JPH02129919A - ウエハ加工用フィルム - Google Patents
ウエハ加工用フィルムInfo
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- JPH02129919A JPH02129919A JP28251388A JP28251388A JPH02129919A JP H02129919 A JPH02129919 A JP H02129919A JP 28251388 A JP28251388 A JP 28251388A JP 28251388 A JP28251388 A JP 28251388A JP H02129919 A JPH02129919 A JP H02129919A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウェハ等を研磨加工する際に用いる破
損防止′用フィルムに関する。
損防止′用フィルムに関する。
半導体集積回路（ＩＣ）は通常、高純度シリコン結晶等
をスライスしてウェハとした後、エツチング等により集
積回路を組み込み、グイシングしてチップ化する方法で
製造されているが、これらの各工程において、シリコン
等のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため
、ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工
用フィルムが用いられている。
をスライスしてウェハとした後、エツチング等により集
積回路を組み込み、グイシングしてチップ化する方法で
製造されているが、これらの各工程において、シリコン
等のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため
、ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工
用フィルムが用いられている。
しかして、近年、回路の複雑化にともない、ウェハ表面
の凹凸が大きくなってきており、又、ウェハ自体も大型
化の傾向にあり、従来のウェハ加工用フィルムではウェ
ハの破損を防止しきれなくなってきている。
の凹凸が大きくなってきており、又、ウェハ自体も大型
化の傾向にあり、従来のウェハ加工用フィルムではウェ
ハの破損を防止しきれなくなってきている。
以上の点に鑑み、本発明の目的は、ウェハ研磨加工に際
し、その破損防止をより確実なものにするウェハ加工用
フィルムを提供することである。
し、その破損防止をより確実なものにするウェハ加工用
フィルムを提供することである。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行っ
た結果、特定の硬度を有する基材フィルムに、特定の硬
度を有する水エマルジ茸ン系粘着剤層を設けてウェハ表
面に貼り合わせることにより、表面の凹凸の大きいウェ
ハでも破損を防止できることを見出し、本発明を完成し
た。
た結果、特定の硬度を有する基材フィルムに、特定の硬
度を有する水エマルジ茸ン系粘着剤層を設けてウェハ表
面に貼り合わせることにより、表面の凹凸の大きいウェ
ハでも破損を防止できることを見出し、本発明を完成し
た。
即ち本発明は、ショアＤ型硬度が４０以下である基材フ
ィルムの片面にショアＡ型硬度が２０以下である水エマ
ルシロン系粘着剤層を設けてなることを特徴とするウェ
ハ加工用フィルムである。
ィルムの片面にショアＡ型硬度が２０以下である水エマ
ルシロン系粘着剤層を設けてなることを特徴とするウェ
ハ加工用フィルムである。
本発明のウェハ加工用フィルムの使用対象となるウェハ
はシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、素−アルミニ
ウム等のウェハがあげられ、特に大口径のシリコンウェ
ハに好適に使用される。
はシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、素−アルミニ
ウム等のウェハがあげられ、特に大口径のシリコンウェ
ハに好適に使用される。
本発明で用いる基材フィルムとしては、合成樹脂あるい
は天然、合成ゴム等からなるフィルムのうちショアＤ型
硬度が４０以下、好ましくは３０以下のもので、市販品
の中から適宜選択できる。
は天然、合成ゴム等からなるフィルムのうちショアＤ型
硬度が４０以下、好ましくは３０以下のもので、市販品
の中から適宜選択できる。
該硬度が４０を越えるとウェハを研磨加工する際の破損
率が上昇する。
率が上昇する。
ここでいうショアＤ型硬度とは、ＡＳＴＭＤ−２２４０
によるＤ型ショアー硬度針を用いて測定した値である。
によるＤ型ショアー硬度針を用いて測定した値である。
基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
基材フィルムの厚みは保護するウェハの形状、表面状態
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
１０・μｍ〜２０００１！ｍが好ましい。
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
１０・μｍ〜２０００１！ｍが好ましい。
本発明で基材フィルム面に設ける水エマルジョン系粘着
剤はシジアＡ硬度２０以下が好ましい。
剤はシジアＡ硬度２０以下が好ましい。
該硬度が２０を越えると基材フィルムの硬度に関係なく
ウェハを研磨加工する際の破損率が上昇する。
ウェハを研磨加工する際の破損率が上昇する。
又、ここでいうショアＡ型硬度とは、ＡＳＴＭＤ−２２
４０によるＡ型ショアー硬度計を用いて測定した値であ
る。
４０によるＡ型ショアー硬度計を用いて測定した値であ
る。
本発明でいう水エマルジヨン系粘着剤とは、例えばメタ
クリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル−２−エ
チルヘキシル、アクリル酸エチル等の（メタ）アクリル
酸エステルモノマーに乳化剤、脱イオン水、重合開始剤
を添加し水中でエマルジゴン重合した粘着剤であり、モ
ノマー組成の選択については必要とする接着力に応じ適
宜行うことが可能である。こうして重合された水エマル
ジヨン系粘着剤は通常３０〜６０ｗｔ％の固形分を含有
するが、塗布時には粘着調整のためさらに水で希釈する
こともできる。
クリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル−２−エ
チルヘキシル、アクリル酸エチル等の（メタ）アクリル
酸エステルモノマーに乳化剤、脱イオン水、重合開始剤
を添加し水中でエマルジゴン重合した粘着剤であり、モ
ノマー組成の選択については必要とする接着力に応じ適
宜行うことが可能である。こうして重合された水エマル
ジヨン系粘着剤は通常３０〜６０ｗｔ％の固形分を含有
するが、塗布時には粘着調整のためさらに水で希釈する
こともできる。
また、必要に応じ研磨加工後のウェハの洗浄効果を上げ
るため、該粘着剤に非イオン系界面活性剤および／また
は水溶性有機化合物を含有させることが可能である。
るため、該粘着剤に非イオン系界面活性剤および／また
は水溶性有機化合物を含有させることが可能である。
基材フィルムの表面に設ける該粘着剤の膜厚みとしては
、シリコンウェハの表面状態、形状、研磨方法等により
適宜法められるが、通常５ｐｍ〜２００μｍが好ましい
。
、シリコンウェハの表面状態、形状、研磨方法等により
適宜法められるが、通常５ｐｍ〜２００μｍが好ましい
。
粘着剤を基材フィルム面に塗布する方法としては、従来
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬性、ハケ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬性、ハケ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。
実施例１
厚さ２００μのショアＤ型硬度が３０であるエチレン−
酢酸ビニル共重合樹脂フィルムの片面にコロナ放電処理
を施し、アクリル系粘着剤をロールコータにより塗布、
乾燥して、厚さ約５０μのショアＡ型硬度が１０である
粘着剤層を設けたフィルムを作成した。このフィルムを
、表面の凹凸差が約５０．ｃｒｍであるシリコンウェハ
（６インチ）表面に貼り合わせ、裏面を研磨機（ディス
コ社製）で研磨した後、該フィルムを剥がし純水で洗浄
して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した。
酢酸ビニル共重合樹脂フィルムの片面にコロナ放電処理
を施し、アクリル系粘着剤をロールコータにより塗布、
乾燥して、厚さ約５０μのショアＡ型硬度が１０である
粘着剤層を設けたフィルムを作成した。このフィルムを
、表面の凹凸差が約５０．ｃｒｍであるシリコンウェハ
（６インチ）表面に貼り合わせ、裏面を研磨機（ディス
コ社製）で研磨した後、該フィルムを剥がし純水で洗浄
して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した。
この時のウェハ破損率は皆無であった。
実施例２
厚さ３００μのショアＤ型硬度が２０士あるブタジェン
ゴムシートを用いて、実施例１と同様の方法により厚さ
約３０μのシップＡ型硬度が２０である粘着剤層を設け
たフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸差が
約３０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面に貼
り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚の加
工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ破損率
は０であった。
ゴムシートを用いて、実施例１と同様の方法により厚さ
約３０μのシップＡ型硬度が２０である粘着剤層を設け
たフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸差が
約３０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面に貼
り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚の加
工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ破損率
は０であった。
実施例３
厚さ２００μのショアＤ型硬度が４０である塩化ビニル
樹脂フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により厚
さ約５．０μのシリアＡ型硬度が８である粘着剤層を設
けにフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸差
が約５０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面に
貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚の
加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ破損
率はＯであった。
樹脂フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により厚
さ約５．０μのシリアＡ型硬度が８である粘着剤層を設
けにフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸差
が約５０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面に
貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚の
加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ破損
率はＯであった。
比較例１
粘着剤としてアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍ
のシップＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けた以外、
実施例１と同様の方法で粘着剤付きフィルムを作成し、
同様の方法でシリコンウェハの研磨加工を行った。その
結果５枚のウェハが破損した。
のシップＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けた以外、
実施例１と同様の方法で粘着剤付きフィルムを作成し、
同様の方法でシリコンウェハの研磨加工を行った。その
結果５枚のウェハが破損した。
比較例２
厚さ２００μのショアＤ型硬度が５０である低密度ポリ
エチレンフィルムを基材フィルムとじて用いた以外は実
施例１と同様の方法で粘着剤層を設けたフィルムを作成
し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加工
を行った。その結果６枚のウェハが破損した。
エチレンフィルムを基材フィルムとじて用いた以外は実
施例１と同様の方法で粘着剤層を設けたフィルムを作成
し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加工
を行った。その結果６枚のウェハが破損した。
比較例３
厚さ２００μのショアＤ型硬度が５０である低密度ポリ
エチレンフィルムを基材フィルムとして用い、粘着剤と
してアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍのシップ
Ａ型硬度が３０である粘着剤層を設けたフィルムを作成
し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加工
を行った。その結果８枚のウェハが破損した。
エチレンフィルムを基材フィルムとして用い、粘着剤と
してアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍのシップ
Ａ型硬度が３０である粘着剤層を設けたフィルムを作成
し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加工
を行った。その結果８枚のウェハが破損した。
本発明のウェハ加工用フィルムは柔軟性に富んでおり、
外力を吸収して分散する性質があり、これをウェハ表面
に貼り合わせてウェハ裏面の研磨加工を行うと、表面の
凹凸の大きいウェハにおいても破損を防止できるという
優れた利点を発揮するものである。
外力を吸収して分散する性質があり、これをウェハ表面
に貼り合わせてウェハ裏面の研磨加工を行うと、表面の
凹凸の大きいウェハにおいても破損を防止できるという
優れた利点を発揮するものである。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
手続補正書１発）
平成１年１１月８日
特許庁長官 吉 １）文 毅 殿
１、事件の表示
昭和６３年特許願第２８２５１３号
２、発明の名称
ウェハ加工用フィルム
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区霞が関三丁目２番５号４、補正に
より増加する請求項の数 零 別紙の通り 明細書 １、発明の名称 ウェハ加工用フィルム ２、特許請求の範囲 ショアＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片面に
シップＡ型硬度が２０以下である水エマルジョン系粘着
剤層を設けてなることを特徴とするウェハ加工用フィル
ム。
より増加する請求項の数 零 別紙の通り 明細書 １、発明の名称 ウェハ加工用フィルム ２、特許請求の範囲 ショアＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片面に
シップＡ型硬度が２０以下である水エマルジョン系粘着
剤層を設けてなることを特徴とするウェハ加工用フィル
ム。
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウェハ等を研磨加工する際に用いる破
損防止用フィルムに関する。
損防止用フィルムに関する。
半導体集積回路（ｔＣ）は通常、高純度シリコン結晶等
をスライスしてウェハとした後、エツチング等により集
積回路を組み込み、グイシングしてチップ化する方法で
製造されているが、これらの各工程において、シリコン
等のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため
、ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工
用フィルムが用いられている。
をスライスしてウェハとした後、エツチング等により集
積回路を組み込み、グイシングしてチップ化する方法で
製造されているが、これらの各工程において、シリコン
等のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため
、ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工
用フィルムが用いられている。
しかして、近年、回路の複雑化にともない、ウェハ表面
の凹凸が大きくなってきており、又、ウェハ自体も大型
化の傾向にあり、従来のウェハ加工用フィルムではウェ
ハの破損を防止しきれなくなってきている。
の凹凸が大きくなってきており、又、ウェハ自体も大型
化の傾向にあり、従来のウェハ加工用フィルムではウェ
ハの破損を防止しきれなくなってきている。
以上の点に鑑み、本発明の目的は、ウェハ研磨加工に際
し、その破損防止をより確実なものにするウェハ加工用
フィルムを提供することである。
し、その破損防止をより確実なものにするウェハ加工用
フィルムを提供することである。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行っ
た結果、特定の硬度を有する基材フィルムに、特定の硬
度を有する水エマルジョン系粘着剤層を設けてウェハ表
面に貼り合わせることにより、表面の凹凸の大きいウェ
ハでも破損を防止できることを見出し、本発明を完成し
た。
た結果、特定の硬度を有する基材フィルムに、特定の硬
度を有する水エマルジョン系粘着剤層を設けてウェハ表
面に貼り合わせることにより、表面の凹凸の大きいウェ
ハでも破損を防止できることを見出し、本発明を完成し
た。
即ち本発明は、シ譚アＤ型硬度が４０以下である基材フ
ィルムの片面にシリアＡ型硬度が２０以下である水エマ
ルジ岬ン系粘着剤層を設けてなることを特徴とするウェ
ハ加工用フィルムである。
ィルムの片面にシリアＡ型硬度が２０以下である水エマ
ルジ岬ン系粘着剤層を設けてなることを特徴とするウェ
ハ加工用フィルムである。
本発明のウェハ加工用フィルムの使用対象となるウェハ
はシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、ガリウム−リ
ン、ゲルマニウム、ガリウムーヒ素−アルミニウム等の
ウェハがあげられ、特に大口径のシリコンウェハに好適
に使用される。
はシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、ガリウム−リ
ン、ゲルマニウム、ガリウムーヒ素−アルミニウム等の
ウェハがあげられ、特に大口径のシリコンウェハに好適
に使用される。
本発明で用いる基材フィルムとしては、合成樹脂あるい
は天然、合成ゴム等からなるフィルムのうちシ四アＤ型
硬度が４０以下、好ましくは３０以下のもので、市販品
の中から適宜選択できる。該硬度が４０を越えるとウェ
ハを研磨加工する際の破損率が上昇する。
は天然、合成ゴム等からなるフィルムのうちシ四アＤ型
硬度が４０以下、好ましくは３０以下のもので、市販品
の中から適宜選択できる。該硬度が４０を越えるとウェ
ハを研磨加工する際の破損率が上昇する。
ここでいうショアＤ型硬度とは、ＡＳＴＭ ０−２２４
０によるＤ型ショアー硬度計を用いて測定した値である
。
０によるＤ型ショアー硬度計を用いて測定した値である
。
基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
基材フィルムの厚みは保護するウェハの形状、表面状態
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
１０〜２０００μｍが好ましい。
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
１０〜２０００μｍが好ましい。
本発明で基材フィルム面に設ける水エマルジヨン系粘着
剤はショアＡ硬度２０以下が好ましい、該硬度が２０を
越えると基材フィルムの硬度に関係な（ウェハを研磨加
工する際の破損率が上昇する。
剤はショアＡ硬度２０以下が好ましい、該硬度が２０を
越えると基材フィルムの硬度に関係な（ウェハを研磨加
工する際の破損率が上昇する。
又、ここでいうシリアＡ型硬度とは、ＡＳＴＭ ０−２
２４０によるＡ型シコアー硬度計を用いて測定した値で
ある。
２４０によるＡ型シコアー硬度計を用いて測定した値で
ある。
本発明でいう水エマルジョン系粘着剤とは、例えばメタ
クリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル−２−エ
チルヘキシル、アクリル酸エチル等の（メタ）アクリル
酸エステルモノマーに乳化剤、脱イオン水、重合開始剤
を添加し水中でエマルジａン重合した粘着剤であり、モ
ノマー組成の選択については必要とする接着力に応じ適
宜行うことが可能である。こうして重合された水エマル
ジョン系粘着剤は通常３０〜６０重量％の固形分を含有
するが、塗布時には粘着調整のためさらに水で希釈する
こともできる。
クリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル−２−エ
チルヘキシル、アクリル酸エチル等の（メタ）アクリル
酸エステルモノマーに乳化剤、脱イオン水、重合開始剤
を添加し水中でエマルジａン重合した粘着剤であり、モ
ノマー組成の選択については必要とする接着力に応じ適
宜行うことが可能である。こうして重合された水エマル
ジョン系粘着剤は通常３０〜６０重量％の固形分を含有
するが、塗布時には粘着調整のためさらに水で希釈する
こともできる。
また、必要に応じ研磨加工後のウェハの洗浄効果を上げ
るため、該粘着剤に非イオン系界面活性剤および／また
は水溶性有機化合物を含有させることが可能である。
るため、該粘着剤に非イオン系界面活性剤および／また
は水溶性有機化合物を含有させることが可能である。
基材フィルムの表面に設ける該粘着剤の膜厚みとしては
、シリコンウェハの表面状態、形状、研磨方法等により
適宜法められるが、通常５〜２００ｐｍが好ましい。
、シリコンウェハの表面状態、形状、研磨方法等により
適宜法められるが、通常５〜２００ｐｍが好ましい。
粘着剤を基材フィルム面に塗布する方法としては、従来
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬法、へヶ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬法、へヶ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。
以下実施例により本発明を説明する。
実施Ｎ１
厚さ２００μｍのシ譚アＤ型硬度が３０であるエチレン
ー酢酸ビニル共重合樹脂フィルムの片面にコロナ放電処
理を施し、アクリル系粘着剤をロールコータにより塗布
、乾燥して、厚さ約５０μｍのショアＡ型硬度が１０で
ある粘着剤層を設けたフィルムを作成した。このフィル
ムを６、表面の凹凸差が約５０ｔＩｍであるシリコンウ
ェハ（６インチ）表面に貼り合わせ、裏面を研磨機（デ
ィスコ社製）で研磨した後、該フィルムを剥がし純水で
洗浄して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した。
ー酢酸ビニル共重合樹脂フィルムの片面にコロナ放電処
理を施し、アクリル系粘着剤をロールコータにより塗布
、乾燥して、厚さ約５０μｍのショアＡ型硬度が１０で
ある粘着剤層を設けたフィルムを作成した。このフィル
ムを６、表面の凹凸差が約５０ｔＩｍであるシリコンウ
ェハ（６インチ）表面に貼り合わせ、裏面を研磨機（デ
ィスコ社製）で研磨した後、該フィルムを剥がし純水で
洗浄して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した。
この時のウェハの破損は皆無であった。
実施例２
厚さ３００μｍのショアＤ型硬度が２０であるブタジェ
ンゴムシートを用いて、実施例１と同様の方法により厚
さ約３０ＩＪｍのショアＡ型硬度が２０である粘着剤層
を設けたフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹
凸差が約３０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表
面に貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００
枚の加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ
の破損は皆無であった。
ンゴムシートを用いて、実施例１と同様の方法により厚
さ約３０ＩＪｍのショアＡ型硬度が２０である粘着剤層
を設けたフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹
凸差が約３０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表
面に貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００
枚の加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハ
の破損は皆無であった。
実施例３
厚さ２００μｍのショアＤ型硬度が４０である塩化ビニ
ル樹脂フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により
厚さ約５０μｍのシリアＡ型硬度が８である粘着剤層を
設けたフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸
差が約５０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面
に貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚
の加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハの
破損は皆無であった。
ル樹脂フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により
厚さ約５０μｍのシリアＡ型硬度が８である粘着剤層を
設けたフィルムを作成した。このフィルムを表面の凹凸
差が約５０μｍであるシリコンウェハ（６インチ）表面
に貼り合わせ、実施例１と同様の方法により、１００枚
の加工済シリコンウェハを製造した。その結果ウェハの
破損は皆無であった。
比較例１
粘着剤としてアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍ
のショアＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けた以外、
実施例１と同様の方法で粘着剤付きフィルムを作成し、
同様の方法でシリコンウェハの研磨加工を行った。その
結果５枚のウェハが破損した。
のショアＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けた以外、
実施例１と同様の方法で粘着剤付きフィルムを作成し、
同様の方法でシリコンウェハの研磨加工を行った。その
結果５枚のウェハが破損した。
比較例２
厚さ２００μｍのシ町アＤ型硬度が５０である低密度ポ
リエチレンフィルムを基材フィルムとして用いた以外は
実施例１と同様の方法で粘着剤層を設けたフィルムを作
成し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加
工を行った。その結果６枚のウェハが破損した。
リエチレンフィルムを基材フィルムとして用いた以外は
実施例１と同様の方法で粘着剤層を設けたフィルムを作
成し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加
工を行った。その結果６枚のウェハが破損した。
比較例３
厚さ２００ａｍのショアＤ型硬度が５０である低密度ポ
リエチレンフィルムを基材フィルムとして用い、粘着剤
としてアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍのショ
アＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けたフィルムを作
成し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加
工を行った。その結果８枚のウェハが破損した。
リエチレンフィルムを基材フィルムとして用い、粘着剤
としてアクリル系粘着剤を用い、厚さ約５０μｍのショ
アＡ型硬度が３０である粘着剤層を設けたフィルムを作
成し、実施例１と同様の方法でシリコンウェハの研磨加
工を行った。その結果８枚のウェハが破損した。
本発明のウェハ加工用フィルムは柔軟性に富んでおり、
外力を吸収して分散する性質があり、これをウェハ表面
に貼り合わせてウニノー裏面の研磨加工を行うと、表面
の凹凸の大きいウエノ１においても破損を防止できると
いう優れた利点を発揮するものである。
外力を吸収して分散する性質があり、これをウェハ表面
に貼り合わせてウニノー裏面の研磨加工を行うと、表面
の凹凸の大きいウエノ１においても破損を防止できると
いう優れた利点を発揮するものである。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- ショアＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片面に
ショアＡ型硬度が２０以下である水エマルジョン系粘着
剤層を設けてなることを特徴とするウェハ加工用フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251388A JPH02129919A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ウエハ加工用フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251388A JPH02129919A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ウエハ加工用フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129919A true JPH02129919A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17653427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28251388A Pending JPH02129919A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ウエハ加工用フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500689B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-12-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Process for producing GaN related compound semiconductor |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP28251388A patent/JPH02129919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500689B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-12-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Process for producing GaN related compound semiconductor |
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