JP2000150618A - Vacuum treatment system - Google Patents

Vacuum treatment system

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JP2000150618A
JP2000150618A JP34359698A JP34359698A JP2000150618A JP 2000150618 A JP2000150618 A JP 2000150618A JP 34359698 A JP34359698 A JP 34359698A JP 34359698 A JP34359698 A JP 34359698A JP 2000150618 A JP2000150618 A JP 2000150618A
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JP
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Patent type
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chamber
processing
transfer
vacuum
plurality
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Application number
JP34359698A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaki Narishima
正樹 成島
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum treatment system the throughput of which can be improved by avoiding the complexity of its transporting route. SOLUTION: A vacuum treatment system SYS1 is provided with a plurality of treatment units 12A and 12B respectively provided with at least transportation chambers 16 and 30 having transporting arms 24 for transporting objects W to be treated, treatment chambers 14 and 28 which are connected to the chambers 16 and 30 through openable/closable gate valves and in which prescribed treatment is performed on the objects W, and load-lock chambers 18 and 32 which are connected to the transportation chambers 16 and 30 through openable/closable gate valves, have transfer bases 26 inside, and are constituted to be able to be evacuated. The load-lock chambers 18 and 32 are faced to a common object carrying-out/in stage 42. In addition, an intermediate path chamber 38 which has placing base 40 inside and is constituted to be able to be evacuated is provided between the transportation chambers 16 and 30 of the units 12A and 12B, and openable/closable gate valves are respectively interposed between the chambers 16 and 30 and chamber 38. Therefore, the throughput of the system SYS1 can be improved by avoiding the complexity of its transporting route.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に各種の熱処理等を施す真空処理システムに関する。 The present invention relates to relates to various vacuum processing system for performing heat treatment of a semiconductor wafer or the like.

【0002】 [0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するためには、半導体ウエハに、成膜処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、アニール処理等の各種の処理を行わなければならず、また、成膜処理の中でも絶縁膜の成膜や含有金属の異なる成膜など、種々の成膜処理が介在する。 In general, in order to manufacture the semiconductor device, the semiconductor wafer, the film forming process, oxidation, diffusion, etching must perform various processes such as annealing treatment, also formed such as different film film-forming or containing metal insulating film among membrane treatment, various film forming process is interposed. そして、最近にあっては、スループットの向上、 And, in the recent, improvement of throughput,
パーティクル対策、自然酸化膜の形成防止等の見地より、上述したような各種の処理を行なう処理室を、適宜組み合わせて各処理室間を搬送室で連結することにより形成した真空処理システムとして、いわゆるクラスタツールが広く採用されている。 Particle measures, from the viewpoint of formation prevention of natural oxide film, the process chamber for performing various processes described above, a vacuum processing system formed by between the processing chambers combined appropriately connected with the transfer chamber, the so-called cluster tool has been widely adopted. 図6はこのような従来の真空処理システム2を示す概略構成図である。 6 is a schematic diagram showing such a conventional vacuum process system 2. 図示するように、この真空処理システム2は、搬送室4に対して例えば3つの処理室6A、6B、6Cがそれぞれゲート弁G1〜G3を介して連結されている。 As shown, this vacuum processing system 2, for example, three process chambers 6A to the conveying chamber 4, 6B, 6C are connected through a gate valve G1~G3 respectively. また、この搬送室4には2つのカセット室8A、8Bがそれぞれゲート弁G4、G5を介して接続されている。 Further, the two cassette chamber 8A for this transfer chamber 4, 8B are connected via a gate valve G4, G5. そして、搬送室4 Then, the transfer chamber 4
内に屈伸及び旋回可能に設けた搬送アーム10を駆動させることにより、カセットC内の半導体ウエハWを取り込んで、所望する処理室へ、或いは処理室6A、6B、 By driving the transfer arm 10 which is provided to be bent and stretched and the turning within, takes in the semiconductor wafer W in the cassette C, to the processing chamber desired, or the process chamber 6A, 6B,
6C間でウエハWを移載するようになっている。 It is adapted to transfer the wafer W between 6C. この場合、各処理室6A〜6Cの処理の種類は、必要に応じて適宜選択され、それに対応した処理室が設けられる。 In this case, the type of processing of the processing chamber 6A~6C are selected as necessary, the processing chamber is provided corresponding thereto.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したような真空処理システムにあっては、1つの搬送アーム1 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the vacuum processing system as described above, one carrying arm 1
0で3つの処理室6A〜6Cと、2つのカセット室8 0 In the three processing chambers 6A-6C, 2 single cassette chamber 8
A、8B内のウエハWを管理しながら搬送し、これらの受け渡しを行なうようになっていることから、搬送アーム10は非常に複雑な動きを要求され、スループットを低下させてしまうという問題が発生してきた。 A, and transported while managing the wafers W in 8B, since it is adapted to make these transfer, the transfer arm 10 is required a very complex motion, is a problem that reduces the throughput generation It has been. 特に、各処理室6A〜6Cの性能の上昇等により個々の処理室における処理時間が短くなるにつれて、搬送アーム10の動きはより複雑になり、更にスループットの低下を余儀なくされてきた。 In particular, as the processing time in each processing chamber is shortened by the increase or the like of the performance of each process chamber 6A-6C, the movement of the transfer arm 10 becomes more complex, have been further forced to decrease in throughput. また、半導体デバイス自体も多層構造化する傾向にあるので、含有する金属の種類の異なる成膜も多層に亘って形成する必要があり、このため、含有金属の異なる成膜ガスを用いる処理室が集合される場合もある。 Further, since the semiconductor device itself tends to be multilayered structured, it is necessary to form over the multilayer are different deposition of type of metal-containing, Therefore, the processing chamber using different deposition gas of containing metal there is also a case to be set. このような状況下において上述のような真空処理システムの構造にあっては、処理後に処理室内はN 2 Is a Under these circumstances the structure of the vacuum processing system as described above, the processing chamber after processing the N 2
パージ等の後に真空排気されるとはいえ、僅かに残留する金属ガス等がウエハWの搬出入時に搬送室4内に侵入し、これが原因で半導体ウエハWに不具合な金属汚染を引き起こす場合が生ずるという問題もあった。 Nevertheless is evacuated after purging, etc., slightly remaining metal gas or the like may enter the transfer chamber 4 to unloading Nyutoki of the wafer W, is generated if this causes a problem of metal contamination to the semiconductor wafer W due there was also a problem. 本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。 The present invention focuses on the problems described above, it was conceived in order to effectively solve the problem. 本発明の目的は、搬送経路の複雑さを回避してスループットを向上させることができる真空処理システムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a vacuum processing system that can improve the throughput and avoid the complexity of the transport path.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】請求項1に規定する発明は、被処理体を搬送するために屈伸及び旋回可能になされた搬送アームを有する搬送室と、この搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、前記被処理体に対して所定の処理を行なう処理室と、前記搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、内部に受け渡し台を有して真空引き可能になされたロードロック室とを少なくとも有する処理ユニットを複数組設け、前記複数の処理ユニットのロードロック室を共通の被処理体搬出入ステージに臨ませ、前記複数の処理ユニットの搬送室同士間に、内部に載置台を有して真空引き可能になされた中間パス室を設け、この中間パス室と前記各中間パス室間に開閉可能になされたゲート弁を介在させるようにしたも Means for Solving the Problems The invention as defined in claim 1 includes a transfer chamber having a transfer arm that is adapted to allow bending and stretching and swiveling to carry workpiece, was made to be opened and closed in the transport chamber are connected via a gate valve, comprising: a processing chamber for performing a predetermined processing on the object to be processed, are connected via the openable made a gate valve into the transfer chamber, the transfer table inside Te at least having a processing unit and a load-lock chamber was made to be evacuated is provided a plurality of sets, to face the load lock chamber of the plurality of processing units to a common workpiece loading and unloading stage, the transport of the plurality of processing units between the chamber to each other, the intermediate path chamber was made to be evacuated with a mounting table therein provided, and the gate valve is adapted to be opened and closed between the intermediate path chamber and each of the intermediate path chamber so as to be interposed Also である。 It is.

【0005】これにより、一方の処理ユニットで所定の処理を終えた被処理体は中間パス室内に一旦移載されて収容され、他方の処理ユニット側へ移して引き渡すことができるので、元の処理ユニットでは直ちに次の被処理体に対する搬送及び処理を実行することが可能となる。 [0005] Thus, the object to be processed having been subjected to predetermined processing in one processing unit is housed is temporarily transferred to the intermediate path chamber, it is possible to pass transferred to the other processing unit side, the original process it is possible to immediately execute the transport and processing for the next object to be processed in the unit.
従って、迅速な処理を行なうことができるので、スループットを向上させることができる。 Accordingly, it is possible to perform the rapid processing, it is possible to improve the throughput. この場合、請求項2 In this case, according to claim 2
に規定するように、前記各搬送室には、複数の処理室が連結されているようにしてもよい。 As specified in the each transfer chamber it may also be a plurality of processing chambers are connected. また、請求項3に規定するように、前記処理室は、前記被処理体に対して成膜を施す処理室であり、前記処理ユニット間では互いに異なる金属を含む成膜ガスを用いる。 Further, as specified in claim 3, wherein the processing chamber, said a processing chamber forming a film against the object to be processed, is between the processing unit using a deposition gas containing different metals from each other. これにより、中間パス室をゲート弁で完全に仕切ることにより、一方の処理ユニットから他方の処理ユニット側へ成膜ガスの金属成分が移行することを完全に断つことができ、金属汚染を排除することができる。 Thus, by dividing the intermediate path chamber completely by the gate valve can be completely cut off the metal component of the film forming gas from one processing unit to another processing unit side is shifted, to eliminate metallic contaminants be able to.

【0006】請求項4に規定する発明は、被処理体を搬送するために屈伸及び旋回可能になされた搬送アームを有する搬送室と、この搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、前記被処理体に対して所定の処理を行なう処理室と、前記搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、内部に受け渡し台を有して真空引き可能になされたロードロック室とを少なくとも有する処理ユニットを複数組設け、前記複数の処理ユニットのロードロック室を共通の被処理体搬出入ステージに臨ませ、前記複数の処理ユニットの搬送室同士の容器を連結して1つの搬送容器として内部を連通すると共に、前記複数の搬送アーム間に前記被処理体を受け渡すための載置台を設けるようにしたものである。 [0006] defined in claim 4 invention is connected via a bending and a transfer chamber having a pivotally made the transfer arm, the gate valve is adapted to be opened and closed in the transport chamber for transporting the object to be processed is, the a processing chamber for performing a predetermined process on the target object, the linked via the openable made a gate valve to the conveying chamber, it is adapted to allow vacuum with a delivery table inside and at least a processing unit and a load lock chamber a plurality of sets, the load lock chamber of the plurality of processing units to face the common workpiece loading and unloading stage, connecting the containers of the transfer chamber between the plurality of processing units It communicated with the interior as a single transport container and is obtained by the so provided table for passing the workpiece between the plurality of transport arms. このように、搬送室同士を連結して1つの搬送容器として内部を連通すると共に載置台も設けるようにしたので、一方の処理ユニットで所定の処理を終えた被処理体を上記載置台に移載し、他方の処理ユニット側へ引き渡す。 Thus, since the provided also table communicated with the interior as a single transport container by connecting the transfer chamber to each other, move the object to be processed having been subjected to predetermined processing in one processing unit to the mounting table mounting to, deliver to the other processing unit side. この間、元の処理ユニット側では、次の被処理体に対する搬送及び処理を実行することができる。 During this time, the original processing unit side, it is possible to perform the conveyance and processing for the next object to be processed. 従って、迅速な処理を行なってスループットを向上させることができる。 Therefore, it is possible to improve the throughput by performing a rapid processing.

【0007】また、請求項5に規定するように、前記各搬送室には、複数の処理室が開閉可能になされたゲート弁を介して連結されているようにしてもよい。 Further, as specified in claim 5, wherein each transfer chamber may also be are linked via a gate valve in which a plurality of processing chambers is adapted to be opened and closed. 更に、ここでは、搬送室が開放状態で連通されていることから、 Moreover, here, since the transfer chamber are communicated in an open state,
請求項6に規定するように、前記処理室は、前記被処理体に対して成膜を施す処理室であり、前記処理ユニット間では互いに同じ金属を含む成膜ガスを用いる。 As defined in claim 6, wherein the processing chamber, said a processing chamber forming a film against the object to be processed, is between the processing unit using a deposition gas containing the same metal each other. また、 Also,
請求項7に規定するように、上記各処理システムを複数組並列に設け、前記処理システム間の所定の搬送室同士間に、内部に載置台を有して真空引き可能になされたシステム間パス室を設け、このシステム間パス室と前記各搬送室間に開閉可能になされたゲート弁を介在させるようにしてもよい。 As defined in claim 7, said each processing system provided in plural sets parallel, the between predetermined transport chamber between between processing systems, vacuum capable made system between passes a mounting table therein the chamber is provided, the gate valve is adapted to be opened and closed between the respective conveying chambers and the inter-system path chamber may be interposed. これによれば、更に多くの処理システムを連結させて、スループットを向上させることが可能となる。 According to this, it is possible by further connecting a number of processing systems, to improve the throughput.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る真空処理システムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS be described in detail based on an embodiment of a vacuum processing system according to the present invention in the accompanying drawings. 図1 Figure 1
は本発明の真空処理システムの第1実施例を示す概略構成図である。 Is a schematic diagram showing a first embodiment of a vacuum processing system of the present invention. 図示するように、この真空処理システムS As shown, this vacuum processing system S
YS1は、被処理体である半導体ウエハWに第1の処理を施す第1処理ユニット12Aと第2の処理を施す第2 YS1 the second performing a first processing unit 12A and the second processing subjected to the first treatment on the semiconductor wafer W as an object to be processed
処理ユニット12Bとにより主に構成される。 Mainly composed of a processing unit 12B. ここでは第1処理ユニット12A側で、例えばTi/TiN膜をスパッタリングで成膜し、第2処理ユニット12Bでタングステン膜を熱CVD(Chemical Vapo Here the first processing unit 12A side, for example, Ti / TiN film is deposited by sputtering, thermal CVD and a tungsten film by the second processing unit 12B (Chemical VAPO
r Deposition)により成膜する場合を例にとって説明する。 The case is formed by a r Deposition) it will be described as an example.

【0009】まず、第1処理ユニット12Aは、スパッタリングによりTi/TiN膜を連続処理するスパッタ処理室14と、この処理室14に半導体ウエハWを搬出入する第1搬送室16と、この搬送室16に対してウエハWを搬出入する第1ロードロック室18を有している。 [0009] First, the first processing unit 12A includes a sputter process chamber 14 for continuous processing of Ti / TiN film by sputtering, the first transfer chamber 16 for loading and unloading the semiconductor wafer W in the processing chamber 14, the transfer chamber and a first load lock chamber 18 for carrying in and carrying out the wafer W to 16. 上記スパッタ処理室14は、成膜ガスの供給及び真空排気が可能になされており、内部には、ウエハWを載置するサセプタ20が設けられると共に、処理室内を真空引きする真空ポンプ22が取り付けられている。 The sputtering chamber 14 is adapted to allow the supply and evacuation of the film forming gas, inside, with a susceptor 20 for mounting thereon the wafer W is provided, a vacuum pump 22 for evacuating the processing chamber mounting It is. そして、このスパッタ処理室14と第1搬送室16との間には、気密に開閉可能になされたゲート弁G11が介設されている。 Then, this sputtering treatment chamber 14 between the first transfer chamber 16, the gate valve G11 was made to be opened and closed airtightly is interposed. また、第1搬送室16も、N 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部には、例えば屈伸及び旋回可能になされた多関節の搬送アーム24が設けられ、ウエハWの受け渡しを行なうようになっている。 The first transfer chamber 16 also, N 2 have been made purge and possible evacuation, the internal, for example the transfer arm 24 of the articulated is provided which has been made possible bending and turning, for transferring the wafer W It has become way.
この第1搬送室16と第1ロードロック室18との間には気密に開閉可能になされたゲート弁G12が介在される。 The gate valve G12 was made to be opened and closed hermetically is interposed between the first transfer chamber 16 and the first load lock chamber 18. この第1ロードロック室18内もN 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部には、ウエハWを載置する受け渡し台26が設置される。 The first load lock chamber 18 also N 2 have been made purge and possible evacuation, the internal, delivery table 26 for placing the wafer W is placed. この受け渡し台26には、必要に応じて冷却ジャケットを設けて処理済みのウエハを冷却したり、或いは加熱ランプを設けて処理前のウエハを予熱するようにしてもよい。 This transfer table 26 may be preheated or cooled the processed wafer provided with a cooling jacket as needed, or the wafer before processing by providing a heat lamp. また、受け渡し台26自体を複数段構造として複数枚のウエハを載置できるようにしてもよい。 It is also possible to allow placing a plurality of wafers the delivery table 26 itself as multiple step structure.

【0010】一方、第2処理ユニット12Bには、CV [0010] On the other hand, in the second processing unit 12B, CV
Dにより例えばタングステン膜を成膜するCVD処理室28と、この処理室28にウエハWを搬出入する第2搬送室30と、この搬送室30に対してウエハWを搬出入する第2ロードロック室32を有している。 A CVD process chamber 28 for forming a tungsten film by D, and the second transfer chamber 30 for loading and unloading the wafer W into the processing chamber 28, second load lock for loading and unloading the wafer W to the transfer chamber 30 It has a chamber 32. 上記CVD The above CVD
処理室28は、成膜ガスの供給及び真空排気が可能になされており、内部にはウエハWを載置するサセプタ34 Processing chamber 28 is adapted to allow the supply and evacuation of the film forming gas, the wafer W is placed inside the susceptor 34
が設けられている。 It is provided. そして、このCVD処理室28と第2搬送室30の間には、気密に開閉可能になされたゲート弁G13が介設されている。 Then, this CVD process chamber 28 is formed between the second transfer chamber 30, the gate valve G13 was made to be opened and closed airtightly is interposed. また、第2搬送室30もN 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部には例えば屈伸及び旋回可能になされた多関節の搬送アーム36が設けられ、ウエハWの受け渡しを行なうようになっている。 The second transfer chamber 30 is also N 2 have been made purge and possible evacuation, the inside, for example the transfer arm 36 of the bending and stretching and pivotally made the articulated is provided to perform the delivery of the wafer W going on. この第2搬送室30と第2ロードロック室32との間には、気密に開閉可能になされたゲート弁G14が介在される。 The second transfer chamber 30 is provided between the second load lock chamber 32, the gate valve G14 was made to be opened and closed hermetically is interposed.

【0011】この第2ロードロック室32内もN 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部には、ウエハWを載置する受け渡し台35が設置される。 [0011] A second load lock chamber 32 is also made N 2 purge and possible evacuation, the internal, delivery table 35 for mounting the wafer W is placed. この受け渡し台35には、必要に応じて冷却ジャケットを設けて処理済みのウエハを冷却したり、或いは加熱ランプを設けて処理前のウエハを予熱するようにしてもよい。 This is the delivery table 35 may be preheated or cooled the processed wafer provided with a cooling jacket as needed, or the wafer before processing by providing a heat lamp. また、受け渡し台35自体を2段構造として2枚のウエハを載置できるようにしてもよい。 It is also possible to allow placing two wafers a delivery table 35 itself as two-stage structure. そして、上記第1搬送室16と第2搬送室30との間に本発明の特徴とする中間パス室38が介在されている。 The intermediate path chamber 38, which is a feature of the present invention between the first transfer chamber 16 and second transfer chamber 30 is interposed. この中間パス室38もN 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部にはウエハWを載置するための載置台40が設けられている。 The intermediate path chamber 38 is also N 2 have been made purge and possible evacuation, the mounting table 40 for mounting the wafer W is provided on the inside. そして、この中間パス室38と両側の第1搬送室16及び第2搬送室30との間には、それぞれ気密に開閉可能になされたゲート弁G15、G16が介在されている。 And, this is between the intermediate path chamber 38 and the first transfer chamber 16 and the second transfer chamber 30 on both sides, the gate valve is adapted to be opened and closed hermetically, respectively G15, G16 are interposed. 従って、この中間パス室38を介して、第1及び第2搬送室16、30間でウエハWの受け渡し乃至移動を行ない得るようになっている。 Thus, through the intermediate path chamber 38, which is adapted to be subjected to transfer or movement of the wafer W between the first and second transfer chamber 16, 30.

【0012】そして、上記第1及び第2ロードロック室18、32は、それぞれ気密に開閉可能になされたゲート弁G17,G18を介して共通の被処理体搬出入ステージ42に連結されている。 [0012] Then, the first and second load lock chambers 18 and 32 are connected to a common workpiece loading and unloading stage 42 via the gate valve G17, G18 was made to be opened and closed hermetically, respectively. この搬出入ステージ42には、その長さ方向に沿って配置された図示しない案内レールに沿って移動するステージ用搬送アーム44が設置されており、この搬送アーム44は、例えばそれぞれ別々に駆動されるウエハ搬送用の多関節フォーク46A、 The loading and unloading stage 42, its has a stage for conveying arm 44 that moves along a guide rail (not shown) arranged along the length direction is disposed, the transfer arm 44, for example are driven separately articulated fork 46A of the wafer transport that,
46Bを有している。 Has a 46B. この多関節フォーク46A、46 The multi-joint fork 46A, 46
Bも屈伸及び旋回可能になされている。 B is also made possible bending and stretching and swiveling. このステージ4 This stage 4
2の一側には、内部に回転載置台48とウエハの周縁部を光学的に検出する光学センサ50とを備えた位置合わせ室52が設けられており、ウエハのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合わせを行なうようになっている。 On one side of the 2, inside the rotation table 48 and are aligned chamber 52 and an optical sensor 50 for detecting the peripheral portion of the wafer optically is provided, detecting a wafer orientation flat, a notch or the like It is adapted to perform the alignment with. このステージ42の全体は、例えば大気圧下でN 2ガスのダウンフローが形成されている矩形状のステージ容器54内に収容されている。 Whole of the stage 42, for example, is accommodated in a rectangular stage container 54 in which the down-flow of N 2 gas at atmospheric pressure is formed. そして、このステージ42の前方には、例えば4つのカセット容器54を載置できるカセット台56が設けられ、また、各カセット容器54は蓋体を設けて密閉可能になされ、内部に例えば25枚の12インチウエハを多段に支持するようになっている。 Then, in front of the stage 42, for example, four cassette stages 56 to the cassette container 54 can be placed is provided, and each cassette container 54 is made to be sealed by providing a lid, inside e.g. 25 sheets a 12-inch wafer is adapted to support in multiple stages.

【0013】次に、以上のように構成された真空処理システムSYS1の動作について説明する。 [0013] Next, the operation of the vacuum processing system SYS1 configured as described above will be described. 図1中において矢印X1はウエハWの搬送経路の一例を示す。 Arrow X1 in the figure 1 shows an example of a wafer transport route W. まず、 First of all,
所定のカセット容器54内の未処理のウエハWは、ステージ用搬送アーム42を用いてカセット容器54から取り出され、これを位置合わせ室52の回転載置台48上に載置することにより、この位置合わせを行なう。 Unprocessed wafers W in a predetermined cassette container 54 is removed from the cassette container 54 with a stage for conveying arm 42, by mounting on the rotation table 48 of the alignment chamber 52 of this, this position together they perform. 位置合わせがなされたウエハWは、再度、ステージ用搬送アーム44の一方の多関節フォーク、例えば46Aを用いて搬送され、次に、矢印X1に従って、大気圧に復帰されている第1ロードロック室18内の受け渡し台26上に載置される。 Wafer W which alignment is made, again, is conveyed using one of the articulated fork, for example 46A of the stage for the transfer arm 44, then, according to the arrow X1, the first load lock chamber is returned to atmospheric pressure It is placed on the delivery table 26 in 18. この時、必要に応じてウエハを加熱してウエハ表面の付着ガスを除去するデガス又はプリヒートを行なう。 At this time, by heating the wafer as necessary perform degassing or pre-heat removing extraneous gases wafer surface.

【0014】この受け渡し後、ゲート弁G17を閉じて第1ロードロック室18内を密閉し、この中を所定の圧力まで真空引きした後に、ゲート弁G12を用いて予め真空状態になされている第1搬送室16内と連通する。 [0014] After the transfer, to seal the first load lock chamber 18 by closing the gate valve G17, after evacuating the inside this to a predetermined pressure, the have been made in advance vacuum state by using the gate valve G12 1 communicates with the transfer chamber 16.
そして、第1搬送室16内の搬送アーム24を用いて上記受け渡し台26上のウエハWを保持し、これを予め真空状態になされているスパッタ処理室14内のサセプタ20上に移載する。 Then, by using the transfer arm 24 in the first transfer chamber 16 holds the wafer W on the transfer table 26, which is transferred to the susceptor 20 on the pre-sputtering chamber are made in a vacuum state 14. このようにウエハWの移載が完了したならば、ゲート弁G11を閉じ、スパッタ処理室14 If such a transfer of the wafer W is completed, close the gate valve G11, sputtering chamber 14
内で所定のプロセス条件に基づいてウエハWにTi/T The wafer W on the basis of predetermined process conditions in the inner Ti / T
iN膜の成膜処理を行なう。 Performing a film forming process of iN film. 成膜処理後のウエハWは、 Wafer W after the film formation process,
スパッタ処理室14内の残留処理ガスが排気された後、 After residual processing gas sputtering chamber 14 is evacuated,
搬送アーム24によって取り出され、これを予め真空状態になされている中間パス室38内の載置台40上に移載する。 It is taken out by the transfer arm 24 and transferred onto the mounting table 40 of the intermediate path chamber 38 which has been made in advance in a vacuum state so. そして、ゲート弁G15を閉じて第1搬送室1 The first transfer chamber by closing the gate valve G15 1
6側に対して隔絶して金属成膜ガス等が流入しないようにする。 Sequestered a metal deposition gas or the like is prevented from flowing against 6 side. 尚、ここで必要に応じて中間パス室38内を更に真空引きして流入した可能性のある非常に僅かな金属成膜ガスを完全に排気するようにしてもよい。 Here, it may be more fully exhausted very little metal deposition gas that may have flowed by vacuuming the intermediate path chamber 38 as needed.

【0015】次に、ゲート弁G16を用いて中間パス室38と第2搬送室30内とを連通し、第2搬送室30内の搬送アーム36を用いて載置台40上のウエハWを保持し、このウエハを予め真空状態になされているCVD Next, it communicates the intermediate path chamber 38 and second transfer chamber 30 with the gate valve G16, holding the wafer W on the mounting table 40 by using the transfer arm 36 of the second transfer chamber 30 and, CVD that has been made the wafer in advance in the vacuum
処理室28内に搬入し、サセプタ34上に載置する。 It was loaded into the processing chamber 28, placed on the susceptor 34. 次に、ゲート弁G13を閉じ、CVD処理室28内で所定のプロセス条件に基づいてウエハWにタングステン膜の成膜処理を行なう。 Then, close the gate valve G13, performing a film forming process of the tungsten film on the wafer W on the basis of predetermined process conditions in CVD processing chamber 28. 成膜後のウエハWは、CVD処理室28内の残留処理ガスが排気された後、搬送アーム36 Wafer W after the film formation, after the residual processing gas CVD process chamber 28 is evacuated, the transfer arm 36
によって取り出される。 It is taken out by. そして、このウエハWは、ゲート弁G14を開くことによって予め真空状態になされている第2ロードロック室32内に搬入され、受け渡し台35上に載置される。 Then, the wafer W is carried into the second load lock chamber 32 have been made in advance in the vacuum state by opening the gate valve G14, it is placed on the delivery table 35.

【0016】次に、ゲート弁G14を閉じた後に、この第2ロードロック室32内にN 2パージして大気圧復帰させ、受け渡し台35上でウエハWを冷却させ、その後、ゲート弁G18を開いて被処理体搬出入ステージ4 Next, after closing the gate valve G14, to the second load lock chamber 32 with N 2 purge is restored the atmospheric pressure, the wafer W is cooled on transfer table 35, then the gate valve G18 open workpiece loading and unloading stage 4
2側と連通する。 It communicates with the 2 side. そして、このステージ42のステージ用搬送アーム44を用いて、受け渡し台35上の処理済みのウエハWを保持し、これを所定のカセット容器54 Then, using the stage for the transfer arm 44 of the stage 42 holds the processed wafer W on the transfer table 35, which predetermined cassette container 54
内へ収容することになる。 It will be accommodated to the inner. このような一連の動作が矢印X1に示す搬送経路に従って順次行なわれることになる。 Such a series of operations is to be performed sequentially following the transfer path indicated by arrow X1. このように、第1及び第2搬送室16、30同士を連通・遮断可能なゲート弁G15、G16と中間パス室38を介して連結するようにしたので、ウエハWの搬送経路が複雑に交錯することがなくなって、これを円滑に次の処理室まで搬送することができ、この結果、スループットを向上させることができる。 Thus, since as the first and second transfer chamber 16 and 30 to each other linked via a communication-interruptible gate valves G15, G16 and intermediate path chamber 38, the conveyance path of the wafer W is complex interlacing is gone to, this can be smoothly conveyed to the next processing chamber, as a result, it is possible to improve the throughput. また、第1及び第2 The first and second
搬送室16、30は、ゲート弁G15、16によって必要時以外は隔絶されて分離されているので、第1及び第2搬送室16、30間に相互に気流が流出入することがなく、特に、本実施例のように異種の金属成膜方法、例えばPVDとCVDなどを用いるような場合には互いに金属汚染が発生することも未然に防止することができる。 Transfer chamber 16, 30, so except when required by the gate valve G15,16 are separated are isolated each other without airflow flows in and out between the first and second transfer chamber 16, 30, in particular , it is possible to prevent also the metal deposition method of heterogeneous, which is for example one another metal contamination in the case such as with the PVD and CVD occur as in this embodiment.

【0017】更に、本実施例の場合には、図6に示す従来システムと異なり、いずれか一方の搬送室16または30にメンテナンス等を行なう場合には、ゲート弁G1 Furthermore, in the case of this embodiment, unlike the conventional system shown in FIG. 6, when performing maintenance, etc. are in one of the transfer chamber 16 or 30, the gate valve G1
5、G16を閉じておけば、他方の処理室だけでも稼働させることができる。 5, if closing the G16, it is possible to operate just the other process chamber. また、このメンテナンス作業も、 Also in this maintenance work,
各室が図6に示すシステムと比較してそれ程密集して取り付けられているわけではないので、容易に行なうことができる。 Since each chamber is not attached to less dense compared to the system shown in FIG. 6, it can be easily performed. また、第1搬送室16、中間パス室38及び第2搬送室30の並び方向は、各処理ユニット12A、 The first transfer chamber 16, the alignment direction of the intermediate path chamber 38 and second transfer chamber 30, each processing unit 12A,
12Bの並び方向に対して直交に配列されているので、 Because it is arranged perpendicular to the array direction of 12B,
図6に示すような従来のクラスタツール形の処理システムに対して組み立て時におけるレイアウト配列を容易に行なうことができる。 The layout arrangement during assembly can be easily performed with respect to a conventional cluster tool type processing system such as shown in FIG. 上述した第1実施例の場合には、 In the case of the first embodiment described above,
第1搬送室16及び第2搬送室30には、それぞれスパッタ処理室14とCVD処理室28のみが接続されている場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例えば位置合わせ・予備加熱室と冷却室を連結するようにしてもよい。 The first transfer chamber 16 and the second transfer chamber 30, a case has been described where only each sputtering chamber 14 and CVD process chamber 28 is connected as an example, not limited to this, for example, positioning - preheating it may be connected to the chamber and the cooling chamber. 図2はこのような本発明の真空処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。 Figure 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of a vacuum processing system of the present invention. 尚、図1に示す第1実施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。 Incidentally, the description thereof is omitted same symbols are first embodiment the same parts shown in FIG.

【0018】図2に示すように、この実施例では、第1 As shown in FIG. 2, in this embodiment, the first
搬送室16の側壁には、気密に開閉可能なゲート弁G1 The side walls of the transfer chamber 16 is airtightly openable gate valve G1
9を介してN 2パージ及び真空排気可能になされた位置合わせ・予備加熱室58が連結されており、また、第2 Alignment-preheating chamber 58 has been made N 2 purge and possible evacuation through 9 and are connected, and the second
搬送室30の側壁には、気密に開閉可能になされたゲート弁G20を介してN 2パージ及び真空排気可能になされた冷却室60が連結されている。 The side walls of the transfer chamber 30, cooling chamber 60 is connected has been made N 2 purge and possible evacuation through the openable made a gate valve G20 airtight. 上記位置合わせ・予備加熱室58には、加熱ヒータを備えて回転可能になされた回転載置台62と光学センサ64が設けられており、ウエハWに対して予備加熱と位置合わせを同時に行なうようになっている。 In the alignment, the preheating chamber 58 is been made rotatably provided with a heater rotation table 62 and the optical sensor 64 is provided to perform the alignment and preheating time for the wafer W going on. 尚、この場合には、搬出入ステージ42の位置合わせ室52は不要にでき、また、第1 In this case, the alignment chamber 52 of the loading and unloading stage 42 can be dispensed with, also, the first
ロードロック室18における予備加熱を不要にできる。 It can be made unnecessary the pre-heating in the load lock chamber 18.

【0019】また、上記クーリング室60には、クーリング台66が設けられており、ウエハWを冷却し得るようになっている。 Further, in the cooling chamber 60, cooling block 66 is provided, which is a wafer W to be cooled. この場合には、ウエハWの搬送経路としては、例えば矢印X2に示すような搬送経路が採用される。 In this case, the transport path of the wafer W, for example, the transport path indicated by arrow X2 is adopted. すなわち、搬送アーム24により第1ロードロック室18から位置合わせなしで受け取ったウエハWは、 That is, the wafer W received without aligning the first load lock chamber 18 by the transfer arm 24,
位置合わせ・予備加熱室58内へ搬送され、ここでウエハの位置合わせと予備加熱が行なわれる。 It is conveyed to the alignment, replacement heating chamber 58, wherein the alignment of the wafer and the preliminary heating is performed. そして、このウエハWは、再度、搬送アーム24により搬出され、スパッタのためにスパッタ処理室14内へ導入されて、前述したと同様にスパッタによりTi/TiN膜が成膜される。 Then, the wafer W is again fed out by the transfer arm 24, is introduced into the sputtering chamber 14 for sputtering, Ti / TiN film is formed by sputtering in the same manner as described above.

【0020】この成膜後のウエハWは、第1実施例の場合と同様に、中間パス室38の両側のゲート弁G15、 The wafer W after the film formation, as in the first embodiment, on both sides of the intermediate path chamber 38 gate valves G15,
16を開閉して、第1及び第2搬送室16、30間に気流の移動が生じないように両室間の隔絶状態を保持したままウエハWを第2搬送室30内に搬入し、更にこのウエハWをCVD処理室28内に搬入して前述した第1実施例と同様にCVDにより成膜処理を施す。 16 to open and close, carries the first and the wafer W while maintaining the isolation state between the chambers as the movement of the air flow does not occur between the second transfer chamber 16, 30 into the second transfer chamber 30, further the wafer W is carried into the CVD process chamber 28 subjected to the film forming process by CVD as in the first embodiment described above. 更に、このウエハWを搬送アーム36により取り出して冷却室60 Furthermore, cooling chamber the wafer W is taken out by the transfer arm 36 60
内へ搬入してゲート弁G20を閉じて、ウエハWを冷却する。 Close the gate valve G20 and conveyed into the inner, cooling the wafer W. そして、その後は、ウエハWを冷却室60から取り出して、第1実施例の場合と同様に、処理後のウエハWを第2ロードロック室32を介して元のカセット容器54内へ戻すことになる。 And, then, takes out the wafer W from the cooling chamber 60, as in the first embodiment, to return the processed wafer W through the second load lock chamber 32 to the original cassette container 54 Become. 尚、この場合には、第2ロードロック室32における冷却操作は不要となる。 In this case, the cooling operation in the second load lock chamber 32 is unnecessary. この場合にも、ウエハの搬送経路が簡単化されて交錯することがないので、ウエハを効率的に搬送することができ、スループットを向上できる。 In this case, since no wafer transport route is crossed is simplified, it is possible to transfer the wafer efficiently, thereby improving the throughput. 更には、第1搬送室16から第2搬送室30へウエハを搬入する際にも両室16、3 Furthermore, even when carrying a wafer from the first transfer chamber 16 to the second transfer chamber 30 both chambers 16, 3
0が直接的に連通状態となることはなく、従って、金属成膜ガスが両室16、30間に亘って移動することを防止できるので、金属汚染の発生を防止することができる。 0 directly not become the communicating state, therefore, it is possible to prevent the metal film forming gas is moved across between the chambers 16, 30, it is possible to prevent the occurrence of metallic contamination.

【0021】上記第1及び第2実施例にあっては、2つの処理室14、28では互いに異種金属成分を含む成膜を行なうことから、金属汚染の発生を防止するために、 [0021] The In the first and second embodiments, since the film formation comprising two processing chambers dissimilar metal components to each other at 14 and 28, in order to prevent the occurrence of metal contamination,
中間パス室38の両側にはゲート弁G15、G16を設けて両搬送室16、30間が直接的に連通することを防止しているが、例えば両処理室の成膜に使用するガス成分が同じで互いに金属汚染を生ずる恐れのない場合には、上記ゲート弁G15、G16を設けないで、第1及び第2搬送室及び中間パス室を全て連通させるようにしてもよい。 Although both sides of the intermediate path chamber 38 between the two transfer chambers 16, 30 provided with a gate valve G15, G16 is prevented from directly communicating, the gas component used, for example, in the deposition of both the processing chamber If no possibility of causing mutually metal contamination the same, without providing the gate valve G15, G16, the first and second transfer chamber and the intermediate path chamber may be made to all communicated. 図3は、このような本発明の真空処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。 Figure 3 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of a vacuum processing system of the present invention. 尚、図1に示す第1実施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。 Incidentally, the description thereof is omitted same symbols are first embodiment the same parts shown in FIG.

【0022】図3に示すように、この第3実施例では図1中のスパッタ処理室14に替えて、例えば隣のCVD As shown in FIG. 3, in the third embodiment instead of the sputtering chamber 14 in FIG. 1, for example, next to the CVD
処理室28において金属タングステンを成膜する時と同一な成膜ガスを用いて金属タングステンを形成するCV CV for forming a metal tungsten using the same deposition gas as when forming a metal tungsten in the processing chamber 28
D処理室70を設けている。 It is provided with a D processing chamber 70. 符号72はウエハを載置するサセプタである。 Reference numeral 72 denotes a susceptor for placing the wafer. この場合には、両処理室28、70 In this case, both the processing chambers 28,70
における成膜中に含まれる金属成分が同じであって金属汚染が生ずる恐れがない。 Metal component there is no risk arising is the same metal contamination contained in the film formation in. 従って、ここでは図1中において用いていたゲート弁G15、G16を設けないで、 Thus, here not provided gate valves G15, G16, which has been used in the figure 1,
第1搬送室16、中間パス室38及び第2搬送室30を一体的に連通させている。 The first transfer chamber 16, thereby integrally communicated the intermediate path chamber 38 and second transfer chamber 30. すなわち、この3室16、3 In other words, the three-chamber 16,3
8、30の全体を囲み込む1つの大きな搬送容器74として形成している。 It is formed as a large transport vessel 74 to the entire surrounding Komu one of 8, 30. この場合には、上記3室16、3 In this case, the three chambers 16, 3
8、30にそれぞれ真空ポンプを含む排気系を設ける必要はなく、搬送容器74に1つの排気系を設ければよいので、コストの削減を図ることができる。 8,30 to it is not necessary to provide an exhaust system including a vacuum pump, respectively, since it is provided with one exhaust system carrying container 74, it is possible to reduce the cost. 尚、ここで処理室28、70で成膜する材料は、タングステン膜に限らず、例えばタングステンシリサイド(WSi)等でもよい。 The material is deposited where the processing chamber 28,70 is not limited to the tungsten film, may be, for example, tungsten silicide (WSi), or the like.

【0023】この場合のウエハの搬送経路は、矢印X [0023] The wafer transport route in this case, the arrow X
3、X4に示されており、各処理ユニット12A、12 3, X4 are shown, each processing unit 12A, 12
Bでそれぞれ独立した処理が行なわれて、ウエハが中間パス室38を通ることはない。 Independent processing is performed in B, the wafer is not to pass through the intermediate path chamber 38. また、金属汚染を考慮しないで済む真空処理システムとしては図4に示す第4実施例のように構成してもよい。 May also be configured as the fourth embodiment as a vacuum processing system need not consider metal contamination is shown in FIG. 尚、ここでは図3に示す第3実施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略する。 Incidentally, the description thereof is omitted here denoted by the same reference numerals third embodiment the same components as shown in FIG. ここでは、全体で4つの処理室を設け、金属汚染の生じない膜として例えばチタン(Ti)膜及びチタンナイトライド(TiN)膜を成膜する場合について説明する。 Here, total provided four processing chambers, the case of forming a film that does not cause such as titanium (Ti) film and a titanium nitride (TiN) film of metal contamination. ここでは、第1搬送室16に、CVDによりTiN膜を成膜するCVD処理室78とCVDによりTi膜を成膜するCVD処理室80を、それぞれゲート弁G11及びG19を介して連結している。 Here, the first transfer chamber 16, and the CVD process chamber 80 for forming a Ti film by CVD and the CVD process chamber 78 for forming a TiN film by CVD, and respectively connected via a gate valve G11 and G19 . また、第2 In addition, the second
搬送室30に、CVDによりTiN膜を成膜するCVD The transport chamber 30, CVD for forming a TiN film by CVD
処理室82とCVDによりTi膜を成膜するCVD処理室84を、それぞれゲート弁G13及びG20を介して接続している。 The CVD process chamber 84 for forming a Ti film by the processing chamber 82 and CVD, are connected via respective gates valves G13 and G20. 尚、この場合にも、金属汚染の恐れは生じないので、第1及び第2搬送室16、30と中間パス室38の相互間は、ゲート弁を設けることなく連通されているのは勿論である。 Also in this case, since no fear of metal contamination, between each other the first and second transfer chamber 16, 30 and the intermediate path chamber 38 is, what is communicated without providing a gate valve is of course is there. 符号86、88、90、92は各処理室内に設けられるサセプタである。 Reference numeral 86, 88, 90, 92 is a susceptor provided in each processing chamber.

【0024】この場合のウエハの搬送経路の一例としては、第1処理ユニット12Aでは、Ti膜とTiN膜の連続積層成膜を行なうことから矢印X5に示す経路をとり、また、第2処理ユニット12BではTiN膜とTi [0024] As an example of a wafer transport route in this case, the first processing unit 12A, taking the path indicated by arrow X5 since the continuous laminate film forming the Ti film and the TiN film, and the second processing unit 12B In the TiN film and Ti
膜をそれぞれ別個に単層で成膜することから矢印X6及びX7に示す経路をとる。 Take a path indicated by arrow X6 and X7 since the deposited film in each separate single layer. すなわち、矢印X5に示す経路では、ウエハWをTi用のCVD処理室80内へ搬入してTi膜を成膜し、次に、このウエハをTiN用のC That is, in the path indicated by arrow X5, the wafer W is carried into the CVD process chamber 80 for Ti and a Ti film, then, the wafer for TiN C
VD処理室78内へ搬入してTiN膜を成膜し、その後、処理済みのウエハを元のカセット容器へ戻すようになっている。 The TiN film is formed by carrying the VD processing chamber 78, then, is adapted to return the processed wafer to the original cassette container. また、第2処理ユニット12Bの矢印X6 Further, the second processing unit 12B arrow X6
に示す経路では、ウエハWをTiN用のCVD処理室8 In the route shown in, CVD processing chamber of the wafer W for TiN 8
2へ搬入してTiN膜を成膜し、次に、処理済みのウエハを元のカセット容器へ戻すようになっている。 It was carried into 2 a TiN film is deposited by, then, is adapted to return the processed wafer to the original cassette container. また、 Also,
矢印X7に示す経路では、ウエハWをTi用のCVD処理室84内へ搬入してTi膜を成膜し、次に、処理済みのウエハを元のカセット容器内へ戻すようになっている。 The path indicated by arrow X7, the wafer W is carried into the CVD process chamber 84 for Ti and a Ti film, then, is adapted to return the processed wafer to the original cassette container.

【0025】このように、必要とされる成膜に応じて、 [0025] In this way, depending on the film formation that is required,
例えば2種の成膜をシリアルに連続的に行なうこともできるし、また、それぞれの膜種の成膜をパラレルに、すなわち同時並行に行なうことができる。 For example to the two film forming may be performed serially continuously, also the formation of each film type in parallel, i.e. can be performed simultaneously in parallel. また、図5は本発明の真空処理システムの第5実施例を示す概略構成図である。 Further, FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of a vacuum processing system of the present invention. この実施例においては、図1に示すような第1 In this embodiment, first, as shown in FIG. 1 1
実施例を複数組、ここでは2組並列に設け、これをシステム間パス室で連結している。 A plurality of sets of embodiments, wherein is linked provided in two sets in parallel, this in-system path chamber. すなわち、図1に示したような構成の真空処理システムSYS1の右隣に、スパッタ処理室14を他のCVD処理室14−1に替えた点を除いて真空処理システムSYS1と同じ構成の第2真空処理システムSYS2を並設させている。 That is, the right side of the vacuum processing system SYS1 having the structure shown in FIG. 1, the second having the same configuration as the vacuum process system SYS1 except for changing the sputtering chamber 14 to the other CVD process chamber 14-1 and it is juxtaposed a vacuum processing system SYS2. 第2の真空処理システムSYS2では、第1の真空処理システムS In the second vacuum processing system SYS2, the first vacuum processing system S
YS1の各部材に対応する部材に対して参照符号の後に[−1]の符号を付してある。 After the reference numerals for the corresponding member to each member of YS1 are denoted by the sign of [-1].

【0026】このように、第1の真空処理システムSY [0026] Thus, the first vacuum processing system SY
S1と第2の真空処理システムSYS2を並設した結果、ここでは第1の真空処理システムSYS1の第2搬送室30と第2の真空処理システムSYS2の第1搬送室16−1が隣り合うことになるが、両搬送室30、1 S1 and a result of the juxtaposed second vacuum processing system SYS2, where the first transfer chamber 16-1 of the first second transfer chamber 30 of the vacuum processing system SYS1 and second vacuum process system SYS2 are adjacent to become, but both the transfer chamber 30,1
6−1間には、システム間パス室96が介在されている。 Between 6-1 intersystem path chamber 96 is interposed. このシステム間パス室96はN 2パージ及び真空排気可能になされており、この内部にはウエハWを載置するための載置台98が設けられている。 The inter-system path chamber 96 are made to be N 2 purge and evacuation, the mounting table 98 for mounting a wafer W is inside. そして、このシステム間パス室96の両側の第2搬送室30及び第1搬送室16−1との間には、それぞれ気密に開閉可能になされたゲート弁G22、G23が介在されていてる。 Further, between the second transfer chamber 30 and first transfer chamber 16-1 on either side of the system between passes chamber 96, openable made a gate valve hermetically respectively G22, G23 are being interposed. 従って、このシステム間パス室96を介して、第1及び第2の真空処理システムSYS1、SYS2間でウエハW Thus, through the inter-system path chamber 96, first and second vacuum processing system SYS1, the wafer W between the SYS2
の受け渡し乃至移動を行ない得るようになっている。 So that the may perform transferring or moving.

【0027】このような構成においては、ウエハWの搬送経路は、例えば矢印X8に示すような経路を取ることができる。 [0027] In such a configuration, the transport path of the wafer W, for example, can take the path indicated by arrow X8. すなわち、ウエハWに対して第1の真空処理システムSYS1のスパッタ処理室14及びCVD処理室28で順次成膜処理を施した後、これをシステム間パス室96を介して第2の真空処理システムSYS2側へ搬入し、更に、このシステムSYS2の一方のCVD処理室14−1及び他方のCVD処理室28−1で順次成膜処理を施すようにする。 That is, after sequentially performing a film forming process on the wafer W in the first sputtering chamber 14 of the vacuum processing system SYS1 and CVD process chamber 28, the second vacuum processing system via the intersystem path chamber 96 it carried to the SYS2 side, further, to sequentially subjected to film deposition processing in one CVD process chamber 14-1 and the other CVD process chamber 28-1 of the system SYS2. これによれば、金属汚染の生ずる恐れのある複数膜種の成膜を、金属汚染を生ずることなく連続的に行なうことができ、しかも、搬送経路はシンプル化されているので、搬送経路が交錯することはなく、効率的な搬送を行なってスループットを向上させることが可能となる。 According to this, the formation of the plurality of film types that may occur with metal contamination, can be continuously performed without causing metal contamination, moreover, since the transport path is simplified, the transfer path crossing not be, it is possible to improve the throughput by performing efficient transport. ここでは連結するシステム或いはユニット数は、実施例記載に限定されず、更に多くのシステム或いはユニットを連結するようにしてもよい。 Here system or number of units for coupling is not limited to the embodiments described, it may be connected to more systems or units. 以上の各実施例における各搬送経路は、単に一例を示したに過ぎず、連結される処理室における成膜の種類、薄膜の積層順序等によって適切な搬送経路が定まるのは勿論である。 Each transport path in each example of the above is merely an example, and the type of deposition in a linked by the processing chamber, the appropriate transport path by stacking order etc. of the thin film is determined as a matter of course. 更には、処理室における処理は、成膜処理に限らず、他の処理、例えばエッチング処理、アニール処理、アッシング処理、スパッタ処理等にも適用できるのは勿論である。 Furthermore, processing in the processing chamber is not limited to the film forming process, other processes, for example an etching process, an annealing process, an ashing process, it is of course also applicable to the sputtering process or the like. また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも適用できるのは勿論である。 Furthermore, here has been described as an example a semiconductor wafer as an object to be processed is not limited to, a glass substrate, can be applied to an LCD substrate, etc. is a matter of course.

【0028】 [0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。 As described in the foregoing, according to the vacuum processing system of the present invention, it is possible to exert effects excellent as follows. 請求項1乃至3に規定する発明によれば、処理室と搬送室とロードロック室よりなる処理ユニットを複数組並設し、搬送室同士を、ゲート弁を介して中間パス室で連結して被処理体の移動を可能にしたので、被処理体の搬送経路が交錯することがなくなって迅速な搬送ができ、スループットを向上させることができる。 According to the invention as defined in claims 1 to 3, a processing unit consisting of the transfer chamber and the load lock chamber and the processing chamber and a plurality of sets arranged, the transport chamber together, and connected by the intermediate path chamber via a gate valve since the enabling movement of the workpiece, gone the transport path of the object to be processed is crossed it can quickly transport, thereby improving the throughput. また、処理ユニット間に亘って被処理体を搬送する場合には、中間パス室のゲート弁を適宜操作することにより、両搬送室間が直接連通することなく搬送することができ、従って、金属汚染の発生を抑制することができる。 Further, over the space between the processing unit when transporting the object to be processed, by operating the gate valve of the intermediate path chamber appropriately, between both conveying chambers can be conveyed without communicating directly, therefore, metal it is possible to suppress the occurrence of contamination. また、請求項4乃至6に規定する発明によれば、処理室と搬送室とロードロック室よりなる処理ユニットを複数組並設し、搬送室同士を中間パス室で連結して被処理体の移動を可能にしたので、被処理体の搬送経路が交錯することがなくなって迅速な搬送ができ、スループットを向上させることができる。 Further, according to the invention as defined in claim 4 to 6, a processing unit consisting of the transfer chamber and the load lock chamber and the processing chamber and a plurality of sets arranged, by connecting the transfer chamber to each other in the intermediate path chamber of the object Having allow movement, gone the transport path of the object to be processed is crossed can quickly transport, thereby improving the throughput. 更に、請求項7に規定する発明によれば、金属汚染の発生を抑制しつつ、複数の処理ユニット間に亘って被処理体を移動でき、搬送経路がシンプルなのでスループットを向上させることができる。 Furthermore, according to the invention as defined in claim 7, while suppressing the occurrence of metal contamination, over between a plurality of processing units to move the object to be processed, it is possible to improve the throughput since the transport path is simple.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の真空処理システムの第1実施例を示す概略構成図である。 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a vacuum processing system of the present invention.

【図2】本発明の真空処理システムの第2実施例を示す概略構成図である。 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of a vacuum processing system of the present invention.

【図3】本発明の真空処理システムの第3実施例を示す概略構成図である。 Figure 3 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of a vacuum processing system of the present invention.

【図4】本発明の真空処理システムの第4実施例を示す概略構成図である。 4 is a schematic block diagram showing a fourth embodiment of a vacuum processing system of the present invention.

【図5】本発明の真空処理システムの第5実施例を示す概略構成図である。 5 is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of a vacuum processing system of the present invention.

【図6】従来の真空処理システムを示す概略構成図である。 6 is a schematic diagram showing a conventional vacuum processing system.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

12A 第1処理ユニット 12B 第2処理ユニット 14 スパッタ処理室 16 第1搬送室 18 第1ロードロック室 24 搬送アーム 26 受け渡し台 28 CVD処理室 30 第2搬送室 32 第2ロードロック室 35 受け渡し台 36 搬送アーム 38 中間パス室 40 載置台 42 被処理体搬出入ステージ 44 ステージ用アーム 52 位置合わせ室 54 カセット容器 70 CVD処理室 74 搬送容器 78,80,82,84 処理室 96 システム間パス室 G11〜G20 ゲート弁 W 半導体ウエハ(被処理体) 12A first processing unit 12B second processing unit 14 sputtering chamber 16 first transfer chamber 18 first load lock chamber 24 transfer arm 26 transferring table 28 CVD process chamber 30 and the second transfer chamber 32 and the second load lock chamber 35 the delivery table 36 transfer arm 38 intermediate path chamber 40 table 42 the workpiece loading and unloading stage 44 stage arms 52 aligned chamber 54 cassette container 70 CVD processing chamber 74 carrying container 78, 80, 82, 84 processing chamber 96 intersystem path chamber G11~ G20 gate valve W semiconductor wafer (workpiece)

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Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 被処理体を搬送する搬送アームを有する搬送室と、この搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、前記被処理体に対して所定の処理を行なう処理室と、前記搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、内部に受け渡し台を有して真空引き可能になされたロードロック室とを少なくとも有する処理ユニットを複数組設け、前記複数の処理ユニットのロードロック室を共通の被処理体搬出入ステージに臨ませ、前記複数の処理ユニットの搬送室同士間に、内部に載置台を有して真空引き可能になされた中間パス室を設け、この中間パス室と前記各中間パス室間に開閉可能になされたゲート弁を介在させるようにしたことを特徴とする真空処理システム。 And 1. A transfer chamber having a transfer arm for conveying the object to be processed, is connected via a gate valve which is adapted to be opened and closed in the transport chamber, it performs a predetermined process on the target object processed and the chamber, are connected via the openable made a gate valve into the transfer chamber, a processing unit having at least a load lock chamber is adapted to allow vacuum with a transfer table within a plurality of sets, wherein the load lock chamber of the plurality of processing units to face the common workpiece loading and unloading stage, between the transfer chamber between the plurality of processing units, the intermediate path chamber was made to be evacuated with a mounting table therein the provided vacuum processing system, characterized in that the openable made gate valves so as to be interposed between the intermediate path chamber wherein the intermediate path chamber.
  2. 【請求項2】 前記各搬送室には、複数の処理室が連結されていることを特徴とする請求項1記載の真空処理システム。 Wherein said each transfer chamber, the vacuum processing system of claim 1, wherein a plurality of processing chambers are connected.
  3. 【請求項3】 前記処理室は、前記被処理体に対して成膜を施す処理室であり、前記処理ユニット間では互いに異なる金属を含む成膜ガスを用いることを特徴とする請求項1または2記載の真空処理システム。 Wherein said processing chamber, said a processing chamber forming a film against the workpiece, claim 1 is between said processing units, characterized by using a deposition gas containing different metals from each other or vacuum processing system 2 described.
  4. 【請求項4】 被処理体を搬送するために屈伸及び旋回可能になされた搬送アームを有する搬送室と、この搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、 4. A transfer chamber having a transfer arm that is adapted to allow bending and stretching and swiveling to carry workpiece, are connected via a gate valve which is adapted to be opened and closed in the transport chamber,
    前記被処理体に対して所定の処理を行なう処理室と、前記搬送室に開閉可能になされたゲート弁を介して連結されて、内部に受け渡し台を有して真空引き可能になされたロードロック室とを少なくとも有する処理ユニットを複数組設け、前記複数の処理ユニットのロードロック室を共通の被処理体搬出入ステージに臨ませ、前記複数の処理ユニットの搬送室同士の容器を連結して1つの搬送容器として内部を連通すると共に、前記複数の搬送アーム間に前記被処理体を受け渡すための載置台を設けるようにしたことを特徴とする真空処理システム。 Wherein a processing chamber for performing a predetermined process on the target object, the linked via the openable made a gate valve to the conveying chamber, a load lock that is adapted to allow vacuum with a delivery table inside at least a processing unit and a chamber a plurality of sets, and the load lock chamber of the plurality of processing units to face the common workpiece loading and unloading stage, and connected containers of the transfer chamber between the plurality of processing units 1 One of the communicated with the interior as a transport container, the vacuum processing system, characterized in that the said to provide a mounting base for passing the workpiece between the plurality of transport arms.
  5. 【請求項5】 前記各搬送室には、複数の処理室が開閉可能になされたゲート弁を介して連結されていることを特徴とする請求項4記載の真空処理システム。 Wherein said each transfer chamber, the vacuum processing system of claim 4, wherein a plurality of processing chambers are connected via a gate valve which is adapted to be opened and closed.
  6. 【請求項6】 前記処理室は、前記被処理体に対して成膜を施す処理室であり、前記処理ユニット間では互いに同じ金属を含む成膜ガスを用いることを特徴とする請求項4または5記載の真空処理システム。 Wherein said processing chamber, said a processing chamber forming a film against the workpiece, claim 4 is between said processing units, characterized by using a deposition gas containing the same metal with each other or 5 vacuum processing system according.
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6に規定する処理システムを複数組並列に設け、前記処理システム間の所定の搬送室同士間に、内部に載置台を有して真空引き可能になされたシステム間パス室を設け、このシステム間パス室と前記各搬送室間に開閉可能になされたゲート弁を介在させるようにしたことを特徴とする真空処理システム。 7. provide a processing system as defined in claims 1 to 6 into a plurality of sets in parallel, between predetermined transport chamber between between the processing system was made to be evacuated with a mounting table inside the system between paths chamber provided, the vacuum processing system, characterized in that the openable made gate valves so as to be interposed between the respective conveying chambers and the inter-system path chamber.
  8. 【請求項8】 前記所定の処理は、エッチング処理、アニール処理、アッシング処理、スパッタ処理の内のいずれか1つであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の真空処理システム。 Wherein said predetermined process, etching process, annealing process, an ashing process, the vacuum processing system according to any of claims 1 to 7, characterized in that any one of the sputtering process .
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