JPH02132656U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02132656U JPH02132656U JP4243589U JP4243589U JPH02132656U JP H02132656 U JPH02132656 U JP H02132656U JP 4243589 U JP4243589 U JP 4243589U JP 4243589 U JP4243589 U JP 4243589U JP H02132656 U JPH02132656 U JP H02132656U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- substrate holder
- mounting hole
- sputtering device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図は本考案実施例の同軸スパツタ装置の縦
断側面図、第2図は第1図−線の横断平面拡
大示図、第3図は他の基板取付部の拡大縦断面図
、第4図イは基板、ターゲツト間隔に対する成膜
速度を、本考案実施結果を従来技術の結果と対比
して示す図表、第4図ロは同じく被膜硬度の結果
の対比図表、第4図ハは同じく被膜スクラツチテ
ストの臨界荷重の結果の対比図表、第5図は従来
技術のマグネトロン方式同軸型スパツタ装置の代
表的1例の縦断側面図、第6図は第5図−線
の横断平面拡大示図である。 1………同軸型スパツタ装置、2……真空容器
、2A……器底絶縁物、3……真空ポンプ、4…
…ガス源、5……接地、6……ターゲツトホルダ
、7……ターゲツト、8……永久磁石、9……冷
却管、10……高圧電源、11……スペーサ、1
2……基板ホルダ、13……基板、14,14A
……基板取付穴、15……基板支持治具、16…
…ビス、D……間隔、E……電界、a……真空容
器、b……真空ポンプ、c……ガス源、d……タ
ーゲツト、e……基板、f……基板ホルダ、g…
…永久磁石、h……冷却管、i……高圧電源。
断側面図、第2図は第1図−線の横断平面拡
大示図、第3図は他の基板取付部の拡大縦断面図
、第4図イは基板、ターゲツト間隔に対する成膜
速度を、本考案実施結果を従来技術の結果と対比
して示す図表、第4図ロは同じく被膜硬度の結果
の対比図表、第4図ハは同じく被膜スクラツチテ
ストの臨界荷重の結果の対比図表、第5図は従来
技術のマグネトロン方式同軸型スパツタ装置の代
表的1例の縦断側面図、第6図は第5図−線
の横断平面拡大示図である。 1………同軸型スパツタ装置、2……真空容器
、2A……器底絶縁物、3……真空ポンプ、4…
…ガス源、5……接地、6……ターゲツトホルダ
、7……ターゲツト、8……永久磁石、9……冷
却管、10……高圧電源、11……スペーサ、1
2……基板ホルダ、13……基板、14,14A
……基板取付穴、15……基板支持治具、16…
…ビス、D……間隔、E……電界、a……真空容
器、b……真空ポンプ、c……ガス源、d……タ
ーゲツト、e……基板、f……基板ホルダ、g…
…永久磁石、h……冷却管、i……高圧電源。
Claims (1)
- 成膜材料のターゲツトを中心としてその周りに
同軸に実質的に円筒形の基板ホルダを配置し、基
板ホルダに基板取付穴を設けて基板をターゲツト
に対し基板ホルダの内周面と一致する間隔の位置
となるよう基板取付穴にはめ込んで取付けるよう
にしたことを特徴とする同軸型スパツタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243589U JPH02132656U (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243589U JPH02132656U (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02132656U true JPH02132656U (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=31553979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4243589U Pending JPH02132656U (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02132656U (ja) |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP4243589U patent/JPH02132656U/ja active Pending
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