半導体ウエハーWの受
渡しも、上記と同様にして行なわれる。
FIG. 4 shows an interface mechanism 30 provided at the boundary between the passageway 102 and the wafer loading/unloading mechanism 120. This interface mechanism 30 is connected to the tweezers 12
1 and the tweezers 112, 113, the holding member 3 has a function of temporarily waiting for the semiconductor wafer W to be transferred between the holding member 3 and the tweezers 112 and 113, and holds the semiconductor wafer W by a vacuum suction mechanism.
1, and a drive device (for example, an air cylinder) 32 for raising and lowering this holding member. When the tweezers 121 of the loading/unloading mechanism 120 transports the semiconductor wafer W to the position shown in the figure. The holding member 32 rises and lifts and holds the semiconductor wafer W as shown in the figure. Next, the wafer transport device 110 on the resist coating and developing device 100 side
is moved to the position of the interface mechanism 30 shown. Then, by lowering the holding member 3l, the semiconductor wafer W held by the holding member 31 is placed on the tweezers 112 or 113. tweezers 112,
The semiconductor wafer W is transferred from the tweezers 113 to the tweezers 121 in the same manner as described above.

次に、上記実施例の装置100によって,半導体ウエハ
ーWの表面にフォトレジスト膜を形成する工程を順を追
って説明する。この工程は、既述の制御システムの予め
記憶されたプログラムに基づいて実施される。
Next, the process of forming a photoresist film on the surface of the semiconductor wafer W using the apparatus 100 of the above embodiment will be explained step by step. This step is performed based on a pre-stored program of the control system described above.

先ず,搬入搬出機構120のピンセット121によりカ
セット122からウエハーWを1枚取出し、インターフ
ェース機構30の位置まで搬送する。搬送されてきた半
導体ウエハーWは、インターフェース機構30を介して
,通路102の左端に待機している搬送装[110の一
方のピンセット、例えばピンセット112に渡され,吸
着保持される。なお、1つのカセット122に同一種の
半導体ウエハーのみが収納されている場合には、 カセ
ット122にIDコードを表示し、このIDを読取って
製造工程プログラムを選択するようにしてもよい。
First, one wafer W is taken out from the cassette 122 using the tweezers 121 of the loading/unloading mechanism 120 and transported to the position of the interface mechanism 30 . The transported semiconductor wafer W is passed through the interface mechanism 30 to one of the tweezers, for example, tweezers 112 of the transport device [110], which is waiting at the left end of the passageway 102, and is held by suction. Incidentally, when only semiconductor wafers of the same type are stored in one cassette 122, an ID code may be displayed on the cassette 122, and the manufacturing process program may be selected by reading this ID.

以下、予備加熱ステーション103、冷却ステーション
104、第1の塗布ステーション107、第1の加熱ス
テーション105での処理がこの順序で選択された場合
について説明する。
Hereinafter, a case will be described in which the processes at the preheating station 103, the cooling station 104, the first coating station 107, and the first heating station 105 are selected in this order.

まず,ウエハーWを受取ったピンセット112を予備加
熱ステーション103に向かって移動させ,ウエハーW
を予備加熱ステーション103にセットして予備加熱す
る。予備加熱は、ヒータプレートにより構成し、ウエハ
ーWをヒータプレート上に載置する。この時、ウエハー
Wはプレート上に直接接触させず三点支持により0.3
+n+n程度浮かせるとゴミ対策が良好である。この間
にピンセット121を移動させて2番目のウエハーWを
カセット122から取出し, 前記インターフェース機
構30に待機させておく。最初のウエハーを予備加がス
テーション103に搬入し終った後、搬送装置110は
インターフェース機構30から2番目のウエハーWをビ
ンセット112で受取り、ピンセット112上に吸着保
持する。そして、予備加熱ステーション103での最初
のウエハーの処理が終了するまでそのまま待機する。
First, the tweezers 112 that received the wafer W are moved toward the preheating station 103, and the tweezers 112 that have received the wafer W are moved toward the preheating station 103,
is set in the preheating station 103 and preheated. Preheating is performed using a heater plate, and the wafer W is placed on the heater plate. At this time, the wafer W is not brought into direct contact with the plate, but is supported at three points to provide a 0.3
If it is floated by about +n+n, it is effective against dust. During this time, the tweezers 121 are moved to take out the second wafer W from the cassette 122, and the second wafer W is left on standby in the interface mechanism 30. After the first wafer has been carried into the preloading station 103, the transfer device 110 receives the second wafer W from the interface mechanism 30 using the bin set 112, and holds it on the tweezers 112 by suction. Then, the device waits until the processing of the first wafer at the preheating station 103 is completed.

最初のウエハーWの予備加熱処理が終了したとき、搬送
装[110は次の動作を行なう。即ち、まずウエハーを
保持していないビンセット113を移動させることによ
り、予備加熱処理が終了した最初のウエハーを予備加熱
ステーション103から取出す。こうして予偉加熱ステ
ーション103を空にした後、2番目のウエハーを保持
しているピンセット112を動作させ、 2番目のウエ
ハーを予備加熱ステーション103にセットする。 次
いで、ピンセット112, 113をY方向,θ方向,
Z方向に移動し、冷却ステーション104位置に移動し
、 基板を保持したピンセット113をX方向に動作し
、この最初のウエハーを冷却ステーション104にセッ
トする。この動作から、2つのピンセット112, 1
13を設けた利点が理解される。即ち,ピンセットが1
つしかない場合には、搬送装置110はまず最初のウエ
ハーを予備加熱ステーション103から取出し、これを
冷却ステーション104にセットし、その後にインター
フェース機構30から2番目のウエハーを受け取ってこ
れを予備加熱ステーション103にセットする動作を行
なわなければならないからである。なお、上記の動作が
行なわれている間に,搬入搬出機構120では、ピンセ
ット121により次に処理する3番目のウエハーを前記
インターフェース機構30に待機させておく。
When the preliminary heating treatment of the first wafer W is completed, the transport device [110] performs the following operation. That is, by first moving the bin set 113 that does not hold any wafers, the first wafer that has undergone preheating processing is taken out from the preheating station 103. After the preheating station 103 is thus emptied, the tweezers 112 holding the second wafer are operated to set the second wafer in the preheating station 103. Next, the tweezers 112 and 113 are moved in the Y direction, the θ direction, and
It moves in the Z direction to the cooling station 104 position, moves the tweezers 113 holding the substrate in the X direction, and sets this first wafer in the cooling station 104. From this operation, two tweezers 112, 1
The advantage of providing 13 is understood. That is, the tweezers are 1
If only one wafer is available, the transfer device 110 first removes the first wafer from the preheating station 103 and sets it in the cooling station 104, and then receives the second wafer from the interface mechanism 30 and places it in the preheating station. This is because the operation of setting the value to 103 must be performed. While the above operation is being performed, the loading/unloading mechanism 120 uses the tweezers 121 to hold the third wafer to be processed next in the interface mechanism 30.

次に、搬送装置110はインターフェース機構30から
3番目のウエハーをピンセット112に保持する。そし
て,冷却ステーション104での処理が終了するまで待
機させる。最初のウエハーの冷却工程が終了したとき、
搬送装51110はウエハーを保持していない方のピン
セット113で冷却ステーション104内のウエハーを
取出し、次にプログラムされたフォトレジストの塗布工
程のための第1の塗布ステーション107にセットする
。 この塗布処理の間に予備加熱ステーション103に
おける2番目のウエハーの処理が終了したら、搬送装置
110はウエハーを保持していない方のピンセット11
3によってこのウエハーを予備加熱ステーション103
から取出す。そして、ピンセット112に保持している
3番目のウエハーを予備加熱ステーション103にセッ
トすると同時に、ピンセット113に保持している2番
目のウエハーを冷却ステーション104にセットする。
Next, the transfer device 110 holds the third wafer from the interface mechanism 30 in the tweezers 112 . Then, it is kept on standby until the processing at the cooling station 104 is completed. When the first wafer cooling process is finished,
The transport device 51110 takes out the wafer from the cooling station 104 using the tweezers 113 that do not hold the wafer, and then sets it in the first coating station 107 for the programmed photoresist coating process. When the second wafer has been processed at the preheating station 103 during this coating process, the transfer device 110 transfers the tweezers 11 that are not holding the wafer to the second wafer.
3, the wafer is heated to a preheating station 103.
Take it out. Then, the third wafer held in the tweezers 112 is set in the preheating station 103, and at the same time, the second wafer held in the tweezers 113 is set in the cooling station 104.

 この動作は、既述した通りのと同じである。This operation is the same as described above.

なお、もし最初のウエハーの冷却工程が終了する前に,
2番目のウエハーの予備加熱処理が終了する場合には、
次のような動作を行なうようにプログラムすることも可
能である。即ち,まず3番目の未処理のウエハーをピン
セット112に保持した状態で、 ピンセット113に
より2番目のウエハーを予備加熱ステーション103か
ら取出す。続いてピンセット112に保持されている3
番目のウエハーを予備加熱ステーション103にセット
した後,待機する。そして、冷却ステーション104に
おける最初のウエハーの冷却工程が終了した後、この最
初のウエハーをピンセット112又は113で取出し、
第1の塗布ステーション107にセットする。この塗布
は、例えばレジスト液を滴下スピンコーティング装置に
より実行する. 第1の塗布ステーション107において最初のウエハー
に対するフォトレジストの塗布処理が終了したとき、搬
送装置110はビンセット113によりこのウエハーを
第1の塗布ステーション107から取出す。続いてY方
向に沿って右側に移動し,取出した最初のウエハーを第
1の加熱ステーション105にセットして加熱処理を行
なう。 この加熱処理を行なっている間に冷却ステーシ
ョン104内での2番目のウエハーの冷却処理が終了し
たら、搬送装ニ110はこのウエハーをピンセット11
3にて取出し、 更に第1の塗布ステーション107に
セットしてフォトレジストの塗布を開始する。
In addition, if the cooling process of the first wafer is completed,
When the preheating process for the second wafer is completed,
It is also possible to program the following operations. That is, first, while the third unprocessed wafer is held in the tweezers 112, the second wafer is taken out from the preheating station 103 using the tweezers 113. 3 held by the tweezers 112
After setting the second wafer in the preheating station 103, the process waits. After the cooling process of the first wafer in the cooling station 104 is completed, this first wafer is taken out with tweezers 112 or 113,
Set in the first coating station 107. This coating is performed, for example, by using a dripping spin coating device for resist solution. When the photoresist coating process for the first wafer is completed at the first coating station 107, the transport device 110 takes out the wafer from the first coating station 107 using the bin set 113. Subsequently, it moves to the right along the Y direction, sets the first wafer taken out in the first heating station 105, and heats it. When the cooling process of the second wafer in the cooling station 104 is completed during this heating process, the transfer device 110 transfers this wafer to the tweezers 11.
3, the photoresist is taken out, and further set in the first coating station 107 to start coating the photoresist.

第1の加熱ステーション105において最初のウエハー
の処理が終了し、所望のフォトレジスト膜が形成された
ら、搬送装置110はこの最初のウエハーをピンセット
113にて取出す。続いて、搬送装[110はY方向左
側に移動し,ピンセット113に保持したウエハーを前
記のインターフェース機構30に渡す。インターフェー
ス機構30での待機中,直接載置部に接触させず、わず
かに浮かせて載置することがゴミ対策上有効である。ま
た、待機機構はキャリアカセットにより構成するとさら
に有利である。こうして処理済みの半導体ウエハーWF
がインターフェース機構30に待機されると、搬入搬出
機構120のピンセット121がこのウエハーを受取り
、カセット123に収納する.以上述べた一連の処理動
作は、 カセット122内の未処理のウエハーW.がな
くなるまで続けられる。
When the first wafer is processed at the first heating station 105 and a desired photoresist film is formed, the transport device 110 takes out the first wafer using tweezers 113. Subsequently, the transport device [110 moves to the left in the Y direction and transfers the wafer held by the tweezers 113 to the interface mechanism 30. While waiting in the interface mechanism 30, it is effective to prevent dust by not directly contacting the placement part, but by placing it slightly floating. Furthermore, it is more advantageous if the standby mechanism is constituted by a carrier cassette. Semiconductor wafer WF processed in this way
When the wafer is placed on standby by the interface mechanism 30, the tweezers 121 of the loading/unloading mechanism 120 receives the wafer and stores it in a cassette 123. The series of processing operations described above are performed on the unprocessed wafers W in the cassette 122. It can continue until it runs out.

なお,上記の動作説明では第1の塗布ステーション10
7と第1の加熱ステーション105とを用いたが,これ
らの代りに、第2の塗布ステーション108及び第2の
加熱ステーション106を使用してもよい。また、フォ
トレジストの塗布工程および/または加熱工程が他の工
程に較べて時間がかかる場合には,2つの塗布ステーシ
ョン107, 108および/または2つの加熱ステー
ション105, 106を同時に使用することも可能で
ある。
In addition, in the above operation description, the first coating station 10
7 and the first heating station 105, the second coating station 108 and the second heating station 106 may be used instead. In addition, if the photoresist coating process and/or heating process takes more time than other processes, it is also possible to use the two coating stations 107, 108 and/or the two heating stations 105, 106 at the same time. It is.

ところで、上記のフォトレジスト膜形成工程を実施する
際、プログラムされたプロセスが適切なものであるか否
かを確認するために,1枚のウェハーについて試しに処
理を行なってみるのが普通である.この場合,試しの処
理が終了したテストウエハーWTを、検査のためにカセ
ット121から取出す必要がある.この取出しを容易に
するため、第5図に示すように、 カセット123の基
部に引出し可能なレシーバ40を設けるのが好ましい。
By the way, when carrying out the above-mentioned photoresist film forming process, it is common to perform a trial process on one wafer in order to confirm whether the programmed process is appropriate. .. In this case, it is necessary to take out the test wafer WT for which the trial processing has been completed from the cassette 121 for inspection. To facilitate this removal, it is preferable to provide a removable receiver 40 at the base of the cassette 123, as shown in FIG.

このレシーバ40の一端には取手41を設け、内部には
ウエハー載置台42を設けておく。試しの処理を終了し
たテストウエハーWTは、ビンセット121によって開
口部43から挿入され、載置台42に載せられる。
A handle 41 is provided at one end of this receiver 40, and a wafer mounting table 42 is provided inside. The test wafer WT that has undergone trial processing is inserted through the opening 43 by the bin set 121 and placed on the mounting table 42 .

従って, このテストウエハーW丁はレシーバ40を図
示のように引出すことによって容易に取出すことができ
る。
Therefore, the test wafers W can be easily taken out by pulling out the receiver 40 as shown.

なお、上記の動作説明では第1の塗布ステーション10
7と第1の加熱ステーション105とを用いたが、これ
らの代りに、第2の塗布ステーション108及び第2の
加熱ステーション106を使用してもよい。また、フォ
トレジストの塗布工程および/または加熱工程が他の工
程に較べて時間がかかる場合には、2つの塗布ステーシ
ョン107, 108および/または2つの加熱ステー
ション105, 106を同時に使用することも可能で
ある。
Note that in the above operation description, the first coating station 10
7 and the first heating station 105, the second application station 108 and the second heating station 106 may be used instead. It is also possible to use the two coating stations 107, 108 and/or the two heating stations 105, 106 at the same time if the photoresist coating process and/or heating process takes more time than other processes. It is.

以上の動作説明から明らかなように、上記実施例の装置
によれば、半導体ウェハーの表面にフォトレジスト膜を
形成するために必要な複数の工程を、その順序をも含め
た任意に組合せて最良の工程をプログラムすることがで
きる。従って,処理すべき半導体ウエハーの種類に応じ
て最も効率のよい組合せプロセスを選択し、最大のスル
ープットを得ることができる。
As is clear from the above description of the operation, the apparatus of the above embodiment can perform optimal combinations of multiple steps necessary for forming a photoresist film on the surface of a semiconductor wafer, including their order. The process can be programmed. Therefore, the most efficient combination process can be selected depending on the type of semiconductor wafer to be processed, and the maximum throughput can be obtained.

また,搬送装置110が2つのビンセット112,11
3を有し、夫々独立の動作をすることがら、処理の自由
度が高い。例えば、次工程のステーションにウエハーが
存在しているとその工程のウェハーの入替えができない
といった不都合がない6なβ.m送機構110のピンセ
ットは必ずしも2つである必要はなく、3つ以上であっ
てもよい。
Further, the conveying device 110 has two bin sets 112 and 11.
3, each of which operates independently, providing a high degree of freedom in processing. For example, if there is a wafer in the next process station, there is no inconvenience such as not being able to replace the wafer in that process. The m-feeding mechanism 110 does not necessarily need to have two tweezers, and may have three or more.

更に、各処理ステーションを通路102に沿ってその両
側に配設しているため、搬送装置110の動作プログラ
ムを変更する際の自由度が極めて高い。
Furthermore, since the processing stations are arranged along the path 102 on both sides thereof, there is an extremely high degree of freedom in changing the operating program of the transport device 110.

従って、処理プログラムの変更が容易である。また、予
備加熱ステーション103と冷却ステーション104と
を上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積
も節減される。
Therefore, it is easy to change the processing program. Furthermore, since the preheating station 103 and the cooling station 104 are stacked one above the other, the floor space required for installation can be reduced.

上記の実施例の装置は,所定のパターンで露光されたフ
ォトレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する
装置としても使用することができる。その場合,塗布ス
テーション107, 108に現像液を塗布する装置も
設けられている。現住装置は、例えば変速回転中のウエ
ハー上に現像液をジェット状に噴出させて現像する構成
である。
The apparatus of the above embodiment can also be used as an apparatus for developing a photoresist film exposed in a predetermined pattern to form a resist pattern. In that case, the coating stations 107 and 108 are also provided with a device for applying a developer. The developing device is configured to develop the wafer by ejecting a developer in the form of a jet onto the wafer, which is being rotated at variable speeds, for example.

また、2つの塗布ステーション107, 108の何れ
か一方をフォトレジストの塗布に用い、他方を現像液の
塗布に用いることにより、フォトレジスト膜の形成およ
び現像の両方を行なう装置として使用することができる
。その際、通路102の右端にも第4図のようなインタ
ーフェース機構30を設け、露光装置との間でウエハー
の受渡しを行なえるようにすることにより、レジスト塗
布から現像までを一貫した連続プロセスとして実施する
ことができる。
Further, by using one of the two coating stations 107 and 108 for coating photoresist and using the other for coating developer, it is possible to use the device as an apparatus for both forming and developing a photoresist film. . At this time, an interface mechanism 30 as shown in FIG. 4 is provided at the right end of the passageway 102 so that the wafer can be transferred to and from the exposure device, thereby making the process from resist coating to development a consistent and continuous process. It can be implemented.

なお、処理ユニットを複数連設したい場合には、通路1
02の延長線上に次の通路が形成されるように構成し、
この接続部にウエハーの待機機構、例えばキャリアステ
ーションを設けると良い。
In addition, if you want to install multiple processing units in a row, please use the passage 1
The next passage is formed on the extension line of 02,
It is preferable to provide a wafer standby mechanism, such as a carrier station, at this connection portion.

例えば第6図に示すように,カセット122, 123
内のウエハーWを搬出、或いはカセット122, 12
3内へ搬入するアーム120aを有する搬入搬出機#l
’η120と、 インターフェース機構3oでウェハー
Wの受渡しを行なう搬送装[110aを有する第1の処
理系150により上述したような動作で各処理を行なう
。例えば,この第1の処理系150に、HMDS (ヘ
キサメチルジシラザン)処理ステーション151、第1
の加熱ステーション152、第1の冷却ステーション1
53,第IM目のレジストを回転塗布する第1の塗布ス
テーションl54,第2層目のレジストを回転塗布する
第2の塗布ステーション155を設け、これら各ステー
ションに選択的にウエハーを搬送して処理を行なう。更
に、複数の処理ステーション例えば第2の加熱ステーシ
ョン156、第2の冷却ステーション157、露光工程
時の光乱反射を防止するためにレジスト上面にCEL膜
等の表面被覆層を塗布形成する第3の塗布ステーション
158等が夫々対向配置され、 且つ、これら各ステー
ションにウエハーを搬送する搬送装置110bを備えた
第2の処理系159を設け、 この第2の処理系159
及び第1の処理系150の間に待機機構160を配置さ
せる。 この待機機構160には,ウエハーW1枚を載
置できる載置台161を設け、上記インターフェース機
構30におけるウエハーWの受渡しと同様に、上記載置
台161を利用して、第1の処理系150の搬送装置1
10aと第2の処理系159の搬送装置110bとの開
で、ウエハーWの受渡しを行なう.この待機機構160
の構成は,載置台161を設けずにバッファ一用カセッ
ト(図示せず)を設け、このカセットにより複数枚のウ
エハーWを待機できる構造としてもよい。このバッファ
一用カセットにより、搬送機構110a及び搬送機構1
10bの作業量の差があっても,一方の搬送機構が待機
する時間を少なくすることが可能となる。
For example, as shown in FIG.
Take out the wafer W in the cassette 122, 12
Loading/unloading machine #l having an arm 120a for loading into 3
The first processing system 150, which has a transport device 110a that transfers the wafer W through the interface mechanism 3o, performs each process in the manner described above. For example, this first processing system 150 includes a HMDS (hexamethyldisilazane) processing station 151 and a first
heating station 152, first cooling station 1
53. A first coating station 154 for spin-coating the IMth resist and a second coating station 155 for spin-coating the second layer of resist are provided, and wafers are selectively transferred to these stations for processing. Do this. Further, a plurality of processing stations, such as a second heating station 156, a second cooling station 157, and a third coating layer are used to coat and form a surface coating layer such as a CEL film on the top surface of the resist in order to prevent diffuse reflection of light during the exposure process. A second processing system 159 is provided in which stations 158 and the like are arranged facing each other and a transport device 110b that transports wafers to each of these stations.
A standby mechanism 160 is arranged between the first processing system 150 and the first processing system 150 . This standby mechanism 160 is provided with a mounting table 161 on which one wafer W can be placed, and similarly to the delivery of the wafer W in the interface mechanism 30, the above-mentioned mounting table 161 is used to transport the first processing system 150. Device 1
The wafer W is transferred between the transfer device 10a and the transfer device 110b of the second processing system 159. This standby mechanism 160
The configuration may be such that a buffer cassette (not shown) is provided without providing the mounting table 161, and a plurality of wafers W can be placed on standby using this cassette. With this buffer cassette, the transport mechanism 110a and the transport mechanism 1
Even if there is a difference in the amount of work 10b, it is possible to reduce the waiting time for one of the transport mechanisms.

このように,待機機9160を介して搬送機構を2系統
とすることにより、処理ステーションの増加に容易に対
応できると共に、高スループット処理が可能となる。
In this way, by providing two transport mechanisms via the standby machine 9160, it is possible to easily accommodate an increase in the number of processing stations and to achieve high throughput processing.

上記搬送機構は2系統に限定するものではなく,2系統
以上としてもよく,待機機構の増設に伴なって増加させ
ることができる。
The number of the transfer mechanisms is not limited to two systems, but may be two or more systems, and the number can be increased as the number of standby mechanisms is increased.

上記実施例では、製造装置としてレジストの塗布現像処
理に適用した例について説明したが、これに限定するも
のではなく,例えばエッチング処理, CVD処理,ア
ッシング処理等でも同様な効果が得られる。
In the above embodiment, an example was described in which the manufacturing apparatus is applied to a resist coating and developing process, but the present invention is not limited to this, and similar effects can be obtained by, for example, etching process, CVD process, ashing process, etc.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、各種プロセスに対
応できるとともに、処理のスループットを高くすること
ができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to cope with various processes and to increase processing throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するための塗布現
像装置の構成図、第2図及び第3図は第1図のビンセッ
ト説明図、第4図は第1図装置のインターフェース機構
説明図、第5図は第1図のカセット説明図、第6図は本
発明装置の他の実施例説明図、第7図は従来の塗布装置
構成図である.110・・・搬装装1i1    11
2,113・・・ピンセット120・・・搬入搬出機構
 160・・・待機機構特許出願人 東京エレクトロン
株式会社テル九州株式会社 第 図 第 図
FIG. 1 is a configuration diagram of a coating and developing device for explaining one embodiment of the device of the present invention, FIGS. 2 and 3 are explanatory diagrams of the bin set in FIG. 1, and FIG. 4 is an interface of the device in FIG. 1. FIG. 5 is an explanatory diagram of the cassette of FIG. 1, FIG. 6 is an explanatory diagram of another embodiment of the apparatus of the present invention, and FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional coating apparatus. 110...Transportation equipment 1i1 11
2,113... Tweezers 120... Loading/unloading mechanism 160... Standby mechanism Patent applicant Tokyo Electron Co., Ltd. Tel Kyushu Co., Ltd. Figure Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数の処理工程を対向配置し、これら対向配置された工
程間被処理体を所望する工程順に上記工程を選択して搬
送することを可能にしたことを特徴とする製造装置。
A manufacturing apparatus characterized in that a plurality of processing steps are arranged facing each other, and the objects to be processed between the steps arranged facing each other can be selected and transported in a desired order of steps.
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