JPS6236242A - Wafer processing device - Google Patents

Wafer processing device

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JPS6236242A
JPS6236242A JP17313785A JP17313785A JPS6236242A JP S6236242 A JPS6236242 A JP S6236242A JP 17313785 A JP17313785 A JP 17313785A JP 17313785 A JP17313785 A JP 17313785A JP S6236242 A JPS6236242 A JP S6236242A
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JP
Japan
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wafer
finger
information
wafers
position information
Prior art date
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Pending
Application number
JP17313785A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruya Sato
光弥 佐藤
Ryozo Hiraga
平賀 亮三
Mitsuaki Seki
関 光明
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP17313785A priority Critical patent/JPS6236242A/en
Publication of JPS6236242A publication Critical patent/JPS6236242A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance the productivity by accommodating information about actual wafer position in No.2 memory in correspondence to the value in No.1 memory, in which the information about standard wafer position is accommodated, and by setting or removing the wafer according to the actual position information. CONSTITUTION:A driving part AD for setting and removal of wafers, which is movable vertically and rotatable, is installed between a plurality of wafer cassettes WK (WK3, WK4). The information about standard position for wafer WFi is stored previously in CPU. The beam from a laser source LZ in said driving part for setting and removal AD passes through a half mirror HM and between wafers WFi, and is total reflected by a mirror FM to proceed reversely for a sensor PS. Every time a wafer WFi is encountered during sink of said driving part AD, the beam is blocked, and actual position information in correspondence to the standard position information is stored in the CPU. A finger FG is intruded into the cassette WK so that takeout and accommodation of wafer WFi is made in accordance with the actual position information. This will enlarge the wafer processing capacity.

Description

【発明の詳細な説明】 [分 野] 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field] The present invention relates to a wafer processing apparatus used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

[従来技術] 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収納
の際の処理速度が遅かった。
[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has had drawbacks in its accuracy, productivity, occupied area, etc., and in particular, the processing speed when taking out and storing wafers was slow.

[目 的] 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上させたウェハ処理装置を提供すること
を目的とする。
[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties, and provides a wafer processing apparatus that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and has improved processing speed especially when taking out and storing wafers. The purpose is to

[実施例] 第1図は本発明の一実施例に係るウニハブ〇−バの全・
体概略図を示す。同図において、WK1〜WK4はウェ
ハWFを多数枚収納する4個のウェハカセットで、各々
開口部を対向させて2段に積層する。WKDI 、WK
D2は各2段のウェハカセットを支持板KSを介し運動
して各々上下動させるため□の駆動部、FGはウェハ搭
載用のフィンガ、AMI 、AM2はアームである。G
l 、Gl。
[Embodiment] Fig. 1 shows the entire structure of a uni hub according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a schematic diagram of the body. In the figure, WK1 to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDI, WK
D2 is a drive unit □ for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes via the support plate KS, FG is a finger for mounting wafers, and AMI and AM2 are arms. G
l, Gl.

Q、3は軸で、アームAM1 、AM2及びフィンガF
Gが伸縮自在に移動可能の如く構成される。ADは前記
アーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部
である。また、この駆動部△Dは前記アーム及びフィン
ガを搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。
Q and 3 are axes, arms AM1, AM2 and finger F
G is configured so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit ΔD is configured to be capable of vertical movement and rotation by mounting the arm and finger.

ウェハカセットWKからアームAM1 、AM2及びフ
ィンガFGによって搬出されたウェハWFはセンタリン
グハンドC)Iによって中心出しされ×YステージST
上のウェハチャックWC上に移される。移されたウェハ
WFは静電古傷型センサQSによって再位置決めされる
。またこのときテレビ(TV)カメラTVK及びテレビ
モニタTVDによって目視手動または自動位置決めされ
る。
The wafer WF carried out from the wafer cassette WK by the arms AM1, AM2 and fingers FG is centered by the centering hand C)I and placed on the ×Y stage ST.
The wafer is transferred onto the upper wafer chuck WC. The transferred wafer WF is repositioned by the electrostatic old flaw type sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドCHによりウェハチャックWCに正
確に位置決めされたウェハWFはXYステージSTの移
動により顕微鏡OPの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハWF上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチップ
テスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハWFはフィ
ンガFG1アームAM1 、AM2によりウェハカセッ
トWKの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返すこ
とによりウェハカレットWK内の各ウェハWFについて
順次チップテスト動作が行なわれる。
The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope OP by moving the XY stage ST, and the positions of the chip terminals and probe terminals (not shown) on the wafer WF are determined by visual observation or automatically. A match is made. Thereafter, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF is returned to its original position in the wafer cassette WK by the fingers FG1 arms AM1 and AM2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF within the wafer cullet WK.

第2.第3図は第1図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットWKからのウェハWFの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガFG及びアームAM
1.AM2は第1図に対し時計回り方向に90°回転し
ている。同図において、例えばウェハカセットWK4は
ウエハカセッl−WK3と共にウェハカーセット駆動部
WKD2により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上
昇される。
Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
1. AM2 has been rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the figure, for example, wafer cassette WK4 is raised together with wafer cassette I-WK3 to a predetermined wafer delivery and collection position by wafer cassette drive section WKD2.

フィンガFG及びアームAv1.AM2はアーム伸縮駆
動部ADに内臓されたパルスモータSMにより伸縮して
ウェハWFI〜WF4等の取出しまたは収納を行なう。
Finger FG and arm Av1. AM2 is expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store wafers WFI to WF4 and the like.

アーム伸縮駆動部ADは昇降機構I」Dの可動板EBに
より基台KDと共に上下動され、ウェハWF1〜WF4
等の中から特定のウェハの選択を行なう。MOはアーム
伸縮駆動部ADを基台KDごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットWKとウェハチャックWC間の
ウェハ搬送動作を行なう。
The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the elevating mechanism I'D, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck WC.

LZは半導体レーザ源、HMは半導体レーザ源LZから
のレーザ光LWをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーFM (FMRまたはFML)で反射したレーザ
光LWを透過させ半導体レーザセンサPSに伝達する。
LZ is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates the laser beam LW from the semiconductor laser source LZ toward the wafer cassette side, and the laser beam is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer edge of the wafer cassette. The laser beam LW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースSB内の半導体レーザセンサPSはこの反射
レーザ光を検出する。
A semiconductor laser sensor PS inside the protective case SB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハW
Fの現在位置を確実に知ることができ、フィンガFGと
ウェハWFの衝突等の誤動作を防止することができる。
Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ADの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即らレーザ光遮断板LSが
板EBと一体化され、かつ板LSには孔LHが設けられ
、第2図の位置でレーザ光は孔LHを貫通し、第1図の
位置では孔がないため遮断される。
Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate EB, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. It is blocked because of this.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。
This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源LZは第2図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構LDが駆動部AD内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータSM
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−1−
I M、半導体レーザセンサPSは第2.3図の如くフ
ィンガFGの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。
Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror-1-
IM and the semiconductor laser sensor PS are arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIG. 2.3.

これによりセンサPSの光路がアームにより遮断される
ことなくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。
This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed.

この伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブTtJ
が貫通、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。こ
れにより移動範囲の大きいアームとチューブが連動して
動き回るのでチューブとアームがからみ合うこともなく
また全体スペースも、小型に構成することができる。
This telescopic arm has a vacuum tube TtJ for wafer suction.
are aligned by a method such as penetration, groove insertion, or adhesion. As a result, the arm, which has a large movement range, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第2図においてKS4 U、KS4 Lは各々ウェハの
最上(下)位置情報発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構HD内のLE、PHは各々可動板EBの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。
In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position information generating means each consisting of, for example, a protrusion, and LE and PH in the lifting mechanism HD detect the position of the movable plate EB, and are used to transfer or collect the wafer. It is a light emitting/receiving element that determines the position.

フィンガFGは、第4図A、B、Cに示す如く上下2枚
の板FGU、FGLの張り合せの簡易な構成で成る。上
板FGUには貫通孔U1〜U10が設けられ、下板FG
Lには溝L11.L’1通孔L2〜L7が設けられる。
The finger FG has a simple configuration of two upper and lower plates FGU and FGL glued together as shown in FIGS. 4A, B, and C. The upper plate FGU is provided with through holes U1 to U10, and the lower plate FG is provided with through holes U1 to U10.
L has a groove L11. L'1 through holes L2 to L7 are provided.

そして溝L1と孔ui 、 U2 。And groove L1 and hole ui, U2.

U3とで真空吸引室が形成される。即ち、溝11は孔U
10、チューブホルダーTHを介してチJ、 −ブTU
が接続され排気される。第4図Bの如く形成される吸引
室内の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密
全となりウェハ吸着が行なわれる。また、孔jJ8.l
J9.L6.L7等には第4図Cの如くビンSR,SL
が嵌合される。ビンSR,SLは第3図の如くウェハW
Fの端面を位置決めするための位置部材で、4インチ、
6インチ、8インチ等の直径の異なるウェハに対して孔
U4 、U6 、tJ8のいずれかを選択してピンSL
を嵌合させる。ピンSRも同様に孔us 、 U7 。
A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove 11 is the hole U.
10. Through the tube holder TH J, -BU TU
is connected and exhausted. When a wafer is placed in the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and sealed, and the wafer is suctioned. Also, hole jJ8. l
J9. L6. L7 etc. have bins SR and SL as shown in Figure 4C.
are fitted. Bins SR and SL contain wafers W as shown in Figure 3.
A positioning member for positioning the end face of F, 4 inches,
For wafers with different diameters such as 6 inches and 8 inches, select one of holes U4, U6, and tJ8 to attach pin SL.
mate. Similarly, pin SR has holes us and U7.

U9を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にピン位置を定めることができ好まし
い。
Select U9 and fit it. This is preferable because the pin positions can be determined optimally for wafers with different diameters.

上段のウェハカセットWK1 、WK3は第2図の如く
例えば支持板KS3 、KS3 Bが外方に折曲げ自在
に構成される。これにより下段のカセットWK2 、W
K4の交換動作が容易となり好ましい。なお、カセット
後方のミラーFMは上下2枚設ける必要はなく、−ウェ
ハ取出し及び収納位置(第1図カセット上段の位置)に
対応した位置に単一カセットに対応した長さのミラーを
1枚だけ備えれば良い。
As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WK1 and WK3 are constructed so that, for example, support plates KS3 and KS3B can be bent outward. As a result, the lower cassettes WK2, W
This is preferable because the K4 replacement operation becomes easy. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length that corresponds to a single cassette at a position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper position of the cassette in Figure 1). Just be prepared.

前述のセンサPSはウェハカセット識別コード情報KC
3、KO2等も読取らせることができる。
The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO2 etc. can also be read.

即ちKO2、に04等は論理r1J、rolを表わすコ
ードから成り、これをセンサSPが上下及びまたは水平
方向に移動してに03等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。
That is, KO2, 04, etc. consist of codes representing logic r1J, rol, and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information such as 03, etc., thereby knowing the cassette identification number. .

第5図は回路焼付、検査等に用いられるウェハWFの一
例を示す。同図において、WCNはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第1図のテレビカメラTVKが用
いられる。CHPは検査される回路チップ領域を示す。
FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and a wafer number, wafer cassette number, lot number, etc. are prepared. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in FIG. 1 is used to read this information. CHP indicates the circuit chip area to be tested.

第6図はウェハカセットWKの開口部を見た正面図で、
第5図のウェハWFが例えば25枚収納される様子を示
す。ここでウェハWF2 、WF3はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
FGの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガFGの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置P1〜P26等を算出しておけば良い
Figure 6 is a front view of the opening of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, it is sufficient to accurately detect the position of each wafer and calculate the safest insertion position of the finger FG, that is, the center position P1 to P26 between each wafer, etc., before the finger moves in and out.

第7図Aはそのための制御ブロック図、第8図はその制
御手順を示すフローチャートで第1,7図のリードオン
リーメモリROMにマイクロ命令として格納さ、れてい
るもので、以下この手順に従って動作を説明する。ステ
ップSAIではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセ
ンサPSが下降を始め、例えば第6図の最上位置信号発
生器KS4Uを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサPSが最初のウェハWF25を検出した段
階で最初の距離d26が決定され、同様に2枚目のウェ
ハWF24を検出した段階で距離d25が決定され、以
下同様に最下部のdlまで検出する。
FIG. 7A is a control block diagram for that purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as a microinstruction in the read-only memory ROM shown in FIGS. Explain. In step SAI, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generator KS4U shown in FIG. The first distance d26 is determined when the sensor PS detects the first wafer WF25, the distance d25 is similarly determined when the second wafer WF24 is detected, and the detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサPSを一定の速度即ちセンサPSの応答
速度以下の一定速度で上界させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。
At this time, the sensor PS may be set at a constant speed, that is, a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably lowers the overall detection speed.

そこで第6図及び第7図Bの波形Aとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサPSを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動・させれば良い。
Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present.

そのため、第7図AのROMの一部に標準的ウエハカセ
ッ1〜における各ウェハの位置D1〜D26を予め記憶
させておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良
い。即ち、まず、ROMのアドレスAD1から標準の位
置情llID26をマイクロプロセッサMPUが取り込
み、この情報を基に例えば第7図Bのパルス列DMを決
定する。この駆動パルス列DMの各パルスのパルス幅T
1〜T10はROMの不図示の部分にテーブル形式で記
憶されており、まずT1に対応する2進化された時間情
報がMPUの制御によってダウンカウンタDKに格納さ
れる。同時にフリップフロップFFがセットされ、また
モータドライブ回路MDが動作する。モータドライブ回
路MD内には4進カウンタが内蔵されており、その最初
の出力によりアンドゲートA1が開き、最初の駆動パル
ス(T1)によりパルスモータPMが起動を始める。
Therefore, the positions D1 to D26 of each wafer in the standard wafer cassettes 1 to 1 may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents. That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard positional information ID26 from the address AD1 of the ROM, and based on this information, determines the pulse train DM of FIG. 7B, for example. Pulse width T of each pulse of this drive pulse train DM
1 to T10 are stored in a table format in an unillustrated portion of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in the down counter DK under the control of the MPU. At the same time, flip-flop FF is set and motor drive circuit MD operates. A quaternary counter is built in the motor drive circuit MD, and the first output thereof opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1) starts the pulse motor PM.

ダウンカウンタDKは発振器O8Cの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばOになると特定
値デコーダ例えばOデコーダDCがこれを検出してフリ
ップフロップFFをリセットする。これにより駆動パル
スT1が終了する。以下同様にアンドゲートA2.△3
.A4が順次間いてパルス幅T1による駆動が終了する
Down counter DK starts subtraction in response to an oscillation pulse from oscillator O8C, and when the value reaches a specific value, for example O, a specific value decoder, for example O decoder DC, detects this and resets flip-flop FF. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gate A2. △3
.. A4 is sequentially interrupted, and driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅T2に対応する時間情報がダウンカウンタ
DKに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第7図
Bに示す如<73.T4と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサPSの工時速度は次第に増し、パルス幅T
4の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第6図に示す最初のウェハWF25の近辺に
近づくと第7図Bに示すパ/l、Hス幅がT5 、T6
と次第に長くなり、センサPSは減速されながら下降を
続け、ウェハW F 25の存在位置付近にセンサPS
が到達するとセンサPSがレーザ反射光を検出するに十
分な一定の低速度で下降する。このときはパルス幅T7
の駆動パルスでパルスモータPMが駆動される。ウェハ
WFIの位置検出が終了するとパルス幅T8 、 T9
 、 T10のように次第に短かくなり、センサPSの
下降速度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続
け、所定岳下降したら第7図AのROMの第2のアドレ
スAD2を指定し、位置情報[)mを取り出す。この位
置情報Dmはウェハの間隔で表わすと標準位置情報D2
5〜D2が共通となり、位置情報Dmのデータ領域はア
ドレスAD2の1番地だけで十分である。以下、D2ま
で前記同様の作動を位置情報Dmに従って繰り返し、最
後にROMのアドレスAD3を指定し、最下辺の位置情
報D1に従って前記同様の作動を行ない、センサPSが
最下位置信号発生器KS4 Lを検出して下降を停止す
る。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するの
で次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確
となる。また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが
存在していないことを検出したらRAMにその旨を書き
込んでd3 <、このウェハ有無情報(1,0)をウェ
ハ位置情報と共にRAMに書き込んでおくとウェハの存
在しない位置を高速にスキップさせ得るので便利である
。また大きさの異なる他のウェハカセットの標準位置情
報もROMのアドレスAD4〜AD6に格納しておき、
選択使用すればさらに好ましい。
Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B below <73. The pulse width gradually becomes shorter from T4, and the processing speed of sensor PS gradually increases until the pulse width T
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Furthermore, when approaching the vicinity of the first wafer WF25 shown in FIG. 6, the path/l and H path widths shown in FIG. 7B become T5 and T6.
The sensor PS gradually becomes longer, and the sensor PS continues to descend while being decelerated.
When the sensor PS reaches the laser beam, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse width T7
The pulse motor PM is driven by the drive pulse. When the position detection of the wafer WFI is completed, the pulse widths T8 and T9
, becomes gradually shorter like T10, the descending speed of sensor PS gradually increases, continues descending at a constant high speed as before, and when descending a predetermined mountain, specifies the second address AD2 of the ROM in Fig. 7A, Extract location information [)m. This positional information Dm is standard positional information D2 when expressed in terms of wafer spacing.
5 to D2 are common, and only one address AD2 is sufficient as the data area for the position information Dm. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information Dm, and finally, the address AD3 of the ROM is specified, and the same operation as described above is performed according to the position information D1 of the lowest side, so that the sensor PS is connected to the lowest position signal generator KS4L. is detected and the descent is stopped. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate. Also, if it is detected that no wafer actually exists during this wafer position detection, write that fact to the RAM and write d3 <, and write this wafer presence information (1, 0) to the RAM together with the wafer position information. This is convenient because it allows you to quickly skip over positions that do not exist. In addition, the standard position information of other wafer cassettes of different sizes is also stored in the ROM addresses AD4 to AD6.
It is more preferable to use it selectively.

次いでステップSA2では、検出した各ウェハ間の中心
位ff1dl /2〜d 26/ 2をマイクロプロセ
ッサMPUが算出し、多値を第7図AのRAMに図示の
如く記憶させる。次いでウェハWF1の取出しのために
フィンガFGを現在位置く最下位点)からステップSA
2で算出したd1/2の位置まで上昇させる(ステップ
SA3 )。これにより第6図の最安全点P1にフィン
ガFGを位置させることができる。この位置での停止に
は第7図Aの目標値格納レジスタOR、アップカウンタ
UK1両者の一致回路COが用いられる。第6図の波形
Bは、この時のフィンガFGの上昇速度曲線を示す。
Next, in step SA2, the microprocessor MPU calculates the detected center positions ff1dl/2 to d26/2 between each wafer, and stores the multi-values in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is moved from the lowest point (currently located) to step SA.
It is raised to the position d1/2 calculated in step 2 (step SA3). This allows the finger FG to be positioned at the safest point P1 in FIG. To stop at this position, the matching circuit CO of both the target value storage register OR and the up counter UK1 in FIG. 7A is used. Waveform B in FIG. 6 shows the rising speed curve of the finger FG at this time.

この地点P1でアームAMI 、AM2を伸長させてフ
ィンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップSA
4 )させ、さらに昇降機構HDを駆動してフィンガF
Gをd1/2だけ上昇(ステップSA5 )させる。こ
れでフィンガFGの上面がウェハWF1の下面に接触す
ることができるので、前述の真空吸引機構がオンとなっ
て作動し、フィンガFGがウェハWF1を吸着(ステッ
プ5A6)する。その後フィンガFGを、さらにd2/
2だけ上昇(ステップSA7 )L、次いrウェハWF
1を吸着したままウェハカセットWKから引抜くステッ
プ5A8)<。続いてアーム伸縮駆動部ADを駆動部M
Oにより90°回転してフィンガFGをXYステージS
Tに正対させ、アームAM1 、AM2を伸長してウェ
ハWF1をフィンガFGからセンタリングハンドCHに
引渡(ステップSA9 )す。ウェハWF1は、センタ
リングハンドCI−1からざらにXYステージSTに引
渡(ステップS A 10)され、回路焼付、検査等の
処理(ステップ5A11)が行なわれる。
At this point P1, extend the arms AMI and AM2 and insert the fingers FG into the wafer cassette WK (step SA
4) and then drive the lifting mechanism HD to move the finger F.
G is increased by d1/2 (step SA5). The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WF1 (step 5A6). Then finger FG, then d2/
Raise by 2 (step SA7) L, then r wafer WF
Step 5A8) <. Next, the arm extension/contraction drive unit AD is connected to the drive unit M.
Rotate the finger FG by 90° using O and move it to the XY stage S.
The wafer WF1 is directly faced to the centering hand CH by extending the arms AM1 and AM2 and transferring the wafer WF1 from the fingers FG to the centering hand CH (step SA9). The wafer WF1 is roughly transferred from the centering hand CI-1 to the XY stage ST (step S A10), and undergoes processing such as circuit burning and inspection (step S5A11).

処理が終了するど処理済みウェハWF1はXYステージ
STからヒンタリングハンドCHを介してフィンガFG
に回収され、再び吸着(ステップ5A12.13)され
る。次にアームAM1 、AM2を収縮及び回動し、ウ
ェハWF1の収納のためにフィンガFGを現在位置(最
上位点)から第6図のdl +62 /2の位置即ち安
全点P2まで下降(ステップ5A14)させる。この位
置P2にてアームAMI 、AM2を伸長しフィンガF
Gをウニ[へカセットWKに挿入(ステップS A 1
5)する。
When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the hinting hand CH.
is collected and adsorbed again (step 5A12.13). Next, the arms AM1 and AM2 are retracted and rotated, and the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position of dl +62 /2 in FIG. 6, that is, the safety point P2 (step 5A14). ). At this position P2, arms AMI and AM2 are extended and finger F
Insert G into the cassette WK (Step S A 1
5) Do.

次いでフィンガFGをd2/2だ【プ下降(ステップS
 A 16)させる。これによりウェハWF1は元の位
置の突起KR,KLに乗り、次いで真空吸引機構がオフ
とされるのでウェハWF1はフィンガFGから離脱(ス
テップS A 17)され、その後フィンガFGがさら
にd2/2だけ下降(ステップS A 18)されフィ
ンガFGだけがカレットWKから引抜(ステップS A
 19)かれる。以上の制御によりウェハWF1の取出
し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハW
 F 2の取出し及び収納の制御を今度はd2 /2.
63 /2の値に塁いて上記と同様に行ない、以下同様
にn=26になるまで行なう。
Next, lower the finger FG to d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WF1 rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WF1 is separated from the finger FG (step S A 17), and then the finger FG is further moved by d2/2. It is lowered (step S A 18) and only the finger FG is pulled out from the cullet WK (step S A
19) To be killed. The above control allows the wafer WF1 to be taken out and stored accurately and safely. Next, the wafer W
The control for taking out and storing F2 is now d2/2.
The same procedure as above is performed using the value of 63/2, and the same procedure is repeated until n=26.

以上の様子を模式的に表わしたのが第9A図である。図
において、XはフィンガFGの待機位置  ゛を示し、
この点を始点としてY点(終了点)まで下降するときに
ウェハの位置を検出し、次いでその位置から最も近い位
置にあるウェハWF1の取出しのためにA点でフィンガ
FGのカセットWKへの挿入が開始され、8点で取出し
が終了し、0点でセンタリングハンドCHへの引渡しが
行なわれ、D点でセンタリングハンドCHからの回収が
行なわれ、E点でウェハの□収納のためにフィンガFG
のカセットWKへの挿入が開始され、E点でその収納が
終了し、その位置から2枚目のウェハWFの取出し、収
納が始まることを示している。
FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG,
The position of the wafer is detected when descending from this point to point Y (end point), and then the finger FG is inserted into the cassette WK at point A in order to take out the wafer WF1 closest to that position. is started, unloading is completed at point 8, transfer to centering hand CH is performed at point 0, collection from centering hand CH is performed at point D, and finger FG is moved to □ storage of the wafer at point E.
The insertion of the wafer into the cassette WK is started, the storage is finished at point E, and the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをWF1〜WF3の全3
枚として示した。またA−Fの各点に対応する処理を第
8図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガFGの待機位置XはセンタリングハンドCHとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハWF3の近辺に設定し
である。このため第9B図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第9D図も同様であ
る。
In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH and near the top wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

第9B図はセンタリングハンドCHの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハWFIの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第9B図のフィンガ待機位@Xを最上位ウェハWF3
の近辺位置即ち第9B図のYの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第9B図とほぼ同様に
第9A、9D図の場合に比べて長くなることは第9E図
を、見れば明らかである。しかし前記各測具にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始まることは好ましい。またウェ
ハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが
少なく好ましい。第9C図の例はウェハ引渡しまたは回
収位@(センタリングハンドCHの位置)をウェハカセ
ットのほぼ由心位置即ち中間のウェハWF2の近辺に設
定した様子を示し、この場合はフィンガFGの上下移動
の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全てのウ
ェハは所定の定点即ちつ1八引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第9F図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでb節約することはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極めて好
ましい。
FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WFI are set to be almost on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line, In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position @X in Figure 9B to the top wafer WF3.
Even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in FIG. 9B, the overall vertical movement of the finger is almost the same as in FIG. 9B and is longer than in the case of FIGS. 9A and 9D, as shown in FIG. 9E. It's obvious when you see it. However, it is preferable that the wafers closest to the position where all the scanning for wafer position detection has been completed are taken out and then the storage is started. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows a situation in which the wafer transfer or collection position @ (the position of the centering hand CH) is set almost at the eccentric position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the vertical movement of the finger FG is The lowest total distance and most preferred. This is evident from the fact that all wafers must be transported to a predetermined, fixed point, i.e., 18 transfer or retrieval locations. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving a small amount of wasted time in this way contributes to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, which is extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限゛らず、前工稈において不良ウェハが予め
除去された状態で本ブローバに移送されて来る場合もあ
り、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィ
ンガFGのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキ
ップさせれば全体処理速度の向上となる。以下これにつ
いて説明する。第6図において今ウェハW F 2が欠
落している場合を想定する。前述の動作説明のように各
ウェハが所定の位置に存在することを検出したら第7図
ΔのRAMに示す如く論理「1」を書き込み、さらに各
ウェハの位置情報の半分の値をd26/2.d25/2
のようにRAMに書き込む。欠落ウェハWF2が存在し
ないことをセンサPSが検出したらRAMのアドレスA
d2に論理「0」を書き込み、さらに右隣りに位置情報
としてDmを書き込む。Dmは前述したようにウェハの
標準位置情報である。このように処理すればウェハWF
2が存在しないことによるヒンサPSの計測ミス即ちウ
ェハWF1を検出したときこれをつXハWF2であると
誤認する危険を避けることができる。
Generally speaking, not all wafers are always stored in the wafer cassette, and there are cases where defective wafers are removed in advance in the preprocessing process and transferred to the main blower. If the operations related to the wafer removal and storage of the fingers FG are skipped at the position where the wafer is not present, the overall processing speed can be improved. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer W F 2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, a logic "1" is written to the RAM as shown in FIG. .. d25/2
Write it to RAM like this. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, the RAM address A is
Logic "0" is written in d2, and Dm is written as position information on the right side. As described above, Dm is the standard position information of the wafer. If processed in this way, the wafer WF
It is possible to avoid a measurement error in PS due to the absence of wafer 2, that is, the risk of mistakenly identifying wafer WF1 as wafer WF2 when wafer WF1 is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハWF2
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハW
F1の取出しまたは収納の後、RAMのアドレスA、d
2のウェハ無し情報rOJを検出したらdi /2+D
m+63 /2の演算を行なえば第6図の23点の近辺
を求めることができる。したがって12点をスキップし
て11点から23点にフィンガFGを高速に上昇させる
ことができ好ましい。
Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After removing or storing F1, address A, d of RAM
If 2 wafer no information rOJ is detected, di /2+D
By performing the calculation m+63/2, the vicinity of the 23 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, it is possible to skip the 12th point and increase the finger FG from the 11th point to the 23rd point at high speed, which is preferable.

上図例において基準位置X、Y、Zは第2図の始点情報
発生器KS4 U、KS4 L、EB (またはLE、
PH)等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば第
9A図の例ではX=KS4 U、Y=KS4 Lとし、
第9F図の例ではX=LE (またはPH,EB)、Y
=KS4 Lとすれば良い。
In the example shown above, the reference positions X, Y, Z are the starting point information generators KS4 U, KS4 L, EB (or LE,
PH) etc. may be selectively made to correspond. For example, in the example of Figure 9A, X=KS4 U, Y=KS4 L,
In the example of Figure 9F, X=LE (or PH, EB), Y
= KS4L.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
(第9C図、9F図)に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは4インチ。
Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

8インチ等直径が異なるときウエハカセッ1〜の高さも
異なる(各ウェハ間の距離が異なる)ため、第98,9
D、9F図の例の如く下側(共通端部)のXまたはYを
共用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得
る点で好ましい。
When the diameters of wafer cassettes 1 to 8 inches are different, the heights of wafer cassettes 1 to 1 are also different (the distance between each wafer is different), so
It is preferable to use a type of apparatus in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as shown in the examples shown in FIGS. D and 9F, since it can handle various wafer sizes.

[効 果] 以上の如く本発明はその高生産性に極めて多大に寄与し
得るものである。
[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to high productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の概観斜視図、第2図はその
一部拡大側面図、第3図はその一部拡大上面図、第4A
図、第4B図、第4C図はフィンガの構成側図、第5図
はウェハの正面部、第6図はウェハカセットの開口正面
図、第7図は本発明の制御ブロック図、第7B図はその
制御用波形図、第8図はその制御用フローチャート図、
第9A〜第9F図はフィンガの動作説明図である。 FG・・・フィンガ AM・・・アーム PS・・・センサ WK・・・ウェハカセット
Fig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
Figures 4B and 4C are side views of the structure of the fingers, Figure 5 is a front view of the wafer, Figure 6 is a front view of the opening of the wafer cassette, Figure 7 is a control block diagram of the present invention, and Figure 7B. is a control waveform diagram, FIG. 8 is a control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、標準のウェハ位置情報が格納されている第1の記憶
手段と、前記第1の記憶手段からの標準のウェハ位置情
報に応答して実際のウェハ位置を検出するウェハ位置検
出手段と、前記ウェハ位置検出手段からの実際のウェハ
位置情報を格納する第2の記憶手段と、前記第2の記憶
手段からの実際のウェハ位置情報に応答してウェハの取
出し及び収納を行なうウェハ挿脱手段とを有するウェハ
処理装置。 2、前記第1の記憶手段には複数のウェハカセット内の
各ウェハの位置情報が格納される前記特許請求の範囲第
1項記載のウェハ処理装置。
[Claims] 1. A first storage means in which standard wafer position information is stored, and a wafer for detecting the actual wafer position in response to the standard wafer position information from the first storage means. a position detecting means, a second memory means for storing actual wafer position information from the wafer position detecting means, and a method for taking out and storing a wafer in response to the actual wafer position information from the second memory means. A wafer processing apparatus having a wafer insertion/removal means. 2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the first storage means stores position information of each wafer in a plurality of wafer cassettes.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04311056A (en) * 1991-04-08 1992-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board unloading device
JPH08227927A (en) * 1988-02-12 1996-09-03 Tokyo Electron Ltd Processing system
JPH08264621A (en) * 1988-02-12 1996-10-11 Tokyo Electron Ltd Processing method and processing device

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