JPH02126236A - 光デバイス - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
、本発明はデータを電子的に全く変換することなく、光
の形でt’)込み、記憶および読出しlる光メモリデバ
イスに関する。
帯域幅で動作する各種部品類の能力に対する高い髪求を
出し続けていることは一般的に、認められている。この
新たな要件を清だすために、通信網で光フアイバ技術の
使用が増大している。
の電rデバイスを依然として多数使用している。従って
、伝送される情報を処理するために、電子(;;壮から
光信号へ、および、光信号から、h J’ U SJ’
への変換が必髪である。
点では得られないような効果をもたらすであろう。
市販されている。このようなデバイスでは、光スイツチ
ングエネルギは光を吸収して光電流を発生させることの
できる材料を使用することにより得られる。光電流に応
答する電圧を半導体驕子ウェル領域を有する構造物に印
加し、半導体量子ウェル領域の吸光を光電流の変化に応
答して変化させる。更に、半導体量子ウェル領域の吸光
変化は光を吸収できる材料の吸光度に影響を及ぼし、非
線形および双安定光動作状態を発生する帰還回路を形成
することができる。
のままでデータを書込み、記憶および読出しする光メモ
リデバイスを提供する。読出し、リセットなどのような
実社機能は電−f’ T=段、光重・段またはこれらの
組み合オ)せにより行うことができる。メモリ機能に必
要な固有双安定性/ヒステリシスは飽和性吸収体を含む
レーザ構造物により得られる。
ザキャビティーに結合された、電r的または光的に制御
される方向性カプラを使用する。
効率よりも一層高い効率でメモリ状態を読み出すことが
できる。
から構成できる。光利得手段;飽和性吸収体;静導波方
向性カプラ;スイッチ可能方向性カプラ;レーザメモリ
キャビティを形成するための−・対の反射面;スイッチ
可能方向性カプラの読出し−リセット制御に必認な電位
;または、スイッチ可能方向性カプラが光により制御さ
れるような場合には、読出し−リセット機能を開始させ
るための光信号・。
ってもよく、また、混成形式で組み合わされた個別ユニ
ットまたは集積ユニットあるいはこれらの組み合わせの
何れであってもよい。各種素rを製造するために様々な
材料技術が存在する。
うな3元系、またはI nGaAsPのような4元系の
゛11導体材料により集積構造物を製造できる。光用途
に関するこれらの最高技術水準の材料技術は急速に発展
していることに注目しなければならない。混成の実現も
魅力的であり、これらの実現可能性は最近、半導体デバ
イス、ガラス光ファイバ、およびリチウム−ニオブ集積
光部品の組み合わせにより実証されている。
。
うな電子−光基板であるチップ10は3本の導波路12
,14.16を支持している。電子−光)、(板10に
おける導波路12は・端で第2のチップ18に結合され
、他端は反射面20に結合されている。第2のチップ1
8は光利得セクシHン22と飽和性吸収体24とからな
る。第2の反射面26がチップ18の元利jリセクシげ
ンの端部に配置されている。導波路12と併用されるチ
ップ18および2枚の反射面20.26はレーザキャビ
ティーを形成する。反射面20.26は、反射面として
機能する分布帰還をもたらす屈折率の周期的変化を有す
る光格子、高度に研磨された表面などから構成できる。
て作用するチップ部分に“i電極が配設されている。長
さが数トマイクロである第2の領域24は電極を全く有
さず、そして、飽和性吸収領域として機能する。
形成する。また、導波路16と共に第2の方向性カプラ
30を形成する。方向性カプラの物理的位置は任意であ
る。これらのカプラは第1図に示されるように、チップ
lOの中心に配置することもできるし、あるいは、中心
導波路12に沿って別の位置に形成させることもできる
。
る。同様に、導波路12の一端にも反射防11−剤を塗
布し、そして、短い長さのファイバまたはバットカップ
リングによりチップ18を導波路12に接続させること
ができる。
スイッチ1工能カプラとすることができる。
ーの制御で活性化されるような場合にはスイッチ可能カ
プラが有用である。固定カプラが使用される場合、メモ
リは自動的に活性化される。
%である。デバイスを結合し、信号の受信と伝送を容易
にするため、ファイバのピグテール34.36を導波路
14の端部に結合し、また、ファイバのピグテール38
.40を導波路16の端部に結合することができる。
印加される電圧を制御する。+’F込みコントロール4
4を結合し、方向性カプラ30に印加される電圧を制御
する。
りである。リセット状態から開始し、利得媒体22を電
流注入によりバイアスレベルにまでポンピングする。こ
のバイアスレベルは、飽和性吸収体24の飽和レベル以
下のレベルであり、従って、ミラー20.28により画
成され、かつ、導波路12を含むレーザキャビティーの
レーザ作用の閾値以下のレベルである。従って、中心導
波路12における光強度は極めて小さい。光データパル
スが導波路16の入力導波路38または40で発生する
と(論理1の出現を意味する)、これはカプラ30を介
して効率ηqで中心導波路およびレーザキャビティー1
2にカップリングされる。
体24の方向へ向かう。この追加光エネルギは飽和性吸
収体に達すると、飽和され、そして、吸収体24は透過
性になり、その結果、光エネルギは反射面20と26の
間を自由に通過する。従って、利得領域22から放出さ
れた先エネルギは反射面20により反射され、誘導放出
とレーザ作用を生起4−る。レーザ作用が開始されたら
、レーザ光エネルギレベルは飽和状態を維持するのに十
分なので、入力光信号はもはや本質である。従って、光
データは“、1F込まれ”、そして、レーザのレーザ発
光状態により光の形で維L)または記憶される。入来信
号が光の“OFF″レベル(論理O)となった場合、レ
ーザは非レーザ発光状態に維持される。
用語を使用する場合、これらの用語は光子エネルギを含
むものとして理解されなければならない。光子エネルギ
は赤外から紫外に及ぶ範囲内またはファイバにより伝送
できる電磁スペクトルにおけるその他の全ての波長であ
ることができる。
(ミラー20.28で画成されるレーザキャビティー)
がスイッチ可能カプラ28で検知される。通常、カプラ
28は“ストレート−スルー”状態に調節される。すな
わち、光エネルギは通常、レーザを出さない。レーザ状
態を検知するために、スイッチ可能カプラ28を読出し
コントロール42によりクロスオーバー状態にセットす
る。カプラ28がLiNbO3またはGaAsで製造で
きるような電子−尤デバイスである場合、カプラのスイ
ッチ状態は適当な電圧をかけることにより選択される。
ポリマーまたはその他の光非線形材料から構成できる。
より先約に活性化される。
ャビティー中に存4する光エネルギーは先導枝路14に
移送され、そして、導波路14のファイバ端34.38
から出ていく。導波路14のファイバ端から出る光エネ
ルギは、メモリの状態により左右されることもある別の
操作の入力として使用するために、系の次の状態に結合
させることができる。所望により、光出力13号も光検
出器に結合させ、信号の光状態(高/低)を電fレベル
に変換できる。
得られる光出力(+”+”jはキャビティー中に存在す
る大多数の光rからなる。この先Yはキャビティーから
出力導波路14に的接移される。従っ−C1このように
し゛C出力導波路14に移された尤rの数は、光子が部
分的に反射する表面によりレーザキャビティーから移さ
れる場合の光子移送数よりも著しく多い。
まで落ち込み、そして、飽和性吸収体はレーザ作用を停
止l・する。このようにして、レーザ作用が停il・、
シ、そして、メモリ素rはリセットされる。その後、
スイッチ可能カプラは読出しコントローラ42により“
ストレートスルー”状態にセットバックされる。前記の
2種類の素rを組み合わせることにより不揮発性メモリ
デバイスを形成することができる。
8から出来する光を一緒に合わせ、−層高い出力強度°
をもたらすことができる。あるいは、導波路14の両方
のファイバ端部34.3Bは2本の・1/行な出力端と
して使用することもできる。
れかを所望により入力端として利用するか、両方とも入
力端とし′C利用することもできる。導波路16の両方
の端部を、源を異にする別々の入力端に結合する場合、
デバイスはこのメモリにおける論理OR動作の結果を記
憶する。
く変換することなく、光の形のままでデータを書込み、
記憶および読出しする尤メモリデバイスが得られる。
Claims (9)
- (1)記憶すべきデータ用のメモリとして機能する第1
の状態または第2の状態を呈することのできるキャビテ
ィーを有するレーザ; 記憶すべきデータを有する第1のまたは第2の状態に選
択的に光的に前記レーザを発射するように結合された書
込み手段;および レーザの状態を導波路に選択的に移すように結合された
読出し手段; からなる光デバイス。 - (2)レーザのキャビティーは第1の導波路からなり、
また、前記書込み手段は前記第1の導波路と共に方向性
カプラを形成する第2の導波路からなることを特徴とす
る請求項1記載の光デバイス。 - (3)前記方向性カプラは固定タイプであることを特徴
とする請求項2記載の光デバイス。 - (4)前記方向性カプラは制御可能であり、また、書込
みコントロール手段は前記方向性カプラの動作を選択的
に制御するように結合されていることを特徴とする請求
項2記載の光デバイス。 - (5)前記読出し手段は前記第1の導波路と共に第2の
方向性カプラを形成する第3の導波路からなることを特
徴とする請求項2記載の光デバイス。 - (6)前記第2の方向性カプラは制御可能であり、また
、読出しコントロール手段は前記第2の方向性カプラの
動作を光的にまたは電子的に制御するように結合されて
いることを特徴とする請求項5記載の光デバイス。 - (7)前記レーザは光利得部材、およびレーザ用のキャ
ビティーとして機能する導波路と連携する飽和性吸収体
からなり;前記光利得部材、前記飽和性吸収体および前
記導波路は2枚の完全反射面の間に配置されていること
を特徴とする請求項1記載の光デバイス。 - (8)第1の導波路、前記第1の導波路の一端に結合さ
れた完全反射面、前記第1の導波路の他端と第2の完全
反射面との間に間挿された光利得部材および吸光体、前
記第1の導波路、吸光体、光利得部材および一対の完全
反射面はレーザを発生し、このレーザは前記第1の導波
路が前記レーザのキャビティーである場合に記憶すべき
データ用のメモリとして機能する第1の状態または第2
の状態で動作する; 前記第1の導波路と共に方向性カプラを形成するように
結合された第2の導波路、前記第2の導波路により搬送
された光入来データ信号は前記レーザを発射し、二つの
状態のうちの何れか一方の状態で動作して入来信号を表
し; 前記第1の導波路と共に第2の方向性カプラを形成する
ように結合された第3の導波路;およびレーザキャビテ
ィー中の光を前記第3の導波路に選択的に移すように結
合された読出しコントロール手段; からなる光デバイス。 - (9)前記第2の導波路の一端に結合された第1の入力
および前記第2の導波路の他端に結合された第2の入力
からなり、これにより論理OR動作の結果が光的に記憶
されることからなる請求項8記載の光デバイス。
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