JPS6236839A - Wafer processor - Google Patents

Wafer processor

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Publication number
JPS6236839A
JPS6236839A JP17571385A JP17571385A JPS6236839A JP S6236839 A JPS6236839 A JP S6236839A JP 17571385 A JP17571385 A JP 17571385A JP 17571385 A JP17571385 A JP 17571385A JP S6236839 A JPS6236839 A JP S6236839A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser
cassette
finger
source
Prior art date
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Pending
Application number
JP17571385A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruya Sato
光弥 佐藤
Ryozo Hiraga
平賀 亮三
Mitsuaki Seki
関 光明
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS6236839A publication Critical patent/JPS6236839A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a safety of a laser for detecting the position of a wafer by providing a laser generation source composed to move linearly and rotatably and means for allowing the source to emit a laser light only when the source is disposed at the specific position. CONSTITUTION:A half mirror HM emits a laser light LW from a semiconductor laser source LZ toward a wafer cassette side, transmits a laser light LW reflected on a fully-reflecting mirror FM provided at the outer end of the cassette to a semiconductor laser sensor PS. Accordingly, the present position of the wafer WF can be effectively known to prevent an erroneous operation. A semiconductor laser source is used as a light source to remarkably improve the wafer position detecting accuracy. Further, the laser light can be interrupted in response to the rotation of a driver AD to safely operate. In other words, a laser light interrupting plate LS is integrated with a plate EB, a hole LH is formed at the plate LS, the laser light passes the hole LH at the position as shown, and is interrupted at the other position.

Description

【発明の詳細な説明】 [分 野] 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field] The present invention relates to a wafer processing apparatus used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

[従来技術] 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハ位置検出のための
レーザに対する安全機構に問題があった。
[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has had drawbacks in its accuracy, productivity, occupied area, etc., and in particular, there have been problems with the safety mechanism for the laser used to detect the wafer position.

[目 的] 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出のためのレー
ザに対する安全対策が施されたつエバ処理装置を提供す
ることを目的とする。
[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties, and provides an evaporation processing apparatus that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and in particular has safety measures against lasers for wafer position detection. The purpose is to

[実施例] 第1図は本発明の一実施例に係るウエハブローバの全体
概略図を示す。同図において、WKI〜WK4はウェハ
WFを多数枚収納する4個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて2段に積層する。WKDl、WKD2
は各2段のウェハカセットを支持板KSを介し連動して
各々上下動させるための駆動部、FGはウェハ搭載用の
フィンガ、AMl 、AM2はアームである。Gl 、
 G2 。
[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer blobber according to an embodiment of the present invention. In the figure, WKI to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDl, WKD2
1 is a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG is a finger for mounting wafers, and AMl and AM2 are arms. Gl,
G2.

G3は軸で、アームAMI 、AM2及びフィンガFG
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ADは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ADは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットWKからアームAMI 、AM2及びフィ
ンガFGによって搬出されたウェハWFはセンタリング
ハンドCHによって中心出しされXYステージ5T−F
のウェハチャックWC上に移される。移されたつエバW
Fは静電容醋型仁ンサQSによって再位置決めされる。
G3 is the axis, arm AMI, AM2 and finger FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. Wafer WF carried out from wafer cassette WK by arms AMI, AM2 and fingers FG is centered by centering hand CH and placed on XY stage 5T-F.
wafer chuck WC. Transferred Eva W
F is repositioned by a capacitive sensor QS.

またこのときテレビ(TV)カメラ1VK及びテレビモ
ニタT V Dによって目視手動または自動位置決めさ
れる。
At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using the television (TV) camera 1VK and the television monitor TVD.

センタリングハンドCl−1によりウェハチャックWC
に正確に位置決めされたウェハWFはXYステージST
の移動により顕微鏡OPの真下に設定され、目?[察ま
たは自動によるウェハWF上のチップ端子と不図示のプ
ローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチ
ップテスj・動作が行なわれ、テスト終了後ウェハWF
はフィンガFG1アームAM1.AM2によりウェハカ
セットWKの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返
すことによりウエハカセツh W K内の各ウェハWF
について順次チップテスト動作が行なわれる。
Wafer chuck WC by centering hand Cl-1
The wafer WF that is accurately positioned is placed on the XY stage ST.
By moving it, it is set directly below the microscope OP, and the eye? [The chip terminals on the wafer WF and the probe terminals (not shown) are aligned by inspection or automatically. After that, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF
is finger FG1 arm AM1. The wafer cassette WK is returned to its original position by AM2. By repeating the above operations, each wafer WF in the wafer cassette hWK
A chip test operation is performed sequentially for each.

第2.第3図は第1図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットWKからのウェハWFの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガFG及びアームAM
1.AM2は第1図に対し時計回り方向に90°回転し
ている。同図において、例えばウニバカヒツトWK4は
ウェハカセットWK3と共にウェハカセット駆動部WK
D2により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上押さ
れる。
Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
1. AM2 has been rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the same figure, for example, the Uniba Hits WK4 is a wafer cassette drive unit WK together with a wafer cassette WK3.
The wafer is pushed upward to a predetermined wafer delivery and collection position by D2.

フィンガFG及びアームAM1 、AM2はアーム伸縮
駆動部ADに内臓されたパルスモータSMにより伸縮し
てウェハWF1〜WF4等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ADは昇降機構HDの可動板EBに
より基台KDと共に上下動され、ウェハWF1〜WF4
等の中から特定のウェハの選択を行なう。MOはアーム
伸縮駆動部ADを基台KDごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットWKとウェハチャックWc間の
ウェハ搬送動作を行なう。
The fingers FG and the arms AM1 and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store the wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the elevating mechanism HD, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck Wc.

LZは半導体レーザ源、l−IMは半導体レーザ源L7
からのレーザ光LWをウェハカセット側へ向けて照射す
るハーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全
反射ミラーFM (FMRまたはFML)で反射したレ
ーザ光しWを透過させ半導体レーザセンサPSに伝達す
る。保護ケースSB内の半導体レーザセンサPSはこの
反射レーザ光を検出する。
LZ is a semiconductor laser source, l-IM is a semiconductor laser source L7
This is a half mirror that irradiates the laser beam LW from the wafer cassette toward the wafer cassette side.The laser beam reflected by the total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer end of the wafer cassette transmits the laser beam W to the semiconductor laser sensor PS. introduce. A semiconductor laser sensor PS inside the protective case SB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハW
Fの埠在位置を確実に知ることができ、フィンガFGと
ウェハWFの衝突等の誤動作を防止することができる。
Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The location of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ADの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板LSが
板FBと一体化され、かつ板LSには孔Ll−1が設け
られ、第2図の位置でレーザ光は孔L Hを貫通し、第
1図の位置では孔がないため遮断される。
Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate FB, and the plate LS is provided with a hole Ll-1, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. It is blocked because there is no.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。
This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源LZは第2図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構LDが駆動部AD内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータSM
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−)−
IM、半導体レーザセンサPSは第2.3図の如くフィ
ンガFGの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。こ
れによりセンサPSの光路がアームにより遮断されるこ
となくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。こ
の伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブTUが貫
通、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これに
より移動範囲の大きいアームどチューブが連動して動き
回るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた
全体スペースも小型に構成することができる。
Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror)
The IM and semiconductor laser sensor PS are arranged at positions opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIG. 2.3. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TU for wafer suction is placed along this telescopic arm by a method such as penetrating it, fitting it into a groove, or adhering it. As a result, the arms and tubes, which have a large range of movement, move around in conjunction with each other, so the tubes and arms do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第2図においてKS4 U、KS4 Lは各々ウェハの
最上(下)位置信号発生手段で例えば突起から成り、臂
降機構Hrt内のl−E、PHは各々可動板EBの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。
In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position signal generating means, each consisting of a protrusion, for example, and L-E and PH in the lowering mechanism Hrt detect the position of the movable plate EB, and detect the position of the wafer. This is a light emitting/receiving element that determines the delivery or collection position.

フィンガ[Gは、第4図A、B、Gに示す如く上下2枚
の板FGLJ、FGLの張り合せの簡易な構成で成る。
The finger [G has a simple structure of two upper and lower plates FGLJ and FGL glued together as shown in FIGS. 4A, B, and G.

」−板FGUには貫通孔U1〜UIOが設けられ、下板
FGLには溝Ll、貫通孔]−2〜L7が設けられる。
-Plate FGU is provided with through holes U1 to UIO, and lower plate FGL is provided with grooves Ll and through holes ]-2 to L7.

そして溝L1と孔ui 、 Li2 。And groove L1 and hole ui, Li2.

U3とで真空吸引室が形成される。即ち、溝L1は孔t
J10.チューブボルダ−T +−1を介してチューブ
TUが接続され排気される。第4図Bの如く形成される
吸引室内の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引し
て密室となりウェハ吸着が行なわれる。また、孔()8
.U9.L6.17等には第4図Cの如くビンSR,,
SLが嵌合される。ビンSR,Sl−は第3図の如くウ
ェハWFの端面を位置決めするための位置部材で、4イ
ンチ、6インチ、8インチ等の直径の責なるウェハに対
して孔U4 、U6 、U8のいずれかを選択してビン
SLを嵌合させる。ビンSRも同様に孔U5 、 Li
2 。
A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove L1 is the hole t.
J10. The tube TU is connected and exhausted via the tube boulder T+-1. When a wafer is placed on the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and becomes a closed chamber, where wafer suction is performed. Also, hole ()8
.. U9. For L6.17, etc., there are bins SR, , as shown in Figure 4C.
SL is fitted. The bins SR and SL- are positioning members for positioning the end face of the wafer WF as shown in FIG. Select one and fit the bottle SL. Similarly, for bottle SR, holes U5 and Li
2.

U 9を選択して嵌合させφ。これにより直径の異なる
ウェハに対して最適にビン位置を定めることができ好ま
しい。
Select U9 and fit it to φ. This makes it possible to optimally determine the bin position for wafers of different diameters, which is preferable.

上段のウェハカセットWKI 、WK3は第2図の如く
例えば支持板KS3 、KS3 Bが蝶番機構CTによ
り外力に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットWK2 、WK4の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーFMは上下2枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位@(第1図カセッ
ト上段の位置)に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを1枚だけ備えれば良い。
As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WKI, WK3 are constructed such that, for example, support plates KS3, KS3B are bendable by an external force by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is placed at the position corresponding to the wafer removal and storage position @ (the upper position of the cassette in Figure 1). Just be prepared.

前述のセンサPSはウェハカセット識別コード情報KC
3、KO2等も読取らせることができる。
The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO2 etc. can also be read.

即らKO2、KO2等は論理11」、rOJを表わすコ
ードから成り、これをセンサSPが上下及びまたは水平
方向に移動してKO2等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。
That is, KO2, KO2, etc. consists of a code representing logic 11'' and rOJ, and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information such as KO2, etc., thereby knowing the cassette identification number. .

第5図は回路焼付、検査等に用いられるウェハWFの一
例を示す。同図において、WCNはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロッ1
へ番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原
板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ
、この情報の読取りには第1図のテレビカメラTVKが
用いられる。CHPは検査される回路チップ領域を示す
FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the same figure, WCN is code information that identifies the wafer, including the wafer number, wafer cassette number, and lot number.
A number etc. will be prepared. To write this information, various methods such as exposure printing from a reticle original plate, laser printing, ink, etc. are used, and to read this information, a television camera TVK shown in FIG. 1 is used. CHP indicates the circuit chip area to be tested.

第6図はウェハカセットWKの開口部を見た正面図で、
第5図のウェハWFが例えば25枚収納される様子を示
す。ここでウェハWF2 、WF3はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
FGの突入位向には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガFGの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置P1〜I”6等を締出してお【プば良
い。
Figure 6 is a front view of the opening of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, it is sufficient to accurately detect the position of each wafer in advance before moving the finger in and out, and to lock out the safest entry position of the finger FG, that is, the center position P1 to I''6 between the wafers.

第7図Aはそのための制御ブロック図、第8図はその制
御手順を示すフローヂャ−1へて第1.7図のリードオ
ンリーメモリROMにマイクロ命令として格納されてい
るもので、以下この手順に従って動作を説明する。ステ
ップSAIではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセ
ンサPSが下降を始め、例えば第6図の最上位置信号発
生手段KS4Uを検出したときからウェハ位置検出を開
始する。センサPStfi最初のウェハW F 25を
検出した段階で最初の距離d26が決定され、同様に2
枚目のウェハWF24を検出した段階で距@ d 25
が決定され、以下同様に最下部のdlまで検出する。
FIG. 7A is a control block diagram for that purpose, and FIG. 8 is a flowchart 1 showing the control procedure, which is stored as a microinstruction in the read-only memory ROM of FIG. Explain the operation. In step SAI, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generation means KS4U shown in FIG. The first distance d26 is determined at the stage when the sensor PStfi detects the first wafer WF25, and similarly 2
At the stage when the first wafer WF24 is detected, the distance @ d 25
is determined, and detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサPSを一定の速度即ちセンサPSの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。
At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第6図及び第7図Bの波形Aとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサPSを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第7図AのROMの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位ID1〜D26を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い。
Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions ID1 to D26 of each wafer in a standard wafer cassette may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents.

即ち、まず、ROMのアドレスADIから標準の位置情
報D26をマイクロプロセッサMPUが取り込み、この
情報を基に例えば第7図Bのパルス列1)Mを決定する
。この駆動パルス列DMの各パルスのパルス幅T1〜T
10はROMの不図示の部分にテーブル形式で記憶され
ており、まずT1に対応する2進化された1間情報がM
 P LJの制御によってダウンカウンタOKに格納さ
れる。同時にフリップフロップ「[がセットされ、また
モータドライブ回路MDが動作する。モータドライブ回
路M[’)内には4進カウンタが内蔵されており、その
最初の出力によりアンドゲートA1が開き、最初の駆動
パルス(T1)によりパルスモータPMが起動を始める
That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard position information D26 from the address ADI of the ROM, and based on this information, determines the pulse train 1) M shown in FIG. 7B, for example. Pulse width T1 to T of each pulse of this drive pulse train DM
10 is stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, binary coded 1-to-1 information corresponding to T1 is stored in M.
It is stored in the down counter OK under the control of P LJ. At the same time, the flip-flop ``['' is set, and the motor drive circuit MD operates.A quaternary counter is built in the motor drive circuit M['), and the first output opens the AND gate A1, and the first The pulse motor PM starts to be activated by the drive pulse (T1).

ダウンカウンタ[)Kは発振器O8Cの発振パルスに応
答して減算を始め、その値が特定値例えばOになると特
定値デコーダ例えば0デ]−ダDCがこれを検出してフ
リップ70ツブF[をリセットする。これにより駆動パ
ルスT1が終了する。以下同様にアンドゲートA2 、
A3 、A4が順次間いてパルス幅T1による駆動が終
了する。
The down counter [)K starts subtraction in response to the oscillation pulse of the oscillator O8C, and when the value reaches a specific value, e.g. Reset. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gate A2,
A3 and A4 are sequentially passed, and driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅T2に対応する時間情報がダウンカウンタ
DKに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第7図
Bに示す如<T3 、T4と次第にパルス幅は短か(な
っていきセンサPSの下降速度は次第に増し、パルス幅
T4の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降す
る。さらに、第6図に示す最初のウェハW F 25の
近辺に近づくと第7図Bに示すパルス幅がT5 、T6
と次第に艮くなり、センサPSは減速されながら下降を
続け、ウェハW F 25の存在位置付近にセンサPS
が到達するとセンサPSがレーザ反射光を検出するに十
分な一定の低速度で下降する。このときはパルス幅T7
の駆動パルスでパルスモータPMが駆動される。ウェハ
WFIの位置検出が終了するとパルス幅T8 、 T9
 、71oのように次第に短かくなり、センサPSの下
降速度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け
、所定−下降したら第7図AのROMの第2のアドレス
AD2を指定し、位置情報Dmを取り出す。この位置情
報Qmはウェハの間隔で表わすと標準位置情報025〜
D2が共通となり、位置情報Dmのデータ領域はアドレ
スAD2の1番地だけで十分である。以下、D2まで前
記同様の作動を位置情報Dmに従って繰り返し、最後に
ROMのアドレスAD3を指定し、最下部の位置情報D
1に従って前記同様の作動を行ない、センサPSが最下
位置信号発生手段KS4Lを検出して下降を停止する。
Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B, the pulse width gradually becomes shorter as <T3 and T4, and the falling speed of the sensor PS gradually increases, and when the pulse width T4 is repeatedly driven, it falls at a constant high speed. , when approaching the vicinity of the first wafer WF 25 shown in FIG. 6, the pulse width shown in FIG. 7B becomes T5, T6.
The sensor PS continues to descend while being decelerated, and the sensor PS is located near the location of the wafer WF 25.
When the sensor PS reaches the laser beam, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse width T7
The pulse motor PM is driven by the drive pulse. When the position detection of the wafer WFI is completed, the pulse widths T8 and T9
, 71o, the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before, and when it descends to a predetermined level, it specifies the second address AD2 of the ROM in FIG. 7A, Extract position information Dm. This positional information Qm is expressed in terms of wafer spacing, and is standard positional information 025~
D2 is common, and only one address AD2 is sufficient as the data area for the position information Dm. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information Dm, and finally the ROM address AD3 is specified, and the bottom position information D
1, the sensor PS detects the lowest position signal generating means KS4L and stops the lowering.

このようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次
からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確とな
る。
Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらRAMにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報(1,0)をウェハ位置情報と
共にRAMに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキツ゛プさせ得るので便利である。また大き
さの異なる他のウェハカセットの標準位置情報もROM
のアドレスAD4〜AD6に格納しておき、選択使用す
ればさらに好ましい。
Also, if it is detected that no wafer actually exists during this wafer position detection, that fact is written in the RAM.If this wafer presence/absence information (1,0) is written in the RAM together with the wafer position information, the wafer can be detected. This is convenient because it allows you to quickly skip to a position that does not exist. Standard position information for other wafer cassettes of different sizes is also stored in the ROM.
It is more preferable to store them in addresses AD4 to AD6 and use them selectively.

次いでステップSA2では、検出した各ウェハ間の中心
位置d1/2〜d 26/ 2をマイクロプロセッサM
PtJが鐸出し、各値を第7図AのRAMに図示の如く
記憶させる。次いでウェハWF1の取出しのためにフィ
ンガFGを現在位置(最下位点)からステップSA2で
算出したd1/2の位置まで上昇させる(ステップSA
3 )。これにより第6図の最安全点P1にフィンガF
Gを位置させることができる。この位置での停止には第
7図Aの目標値格納レジスタOR,アップカウンタUK
1両者の一致回路COが用いられる。第6図の波形Bは
、この時のフィンガFGの上昇速度曲線を示す。
Next, in step SA2, the detected center positions d1/2 to d26/2 between each wafer are determined by the microprocessor M.
PtJ starts and stores each value in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is raised from the current position (lowest point) to the position d1/2 calculated in step SA2 (step SA
3). As a result, the finger F is placed at the safest point P1 in Figure 6.
G can be located. To stop at this position, use the target value storage register OR and up counter UK shown in Figure 7A.
1. A matching circuit CO for both is used. Waveform B in FIG. 6 shows the rising speed curve of the finger FG at this time.

この地点P1でアームAMI 、AM2を伸長させてフ
ィンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップSA
4 )させ、さらに昇降機構1」Dを駆動してフィンガ
FGをd1/2だけ上昇(ステップSA5 )させる。
At this point P1, extend the arms AMI and AM2 and insert the fingers FG into the wafer cassette WK (step SA
4), and further drives the lifting mechanism 1''D to raise the finger FG by d1/2 (step SA5).

これでフィンガFGの上面がウェハWF1の下面に接触
することができるので、前述の真空吸引機構がオンとな
って作動し、フィンガFGがウェハWFIを吸着(ステ
ップSへ〇)1−る。その後フィンガFGを、さらにd
2/2だけ上昇(ステップSA7 )L、次いでウェハ
WFIを吸着したままウェハカセットWKから引抜(ス
テップ5A8)<。続いてアーム伸縮駆動部ADを駆動
部MOにより90°回転してフィンガFGをXYステー
ジSTに正対させ、アームAMl 、AM2を伸長して
ウェハWF1をフィンガFGからセンタリングハンドC
Hに引渡(ステップSA9 )す。ウェハWF1は、セ
ンタリングハンドCl−1からざらにXYステージST
に引渡(ステップS A 10)され、回路焼付、検査
等の処理(ステップ5A11)が行なわれる。
The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WFI (go to step S)1-. Then finger FG, then d
Lift up by 2/2 (step SA7) L, then pull out from the wafer cassette WK while holding the wafer WFI (step 5A8). Next, the arm telescopic drive unit AD is rotated by 90 degrees by the drive unit MO to make the finger FG face the XY stage ST, and the arms AMl and AM2 are extended to move the wafer WF1 from the finger FG to the centering hand C.
Transfer to H (step SA9). The wafer WF1 is moved roughly from the centering hand Cl-1 to the XY stage ST.
(Step S A 10), and processes such as circuit burning and inspection (Step 5A11) are performed.

処理が終了すると処理済みウェハWF1はXYステージ
S1−からセンタリングハンドCHを介してフィンガF
Gに回収され、再び吸着(ステップ5A12.13)さ
れる。次にアームAM1 、AM2を収縮及び回動し、
ウェハWF1の収納のためにフィンガFGを現在位置(
R上位点)から第6図のdI +62 /2の位置即ち
安全点P2まで下降(ステップ5A14)させる。この
位置P2にてアームAMI 、AM2を伸長しフィンガ
FGをウェハカセットWKに挿入(ステップ5A15)
する。
When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage S1- to the finger F via the centering hand CH.
G and adsorbed again (step 5A12.13). Next, the arms AM1 and AM2 are contracted and rotated,
To store wafer WF1, move finger FG to the current position (
R upper point) to the position of dI +62 /2 in FIG. 6, that is, the safety point P2 (step 5A14). At this position P2, extend the arms AMI and AM2 and insert the fingers FG into the wafer cassette WK (step 5A15).
do.

次いでフィンガFGをd2/2だけ下降(ステップS 
A 16)させる。これによりウェハWFIは元の位置
の突起KR,KLに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハWF1はフィンガFGから離脱(ステ
ップS A 17)され、その後フインガFGがさらに
d2/2だけ下降(ステップS A 18)されフィン
ガFGだけがカセットWKから引抜(ステップS A 
19)かれる。以上の制御によりウェハWFIの取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハWF
2の取出し及び収納の制御を今度はd2 /2.d3 
/2の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にn−
26になるまで行なう。
Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WFI rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WF1 is separated from the finger FG (step S A 17), and then the finger FG is further moved by d2/2. It is lowered (step S A 18) and only the finger FG is pulled out from the cassette WK (step S A
19) To be killed. The above control allows the wafer WFI to be taken out and stored accurately and safely. Then wafer WF
2 takeout and storage control is now d2 /2. d3
The same procedure as above is performed based on the value of /2, and in the same way, n-
Do this until you reach 26.

以上の様子を模式的に表わしたのが第9A図である。図
において、XはフィンガFGの待機位置を示し、この点
を始点としてY点(終了点)まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハWFIの取出しのためにA点でフィンガFGの
カセットWKへの挿入が開始され、8点で取出しが終了
し、0点でセンタリングハンドCl−1への引渡しが行
なわれ、D点でセンタリングハンドCl−1からの回収
が行なわれ、E点でウェハの収納のためにフィンガFG
のカセットWKへの挿入が開始され、1点でその収納が
終了し、その位置から2枚目のウェハWFの取出し、収
納が始まることを示している。
FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, which detects the position of the wafer as it descends from this point to point Y (end point), and then picks up the wafer WFI closest to that position. Therefore, the insertion of the finger FG into the cassette WK is started at point A, the removal is completed at point 8, the transfer to centering hand Cl-1 is performed at point 0, and the insertion from centering hand Cl-1 is performed at point D. Retrieval is performed, and finger FG is used for wafer storage at point E.
The insertion of the wafer into the cassette WK is started, the storage is completed at one point, and the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをWF1〜WF3の全3
枚として示した。またA〜Fの各点に対応する処理を第
8図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガFGの待機位@XはセンタリングハンドCHとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハWF3の近辺に設定し
である。このため第9B図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第9r1図も同様で
ある。
In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position @X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH, and near the uppermost wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9r1.

第9B図はセンタリングハンドCHの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハWFIの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第9B図のフィンガ待機位置Xを最上位ウェハWF3
の近辺位置即ち第9B図のYの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第9B図とほぼ同様に
第9A、9p図の場合に比べて長くなることは第9F図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第9C図の例はウェハ引渡しまたは回収
位If(センタリングハンドCHの位置)をウェハカセ
ットのほぼ中心位置即ち中間のウェハWF2の近辺に設
定した様子を示し、この場合はフィンガFGの上下移動
の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全てのウ
ェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第9F図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでも節約することはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向−Fに貢献でき極めて
好ましい。
FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WFI are set to be almost on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line, In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
As shown in Figure 9F, even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in Figure 9B, the overall vertical movement of the finger is almost the same as in Figure 9B and longer than in Figures 9A and 9P. It is obvious. However, it is preferable that each of the wafers be taken out and stored starting from the wafer closest to the position where all scanning for wafer position detection has been completed. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows a situation in which the wafer transfer or collection position If (position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the total vertical movement of the finger FG is The distance is the shortest and the most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a wafer transfer or collection location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving even a small amount of wasted time in this manner contributes to increasing the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, and is therefore extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前■程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガFGのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第6図において今ウェハWF2が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第7図AのR
AMに示す如く論理「1」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をd26/2.d25/2のよう
にRAMに癩き込む。欠落ウェハWF2が存在しないこ
とをセンサPSが検出したらRAMのアドレスAd2に
論fllrOJを書き込み、さらに右隣りに位置情報と
してQmを書き込む。Omは前述したようにウェハの標
準位置情報である。このように処理すればウェハWF2
が存在しないことによるセンサPSの計測ミス即ちウェ
ハWFIを検出したときこれをウェハWF2であると誤
認する危険を避けることができる。
In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases where defective wafers are removed beforehand and transferred to this prober. If the operations related to wafer removal and storage of the fingers FG are skipped in the position where the wafer is not loaded, the overall processing speed can be improved. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. It is stored in RAM like d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes logic fllrOJ to the address Ad2 of the RAM, and further writes Qm as position information to the right side. As mentioned above, Om is the standard position information of the wafer. If processed in this way, wafer WF2
It is possible to avoid a measurement error of the sensor PS due to the absence of the wafer WFI, that is, the risk of mistakenly identifying the wafer WFI as the wafer WF2 when it is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハWF2
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハW
FIの取出しまたは収納の後、RAMのアドレスAd2
のウェハ無し情報「0」を検出したらdl /2+Dm
+63 /2の演算を行なえば第6図の23点の近辺を
求めることができる。したがって22点をスキップして
11点から23点にフィンガFGを高速に1袢させるこ
とができ好ましい。
Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After taking out or storing FI, RAM address Ad2
When detecting wafer no information “0”, dl /2+Dm
By performing the calculation +63/2, the vicinity of the 23 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, it is preferable to skip the 22nd point and quickly increase the finger FG from the 11th point to the 23rd point.

上図例において基準位置X、Y、Zは第2図の始点信号
発生手段KS4 U、KS4 L、EB (またはLE
、PH)等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第9A図の例ではX=KS4 U。
In the example shown above, the reference positions X, Y, Z are the starting point signal generating means KS4 U, KS4 L, EB (or LE
, PH), etc. may be selectively made to correspond. For example, in the example of FIG. 9A, X=KS4U.

Y=KS4 Lとし、第9F図の例ではX=LE(また
はPH,EB)、Y=KS4 Lとすれば良い。
Y=KS4L, and in the example of FIG. 9F, X=LE (or PH, EB) and Y=KS4L.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
(第9C図、9F図)に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは4インチ。
Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

8インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる(各ウェハ間の距離が異なる)ため、第9B、90
.9F図の例の如く下側(共通端部)のXまたはYを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。
When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so
.. An apparatus of a type in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as in the example shown in FIG. 9F, is preferable because it can handle various wafer sizes.

[効 果] 以上の如く本発明はそのレーザ安全対策に極めて多大に
寄与し得るものである。
[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to laser safety measures.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の概観斜視図、第2図はその
一部拡大側面図、第3図はその一部拡大上面図、第4A
図、第4B図、第4C図はフィンガの構成例図、第5図
はウェハの正面部、第6図はウェハカセットの開口正面
図、第7図は本発明の制御ブロック図、第78図はその
制御用波形図、第8図はその制御用フローチャート図、
第9A〜第9F図はフィンガの動作説明図である。 FG・・・フィンガ AM・・・アーム PS・・・センサ WK・・・ウェハカセット LZ・・・半導体レーザ源 W[・・・ウェハ AD・・・駆動部 LS・・・レーザ光遮断板 L  H・・・ 孔
Fig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
4B and 4C are configuration examples of fingers, FIG. 5 is a front view of a wafer, FIG. 6 is a front view of an opening of a wafer cassette, FIG. 7 is a control block diagram of the present invention, and FIG. 78 is a control waveform diagram, FIG. 8 is a control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette LZ...Semiconductor laser source W [...Wafer AD...Driver LS...Laser light blocking plate L H ... Hole

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、直線運動及び回転運動が可能に構成されたレーザ発
生源と、該レーザ発生源が特定の位置にあるときのみレ
ーザ出射を許容する手段とを有することを特徴とするウ
ェハ処理装置。 2、前記レーザ出射を許容する手段は、前記レーザ発生
源が特定の位置にあるときのみ該レーザ発生源からのレ
ーザを通過する1または2以上の開孔を有する不透明板
材からなる特許請求の範囲第1項記載のウェハ処理装置
。 3、回転運動及び直線運動することによりウェハカセッ
トからウェハを取出して所定のウェハ受渡し位置に搬送
しまたは該受渡し位置で回収したウェハを上記ウェハカ
セットに搬送して収納するウェハ搬送手段と、上記ウェ
ハカセットのウェハ収納位置に向けてレーザを照射する
レーザ発生源を有し該収納位置もしくは該収納位置にお
けるウェハの有無を検出するウェハ検出手段とを具備す
るウェハ処理装置において、上記レーザの光路中に1ま
たは2以上の開孔を有する不透明板材を配置するととも
に、該不透明板材または上記レーザ発生源の一方を固定
し、他方を上記搬送装置の運動と連動させたことを特徴
とするウェハ処理装置。
[Claims] 1. A laser source configured to allow linear and rotational movement, and means for allowing laser emission only when the laser source is at a specific position. Wafer processing equipment. 2. A claim in which the means for allowing laser emission comprises an opaque plate material having one or more openings through which the laser beam from the laser source passes only when the laser source is at a specific position. The wafer processing apparatus according to item 1. 3. Wafer transport means for taking out a wafer from a wafer cassette and transporting it to a predetermined wafer delivery position by rotating and linear motion, or transporting the wafer collected at the delivery position to the wafer cassette and storing the wafer; A wafer processing apparatus comprising a laser source that emits a laser toward a wafer storage position of a cassette, and wafer detection means that detects the storage position or the presence or absence of a wafer at the storage position, A wafer processing apparatus characterized in that an opaque plate having one or more openings is disposed, one of the opaque plate or the laser source is fixed, and the other is linked to the movement of the transport device.
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