JPH0212747A - スパツタリングカソード - Google Patents
スパツタリングカソードInfo
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- JPH0212747A JPH0212747A JP1093284A JP9328489A JPH0212747A JP H0212747 A JPH0212747 A JP H0212747A JP 1093284 A JP1093284 A JP 1093284A JP 9328489 A JP9328489 A JP 9328489A JP H0212747 A JPH0212747 A JP H0212747A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
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- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
- F02B33/00—Engines characterised by provision of pumps for charging or scavenging
- F02B33/02—Engines with reciprocating-piston pumps; Engines with crankcase pumps
- F02B33/24—Engines with reciprocating-piston pumps; Engines with crankcase pumps with crankcase pumps other than with reciprocating pistons only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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-
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- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3455—Movable magnets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マグネトロン原理によるスパッタリングカソ
ードであって、少なくとも一部から成るターゲットと、
該ターゲットの後ろに配置されたマグネットシステムと
、互いに組み込まれた、交互に異なる極性を有する自己
閉鎖する複数のマグネットユニットとを有しており、こ
れら複数のマグネットユニットによって、アーチ状に湾
曲された磁場ラインより成る、少なくとも2つの互いに
入り込む磁気トンネルが形成されており、マグネットユ
ニットの、ターゲットとは反対側の極がマグネットヨー
クを介して互いに接続されていて、少なくとも一つの他
方の磁場の強さに対する少なくとも一つの一方の磁場の
強さが、調節装置によってマグネットユニットをターゲ
ットに対してずらすことによって変えられるようになっ
ている形式のものに関する。
ードであって、少なくとも一部から成るターゲットと、
該ターゲットの後ろに配置されたマグネットシステムと
、互いに組み込まれた、交互に異なる極性を有する自己
閉鎖する複数のマグネットユニットとを有しており、こ
れら複数のマグネットユニットによって、アーチ状に湾
曲された磁場ラインより成る、少なくとも2つの互いに
入り込む磁気トンネルが形成されており、マグネットユ
ニットの、ターゲットとは反対側の極がマグネットヨー
クを介して互いに接続されていて、少なくとも一つの他
方の磁場の強さに対する少なくとも一つの一方の磁場の
強さが、調節装置によってマグネットユニットをターゲ
ットに対してずらすことによって変えられるようになっ
ている形式のものに関する。
従来の技術
DE−O33442206号明細書によれば、強磁性材
料より成るターゲットをスパッタリングするために設け
られた、冒頭に述べた形式のスパッタリングカソードが
開示されている。
料より成るターゲットをスパッタリングするために設け
られた、冒頭に述べた形式のスパッタリングカソードが
開示されている。
この公知のスパッタリングカソードにおいては、互いに
同心的に入り込む2つのマグネットユニットによって、
ターゲットに配置された2つの同心的な空気ギャップと
連絡して、アーチ状に湾曲された磁場ラインより成る、
互いに入り込む2つの閉鎖した磁気トンネルが形成され
るようになっている。この公知のスパッタリングカソー
ドでは、磁場が2つの空気ギャップを介して磁気的に直
列接続されているので、2つのトンネルの磁場強さは互
いに干渉し合う。これによって2つの磁気トンネルの範
囲で互いに異なるスパッタリング効率が生じ、ターゲッ
トに向き合う基体の範囲でも非常に異なる沈積効率が生
じるので、層厚の分布が非常に不均一になる。
同心的に入り込む2つのマグネットユニットによって、
ターゲットに配置された2つの同心的な空気ギャップと
連絡して、アーチ状に湾曲された磁場ラインより成る、
互いに入り込む2つの閉鎖した磁気トンネルが形成され
るようになっている。この公知のスパッタリングカソー
ドでは、磁場が2つの空気ギャップを介して磁気的に直
列接続されているので、2つのトンネルの磁場強さは互
いに干渉し合う。これによって2つの磁気トンネルの範
囲で互いに異なるスパッタリング効率が生じ、ターゲッ
トに向き合う基体の範囲でも非常に異なる沈積効率が生
じるので、層厚の分布が非常に不均一になる。
マタ、DE−052243708号明細書によれば、ロ
ッド式のカソードにおいて複数のマグネットシステムを
軸方向で相前後して配置しこれによってターゲット材料
のスパッタリングを均一にすることが開示されている。
ッド式のカソードにおいて複数のマグネットシステムを
軸方向で相前後して配置しこれによってターゲット材料
のスパッタリングを均一にすることが開示されている。
この公知例に記載された扁平なターゲットのためにも同
心的に互いに入り込む複数のマグネットユニット及び、
同心的に互いに入り込む複数の磁気トンネルを設けるこ
とが提案されている。この公知例においても、それぞれ
隣接する磁気トンネルとは無関係にそれぞれの磁気トン
ネルを個別に調節する可能性は提供されておらず、不可
能でもある。
心的に互いに入り込む複数のマグネットユニット及び、
同心的に互いに入り込む複数の磁気トンネルを設けるこ
とが提案されている。この公知例においても、それぞれ
隣接する磁気トンネルとは無関係にそれぞれの磁気トン
ネルを個別に調節する可能性は提供されておらず、不可
能でもある。
ヴアリアン社(Firma Varian)の名称”C
on Mag”で販売されている、冒頭に述べた形式の
スパッタリングカソードによれば、円環状のヨークプレ
ートの内部に間隔を保って円板状のヨークプレートを設
け、各ヨークプレートに、異なる極を有する互いに影響
し合わない2つのマグネットユニットを配置することが
知られている。
on Mag”で販売されている、冒頭に述べた形式の
スパッタリングカソードによれば、円環状のヨークプレ
ートの内部に間隔を保って円板状のヨークプレートを設
け、各ヨークプレートに、異なる極を有する互いに影響
し合わない2つのマグネットユニットを配置することが
知られている。
このスパッタリングカソードにおいては、円環状のマグ
ネットシステム上に円錐形のスパッタリング面を備えた
ターゲットが配置され、円板状のマグネットシステム上
に扁平なターゲットプレートが配置されている。形成さ
れた2つの磁気トンネルが互いに影響し合わないように
する手段は設けられていない。この公知のスパッタリン
グカソードにおいても、スパッタリング面に対する磁気
トンネルの相対位置によって規定されるスパッタリング
効果を考慮する必要がある。
ネットシステム上に円錐形のスパッタリング面を備えた
ターゲットが配置され、円板状のマグネットシステム上
に扁平なターゲットプレートが配置されている。形成さ
れた2つの磁気トンネルが互いに影響し合わないように
する手段は設けられていない。この公知のスパッタリン
グカソードにおいても、スパッタリング面に対する磁気
トンネルの相対位置によって規定されるスパッタリング
効果を考慮する必要がある。
前記ヴアリアン社のスパッタリングカソード” Con
Mag”は、マグネットシステムだけではなく、所属
のターゲット部分も電気的に完全に遮断することによっ
て、層厚の配分を改善しようとするものである。しかし
ながらこれは、各スパッタリングカソードにそれぞれ2
つの電流源を必要とし、さらに、ターゲット若しくはカ
ソード部分を電気的に互いに絶縁する必要もあるこのよ
うなシステムは、強磁性材料から成るターゲットをスパ
ッタリングするためには適していない。
Mag”は、マグネットシステムだけではなく、所属
のターゲット部分も電気的に完全に遮断することによっ
て、層厚の配分を改善しようとするものである。しかし
ながらこれは、各スパッタリングカソードにそれぞれ2
つの電流源を必要とし、さらに、ターゲット若しくはカ
ソード部分を電気的に互いに絶縁する必要もあるこのよ
うなシステムは、強磁性材料から成るターゲットをスパ
ッタリングするためには適していない。
さらに、少なくとも一部からなるターゲットと、このタ
ーゲットの後ろに配置されたマグネットシステムとを有
する、マグネトロン原理によるスパッタリングカソード
(P362415Q、4号)も提案されている。このス
パッタリングカソードの前記マグネトロンシステムは、
互いに入り込みかつ自己閉鎖する、交互に異なる極を有
する多数のマグネットユニットを有しており、これらの
マグネットユニットによってアーチ状に湾曲された磁場
ラインより成る、同様に互いに入り込みかつ自己閉鎖す
る少なくとも2つの磁気トンネルが形成される。ターゲ
ットとは反対側のマグネットユニットの極はマグ不ツト
ヨー夕を介して互いに接続されており一方の磁気トンネ
ルを形成する少なくとも一つの磁場の磁場強さは、他方
の磁気トンネルを形成する少なくとも一つの別の磁場に
対して、マグネットユニットをずらすことによって変え
ることができるようになっている。
ーゲットの後ろに配置されたマグネットシステムとを有
する、マグネトロン原理によるスパッタリングカソード
(P362415Q、4号)も提案されている。このス
パッタリングカソードの前記マグネトロンシステムは、
互いに入り込みかつ自己閉鎖する、交互に異なる極を有
する多数のマグネットユニットを有しており、これらの
マグネットユニットによってアーチ状に湾曲された磁場
ラインより成る、同様に互いに入り込みかつ自己閉鎖す
る少なくとも2つの磁気トンネルが形成される。ターゲ
ットとは反対側のマグネットユニットの極はマグ不ツト
ヨー夕を介して互いに接続されており一方の磁気トンネ
ルを形成する少なくとも一つの磁場の磁場強さは、他方
の磁気トンネルを形成する少なくとも一つの別の磁場に
対して、マグネットユニットをずらすことによって変え
ることができるようになっている。
しかしながらこの公知のスパッタリングカソードにおい
ては、基体における層厚の均一性はターゲットホルダに
依存しているので、この層厚の均一性はいつでも保証さ
れるわけではないという点が欠点である。
ては、基体における層厚の均一性はターゲットホルダに
依存しているので、この層厚の均一性はいつでも保証さ
れるわけではないという点が欠点である。
発明の課題
そこで本発明の課題は、冒頭に述べた形式の装置で、マ
グネットユニットがターゲットの損耗に応じて自動的に
ずらされるようなものを提供することである。
グネットユニットがターゲットの損耗に応じて自動的に
ずらされるようなものを提供することである。
課題を解決するための手段
この課題を解決した本発明によれば、調節装置が、少な
くとも一つの光学センサと協働する電気式の切換回路を
介して制御され、前記光学センサが、コーティング過程
時に調節される少なくとも一つのプラズマリングに整列
され、プラズマリングの輝度に反応するようになってい
る。
くとも一つの光学センサと協働する電気式の切換回路を
介して制御され、前記光学センサが、コーティング過程
時に調節される少なくとも一つのプラズマリングに整列
され、プラズマリングの輝度に反応するようになってい
る。
実施例
第1図にはスパッタリングカソードlが示されている。
このスパッタリングカソード1の支持部分は中空の林状
のベース体2である。この林状のベース体2は、熱負荷
を受けるために良好な熱伝導材料(銅)より成っていて
、絶縁体4を介在させて環状7ランジ3によって、真空
室(詳しく図示せず)内に挿入されている。
のベース体2である。この林状のベース体2は、熱負荷
を受けるために良好な熱伝導材料(銅)より成っていて
、絶縁体4を介在させて環状7ランジ3によって、真空
室(詳しく図示せず)内に挿入されている。
林状のベース体2は大部分が平らな端面プレート6を有
している。端面プレート6の内側には3つの同心的な冷
却水通路7.8.9が存在する。
している。端面プレート6の内側には3つの同心的な冷
却水通路7.8.9が存在する。
端面グレート6の外側には底部によってターゲット11
が固定されている。林状のベース体2の後ろ側の開口内
には多数のマグネットユニット14.15.16を備え
たマグネットシステム13が存在する。これらのマグネ
ットユニットは軸線A−Aに関連して同心的に配置され
ていて、全体が永久磁石材料より成っている。
が固定されている。林状のベース体2の後ろ側の開口内
には多数のマグネットユニット14.15.16を備え
たマグネットシステム13が存在する。これらのマグネ
ットユニットは軸線A−Aに関連して同心的に配置され
ていて、全体が永久磁石材料より成っている。
中央のマグネットユニット14は短いシリンダの形状を
有している。マグネットユニット1516は、多数の方
形の永久磁石より組み合わされており、これらの永久磁
石の同極の極面はほぼ環状面内に位置している。このよ
うな永久磁石を互いに相前後して並べると実際は多角形
になるが、そのことは考慮しなくてもよい。マグネット
ユニット14,15.16の、ターゲラ1−11とは反
対側の極は軟磁性材料より成るマグネットヨーク17を
介して、第1図に示した形式で互いに接続される。マグ
ネットヨーク17は、ベース面が円環状面である外側の
ヨーク部分17aと、ベース面が環状面である内側のヨ
ーク部分17bとから成っている。
有している。マグネットユニット1516は、多数の方
形の永久磁石より組み合わされており、これらの永久磁
石の同極の極面はほぼ環状面内に位置している。このよ
うな永久磁石を互いに相前後して並べると実際は多角形
になるが、そのことは考慮しなくてもよい。マグネット
ユニット14,15.16の、ターゲラ1−11とは反
対側の極は軟磁性材料より成るマグネットヨーク17を
介して、第1図に示した形式で互いに接続される。マグ
ネットヨーク17は、ベース面が円環状面である外側の
ヨーク部分17aと、ベース面が環状面である内側のヨ
ーク部分17bとから成っている。
マグネットユニットは交互に異なる極性を有している。
つまり、ターゲット11側に向けられた極面はマグネッ
トユニット14において北極を形成し、マグネットユニ
ット15において南極を形式し、マグネットユニット1
6において再び北極を形成する。これによって、ターゲ
ット11の間に存在する空気ギャップに関連した、軸線
A−A線を中心にして循環する閉鎖した2つの磁気トン
ネルが形成される。
トユニット14において北極を形成し、マグネットユニ
ット15において南極を形式し、マグネットユニット1
6において再び北極を形成する。これによって、ターゲ
ット11の間に存在する空気ギャップに関連した、軸線
A−A線を中心にして循環する閉鎖した2つの磁気トン
ネルが形成される。
内側のヨーク部分17bは、外側のヨーク部分17aの
切欠17e内で、ターゲット11の主平面に対して直角
方向で、つまり軸線A−A線方向で調節してオーバーラ
ツプの度合を変えることができる。この調節のために調
節装置2、lが設けられている。この調節装置21によ
って内側のヨーク部分17bが移動せしめられる2つの
外側のヨーク部分17aとマグネットヨーク17との間
にスリーブ19を介して滑動案内が形成されるので、ガ
イド部分24を滑動装置21のスピンドル12によって
昇降させることによって内側のヨーク部分17bは外側
のヨーク部分17aから退出又はこの外側のヨーク部分
17a内に侵入運動せしめられる。調節装置21によっ
て、マグネットヨーク17とマグネットユニット14と
の間の磁気流が、同じマグネットヨーク17と残りのマ
グネットユニット15.16との間の磁気流に対して変
化せしめられる。マグネットユニット15.16間の磁
気流はいづれの場合においてもほとんど影響を受けない
。この手段によって、一方のトンネルを形成する磁場の
強さが他方のトンネルを形成する磁場の強さに対して変
えられる。このような形式で2つの磁気トンネルの範囲
のスパッタリング率が互いに変えられ、ひいては基体2
2における部分的な層厚を所望に変えることができる。
切欠17e内で、ターゲット11の主平面に対して直角
方向で、つまり軸線A−A線方向で調節してオーバーラ
ツプの度合を変えることができる。この調節のために調
節装置2、lが設けられている。この調節装置21によ
って内側のヨーク部分17bが移動せしめられる2つの
外側のヨーク部分17aとマグネットヨーク17との間
にスリーブ19を介して滑動案内が形成されるので、ガ
イド部分24を滑動装置21のスピンドル12によって
昇降させることによって内側のヨーク部分17bは外側
のヨーク部分17aから退出又はこの外側のヨーク部分
17a内に侵入運動せしめられる。調節装置21によっ
て、マグネットヨーク17とマグネットユニット14と
の間の磁気流が、同じマグネットヨーク17と残りのマ
グネットユニット15.16との間の磁気流に対して変
化せしめられる。マグネットユニット15.16間の磁
気流はいづれの場合においてもほとんど影響を受けない
。この手段によって、一方のトンネルを形成する磁場の
強さが他方のトンネルを形成する磁場の強さに対して変
えられる。このような形式で2つの磁気トンネルの範囲
のスパッタリング率が互いに変えられ、ひいては基体2
2における部分的な層厚を所望に変えることができる。
基体22は、ターゲット11に対して普通の間隔を保っ
て配置されていて、ターゲット11の材料(又は反応生
成物)によってコーティングされる。
て配置されていて、ターゲット11の材料(又は反応生
成物)によってコーティングされる。
調節装置は図示の実施例では電動モータ10として構成
されていて、該電動モータ10の回転子は滑り子の回転
軸線に沿って延びるねじ孔を有しており、このねじ孔と
スピンドル12が協働する。スピンドル12自体は中央
部分20を備えており、該中央部分20は6角形に形成
されていて、中央で6角形孔を備えたブシュ23内でガ
イドされている。
されていて、該電動モータ10の回転子は滑り子の回転
軸線に沿って延びるねじ孔を有しており、このねじ孔と
スピンドル12が協働する。スピンドル12自体は中央
部分20を備えており、該中央部分20は6角形に形成
されていて、中央で6角形孔を備えたブシュ23内でガ
イドされている。
さて電動モータ又はアクチュエータIOに電気が供給さ
れると、スピンドル12はモータ回転方向に応じて鉛直
な軸線A−A線に沿って昇降運動する。中央のマグネッ
トユニット14は内側のヨーク部分17bに例えば接着
によって接続されていて、内側のヨーク部分17b自体
は、スリーブ19内に軸受されスピンドル12に固く結
合されたガイド部分24に接続されているので、マグネ
ットユニット14は正確にコントロールできる程度だけ
押圧ばね25のばね力に抗してずらされる。この押圧ば
ね25自体は一方では電動モータ10を支持するソッケ
ト部26で支えられていて、他方ではソッケト部26の
孔27内でガイドされたガイド部分24で支えられてい
る。ターゲット11の下側にはコーテイング室のケーシ
ングに光学センサ28が定置に配置されている。排気さ
れたコーテイング室内にアルゴン−ガスが入れられて、
カソードが圧力を受けると、磁気トンネルの範囲で2つ
のプラズマリング29.30が形成される。プラズマリ
ング29.30の輝度は、カソ−ドの全効率及びマグネ
ットユニット14.15若しくは15.16の相対位置
に基づいているので、一方のプラズマリング29(又は
2つのプラズマリング29.30)、製品への磁束帰路
、及び例えば円板状の基体22のコーティングの一様性
を正確に観察することができる。
れると、スピンドル12はモータ回転方向に応じて鉛直
な軸線A−A線に沿って昇降運動する。中央のマグネッ
トユニット14は内側のヨーク部分17bに例えば接着
によって接続されていて、内側のヨーク部分17b自体
は、スリーブ19内に軸受されスピンドル12に固く結
合されたガイド部分24に接続されているので、マグネ
ットユニット14は正確にコントロールできる程度だけ
押圧ばね25のばね力に抗してずらされる。この押圧ば
ね25自体は一方では電動モータ10を支持するソッケ
ト部26で支えられていて、他方ではソッケト部26の
孔27内でガイドされたガイド部分24で支えられてい
る。ターゲット11の下側にはコーテイング室のケーシ
ングに光学センサ28が定置に配置されている。排気さ
れたコーテイング室内にアルゴン−ガスが入れられて、
カソードが圧力を受けると、磁気トンネルの範囲で2つ
のプラズマリング29.30が形成される。プラズマリ
ング29.30の輝度は、カソ−ドの全効率及びマグネ
ットユニット14.15若しくは15.16の相対位置
に基づいているので、一方のプラズマリング29(又は
2つのプラズマリング29.30)、製品への磁束帰路
、及び例えば円板状の基体22のコーティングの一様性
を正確に観察することができる。
このプラズマリング29の観察は、基体22とターゲッ
ト11との間に取り付けられた光学センサ28によって
行われる。この光学センサ28によって得られた情報は
、特にターゲットの切り取りによって生ぜしめられる分
配の変化を補償する調整回路を可能にする。光学センサ
28は、プラズマリング29の輝度(光学スペクトルの
広い範囲に互って積分される)を規定しコリメータ、レ
ンズシステム、光導体、7オトダイオード及び前置増幅
器31(図面では詳しく示されていない)から成ってい
る。増幅器32とコンピュータ33とステップモータ制
御装置34とによって切換回路が形成されており、増幅
器32で生ぜしめられる信号はA/D変換器を介してコ
ンピュータ33に送られ、ここで評価されてさらにステ
ップモータ制御装置34に送られる。このステップモー
タ制御装置34はアクチュエータ若しくは電動モータ1
0に接続されている。
ト11との間に取り付けられた光学センサ28によって
行われる。この光学センサ28によって得られた情報は
、特にターゲットの切り取りによって生ぜしめられる分
配の変化を補償する調整回路を可能にする。光学センサ
28は、プラズマリング29の輝度(光学スペクトルの
広い範囲に互って積分される)を規定しコリメータ、レ
ンズシステム、光導体、7オトダイオード及び前置増幅
器31(図面では詳しく示されていない)から成ってい
る。増幅器32とコンピュータ33とステップモータ制
御装置34とによって切換回路が形成されており、増幅
器32で生ぜしめられる信号はA/D変換器を介してコ
ンピュータ33に送られ、ここで評価されてさらにステ
ップモータ制御装置34に送られる。このステップモー
タ制御装置34はアクチュエータ若しくは電動モータ1
0に接続されている。
効果
以上のように本発明によれば、ターゲットの損耗に基づ
いてマグネットユニットを自動的にずらすことのできる
スパッタリングカソードが得られた。
いてマグネットユニットを自動的にずらすことのできる
スパッタリングカソードが得られた。
第1図は移動可能なマグネットシステムを備えたスパッ
タリングカソードの部分的な断面図、第2図は円板状の
基体の平面図、第3図は第1図によるスパッタリングカ
ソードの調節装置の拡大図、第4図は第1図によるカソ
ードの林状のベース体を断面した斜視図、第5図は調節
装置の制御装置のブロック回路図である。 l・・・スパッタリングカソード、2・・・林状のベー
ス体、3・・・環状7ランジ、4・・・絶縁体、5・・
・壁部、6・・・端面プレート、7,8.9・・・冷却
水通路、IO・・・電動モータ、11・・・ターゲット
、12・・・スピンドル、13・・・マグネットシステ
ム14.15.16・・・マクネットユニット、17・
・・マグネットヨーク、17a・・・外側のヨーク部分
、17b・・・内側のヨーク部分、17e・・・外側の
ヨーク部分の切欠、19・・・スリーブ、20・・・ス
ピンドルの中央部分、21・・・調節装置、22・・・
基体、23・・・6角孔付きブシュ、24・・・ガイド
部分、25・・・押圧ばね、26・・・ソツヶト部27
・・・孔、28・・・光学センサ、29.30・・・プ
ラズマリング、31・・・前置増幅器、32・・・増幅
器、33・・・コンピュータ、34・・・ステップモー
タ制御装置 ] 14・マグネットユニット 21 ・調節装置 17.17a、17b−7グ不ノトヨークFIG、3 奪1頁の続き ■発明者 9発 )発 ダグマール・フェレン ノ(ツノλ トーマス・マステンス べ一ター・ヴイルッ ドイツ連邦共和国アー ドイツ連邦共和国クロ ーセ 2 ドイツ連邦共和国ヴア ラーセ 5 一ヘン・グアイシュトラーセ ′ルデルンバツハ・クロスターシュト
タリングカソードの部分的な断面図、第2図は円板状の
基体の平面図、第3図は第1図によるスパッタリングカ
ソードの調節装置の拡大図、第4図は第1図によるカソ
ードの林状のベース体を断面した斜視図、第5図は調節
装置の制御装置のブロック回路図である。 l・・・スパッタリングカソード、2・・・林状のベー
ス体、3・・・環状7ランジ、4・・・絶縁体、5・・
・壁部、6・・・端面プレート、7,8.9・・・冷却
水通路、IO・・・電動モータ、11・・・ターゲット
、12・・・スピンドル、13・・・マグネットシステ
ム14.15.16・・・マクネットユニット、17・
・・マグネットヨーク、17a・・・外側のヨーク部分
、17b・・・内側のヨーク部分、17e・・・外側の
ヨーク部分の切欠、19・・・スリーブ、20・・・ス
ピンドルの中央部分、21・・・調節装置、22・・・
基体、23・・・6角孔付きブシュ、24・・・ガイド
部分、25・・・押圧ばね、26・・・ソツヶト部27
・・・孔、28・・・光学センサ、29.30・・・プ
ラズマリング、31・・・前置増幅器、32・・・増幅
器、33・・・コンピュータ、34・・・ステップモー
タ制御装置 ] 14・マグネットユニット 21 ・調節装置 17.17a、17b−7グ不ノトヨークFIG、3 奪1頁の続き ■発明者 9発 )発 ダグマール・フェレン ノ(ツノλ トーマス・マステンス べ一ター・ヴイルッ ドイツ連邦共和国アー ドイツ連邦共和国クロ ーセ 2 ドイツ連邦共和国ヴア ラーセ 5 一ヘン・グアイシュトラーセ ′ルデルンバツハ・クロスターシュト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マグネトロン原理によるスパッタリングカソードで
あって、少なくとも一部から成るターゲット(11)と
、該ターゲット(11)の後ろに配置されたマグネット
システムと、互いに組み込まれた、交互に異なる極性を
有する自己閉鎖する複数のマグネットユニット(14、
15、16)とを有しており、これら複数のマグネット
ユニットによって、アーチ状に湾曲された磁場ラインよ
り成る、少なくとも2つの互いに入り込む磁気トンネル
が形成されており、マグネットユニット(14、15、
16)の、ターゲット(11)とは反対側の極がマグネ
ットヨーク(17、17a、17b)を介して互いに接
続されていて、少なくとも一つの他方の磁場の強さに対
する少なくとも一つの一方の磁場の強さが、調節装置(
21)によってマグネットユニット(14)をターゲッ
ト(11)に対してずらすことによって変えられるよう
になっている形式のものにおいて、前記調節装置(21
)が、少なくとも一つの光学センサ(28)と協働する
電気式の切換回路(32、33、34)を介して制御さ
れ、前記光学センサ(28)が、コーティング過程時に
調節される少なくとも一つのプラズマリング(29)に
整列され、プラズマリング(29)の輝度に反応するこ
とを特徴とする、スパッタリングカソード。 2、光学センサ(28)を介して半径方向外側のプラズ
マリング(29)が検出され、該光学センサ(28)に
よって生ぜしめられた信号を介して、所定のカソード効
率において、他方のプラズマリングに対する一方のプラ
ズマリングの効率比が切換回路によって規定され、電動
モータ(10)と協働するステップモータ制御装置(3
4)に相応の信号が送られる、請求項1記載のスパッタ
リングカソード。 3、電動モータ(10)の回転子がスピンドル(12)
と協働し、該スピンドル(12)の一方の端部が内側の
ヨーク部分(17b)に連結されていて、該内側のヨー
ク部分(17b)自体がマグネットユニット(14)に
固く接続されている、請求項2記載のスパッタリングカ
ソード。 4、スピンドル(12)に連結された、マグネットユニ
ット(14)を備えた内側のヨーク部分(17b)が押
圧ばね(25)のばね力に抗して移動可能であって、該
押圧ばねが、一方では電動モータ(10)を有する定置
のソッケト部(26)で支えられていて、他方ではガイ
ド部分(24)で支えられており、該ガイド部分(24
)が、内側のヨーク部分(17b)に接続されていてソ
ッケト部(26)の孔(27)内で案内されている、請
求項1から3までのいずれか1項記載のスパッタリング
カソード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3812379A DE3812379A1 (de) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip |
DE3812379.7 | 1988-04-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0212747A true JPH0212747A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=6351946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1093284A Pending JPH0212747A (ja) | 1988-04-14 | 1989-04-14 | スパツタリングカソード |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0337012B1 (ja) |
JP (1) | JPH0212747A (ja) |
KR (1) | KR890016276A (ja) |
DE (2) | DE3812379A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
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---|---|---|---|---|
DE4017111C2 (de) * | 1990-05-28 | 1998-01-29 | Hauzer Holding | Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung |
DE4022461A1 (de) * | 1990-07-14 | 1992-01-23 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode |
DE4100291C1 (ja) * | 1991-01-08 | 1991-10-02 | Leybold Ag, 6450 Hanau, De | |
DE4107711C2 (de) * | 1991-03-09 | 1999-11-11 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dotierter Schichten oder chemischer Verbindungen oder Legierungen mittels einer Magnetronkathode |
DE4125110C2 (de) * | 1991-07-30 | 1999-09-09 | Leybold Ag | Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen |
DE4137483A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
US5482610A (en) * | 1991-11-14 | 1996-01-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode for coating a substrate |
DE4138029A1 (de) * | 1991-11-19 | 1993-05-27 | Thyssen Guss Ag | Targetkuehlung |
DE59205763D1 (de) * | 1991-12-28 | 1996-04-25 | Leybold Ag | Kathode zum Beschichten eines Substrats |
US5314597A (en) * | 1992-03-20 | 1994-05-24 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile |
US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
DE19543375A1 (de) * | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Magnetronzerstäuben |
US5985115A (en) | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
DE19813075A1 (de) * | 1998-03-25 | 1999-09-30 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates |
DE19836125C2 (de) * | 1998-08-10 | 2001-12-06 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
DE102011115145A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
CN105035760B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-01 | 广州超音速自动化科技股份有限公司 | 磁控管校正机 |
KR102672094B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2024-06-05 | 가부시키가이샤 알박 | 마그네트론 스퍼터링 장치용 자석 유닛 |
CN113276531B (zh) * | 2021-07-21 | 2021-09-21 | 南通德泰隆钢结构工程有限公司 | 一种彩钢瓦楞板正压覆膜装置及其使用方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4122351A (en) * | 1977-08-30 | 1978-10-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Automatic targeting of plasma spray gun |
DE2750421C2 (de) * | 1977-11-11 | 1986-09-25 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Meßverfahren und Meßvorrichtungen für die Herstellung von Vielfach-Schichtsystemen |
DE3047113A1 (de) * | 1980-12-13 | 1982-07-29 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
JPS5979528A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
DE3624150C2 (de) * | 1986-07-17 | 1994-02-24 | Leybold Ag | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
-
1988
- 1988-04-14 DE DE3812379A patent/DE3812379A1/de not_active Withdrawn
- 1988-11-12 EP EP88118894A patent/EP0337012B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-12 DE DE88118894T patent/DE3886923D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-19 KR KR1019890000531A patent/KR890016276A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-04-14 JP JP1093284A patent/JPH0212747A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0337012B1 (de) | 1994-01-05 |
DE3812379A1 (de) | 1989-10-26 |
KR890016276A (ko) | 1989-11-28 |
EP0337012A2 (de) | 1989-10-18 |
DE3886923D1 (de) | 1994-02-17 |
EP0337012A3 (de) | 1991-01-16 |
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