JP2926703B2 - Substrate processing method and apparatus - Google Patents

Substrate processing method and apparatus

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JP2926703B2
JP2926703B2 JP7302222A JP30222295A JP2926703B2 JP 2926703 B2 JP2926703 B2 JP 2926703B2 JP 7302222 A JP7302222 A JP 7302222A JP 30222295 A JP30222295 A JP 30222295A JP 2926703 B2 JP2926703 B2 JP 2926703B2
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wafer
processed
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正己 飽本
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義雄 木村
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】開示技術は、半導体製造装置等の
処理システムの技術分野に属する。
The disclosed technology belongs to the technical field of processing systems such as semiconductor manufacturing equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】当業者に周知の如く、IC等の半導体装
置の製造には、シリコンのような半導体単結晶のウエハ
ー(以下、単にウエハーと略称)にトランジスタ等の素
子を形成するために、多数の微細加工工程が含まれる
が、その中で、当該ウエハーの表面に所定のレジストパ
ターンを形成するPEP(photoengraving process)工
程は加工工程において極めて重要な地位を占めている。
2. Description of the Related Art As is well known to those skilled in the art, in the manufacture of semiconductor devices such as ICs, in order to form elements such as transistors on a semiconductor single crystal wafer such as silicon (hereinafter simply referred to as a wafer). A number of fine processing steps are included, and among them, a PEP (photoengraving process) step of forming a predetermined resist pattern on the surface of the wafer occupies a very important position in the processing step.

【0003】蓋し、該PEP工程で形成されるレジスト
パターンはエッチングマスク等として使用され、現今の
微細加工技術の基礎を成すものであるからである。
The reason is that the resist pattern formed in the PEP process is used as an etching mask or the like and forms the basis of the current fine processing technology.

【0004】而して、該PEP工程におけるレジストパ
ターンの形成は、例えば、特開昭52−27367号公
報発明に示されている如く、ウエハーの表面にフォトレ
ジスト液を薄膜状に塗布して均一な膜厚のフォトレジス
ト膜を形成する工程と、その後該フォトレジスト膜の所
定領域を選択的に露光する工程と、これに続いて露光さ
れたフォトレジスト膜を現像して所望のレジストパター
ンを形成する工程とから成るものである。
[0004] The formation of a resist pattern in the PEP process is performed by applying a photoresist solution to the surface of a wafer in the form of a thin film as described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-27367. Forming a photoresist film having a large thickness, thereafter selectively exposing a predetermined area of the photoresist film, and subsequently developing the exposed photoresist film to form a desired resist pattern And a step of performing

【0005】このうち露光工程は、例えば、ステップ・
アンド・リピード・アライナー(通常ステッパーと称さ
れる)等の露光装置を用いて行われ、他方、ウエハーの
表面にフォトレジスト膜を形成する工程は、例えば、以
下に説明する装置を用いて行われ、これらは前段の徃工
程と後段の復工程等シリーズ式に行われている。
[0005] Of these, the exposure step is, for example, a step
The step of forming a photoresist film on the surface of a wafer is performed using, for example, an apparatus described below, using an exposure apparatus such as an and repeated aligner (usually called a stepper). These are performed in a series, such as the former stage and the latter stage.

【0006】即ち、図9のフローチャートは、かかるシ
リーズ式の一般にトラック方式と称されるフォトレジス
ト膜形成工程での処理システムの態様を示しており、該
フォトレジスト膜形成工程は図示する様に、前段から後
段にかけてそれぞれ予備加熱工程4、冷却工程5、塗布
工程6、加熱工程8の処理工程をシリーズ的に行う複数
の処理ステーションを有している。
That is, the flowchart of FIG. 9 shows an embodiment of a processing system in a photoresist film forming step generally called a track system of the series type, and the photoresist film forming step is, as shown in FIG. From the first stage to the second stage, there are a plurality of processing stations for performing the preheating step 4, the cooling step 5, the coating step 6, and the heating step 8 in series.

【0007】而して、表面にフォトレジスト膜を形成す
るウエハー1は、カセット2に収納され、一枚ずつ取り
出されてフォトレジスト膜形成工程装置に導入され、ベ
ルト保持搬送機構3により順次各処理ステーションに搬
送され、所定の処理を施されるようにされている。
The wafers 1 having a photoresist film formed on the surface thereof are housed in a cassette 2, taken out one by one, introduced into a photoresist film forming process apparatus, and sequentially processed by a belt holding / transporting mechanism 3. It is transported to the station, which is to be subjected to predetermined respective processes.

【0008】予備加熱工程4に於いて、ウエハー1は加
熱により水分を除去され、予備加熱された該ウエハー1
は、次段の冷却工程5で冷却された後、塗布工程6に送
られ、該塗布工程6では、例えば、スピンナーコーター
(spinner coater)等の塗布装置により、その表面に所
定のフォトレジスト液が設定薄膜厚層に均一に塗布され
る。
[0008] In a preheating step 4, the wafer 1 is heated to remove moisture, and the preheated wafer 1 is heated.
Is cooled in a cooling step 5 in the next stage, and then sent to a coating step 6. In the coating step 6, a predetermined photoresist liquid is applied to the surface by a coating device such as a spinner coater. Uniformly applied to the set thin film thickness layer.

【0009】次に、フォトレジスト液を塗布されたウエ
ハー1は、ウォーキングビーム方式の搬送機構7を介し
て加熱工程8に送られて加熱処理されることにより、該
ウエハー1に塗布されたフォトレジスト液は膜状に安定
化処理される。
Next, the wafer 1 coated with the photoresist solution is sent to a heating step 8 via a walking beam type transfer mechanism 7 and subjected to a heating process, so that the photoresist 1 coated on the wafer 1 is heated. The liquid is stabilized in a film form.

【0010】そして、該加熱工程8での加熱処理を終了
し、表面に所定のフォトレジスト膜が形成されたウエハ
ー9は、ベルト保持搬送機構3により、処理済みのウエ
ハー収納用のカセット10に収納される。
Then, the heating process in the heating step 8 is completed, and the wafer 9 having a predetermined photoresist film formed on its surface is stored in the processed wafer storage cassette 10 by the belt holding and transporting mechanism 3. Is done.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】而して、上述の如く、
従来のフォトレジスト膜形成システムにあってはそれぞ
れの処理工程のステーションがシリーズ式に配置され、
処理されるべきウエハー1はこれらの各ステーションを
所定の順序で、且つ、前送り方式の一方通行態様で必ず
通り、設計による本来的な処理の必要性の有無に関係な
く、当該処理を受けなければならないようにされてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION As described above,
In the conventional photoresist film forming system, the stations of each processing step are arranged in series,
The wafer 1 to be processed must pass through each of these stations in a predetermined order and in a one-way mode of a forward feed method, regardless of whether or not the original processing is required by the design. It has to be.

【0012】したがって、予め一旦設定された処理順序
を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ステーシ
ョンだけを選択的に通過させることも不可能である欠点
があった。
Therefore, there is a disadvantage that the processing order once set in advance cannot be arbitrarily changed, and it is impossible to selectively pass only a certain processing station.

【0013】ところで、ウエハー1に半導体素子を形成
するに必要な処理工程はその順序をも含めて、該ウエハ
ー1に形成されるICの機能,目的等の種類によってそ
れぞれ異なるものである。
By the way, the processing steps necessary for forming semiconductor elements on the wafer 1, including the order thereof, differ depending on the type of the function, purpose and the like of the IC formed on the wafer 1.

【0014】それにもかかわらず、従来のフォトレジス
ト膜形成装置では、ある処理工程が不要なウエハーにつ
いても総ての処理工程を経ざるを得ないため、所謂スル
ープット処理工程を組み入れる妨げとなっている難点が
あった。
Nevertheless, in the conventional photoresist film forming apparatus, all processing steps have to be performed even for a wafer that does not require a certain processing step, which hinders the incorporation of a so-called throughput processing step. There were difficulties.

【0015】又、ウエハー1はカセット2から所定の処
理工程に搬送するに、前送り方式の紐ベルトコンベヤ等
のベルト保持搬送機構3により当該処理部に搬送される
ため、搬送中に不可避的にズレ等を生じてパーティクル
等の製品精度に重大な影響を与え、塵埃付着が発生する
虞があった。
Further, when the wafer 1 is transported from the cassette 2 to a predetermined processing step, the wafer 1 is transported to the processing section by a belt holding / transporting mechanism 3 such as a string belt conveyor of a forward feed type. There is a possibility that a displacement or the like occurs, which seriously affects the accuracy of products such as particles, and that dust adheres.

【0016】その場合、一対のベルトに各相対速度差を
生じさせてウエハーのアライメント調整等を行おうとす
ると、該パーティクルがより生じ易いという欠点があ
る。
In this case, there is a disadvantage that the particles are more likely to be generated when an attempt is made to adjust the alignment of the wafer by causing a difference in relative speed between the pair of belts.

【0017】したがって、処理すべきウエハーの種類に
応じ、フォトレジスト膜形成装置に設けられた複段の処
理ステーションのうち、所望の処理ステーションを単一
のステーションのみの場合を含めてどの順序で使用する
かを任意に独立的に変更出来るフォトレジスト膜形成装
置等の基板処理装置の現出が強く望まれている。
Therefore, according to the type of the wafer to be processed, a desired processing station is used in any order among the multi-stage processing stations provided in the photoresist film forming apparatus, including the case where only a single station is used. There is a strong demand for the appearance of a substrate processing apparatus such as a photoresist film forming apparatus capable of arbitrarily and independently changing the process.

【0018】而して、上述のような問題点は単に半導体
ウエハーのみに在るものではなく、該半導体ウエハーに
均等な被処理基板にも在るものである。
Thus, the above-mentioned problems are not only present in the semiconductor wafer alone, but also in the substrate to be processed which is equivalent to the semiconductor wafer.

【0019】そして、被処理基板の収納カセットから所
定の処理工程のステーションに該被処理基板を取り出し
て転移するに、例えば、アメリカ特許第4,775,2
81号明細書に示されている様な保持搬送機構として前
後方向、及び、上下方向に変位することが出来るピンセ
ットを有するシステムも開発されているが、かかるシス
テム技術においては2方向の変位の自由度しかなく、被
処理基板の所定の処理工程のステーションにセンタリン
グし、アライメントを調整して最適姿勢,最適状で、
しかも、最短距離で搬出入することが出来ないという不
具合があった。
In order to take out the substrate to be processed from a storage cassette for storing the substrate to a station of a predetermined processing step and transfer it, for example, US Pat.
A system having tweezers that can be displaced in the front-rear direction and in the up-down direction has been developed as a holding / transporting mechanism as shown in the specification of Japanese Patent No. 81, but in such system technology, free movement in two directions is possible. degrees only without centering the station of predetermined processing steps of the substrate, the optimum posture adjusting the alignment, in the optimal state,
In addition, there is a problem that it is not possible to carry in and out in the shortest distance.

【0020】[0020]

【発明の目的】この出願の発明の目的は上述従来技術に
基づくウエハー等の被処理基板の所定の複数の処理工程
への搬出入の問題点を解決すべき技術的課題とし、搬入
されるウエハーの被処理基板に対する複数処理工程を必
要に応じ選択的に変更可能で各処理のスループット性等
が高く出来るようにして各種機械装置製造産業における
加工技術利用分野に益する優れた基板処理方法及び装置
を提供せんとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the invention of this application is to solve the problem of loading and unloading a substrate such as a wafer into a plurality of predetermined processing steps based on the above-mentioned prior art. An excellent substrate processing method and apparatus which can selectively change a plurality of processing steps for a substrate to be processed as necessary and can improve throughput of each processing, thereby benefiting a processing technology application field in various machine equipment manufacturing industries. Is to be provided.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上述目的に沿い、先述特
許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成は、前
述課題を解決するために、カセットに収納された処理前
の被処理基板を1つ取り出す工程と、該工程により取り
出された該被処理基板を一時保持する工程と、該工程に
より保持されている被処理基板をキャリッジに支持され
た第一の保持搬送機構が受け取り、予め定められた所定
の処理工程に搬送する工程と、当該工程にて処理済みし
た被処理基板を前記キャリッジに支持された第二の保持
搬送機構で取り出した後、上記第一の保持搬送機能によ
り保持している他の被処理基板を当該工程に搬入する工
程と、該搬入する工程の後、取り出した上記第二の保持
搬送機構が保持する処理済みの被処理基板を予め定めら
れた処理プログラムを終了した処理済みの処理基板を上
記第一又は第二の保持搬送機構により搬出し処理済み用
のカセットに収納する工程とを有するようにしたことを
第一の基幹とし、更に、被処理基板を収納するカセット
と、複数の処理手段と、前記カセットに収納させた処理
前の被処理基板を1つ取り出す手段と、該手段により取
り出された被処理基板を一時保持するインターフェース
機構とキャリッジに支持され、それぞれ、ピンセットを
具備する第一の保持搬送機構及び第二の保持搬送機構を
備えた搬送手段とを有し該搬送手段は、上記インターフ
ェース機構に保持されている被処理基板をピンセットを
介して該第一の保持搬送機構が受け取り、あらかじめ定
められた所定の処理手段に搬送し、該処理手段にて、処
理済みした被処理基板をピンセットを介して上記第二の
保持搬送機構が当該処理手段より取り出し、次いで第一
の保持搬送機構により保持している他の被処理基板を該
処理手段に搬入し、該搬入の後、取り出した上記第二の
保持搬送機構が保持する処理済みの被処理基板をあらか
じめ定められた次ぎの処理手段に搬送し、これらの処理
手段による予め定められた処理プログラムを終了した処
理基板を上記第一又は第二の保持搬送機構により搬出し
処理済み用のカセットに収納することを第二の基幹と
し、而して、上記各ピンセットに3点支持用の支点が設
けられているようにし、又、上記各支点の先端に微小吸
引口のバキューム孔が穿設されているようにもした技術
的手段を講じたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the structure of the invention according to the present invention, which is based on the above-mentioned claims, is to solve the above-mentioned problems. And a step of temporarily holding the substrate to be processed taken out by the step, and a first holding / transporting mechanism supported by a carriage to receive the substrate to be processed held by the step, and A step of transporting the substrate to a predetermined processing step, and taking out the substrate to be processed in the step by a second holding and transporting mechanism supported by the carriage, and holding the substrate by the first holding and transporting function A step of loading another substrate to be processed into the process, and after the step of loading, processing the processed substrate held by the second holding and transporting mechanism taken out by a predetermined processing program. And the step of storing the processed substrate that has been completed in the cassette for unloading and processing by the first or second holding / transporting mechanism is performed as a first core. , A plurality of processing means, a means for removing one unprocessed substrate stored in the cassette, an interface mechanism for temporarily holding the processed substrate taken out by the means, and a support for the carriage. And a transport unit having a first holding and transporting mechanism having tweezers and a transporting unit having a second holding and transporting mechanism, respectively. The transporting unit transports the substrate to be processed held by the interface mechanism via tweezers. The first holding and transporting mechanism receives and transports the substrate to be processed to a predetermined processing means, which has been processed by the processing means. The second holding / transporting mechanism takes out from the processing means via the processing means, then loads another substrate to be processed held by the first holding / transporting mechanism into the processing means, and after the loading, removes the second substrate. The processed substrate held by the second holding / transporting mechanism is transported to the next predetermined processing means, and the processing substrate which has completed the predetermined processing program by these processing means is subjected to the first or second processing. The second backing is to store in a cassette for carrying out processing by the holding / transporting mechanism, so that each of the tweezers is provided with a fulcrum for three-point support. In this case, a technical means is adopted in which a vacuum hole of a minute suction port is formed at the front end of the vacuum pump.

【0022】[0022]

【作用】この間、上述構成において、転移機構、及び、
各保持搬送機構にあっては被処理基板のセンタリングや
アライメントが行われて該保持搬送機構にて被処理基板
のウエハーが次段の処理工程に最適姿勢でセットされる
ようにされ、而して、該搬送経路に於けるキャリッジに
支持されたピンセットを有する第一と第二の保持搬送機
構は所定の移動機構により該搬送経路の両側に設けら
れ、且つ、熱的に分離されている複段の処理工程の上下
積層等されているステーションに相互独立的に所定に搬
入され、最適姿勢にて当該ステーションに於いて、加熱
処理等の所定の同一処理が成され、設計によっては複数
種の異なる処理がスループットを含めてなされ、次い
で、該搬送経路の各保持搬送機構より所定のプログラム
に従い、次段の処理工程のステーションに転移され、そ
の間、保持搬送機構においては上記所定数複数のピンセ
ットの支持装置が負圧式等の3つの支点を有して3点支
持により被処理基板に傷や歪が生ぜず、又、微細な塵埃
等が付着しないようにし、又、上記カセットからの被処
理基板を保持搬送機構のピンセットに対してバトンタッ
チするように搬出入機構部に上述同様の変位機能を有す
る他のピンセットが設けられて該バトンタッチがスムー
ズに行われるようにし、更には、当該搬送経路の延長搬
送経路が付設されたり、更に、増設された複段の処理ユ
ニットの系においては所望の処理がバッファ機能を有す
るインターフェース機構等によってスムーズにシリーズ
的に、或いは、パラレル的に、又、両者が組合わされ所
望にプログラムに従ってスループット的に成されるよう
にされ、当該複段の処理工程のステーションに対し相互
独立的に、又、相互排反的に、且つ、選択的に処理が設
計通りに成されるようにしたものである。
In the meantime, in the above configuration, the transfer mechanism and
In each holding and transport mechanism, centering and alignment of the substrate to be processed are performed, and the wafer of the substrate to be processed is set by the holding and transport mechanism in an optimal posture in the next processing step. A first and a second holding and transporting mechanism having tweezers supported by a carriage in the transporting path are provided on both sides of the transporting path by a predetermined moving mechanism, and are thermally separated; Are carried into predetermined stations independently of each other in the upper and lower layers of the processing step, and the same predetermined processing such as heat treatment is performed in the station in an optimum posture. The processing is performed including the throughput, and then transferred to a station of the next processing step according to a predetermined program from each holding / transporting mechanism of the transporting path. In addition, the support device for the predetermined number of tweezers has three fulcrums such as a negative pressure type, so that the three-point support does not cause scratches or distortion on the substrate to be processed, and also prevents fine dust and the like from adhering. Further, another tweezers having the same displacement function as described above is provided in the loading / unloading mechanism so that the substrate to be processed from the cassette is baton-touched to the tweezers of the holding / transporting mechanism, so that the baton touching is performed smoothly. Further, an extended transport path of the transport path is provided, and further, in an added multi-stage processing unit system, desired processing is smoothly performed in series by an interface mechanism having a buffer function, or The processing is performed in parallel or in combination with each other so as to achieve the desired throughput according to a program. Mutually independently to emissions, also mutually disjoint manner, and, in which selectively processing is to be made to the design.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、この出願の発明の実施しよ
うとする形態を実施例の態様において被処理基板として
のウエハーに対するフォトレジスト膜塗布現像装置を有
する処理系について図1〜図8を参照して説明すれば以
下の通りである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a processing system having a photoresist film coating and developing apparatus for a wafer as a substrate to be processed will be described with reference to FIGS. The following is a description with reference to FIG.

【0024】図1に示す実施例は、フォトレジスト膜塗
布現像装置100の態様を示すものであり、中央一側寄
り(図中上部)には本体基台101が設けられており、
該本体基台101の中央部には、矢印Y方向(横方向)
に被処理基板としてのウエハーWの搬送経路の通路10
2が延設されており、その一方の側には、未処理の該ウ
エハーWを加熱して水分等を除去するためのHMDS
(ヘキサメチルジシラザン)処理を伴うか、又は、単に
加熱する予備加熱ステーション103、そして、これに
併設して予備加熱されたウエハーWを冷却するための冷
却ステーション104、更に、例えば、フォトレジスト
液を塗布した後の該ウエハーWを加熱し、乾燥したフォ
トレジスト膜を形成するために用いる垂直方向にそれぞ
れ2枚の図示しない加熱装置を有する第一、及び、第二
の加熱ステーション105,106が相隣って側方に通
路102に沿って設けられている。
The embodiment shown in FIG. 1 shows an embodiment of a photoresist film coating and developing apparatus 100. A main body base 101 is provided near one side of the center (upper part in the figure).
At the center of the main body base 101, an arrow Y direction (lateral direction)
Of the transfer path of the wafer W as the substrate to be processed
HMDS for heating the unprocessed wafer W to remove moisture and the like on one side.
(Hexamethyldisilazane) A preheating station 103 which involves or simply heats a process, and a cooling station 104 for cooling a preheated wafer W provided in parallel with the preheating station 103, and further, for example, a photoresist solution The first and second heating stations 105 and 106 each having two heating devices (not shown) in the vertical direction used for forming the dried photoresist film by heating the wafer W after applying the Adjacent to the side and along the passage 102.

【0025】又、通路102の他側には、予備加熱、及
び、冷却処理を終了したウエハーWの表面に、例えば、
フォトレジスト液を塗布するために用いる第一、及び、
第二の塗布ステーション107,108が互いに相隣っ
て通路102に沿って設けられている。
On the other side of the passage 102, for example, the surface of the wafer W which has been subjected to the preheating and cooling processes is
The first used to apply the photoresist liquid, and
Second application stations 107 and 108 are provided along the passage 102 adjacent to each other.

【0026】尚、当該図1では、予備加熱ステーション
103、及び、冷却ステーション104、第一,第二の
加熱ステーション105,106が図示の都合上、平面
的に配置されているように記載されているが、これは便
宜上のもので、実際には冷却ステーション104の上に
予備加熱ステーション103の加熱装置が上下に2段設
けられた積層構造とされている。
In FIG. 1, the preheating station 103, the cooling station 104, and the first and second heating stations 105 and 106 are illustrated as being arranged in a plane for convenience of illustration. However, this is for the sake of convenience. In practice, the heating device of the pre-heating station 103 is provided on the cooling station 104 in a stacked structure in which two upper and lower heating devices are provided.

【0027】而して、通路102はその両側にステーシ
ョン103,104,105,106、そして、10
7,108を対向式に配設されているために熱的に離隔
されていることになり、熱管理や制御やメンテナンスが
し易いようにされている。
Thus, passage 102 has stations 103, 104, 105, 106, and 10 on either side thereof.
7, 108 are disposed in an opposed manner, so that they are thermally separated from each other, so that thermal management, control, and maintenance are facilitated.

【0028】而して、該通路102には、その内側を、
例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構によ
ってY方向(横方向)に移動するハンドリング手段、例
えば、ウエハーWを所定のステーションに移送する保持
搬送機構としてのウエハー保持搬送機構110が設けら
れており、該保持搬送機構110は搬送機構としてのキ
ャリッジ111を有し、該キャリッジ111にはバキュ
ーム式のピンセット、例えば、ウエハーWを吸着保持す
るための2つのピンセット112,113が上下に重層
されて取り付けられている。
Thus, the inside of the passage 102 is
For example, a handling unit that moves in the Y direction (lateral direction) by a drive mechanism (not shown) such as a ball screw, for example, a wafer holding and transporting mechanism 110 as a holding and transporting mechanism that transports the wafer W to a predetermined station is provided. The holding and transporting mechanism 110 has a carriage 111 as a transporting mechanism. Vacuum type tweezers, for example, two tweezers 112 and 113 for sucking and holding the wafer W are attached to the carriage 111 in a vertically stacked manner. ing.

【0029】該ピンセット112,113はそれぞれ相
互独立にX方向(縦方向)、Y方向(横方向)に移動自
在である共に同時に選択的にZ方向(垂直方向)にも平
行移動が可能で、更に、所定角度θ方向(平面)に旋回
動することが出来るようにされている。
The tweezers 112 and 113 can move independently of each other in the X direction (vertical direction) and the Y direction (horizontal direction), and at the same time, can selectively move in parallel in the Z direction (vertical direction). Further, it can be turned in the direction of a predetermined angle θ (plane).

【0030】而して、該ピンセット112,113のか
かる平行移動、及び、旋回動を可能とするため、キャリ
ッジ111にはステッピングモータとこれに連結された
ボールスクリュー等の図示しない適宜の駆動機構が設け
られている。
In order to allow the tweezers 112 and 113 to perform such a parallel movement and a turning movement, the carriage 111 is provided with a stepping motor and an appropriate drive mechanism (not shown) such as a ball screw connected thereto. Is provided.

【0031】そして、ピンセット112,113は、一
方のピンセットでウエハーWを保持して所定の処理ステ
ーションに最適姿勢でセンタリングし、アライメント調
整して搬送し、当該処理ステーションに処理済ウエハー
Wがあった時、他方のピンセットで該処理済ウエハーW
をピックアップしてバックセットするようにされてい
る。
Then, the tweezers 112 and 113 hold the wafer W with one of the tweezers, center the wafer W in an optimum posture at a predetermined processing station, adjust the alignment, and transport the wafer W. The processed wafer W is present at the processing station. At this time, the processed wafer W is
Pick up and back set.

【0032】そして、本体基台101の図上左側には、
ウエハー搬出入機構120が設けられており、処理前の
ウエハーWB を収容するウエハーカセット122、及
び、処理後のウエハーWF を収容するウエハーカセット
123が設けられ、又、ウエハーWの裏面を吸着して保
持するための転移機構としてのピンセット121を装備
している。
Then, on the left side of the figure of the main body base 101,
Wafer unloading and input mechanism 120 is provided, the wafer cassette 122 for accommodating the wafer W B of the pretreatment, and the wafer cassette 123 for accommodating the wafer W F after the processing is provided, also adsorb the back surface of the wafer W A tweezers 121 is provided as a transfer mechanism for holding the object.

【0033】該ピンセット121は、上記ピンセット1
12,113と同様の構成によりX方向(縦方向),Y
方向(横方向),Z方向(上下方向)に平行移動、及
び、θ方向(旋回方向)の旋回動が選択的に可能されて
おり、処理前のウエハーWB をウエハーカセット122
から取り出し、又、処理後のウエハーWF をそれぞれプ
ログラムに従いバトンタッチ的にウエハーカセット12
3に収納するようにされている。
The tweezers 121 correspond to the tweezers 1 described above.
The X direction (vertical direction) and the Y direction
Direction (lateral direction), translated in the Z direction (vertical direction), and, theta direction pivotal movement of the (turning direction) are selectively enabled, pretreatment of the wafer W B the wafer cassette 122
Removed from, also baton to wafer cassette 12 in accordance with the wafer W F after processing each program
3.

【0034】又、搬出入機構120のピンセット121
は、処理前のウエハーWB を保持搬送機構110のピン
セット112,113にバトンタッチ的に転移し、又、
処理後のウエハーWF を該ピンセット112,113が
同じくバトンタッチ的に受け取るようにされており、か
かるバトンタッチ的な受渡しを可能とする転移装置とし
ての後述インターフェース機構30が通路102と搬出
入機構120との境界部に設けられている。
The tweezers 121 of the carry-in / out mechanism 120
Is the wafer W B pretreated baton to transition to the tweezers 112 and 113 of the holding transport mechanism 110, also,
The wafer W F after processing are to receive to the tweezers 112 and 113 also baton, the later interface mechanism 30 as transfer device capable of consuming baton specific delivery is a passage 102 with the loading and unloading mechanism 120 Is provided at the boundary portion.

【0035】そして、保持搬送機構110のピンセット
112,113は、各処理ステーション103〜108
との間でウエハーWの受渡しをシリーズ的に、或いは、
パラレル的に、又、これらを組合せ的に、更にはスルー
プット的に自在に行うようにされており、これによっ
て、該ウエハーWは設定のプログラムの順序に従い、各
処理ステーション103〜108での所定の処理を受け
ることが出来るようにされている。
The tweezers 112 and 113 of the holding / transporting mechanism 110 are connected to the respective processing stations 103 to 108.
Delivery of the wafer W between the series or
The wafer W can be freely performed in parallel, in combination, and further in terms of throughput, so that the wafers W can be predetermined in each of the processing stations 103 to 108 in accordance with the order of the setting program. It can be processed.

【0036】尚、保持搬送機構110の動作は、全て図
示しない適宜の制御システムによって所定に管理制御さ
れるようになっている。
The operation of the holding and conveying mechanism 110 is controlled and controlled in a predetermined manner by an appropriate control system (not shown).

【0037】したがって、該制御システムのプログラム
を変更することによって、ウエハーWの各処理ステーシ
ョン103〜108に於ける処理をシリーズ的に、パラ
レル的に、順次、又、それらの組合せ的に、或いは、ス
ループット的に、そして、独立的に、排反的に任意に設
定することが出来、即ち、各処理ステーション103〜
108に於ける処理のいくつかのみを独立して行うこと
も、処理の順序を変更することも可能である。
Therefore, by changing the program of the control system, the processing at each of the processing stations 103 to 108 of the wafer W can be performed in series, in parallel, sequentially, in combination, or It can be set arbitrarily in terms of throughput and independently, in other words, in other words, each processing station 103-
It is possible to perform only some of the processes in 108 independently, or to change the order of the processes.

【0038】而して、図2〜5には図示の都合上、共通
的にピンセット112,113,121機構を詳細に示
してあるが、図に於いて、21は平面視フォーク状のピ
ンセット本体であり、その一側面に3つの支点22,2
3,24が三角形配置的に突設して形成されウエハーW
はこれらの支点22,23,24によって三点支持され
て保持搬送され、ピンセット本体21の上部に微小間隔
を介して浮設状に支持され、ウエハーWの表面へのゴミ
の付着を防止することが出来るようにされている。
2 to 5, the tweezers 112, 113 and 121 are commonly shown in detail for convenience of illustration. In the drawings, reference numeral 21 denotes a fork-shaped tweezer body in plan view. And three fulcrums 22 and 2 on one side.
3 and 24 are formed by protruding in a triangular arrangement.
Are supported and conveyed at three points by these fulcrums 22, 23, and 24, and are supported in a floating manner above the tweezers main body 21 with a small interval therebetween to prevent dust from adhering to the surface of the wafer W. Is made possible.

【0039】これらの支点22,23,24のうち支点
24には、その微小頂面に開口して真空吸着のための図
示しない吸引口が設けられ図示しないバキューム装置に
接続されている。
Of the fulcrums 22, 23 and 24, the fulcrum 24 is provided with a suction port (not shown) for vacuum suction, which is opened on the fine top surface thereof, and is connected to a vacuum device (not shown).

【0040】勿論、他の支点22,23についても同様
の機構にすることは設計変更の範囲内である。
Of course, it is within the scope of design change to use the same mechanism for the other fulcrums 22, 23.

【0041】又、ピンセット本体21の長手方向前後部
にはウエハーWのセンタリング、及び、又は、アライメ
ントのために、該ウエハーWの周縁に対応した円弧状の
ガイド部材25と、これとは反対側のストッパ部材26
とが設けられており、該ウエハーWは、先ず、図3に示
す状態で支点22,23,24上に載置されるが、この
状態では、ウエハーWはセンタリングやアライメントさ
れておらず、真空吸着状態にもされていない。
An arc-shaped guide member 25 corresponding to the peripheral edge of the wafer W is provided on the front and rear portions of the tweezer body 21 in the longitudinal direction for centering and / or alignment of the wafer W. Stopper member 26
The wafer W is first placed on the fulcrums 22, 23, and 24 in the state shown in FIG. 3, but in this state, the wafer W is not centered or aligned, and It is not in the adsorption state.

【0042】この姿勢状態で、図4に示す様に、ピンセ
ット本体21をストッパ部材26に向けて相対的に水平
に移動させて該ウエハーWのオリエンテーションフラッ
トWa をストッパ部材26に当接させる。
[0042] In this posture, as shown in FIG. 4, the forceps body 21 are relatively moved horizontally toward the stopper member 26 is brought into contact with the orientation flat W a of the wafer W to the stopper member 26.

【0043】その後、更にピンセット本体21の水平移
動を続けることにより、ウエハーWはピンセット本体2
1の3つの支点22,23,24上を軽くスライドし、
最終的にはガイド部材25に当接してセンタリングさ
れ、アライメント調整されて停止する。
Thereafter, the horizontal movement of the tweezers body 21 is further continued, so that the wafer W is moved to the tweezers body 2.
Lightly slide on the three fulcrums 22, 23 and 24 of 1
Eventually, the guide member 25 is brought into contact with the guide member 25, centered, aligned, and stopped.

【0044】したがって、もし、図3の状態で該ウエハ
ーWの位置がピンセット本体21の中央部からズレてい
たとしても、該ウエハーWは図4に示す様に、ガイド部
材25に案内されることによって、図5に示す様に、ピ
ンセット本体21の中央の所定位置にセンタリング、及
び、アライメントすることが出来る。
Therefore, even if the position of the wafer W is shifted from the center of the tweezer body 21 in the state of FIG. 3, the wafer W is guided by the guide member 25 as shown in FIG. Thereby, as shown in FIG. 5, centering and alignment can be performed at a predetermined position in the center of the tweezer body 21.

【0045】図6には、通路102とウエハー搬出入機
構120との境界部に設けられた前記転移装置としての
インターフェース機構30が示されており、該インター
フェース機構30はピンセット121とピンセット11
2,113との間で受渡しされるウエハーWを一時待機
させるバッファ機能を有し、真空吸着機構により該ウエ
ハーWを保持する保持部材31と、該保持部材31を昇
降させるための、例えば、エアシリンダ等の駆動装置3
2とから成っている。
FIG. 6 shows an interface mechanism 30 as the transfer device provided at the boundary between the passage 102 and the wafer loading / unloading mechanism 120. The interface mechanism 30 includes the tweezers 121 and the tweezers 11
And a holding member 31 for holding the wafer W by a vacuum suction mechanism, and an air for moving the holding member 31 up and down. Drive device 3 such as cylinder
It consists of two.

【0046】而して、搬出入機構120の転移機構のピ
ンセット121が図示位置にウエハーWを搬送して来る
と、保持部材31が駆動装置32を介して上昇し、該ウ
エハーWを持ち上げて保持し、次に、レジスト膜塗布現
像装置100側のウエハー保持搬送機構110が、図示
の転移装置としてのインターフェース機構30の位置に
移動する。
When the tweezers 121 of the transfer mechanism of the loading / unloading mechanism 120 transports the wafer W to the position shown in the drawing, the holding member 31 rises via the driving device 32 and lifts and holds the wafer W. Then, the wafer holding / transporting mechanism 110 on the side of the resist film coating / developing apparatus 100 moves to the position of the interface mechanism 30 as a transfer device shown in the drawing.

【0047】次に、保持部材31が駆動装置32により
下降すると、保持部材31に保持されているウエハーW
はピンセット112、又は、113にバトンタッチ的に
載置される。
Next, when the holding member 31 is lowered by the driving device 32, the wafer W held by the holding member 31 is moved.
Is placed on the tweezers 112 or 113 in a baton touch manner.

【0048】そして、ピンセット112,113からピ
ンセット121への該ウエハーWのバトンタッチ的な受
渡しについても、上述プロセスと同様にして行われる。
Then, the transfer of the wafer W from the tweezers 112 and 113 to the tweezers 121 in a baton touch manner is performed in the same manner as the above-described process.

【0049】上述構成において、レジスト膜塗布現像装
置100によって、ウエハーWの表面にフォトレジスト
膜を形成する工程を順を追って説明する。
The steps of forming a photoresist film on the surface of the wafer W by the resist film coating and developing apparatus 100 in the above configuration will be described in order.

【0050】尚、各工程は、前記制御システムに入力さ
れて予め記憶されたプログラムに基づいて処理される。
Each step is processed based on a program which is input to the control system and stored in advance.

【0051】先ず、搬出入機構120の転移機構のピン
セット121によりカセット122から処理前のウエハ
ーWB を1枚取り出し、インターフェース機構30の位
置まで搬送する。
[0051] First, the tweezers 121 of metastasis mechanism of loading and unloading mechanism 120 takes out one sheet of wafer W B before treatment from the cassette 122, is conveyed to the position of the interface mechanism 30.

【0052】そして、搬送されてきたウエハーWB は、
該インターフェース機構30を介して、通路102の入
口に待機している保持搬送機構110の一方のピンセッ
ト、例えば、ピンセット112に渡されて吸着保持さ
れ、予備加熱ステーション103にセットされ予備加熱
処理に供される。
Then, the transferred wafer W B is
Via the interface mechanism 30, one of the tweezers, for example, tweezers 112, of the holding and transporting mechanism 110 which is waiting at the entrance of the passage 102 is passed by suction and held, set in the preheating station 103, and subjected to the preheating process Is done.

【0053】尚、1つのカセット122に同一種のウエ
ハーWB のみが収納されている場合には、該カセット1
22に適宜のIDコードを表示し、該IDコードを読取
って製造工程のプログラムを選択するようにしても良
い。
[0053] In the case where only the wafer W B of the same type in one cassette 122 is housed, the cassette 1
An appropriate ID code may be displayed at 22, and the program of the manufacturing process may be selected by reading the ID code.

【0054】以下、予備加熱ステーション103、冷却
ステーション104、第一の塗布ステーション107、
第一の加熱ステーション105での各処理がこの順序で
なされるように選択された場合について説明する。
The preheating station 103, the cooling station 104, the first coating station 107,
A case where each process in the first heating station 105 is selected to be performed in this order will be described.

【0055】先ず、1つ目の、即ち、最初のウエハーW
を受取ったピンセット112を予備加熱ステーション1
03に向って移動させ、該ウエハーWを予備ステーショ
ン103に所定にセンタリングし、アライメントされた
姿勢状態でセットし、その内部に設けられた図示しない
ヒータプレート上に載置して予備加熱処理する。
First, the first, ie, the first wafer W
Tweezers 112 that received the preheating station 1
03, the wafer W is centered at a predetermined position in the preliminary station 103, set in an aligned posture, and placed on a heater plate (not shown) provided therein to perform a preliminary heating process.

【0056】この間、該ウエハーWは転移機構121、
保持搬送機構110により前述した如く縦方向(X),
横方向(Y),上下方向(Z),旋回方向(θ)に所定
に選択的に変位されて処理工程に最適状態でセットされ
るように位置姿勢を調整される。
During this time, the wafer W is transferred by the transfer mechanism 121,
As described above, the vertical direction (X),
The position and orientation are adjusted so as to be selectively and selectively displaced in the horizontal direction (Y), the vertical direction (Z), and the turning direction (θ), and set in an optimal state for the processing step.

【0057】又、この時、ウエハーWをヒータプレート
上に直接接触させず、ピンセット121の3つの支点2
2,23,24による三点支持を介しての移載により
0.3mm程度浮かせる姿勢にセットするとゴミ付着対
策が良好である。
At this time, the wafer W is not brought into direct contact with the heater plate, and the three fulcrums 2
If the posture is set so that it is floated by about 0.3 mm by the transfer through the three-point support by 2, 23, and 24, the dust adhesion countermeasure is good.

【0058】この間にピンセット121を移動させて2
番目のウエハーWをカセット122から取り出し、転移
装置としてのインターフェース機構30に待機させてお
き、最初のウエハーWを予備加熱ステーション103に
搬入し終った後、保持搬送機構110はインターフェー
ス機構30から2番目のウエハーWをピンセット112
で受取り、該ピンセット112上に吸着保持し、予備加
熱ステーション103での最初のウエハーWの処理が終
了するまでそのまま待機する。
During this time, the tweezers 121 are moved to
The second wafer W is taken out of the cassette 122 and kept in the interface mechanism 30 as a transfer device, and after the first wafer W has been carried into the preheating station 103, the holding / transporting mechanism 110 is moved from the interface mechanism 30 to the second Wafer W with tweezers 112
And hold it on the tweezers 112, and stand by until the processing of the first wafer W in the preheating station 103 is completed.

【0059】そして、最初のウエハーWの予備加熱処理
が終了すると、保持搬送機構110は以下の動作を行
う。
When the preliminary heating process for the first wafer W is completed, the holding / transporting mechanism 110 performs the following operation.

【0060】即ち、先ず、該ウエハーWを保持していな
いピンセット113を移動させることにより、予備加熱
処理が終了した最初のウエハーWを予備加熱ステーショ
ン103から取り出す。
That is, first, by moving the tweezers 113 that does not hold the wafer W, the first wafer W for which the preheating process has been completed is taken out from the preheating station 103.

【0061】このようにして予備加熱処理ステーション
103を空にした後、2番目のウエハーWを保持してい
るピンセット112を作動させ、該2番目のウエハーW
を予備加熱ステーション103にセットする。
After the preheating station 103 is emptied in this way, the tweezers 112 holding the second wafer W is operated, and the second wafer W
Is set in the preheating station 103.

【0062】次いで、ピンセット112,113をY方
向,θ方向,Z方向に選択的に移動し、冷却ステーショ
ン104に移動し、ウエハーWを保持したピンセット1
13をX方向に動作し、この最初のウエハーWを冷却ス
テーション104にセットする。
Next, the tweezers 112 and 113 are selectively moved in the Y, θ, and Z directions, moved to the cooling station 104, and tweezers 1 holding the wafer W.
13 is moved in the X direction, and the first wafer W is set in the cooling station 104.

【0063】上述動作から、2つのピンセット112,
113を設けた利点が充分に生かされることになる。
From the above operation, two tweezers 112,
The advantage of providing 113 is fully utilized.

【0064】蓋し、ピンセットが1つしかない場合に
は、保持搬送機構110は先ず最初のウエハーWを予備
加熱ステーション103から取り出し、これを冷却ステ
ーション104にセットし、その後にインターフェース
機構30から2番目のウエハーWを受け取ってこれを予
備加熱ステーション103にセットする動作を行わなけ
ればならないからである。
When there is only one tweezer, the holding / transporting mechanism 110 first takes out the first wafer W from the preheating station 103, sets it in the cooling station 104, and then sets the first wafer W to the interface mechanism 30. This is because the operation of receiving the second wafer W and setting it in the preheating station 103 must be performed.

【0065】尚、上述の動作が行われている間に、搬出
入機構120では、ピンセット121により次に処理す
る3番目のウエハーWをインターフェース機構30に待
機させておく。
During the above operation, the third wafer W to be processed next by the tweezers 121 is kept on standby in the interface mechanism 30 in the loading / unloading mechanism 120.

【0066】次に、保持搬送機構110はインターフェ
ース機構30から3番目のウエハーWをピンセット11
2に保持して、冷却ステーション104での処理が終了
するまで待機させる。
Next, the holding / transporting mechanism 110 transfers the third wafer W from the interface mechanism 30 to the tweezers 11.
2 and wait until the processing in the cooling station 104 is completed.

【0067】そして、最初のウエハーWの冷却工程が終
了した時、保持搬送機構110はウエハーWを保持して
いない方のピンセット113で冷却ステーション104
内のウエハーWを取り出し、次にプログラムされたフォ
トレジスト膜の塗布処理工程のための通路102の反対
側の第一の塗布ステーション107に搬入セットする。
When the first wafer W cooling process is completed, the holding / transporting mechanism 110 uses the tweezers 113 that does not hold the wafer W to the cooling station 104.
Then, the wafer W is taken out, and then loaded into the first coating station 107 on the opposite side of the passage 102 for the programmed photoresist film coating process.

【0068】この塗布処理の間に予備加熱ステーション
103に於ける2番目のウエハーWの予備加熱処理が終
了したら、保持搬送機構110はウエハーWを保持して
ない方のピンセット113によって該ウエハーWを予備
加熱ステーション103から取り出す。
When the preheating process for the second wafer W in the preheating station 103 is completed during the coating process, the holding and transporting mechanism 110 transfers the wafer W by the tweezers 113 that does not hold the wafer W. Remove from the preheating station 103.

【0069】そして、ピンセット112により保持して
いる3番目のウエハーWを予備加熱ステーション103
にセットすると同時に、ピンセット113に保持してい
る2番目のウエハーWを冷却ステーション104に搬入
セットする。
Then, the third wafer W held by the tweezers 112 is
At the same time, the second wafer W held by the tweezers 113 is carried into the cooling station 104 and set.

【0070】この動作は、上述した態様と同じである。This operation is the same as in the above-described embodiment.

【0071】尚、もし、最初のウエハーWの冷却工程が
終了する前に、2番目のウエハーWの予備加熱処理が終
了する場合には、次のような処理動作を行うようにプロ
グラムすることも可能である。
If the preheating process for the second wafer W is completed before the cooling process for the first wafer W is completed, the following processing operation may be programmed. It is possible.

【0072】即ち、先ず3番目の未処理のウエハーWを
ピンセット112により保持した状態で、ピンセット1
13により2番目のウエハーWを予備加熱ステーション
103から取り出し、続いて、ピンセット112に保持
されている3番目のウエハーWを予備加熱ステーション
103にセットした後、待機する。
That is, while the third unprocessed wafer W is held by the tweezers 112, the tweezers 1
Then, the second wafer W is taken out of the preheating station 103 by 13, and the third wafer W held by the tweezers 112 is set in the preheating station 103, and then stands by.

【0073】そして、冷却ステーション104に於ける
最初のウエハーWの冷却工程が終了した後、該最初のウ
エハーWをピンセット112、又は、113で取り出
し、第一の塗布ステーション107に搬入セットする。
After the step of cooling the first wafer W in the cooling station 104 is completed, the first wafer W is taken out with tweezers 112 or 113 and loaded into the first coating station 107.

【0074】該塗布ステーション107でのフォトレジ
スト液の塗布は、例えば、当業者に周知のレジスト液滴
下スピンコーティング装置等により行う。
The application of the photoresist solution at the application station 107 is performed by, for example, a spin coating apparatus under a resist droplet known to those skilled in the art.

【0075】而して、第一の塗布ステーション107に
於いて最初のウエハーWに対するフォトレジスト液の塗
布処理が終了した時点で保持搬送機構110はピンセッ
ト113により該ウエハーWを第一の塗布ステーション
107から取り出す。
When the first coating process of the photoresist liquid on the wafer W is completed in the first coating station 107, the holding / transporting mechanism 110 transfers the wafer W to the first coating station 107 by the tweezers 113. Remove from

【0076】続いて、Y方向に沿って図上右側に移動
し、取り出した最初のウエハーWを第一の加熱ステーシ
ョン105に搬入セットして加熱処理する。
Subsequently, the wafer W is moved rightward in the figure along the Y direction, and the first wafer W taken out is carried into the first heating station 105 and set therein, where the first wafer W is heated.

【0077】この加熱処理を行っている間に冷却ステー
ション104内での2番目のウエハーWの冷却処理が終
了すると、保持搬送機構110は該ウエハーWをピンセ
ット113にて取り出し、更に、第一の塗布ステーショ
ン107に搬入セットしてフォトレジスト液の塗布処理
を開始する。
When the cooling process of the second wafer W in the cooling station 104 is completed while the heating process is being performed, the holding / transporting mechanism 110 takes out the wafer W with the tweezers 113, and further removes the first wafer W. It is carried into and set in the coating station 107, and the coating process of the photoresist liquid is started.

【0078】而して、第一の加熱ステーション105に
於いて最初のウエハーWの処理が終了し、所望のフォト
レジスト膜が形成されると、保持搬送機構110は該最
初のウエハーWをピンセット113にて取り出す。
When the processing of the first wafer W is completed in the first heating station 105 and a desired photoresist film is formed, the holding / transporting mechanism 110 transfers the first wafer W to the tweezers 113. Take out at.

【0079】続いて、該保持搬送機構110は図上Y方
向左側に移動し、ピンセット113に保持したウエハー
Wをインターフェース機構(転移機構)30にバトンタ
ッチ的に渡す。
Subsequently, the holding / transporting mechanism 110 moves to the left in the Y direction in the figure, and transfers the wafer W held by the tweezers 113 to the interface mechanism (transfer mechanism) 30 in a baton-touch manner.

【0080】該インターフェース機構(転移機構)30
での待機中、該ウエハーWを直接載置部に接触させず、
前述した如く、わずかに浮かせた姿勢状態に載置するこ
とがゴミ付着防止対策に有効である。
The interface mechanism (transfer mechanism) 30
During the standby in the above, the wafer W is not directly contacted with the mounting portion,
As described above, placing the device in a slightly raised posture is effective in preventing dust adhesion.

【0081】又、待機するインターフェース機構(転移
機構)30はキャリアカセットにより構成すると、更に
有利である。
It is further advantageous that the standby interface mechanism (transfer mechanism) 30 is constituted by a carrier cassette.

【0082】このようにして処理済のウエハーWF がイ
ンターフェース機構(転移機構)30に待機されると、
搬出入機構120のピンセット121が該ウエハーWF
を受取り、カセット123に搬送して収納する。
[0082] When the wafer W F of already processed this way is wait interface mechanism (transition mechanism) 30,
The tweezers 121 of the loading / unloading mechanism 120 is used for the wafer W F
And transported to the cassette 123 for storage.

【0083】以上述べた一連の処理動作は、カセット1
22内の未処理のウエハーWB が無くなるまで続けられ
る。
A series of processing operations described above are performed in the cassette 1
Wafer W B unprocessed 22 is continued until no.

【0084】尚、上述の動作説明では第一の塗布ステー
ション107と第一の加熱ステーション105とを用い
たが、これらの代りに、第二の塗布ステーション10
8、及び、第二の加熱ステーション106を使用しても
良い。
In the above description of the operation, the first coating station 107 and the first heating station 105 are used.
8 and the second heating station 106 may be used.

【0085】又、フォトレジスト膜の塗布工程、及び/
又は、加熱工程が他の工程に比べて時間がかかる場合に
は、2つの塗布ステーション107,108、及び/又
は、2つの加熱ステーション105,106を同時に使
用することも可能であり、転移機構30部位から所望の
処理工程にスループット的に移送して処理することも可
能である。
Also, a photoresist film coating step and / or
Alternatively, when the heating step takes a longer time than the other steps, the two application stations 107 and 108 and / or the two heating stations 105 and 106 can be used simultaneously, and the transfer mechanism 30 can be used. It is also possible to transfer from a site to a desired processing step in a throughput manner for processing.

【0086】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、1枚のテストウエハ
ーWについて試しに処理を行ってみるのが普通であり、
この場合、試しの処理が終了したテストウエハーW
T を、検査のためにカセット123から取り出す必要が
あるが、この取り出しを容易にするため、図7に示す様
に、カセット123の基部に引出し可能なレシーバ40
を設け、該レジーバ40の一旦には取手41を設け、内
部にはウエハー載置台42を設けておき、試しの処理を
終了したテストウエハーWT は、ピンセット121によ
って開口部43から挿入され、該載置台42に載せられ
る。
By the way, when performing the above-described photoresist film forming step, a test process is performed on one test wafer W in order to confirm whether or not the programmed process is appropriate. Is normal,
In this case, the test wafer W for which the trial process has been completed
It is necessary to take out the T from the cassette 123 for inspection. To facilitate this removal, as shown in FIG.
A handle 41 is provided once in the regiver 40, and a wafer mounting table 42 is provided therein. The test wafer W T having been subjected to the trial processing is inserted from the opening 43 by the tweezers 121. It is mounted on the mounting table 42.

【0087】したがって、該テストウエハーWT はレシ
ーバ40を図示のように引出すことにより容易に取り出
すことが出来る。
[0087] Thus, the test wafer W T can be easily taken out by pulling out as illustrated receiver 40.

【0088】尚、設計変更的には保持搬送機構110の
ピンセットは必ずしも2つである必要はなく、3つ以上
であっても良い。
It should be noted that the number of tweezers of the holding / transporting mechanism 110 is not necessarily limited to two, but may be three or more.

【0089】以上の動作説明から明らかなように、上述
実施例の処理装置によれば、ウエハーWの表面にフォト
レジスト膜を形成するために必要な複数の処理工程を、
その順序をも含めて任意に組合せて最良の工程をプログ
ラムすることが出来る。
As is apparent from the above description of the operation, according to the processing apparatus of the above-described embodiment, a plurality of processing steps required for forming a photoresist film on the surface of the wafer W are performed.
The best process can be programmed in any combination including the order.

【0090】したがって、処理すべきウエハーWの種類
に応じて最も効率の良い処理工程の組合せプロセスを選
択し、最良のスループット性をも得ることが可能とな
る。
Therefore, it is possible to select the most efficient combination of processing steps according to the type of the wafer W to be processed, and to obtain the best throughput.

【0091】又、保持搬送機構110が2つのピンセッ
ト112,113を有してそれぞれ独立の動作をするこ
とから、各処理の自由度が高く、例えば、次工程のステ
ーションにウエハーWが存在していると、その工程のウ
エハーWの入替えが出来ないといった不都合さがない。
Further, since the holding / transporting mechanism 110 has two tweezers 112 and 113 and operates independently of each other, the degree of freedom of each processing is high. For example, when the wafer W is present in the station of the next process. In this case, there is no inconvenience that the wafer W in the process cannot be replaced.

【0092】更に、複数の処理ステーションを通路10
2に沿ってその両側に配設しているため、該両側の各ス
テーションは対向して熱的に離隔されているため、熱管
理や熱制御,メンテナンスがし易く、したがって、保持
搬送機構110の動作プログラムを変更する際の自由度
が極めて高く、そのため、処理プログラムの変更が極め
て容易である。
Further, a plurality of processing stations are connected to the passage 10.
2, the stations on both sides are thermally opposed to each other, so that heat management, heat control, and maintenance can be easily performed. The degree of freedom in changing the operation program is extremely high, and therefore, it is extremely easy to change the processing program.

【0093】又、予備加熱ステーション103と冷却ス
テーション104とを上下に積層配置することにより、
設置のために必要な床面積も節減されるというメリッが
ある。
Further, by arranging the preheating station 103 and the cooling station 104 one above the other,
The advantage is that the floor space required for installation is also reduced.

【0094】而して、上述の実施例の装置は、所定のパ
ターンで露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジス
トパターンを形成する装置としても当業者は何ら困難性
なく使用することが出来る。
Thus, those skilled in the art can use the apparatus of the above embodiment as an apparatus for developing a photoresist film exposed in a predetermined pattern and forming a resist pattern without any difficulty.

【0095】その場合、塗布ステーション107,10
8に現像液を塗布する装置も設けられることが出来る。
In that case, the coating stations 107 and 10
An apparatus for applying a developing solution to 8 can also be provided.

【0096】そして、現像装置は、例えば、変速回転中
のウエハーW上に現像液をジェット状に噴射させて現像
する構成とすることも可能である。
The developing device may be configured to, for example, jet a developing solution onto the wafer W being rotated at a variable speed in a jet state to perform development.

【0097】更に、2つの塗布ステーション107,1
08のいずれか一方をフォトレジスト液の塗布に用い、
他方の現像液の塗布に用いることにより、フォトレジス
ト膜の形成、及び、現像の両方を行う装置して使用する
ことが出来る。
Further, the two coating stations 107, 1
08 for application of a photoresist solution,
By using for the application of the other developer, it can be used as an apparatus for performing both formation and development of a photoresist film.

【0098】その際、通路102の図上右端にも図6に
示すインターフェース機構30を設け、露光装置との間
でウエハーWの受渡しを行えるようにすることにより、
フォトレジスト膜塗布処理から現像処理までを一貫した
連続プロセスとしてシリーズ的に、或いは、任意にパラ
レル的に、更にはスループット的に処理することが可能
である。
At this time, an interface mechanism 30 shown in FIG. 6 is also provided at the right end of the passage 102 in the drawing, so that the wafer W can be transferred to and from the exposure apparatus.
It is possible to perform a series of processes from a photoresist film coating process to a developing process as an integrated continuous process, or arbitrarily in parallel, and further, to perform throughput.

【0099】尚、処理ユニットを複数連接したい場合に
は、通路102の延長線に次の通路が形成されるように
構成し、その接続部にウエハーWの待機機構、例えば、
キャリアステーションを設けると良い。
When a plurality of processing units are to be connected, a next passage is formed on the extension of the passage 102, and a standby mechanism for the wafer W, for example,
A carrier station may be provided.

【0100】因みに、図8に示す様に、カセット12
2,123内のウエハーWを搬出、或いは、カセット1
22,123内へ搬入するアーム120aを有する搬出
入機構120と、インターフェース機構30でウエハー
Wの受渡しを行う保持搬送機構110aを有する第一の
処理系150により上述したような動作で各処理を行
う。
Incidentally, as shown in FIG.
Unloads the wafer W in the cassette 2 or the cassette 1
Each process is performed by the above-described operation by the loading / unloading mechanism 120 having the arm 120a for loading into the inside 22, 22 and the first processing system 150 having the holding / transporting mechanism 110a for transferring the wafer W by the interface mechanism 30. .

【0101】例えば、該第一処理系150に、保持搬送
機構110aを間にしてHMDS(ヘキサメチルジシラ
ザン)処理ステーション151、第一の加熱ステーショ
ン152、第一の冷却ステーション153、第一層目の
フォトレジスト液を回転塗布する第一の塗布ステーショ
ン154、第二層目のフォトレジスト液を回転塗布する
第二の塗布ステーション155を設け、これらの各ステ
ーションに選択的に、独立的に、或いは、排反的ウエハ
ーWを搬送して処理を行い、更に、複数の処理ステーシ
ョン、例えば、第二の加熱ステーション156、第二の
冷却ステーション157、露光工程での光乱反射を紡糸
するためにフォトレジスト膜上面にCEL膜等の表面被
覆層を塗布形成する第三の塗布ステーション158等を
それぞれ対向配置し、且つ、これらステーションにウエ
ハーWを搬送する保持搬送機構110bを備えた第二の
処理系159を設け、該第二の処理系159、及び、第
一の処理系150の間に待機機構160を配置させ、該
待機機構160にはウエハーW1枚を載置出来る載置台
161を設け、インターフェース機構(転移機構)30
に於けるウエハーWの受渡しと同様に、該載置台161
を利用して、第一の処理系150の保持搬送機構110
aと第二の処理系159の保持搬送機構110bとの間
でウエハーWの受渡しを行うように出来、かかる待機機
構160の構成は、載置台161を設けずに図示しない
バッファ用カセットを設け、該バッファ用カセットによ
り複数枚のウエハーWを待機出来る構造としても良い。
For example, an HMDS (hexamethyldisilazane) processing station 151, a first heating station 152, a first cooling station 153, a first layer A first coating station 154 for spin-coating a photoresist solution of the second layer, and a second coating station 155 for spin-coating the photoresist solution of the second layer. These stations are selectively, independently or independently provided. The wafer W is conveyed and processed, and a plurality of processing stations, for example, a second heating station 156, a second cooling station 157, and a photoresist for spinning light diffuse reflection in an exposure process. A third coating station 158 for coating and forming a surface coating layer such as a CEL film on the upper surface of the film is opposed to each other. In addition, a second processing system 159 having a holding and transporting mechanism 110b for transporting the wafer W is provided in these stations, and a standby mechanism 160 is provided between the second processing system 159 and the first processing system 150. The standby mechanism 160 is provided with a mounting table 161 on which one wafer W can be mounted, and an interface mechanism (transfer mechanism) 30 is provided.
In the same manner as the transfer of the wafer W in
, The holding and transport mechanism 110 of the first processing system 150
a and the transfer mechanism 110b of the second processing system 159, the transfer of the wafer W can be performed. The configuration of the standby mechanism 160 includes a buffer cassette (not shown) without the mounting table 161. The buffer cassette may have a structure in which a plurality of wafers W can be on standby.

【0102】尚、該バッファ用カセットにより、保持搬
送機構110a、及び、保持搬送機構110bの作業量
の差があっても、一方の保持搬送機構が待機する時間を
少くすることが可能となる。
The buffer cassette makes it possible to reduce the waiting time of one of the holding / transporting mechanisms even if there is a difference in the amount of work between the holding / transporting mechanism 110a and the holding / transporting mechanism 110b.

【0103】このように、待機機構160を介して搬送
機構を2系統にすることにより、複段の処理工程の処理
ステーションの増設に容易に対応出来ると共に、高スル
ープット処理が可能となる。
As described above, by using two transfer mechanisms via the standby mechanism 160, it is possible to easily cope with an increase in the number of processing stations in a multi-stage processing process and to perform high-throughput processing.

【0104】而して、上記搬送機構は2系統に限定する
ものではなく、2系統以上としても良く、待機機構の増
設に伴って適宜に増加させることが出来る。
The number of the transport mechanisms is not limited to two, but may be two or more. The number can be increased as the standby mechanism is added.

【0105】上述実施例では、製造装置としてフォトレ
ジスト膜の塗布現像処理に適用した態様について説明し
たが、この出願の発明はこれに限定するものではなく、
例えば、基板としてはウエハーのみならず、該基板と均
等なものも適用出来、エッチング処理,CVD処理,ア
ッシング処理等でも同様に行うことが出来る。
In the above-described embodiment, the embodiment in which the manufacturing apparatus is applied to the coating and developing processing of a photoresist film has been described, but the invention of this application is not limited to this.
For example, not only a wafer but also a substrate equivalent to the substrate can be used as the substrate, and etching, CVD, ashing, and the like can be similarly performed.

【0106】[0106]

【発明の効果】以上、この出願の発明によれば、基本的
にウエハー等の被処理基板のフォトレジスト膜塗布工程
や現像工程等の処理を行う装置において該被処理基板に
対する処理前、処理後の収納カセットを装備する被処理
基板の搬出入機構から所定の複数段の処理工程に接続す
る搬送経路に該搬送経路に設けた被処理基板の保持搬送
機構のピンセットが縦方向(X),横方向(Y),上下
方向(Z)のみならず、旋回方向(θ)の4方向の変位
を選択的に自在に行う自由度を有する被処理基板に対す
る保持搬送機構を有していることにより該被処理基板の
処理を行う条件によって最適処理工程に対し被処理基板
を直接的に、又、スループット的に付与することが出来
ることから、結果的に各処理工程での処理が最適条件で
行え、結果的に処理された製品の性能が著しく高くな
り、製品の信頼性も著しく向上するという優れた効果が
奏される。
As described above, according to the invention of this application, in an apparatus for basically performing a process such as a photoresist film coating process and a developing process on a substrate such as a wafer, before and after processing the substrate. The tweezers of the substrate holding / transporting mechanism provided on the transport path are connected to the transport path connected to a predetermined plurality of processing steps from the substrate loading / unloading mechanism equipped with the storage cassette. By having a holding / transporting mechanism for a substrate to be processed, which has a degree of freedom for selectively performing displacement in four directions not only in the direction (Y) and the vertical direction (Z) but also in the turning direction (θ). The substrate to be processed can be directly or optimally provided to the optimal processing step depending on the conditions for processing the substrate to be processed, and as a result, the processing in each processing step can be performed under the optimal conditions. As a result By product performance is significantly increased with excellent effect also significantly improved reliability of the product are obtained.

【0107】したがって、処理装置において、設計段階
から複数プログラムに基づく複数の処理工程のステーシ
ョンを搬送経路の両側に上下方向積層する等して設けて
おいても、収納カセットから被処理基板保持搬送機構が
該収納カセットからの被処理基板を取り出して選択的に
相互独立的に、或いは、相互排反的に所望の処理工程の
ステーションと直接,間接に接続させることが出来るこ
とから、目的とする製品に対する最適処理が行われると
いう優れた効果が奏される。
Therefore, even if the processing apparatus is provided with a plurality of processing stations based on a plurality of programs from the design stage, which are vertically stacked on both sides of the transport path, the substrate holding and transporting mechanism can be moved from the storage cassette. Can take out the substrate to be processed from the storage cassette and connect it to the station of a desired processing step directly or indirectly selectively mutually independently or mutually reciprocally. An excellent effect is obtained that the optimal processing is performed on

【0108】又、被処理基板の搬出入機構において、搬
送経路の保持搬送機構に対する転移機構が設けられ保持
搬送機構同様に、縦方向(X),横方向(Y),上下方
向(Z)、及び、旋回方向(θ)の4方向が選択的に変
位自在な転移機構を設けることにより設計通りに収納カ
セットからの、又、カセットに対する被処理基板の取り
出しや収納が最適条件で行うことが出来、したがって、
移送中の被処理基板の損傷や歪や塵埃付着等が確実に防
止されるという優れた効果が奏される。
In the loading / unloading mechanism for the substrate to be processed, a transfer mechanism for the holding / transporting mechanism of the transport path is provided, and similarly to the holding / transporting mechanism, the vertical direction (X), the horizontal direction (Y), the vertical direction (Z), In addition, by providing a transfer mechanism in which the four directions of the turning direction (θ) can be selectively displaced, it is possible to take out and store the substrate to be processed from and into the cassette as designed under the optimum conditions. And therefore
An excellent effect is obtained in that damage, distortion, adhesion of dust, and the like of the substrate to be processed during transfer are reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この出願の発明の1実施例のウエハーに対する
フォトレジスト膜塗布現像装置の模式平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a photoresist film coating and developing apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のピンセットの模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the tweezers of FIG. 1;

【図3】図1のピンセットの作動前の平面図である。FIG. 3 is a plan view before operation of the tweezers of FIG. 1;

【図4】同、作動中の平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the same during operation.

【図5】同、作動後の平面図である。FIG. 5 is a plan view after the operation.

【図6】インターフェースの壁側面図である。FIG. 6 is a wall side view of the interface.

【図7】図1のカセットの構造模式断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view of the structure of the cassette of FIG. 1;

【図8】他の実施例の模式平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view of another embodiment.

【図9】従来技術に基づくウエハーに対するフォトレジ
スト膜塗布装置の模式平面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view of an apparatus for applying a photoresist film to a wafer based on a conventional technique.

【符号の説明】 W(1) 被処理基板(ウエハー) 122,123 (収納)カセット 120 搬出入機構 103,108 処理工程(ステーション) 102 搬送経路 100 保持機構 112 第一の保持搬送機構 113 第二の保持搬送機構 22〜24 支点 30 転移機構 111 キャリッジ[Description of Signs] W (1) Substrate to be processed (wafer) 122, 123 (Storage) cassette 120 Loading / unloading mechanism 103, 108 Processing step (station) 102 Transport path 100 Holding mechanism 112 First holding / transporting mechanism 113 Second Holding and transporting mechanism 22 to 24 fulcrum 30 transfer mechanism 111 carriage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平河 修 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−13332(JP,A) 特開 昭59−208791(JP,A) 特開 昭62−19188(JP,A) 特開 昭58−33828(JP,A) 特開 昭60−115216(JP,A) 特開 昭60−84819(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Osamu Hirakawa 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside Tel Kyushu Co., Ltd. (72) Yoshio Kimura 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture (56) References JP-A-63-13332 (JP, A) JP-A-59-208791 (JP, A) JP-A-62-19188 (JP, A) JP-A-58-33828 (JP, A A) JP-A-60-115216 (JP, A) JP-A-60-84819 (JP, A)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】カセットに収納された処理前の被処理基板
を1つ取り出す工程と、該工程により取り出された該被
処理基板を一時保持する工程と、該工程により保持され
ている被処理基板をキャリッジに支持された第一の保持
搬送機構が受け取り、予め定められた所定の処理工程に
搬送する工程と、当該工程にて処理済みした被処理基板
を前記キャリッジに支持された第二の保持搬送機構で取
り出した後、上記第一の保持搬送機能により保持してい
る他の被処理基板を当該工程に搬入する工程と、該搬入
する工程の後、取り出した上記第二の保持搬送機構が保
持する処理済みの被処理基板を予め定められた処理プロ
グラムを終了した処理済みの処理基板を上記第一又は第
二の保持搬送機構により搬出し処理済み用のカセットに
収納する工程とを有することを特徴とする基板処理方
法。
1. A substrate to be processed before processing stored in a cassette.
Removing one of the substrates,
Temporarily holding the processing substrate; and
Holding the substrate to be processed supported by the carriage
The transport mechanism receives and performs predetermined processing steps
The transporting process and the substrate to be processed which has been processed in the process.
With the second holding and transporting mechanism supported by the carriage.
And then hold it by the first holding / transporting function.
Loading another substrate to be processed into the process,
After the step of carrying out, the taken-out second holding / transporting mechanism is held.
The processed substrate to be processed
The processed substrate after the completion of the gram
Into a cassette that has been unloaded by the second holding and transport mechanism
A substrate processing method having a step of storing.
Law.
【請求項2】被処理基板を収納するカセットと、複数の2. A cassette for accommodating substrates to be processed, and a plurality of cassettes.
処理手段と、前記カセットに収納させた処理前の被処理Processing means, and a processing target before processing stored in the cassette
基板を1つ取り出す手段と、該手段により取り出されたMeans for taking out one substrate, and the substrate taken out by the means
被処理基板を一時保持するインターフェース機構とキャInterface mechanism and cap for temporarily holding the substrate to be processed
リッジに支持され、それぞれ、ピンセットを具備する第Supported by ridges, each having tweezers
一の保持搬送機構及び第二の保持搬送機構を備えた搬送Transport provided with one holding transport mechanism and second holding transport mechanism
手段とを有し該搬送手段は、上記インターフェース機構Means, and the transport means has the interface mechanism.
に保持されている被処理基板をピンセットを介して該第The substrate to be processed held at
一の保持搬送機構が受け取り、あらかじめ定められた所One holding and transport mechanism receives
定の処理手段に搬送し、該処理手段にて、処理済みしたTransported to a predetermined processing means, and processed by the processing means.
被処理基板をピンセットを介して上記第二の保持搬送機The substrate to be processed is held by the second holding / transporting machine via tweezers.
構が当該処理手段より取り出し、次いで第一の保持搬送The structure is removed from the processing means, and then the first holding and transporting is performed.
機構により保持している他の被処理基板を該処理手段にAnother substrate to be processed held by the mechanism is used as the processing means.
搬入し、該搬入の後、取り出した上記第二の保持搬送機The second holding / transporting machine carried in and taken out after the carrying in
構が保持する処理済みの被処理基板をあらかじめ定めらPre-determined processed substrates to be
れた次ぎの処理手段に搬送し、これらの処理手段によるTransported to the next processing means
予め定められた処理プログラムを終了した処理基板を上Up the processing board after completing the predetermined processing program
記第一又は第二の保持搬送機構により搬出し処理済み用For unloading processing by the first or second holding and conveying mechanism
のカセットに収納することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus characterized by being housed in a cassette.
【請求項3】上記各ピンセットに3点支持用の支点が設
けられていることを特徴とする請求項2記載の基板処理
装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein each tweezer is provided with a fulcrum for supporting three points.
【請求項4】上記各支点の先端に微小吸引口のバキュー
ム孔が穿設されていることを特徴とする請求項3記載の
基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a vacuum hole of a minute suction port is formed at a tip of each of the fulcrums.
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