JPH02125225A - 表示装置の駆動方法 - Google Patents
表示装置の駆動方法Info
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- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、２個の支持プレートの間に電気光学表示媒体
と、互いに対向する前記支持プレートの表面上に配列さ
れた画素電極により各画素が少なくとも形成され行列配
置された画素の系と、少な（とも１個の画素電極が非線
形スイッチ素子を介して行又は列電極に接続されて構成
され、ライン期間の少なくとも一部の間に前記行電極を
介し前記スイッチ素子を用いて画素の行は選択され、同
時にデータ信号は前記列電極を介し−Ｃ与えられる表示
装置の駆動方法に関する。
と、互いに対向する前記支持プレートの表面上に配列さ
れた画素電極により各画素が少なくとも形成され行列配
置された画素の系と、少な（とも１個の画素電極が非線
形スイッチ素子を介して行又は列電極に接続されて構成
され、ライン期間の少なくとも一部の間に前記行電極を
介し前記スイッチ素子を用いて画素の行は選択され、同
時にデータ信号は前記列電極を介し−Ｃ与えられる表示
装置の駆動方法に関する。
本出願において「行電極」及び１列電極」の用語は、必
要に応じ交換することができ、列電極は参照符号が付け
られてい−Ｃも行電極を意味し、同時に列電極は行電極
を意味する。
要に応じ交換することができ、列電極は参照符号が付け
られてい−Ｃも行電極を意味し、同時に列電極は行電極
を意味する。
本出願人による未公開オランダ特許出願第８，７０１、
４２０号に、冒頭に述べた方法が使用されるカラーフィ
ルタに対する自由度の広い選択を提供する方法が記載さ
れている。これは先ず画素を過度に（正確でも、正確で
なくとも）充電または放電の後、これらの画素に関連す
るキャパシタンスを充電または放電することにより行毎
に所定の調整を前記画素に加えることが可能である。
４２０号に、冒頭に述べた方法が使用されるカラーフィ
ルタに対する自由度の広い選択を提供する方法が記載さ
れている。これは先ず画素を過度に（正確でも、正確で
なくとも）充電または放電の後、これらの画素に関連す
るキャパシタンスを充電または放電することにより行毎
に所定の調整を前記画素に加えることが可能である。
上記光の出願では、選択に先立って例えば補助電圧（基
準電圧）またはリセット電圧のように、表示装置に用い
られる電圧範囲の限界値を越えて、又は該限界値に補助
電圧を前記画素の両端に印加することによりこれを実現
している。
準電圧）またはリセット電圧のように、表示装置に用い
られる電圧範囲の限界値を越えて、又は該限界値に補助
電圧を前記画素の両端に印加することによりこれを実現
している。
該出願に記載の装置の好ましい実施例では、ツェナダイ
オードを画素と列または行電極の間に配置されている。
オードを画素と列または行電極の間に配置されている。
このようなツェナダイオードは強い非対称電流電圧特性
（ＩＶ凸曲線を有する。
（ＩＶ凸曲線を有する。
本発明による方法は、前記スイッチ素子が少なくとも略
対称であり、且つデータ信号と共に一定の電圧符号の画
素電圧を前記画素に与える選択信号を与えるに先立って
、前記スイッチ素子を用いてこれらの前記画素が上記と
同一電圧符号の補助電圧に充電又は放電され、前記補助
電圧は画像表示に用いられる範囲の限界値を越えるか又
は該限界値であることを特徴とする。前記補助電圧は、
好ましくは前記電気光学媒体の透過率／電圧特性におけ
る遷移範囲の限界値を越えるか又は該限界値である。
対称であり、且つデータ信号と共に一定の電圧符号の画
素電圧を前記画素に与える選択信号を与えるに先立って
、前記スイッチ素子を用いてこれらの前記画素が上記と
同一電圧符号の補助電圧に充電又は放電され、前記補助
電圧は画像表示に用いられる範囲の限界値を越えるか又
は該限界値であることを特徴とする。前記補助電圧は、
好ましくは前記電気光学媒体の透過率／電圧特性におけ
る遷移範囲の限界値を越えるか又は該限界値である。
本発明による方法の関連する実施例は、前記画素を補助
電圧に充電又は放電するかどうかに先立つ少なくとも多
数の連続する選択の間、前記対称なスイッチ素子を流れ
る電流が同一方向を有することを特徴とする。
電圧に充電又は放電するかどうかに先立つ少なくとも多
数の連続する選択の間、前記対称なスイッチ素子を流れ
る電流が同一方向を有することを特徴とする。
この点について前記電圧を反転する場合に少なくとも略
対称なスイッチ素子は、例えば、ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−
ｉｓｏｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）素子のように、同−又
は路間−の電流電圧変動（電流及び電圧に対する反対信
号で）を有するスイッチ素子を意味するものと理解され
る。両方向に完全に同一の変動は、しばしば前記製造方
法によれば実質的に不可能であり、実際にこのような対
称なスイッチ素子の電流電圧曲線は両方向で実質的に同
一の形状を有し、例えば、ツェナーダイオードと対照的
に前記特性曲線（前記符号を除いて）の正の部分におけ
るオン・オフ電圧は、前記負の部分におけるオン・オフ
電圧とほんの少ししか相違しない。対称なスイッチ素子
の他の例は、例えばバック・ツー・バンク・ダイオード
（ｂａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ ｄｉｏｄｅｓ）及びｎｉ
ｎスイッチ素子又はｐｉｐミルスイッチ（交互に、ｎ
（ｐ）形半導体領域、実質的に真性の半導体領域及びｎ
（ｐ）形半導体領域から成る）のような一定の半導体
スイッチ素子である。
対称なスイッチ素子は、例えば、ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−
ｉｓｏｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）素子のように、同−又
は路間−の電流電圧変動（電流及び電圧に対する反対信
号で）を有するスイッチ素子を意味するものと理解され
る。両方向に完全に同一の変動は、しばしば前記製造方
法によれば実質的に不可能であり、実際にこのような対
称なスイッチ素子の電流電圧曲線は両方向で実質的に同
一の形状を有し、例えば、ツェナーダイオードと対照的
に前記特性曲線（前記符号を除いて）の正の部分におけ
るオン・オフ電圧は、前記負の部分におけるオン・オフ
電圧とほんの少ししか相違しない。対称なスイッチ素子
の他の例は、例えばバック・ツー・バンク・ダイオード
（ｂａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ ｄｉｏｄｅｓ）及びｎｉ
ｎスイッチ素子又はｐｉｐミルスイッチ（交互に、ｎ
（ｐ）形半導体領域、実質的に真性の半導体領域及びｎ
（ｐ）形半導体領域から成る）のような一定の半導体
スイッチ素子である。
前記対称作用はまた一以上のダイオード・リングのよう
な副スイッチ素子の組合せ、上記のスイッチ素子または
他のスイッチ素子の組合せを用いても得られる。
な副スイッチ素子の組合せ、上記のスイッチ素子または
他のスイッチ素子の組合せを用いても得られる。
前記表示装置全体を見ると、前記スイッチ素子は、例え
ば順方向電圧にかなりの広がりを有するので、好ましく
ない電圧成分が入り、選択信号及び非選択信号の両方の
極性の周期的な反転（同時にデータ信号の反転と共に）
と共に行を従来のように駆動する場合、前記表示装置に
生ずるむら（灰色のバラツキｇｒｅｙ ｖａｒｉａｔｉ
ｏｎｓ ）となる０本発明による方法を用いる場合、こ
れらの電圧成分が前記液晶の透過率を決定する電圧に殆
ど影響しないが又は影響しない様な方法でこれらの電圧
成分を補償することができる。
ば順方向電圧にかなりの広がりを有するので、好ましく
ない電圧成分が入り、選択信号及び非選択信号の両方の
極性の周期的な反転（同時にデータ信号の反転と共に）
と共に行を従来のように駆動する場合、前記表示装置に
生ずるむら（灰色のバラツキｇｒｅｙ ｖａｒｉａｔｉ
ｏｎｓ ）となる０本発明による方法を用いる場合、こ
れらの電圧成分が前記液晶の透過率を決定する電圧に殆
ど影響しないが又は影響しない様な方法でこれらの電圧
成分を補償することができる。
本発明による実施例について図面を参照し詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明による方法を用いる表示装置を概略的に
示し、第２図は電気光学表示媒体例えば液晶の透過率／
電圧特性を示し、第３図は略対称の非線形スイッチ素子
（例えばＭＩＭ素子）の電流電圧特性を概略的に示し、
第４図は本発明による方法に関する駆動信号を示し、第
５図は一変形例を示す。
示し、第２図は電気光学表示媒体例えば液晶の透過率／
電圧特性を示し、第３図は略対称の非線形スイッチ素子
（例えばＭＩＭ素子）の電流電圧特性を概略的に示し、
第４図は本発明による方法に関する駆動信号を示し、第
５図は一変形例を示す。
第１ａ図は本発明による方法を用いる表示装置を概略的
に示す。マ） ＩＪフックス配列された画素１２は行電
極Ｈと列電極８の交差領域に位置し、同時にこれらの画
素１２は対称の非線形スイッチ素子１５、本実施例では
ＭＩＭ素子を介して前記列電極８に接続される。
に示す。マ） ＩＪフックス配列された画素１２は行電
極Ｈと列電極８の交差領域に位置し、同時にこれらの画
素１２は対称の非線形スイッチ素子１５、本実施例では
ＭＩＭ素子を介して前記列電極８に接続される。
データ電圧Ｖｄが列電極８に与えられ、同時に選択電圧
Ｖｓｌが選択される行電極１１に与えられる場合、選択
される画素１２は、該画素の両端の電圧、即ち画素電圧
Ｖｐｌ （第２図参照）が（１）式に等しいことである
。
Ｖｓｌが選択される行電極１１に与えられる場合、選択
される画素１２は、該画素の両端の電圧、即ち画素電圧
Ｖｐｌ （第２図参照）が（１）式に等しいことである
。
Ｖｐ］・Ｖｄ−Ｖｓｌ−Ｖｍ （１）ここで、Ｖｍ
は前記ＭＩＭ素子の順方向電圧で充分な電流を供給して
前記画素を所望の期間内で所定の正確な電圧に充電する
。
は前記ＭＩＭ素子の順方向電圧で充分な電流を供給して
前記画素を所望の期間内で所定の正確な電圧に充電する
。
次のフィールドでは前記データ電圧は逆の方法（−Ｖｄ
）で与えられ、そして前記選択電圧はここでＶｓ２であ
る。以下に説明するように、前記画素１２に関するキャ
パシタンスは未公開オランダ特許出願第８．７０１．４
２０号に記載の方法と類似の方法で負に過度に先ず充電
され、前記ＭＩＭ素子を流れる電流は同じ方向を有する
ので前記画素電圧Ｖｐ２ （第２図参照）はここで（２
）式に等しくなるように再び充電される。
）で与えられ、そして前記選択電圧はここでＶｓ２であ
る。以下に説明するように、前記画素１２に関するキャ
パシタンスは未公開オランダ特許出願第８．７０１．４
２０号に記載の方法と類似の方法で負に過度に先ず充電
され、前記ＭＩＭ素子を流れる電流は同じ方向を有する
ので前記画素電圧Ｖｐ２ （第２図参照）はここで（２
）式に等しくなるように再び充電される。
Ｖｐ２＝−Ｖｄ−Ｖｓ２−νｍ（２）
（１）式及び（２）式より次式（３）式 及び（４）式
が導かれる。
が導かれる。
Ｖｐｌ−Ｖｐ２＝ ２Ｖｄ４ｓｉ＋Ｖｓ２＝２ Ｖａｍ
ｐｌ （３）Ｖｐｌ＋Ｖｐ２＝−Ｖｓｌ Ｖｓ２２Ｖ
ｍ＝２ Ｖ ［ｌｃ （４）等しいが反対データ電圧
Ｖｄ及び−Ｖｄの場合の画素電圧もまた等しいが反対符
号を有する理想的なく前記電圧Ｖｍに全く拡がりがなく
完全に対称な透過率／電圧特性）場合に、前記選択電圧
νｓｌ、 Ｖｓ２はＶｓ２＝−Ｖｓｌ−２Ｖｍとなる。
ｐｌ （３）Ｖｐｌ＋Ｖｐ２＝−Ｖｓｌ Ｖｓ２２Ｖ
ｍ＝２ Ｖ ［ｌｃ （４）等しいが反対データ電圧
Ｖｄ及び−Ｖｄの場合の画素電圧もまた等しいが反対符
号を有する理想的なく前記電圧Ｖｍに全く拡がりがなく
完全に対称な透過率／電圧特性）場合に、前記選択電圧
νｓｌ、 Ｖｓ２はＶｓ２＝−Ｖｓｌ−２Ｖｍとなる。
コｕ ’Ｆ、Ｖｐｌ−−Ｖｐ２ ＝ ＶａｍｐＢ： ナ
ル。
ル。
同時にＶ。ｏ−０である。
同一の画素電圧Ｖｐｌ、 Ｖｐ２は又
Ｖｐｌ弓／２（νｐｌ＋Ｖｐ２）＋１／２（Ｖｐｌ−Ｖ
ｐ２）＝Ｖ ｎｃ＋Ｖａｍｐｌシル２−１／２（Ｖｐ
ｌ→Ｖｐ２）−１／２（Ｖｐｌ−Ｖｐ２）＝Ｖ ｎｃ−
Ｖａｍｐｌとして表すことが出来る。
ｐ２）＝Ｖ ｎｃ＋Ｖａｍｐｌシル２−１／２（Ｖｐ
ｌ→Ｖｐ２）−１／２（Ｖｐｌ−Ｖｐ２）＝Ｖ ｎｃ−
Ｖａｍｐｌとして表すことが出来る。
前記ＭＩＭ素了の電圧Ｖｍ（又は、他のほぼ対称なスイ
ッチ素子の電圧）が前記表示装置の表面全体に渡り等し
くない事実により入り得、そして前記公称電圧Ｖｍから
の任意の旧Ｍ素子の両端の電圧低下の振れをもたらすよ
うな前記直流ＤＣ成分Ｖ ＤＣは、実際には前記液晶物
質中のイオンの移動により補償されるように見えるので
、しばらくの後には直流電圧は前記電極を被覆する前記
絶縁（配向）層上にのみ存在する。実効画素電圧Ｖ６ｐ
はここで前記（周期的に変化する）電圧ｖａｍｐｌによ
り決まる。このため Ｖ′″ｐｉ＝−＼’ ” ｐ２＝Ｖａｍｐｌとなる（第
２Ｃ１照）」１記補償が生じないとしても、前記実効電
圧ＶｅｆｆＶ２ａｍｐｌ＋Ｖ２ｏｃは実際には非常によ
く実現し得るＶ ［Ｉｃ ｌ ＜ ｌ Ｖａｍｐｌ
の条件のもとて平均２個のフィールドに渡る所望の値Ｖ
ａ ｍ ｐ Ｉよりほんのわずか振れる。この小さな
残留直流電圧による前記液晶の崩壊の可能性を抑制する
ために、すべての作動電圧の符号を周期的に変えること
が出来る。
ッチ素子の電圧）が前記表示装置の表面全体に渡り等し
くない事実により入り得、そして前記公称電圧Ｖｍから
の任意の旧Ｍ素子の両端の電圧低下の振れをもたらすよ
うな前記直流ＤＣ成分Ｖ ＤＣは、実際には前記液晶物
質中のイオンの移動により補償されるように見えるので
、しばらくの後には直流電圧は前記電極を被覆する前記
絶縁（配向）層上にのみ存在する。実効画素電圧Ｖ６ｐ
はここで前記（周期的に変化する）電圧ｖａｍｐｌによ
り決まる。このため Ｖ′″ｐｉ＝−＼’ ” ｐ２＝Ｖａｍｐｌとなる（第
２Ｃ１照）」１記補償が生じないとしても、前記実効電
圧ＶｅｆｆＶ２ａｍｐｌ＋Ｖ２ｏｃは実際には非常によ
く実現し得るＶ ［Ｉｃ ｌ ＜ ｌ Ｖａｍｐｌ
の条件のもとて平均２個のフィールドに渡る所望の値Ｖ
ａ ｍ ｐ Ｉよりほんのわずか振れる。この小さな
残留直流電圧による前記液晶の崩壊の可能性を抑制する
ために、すべての作動電圧の符号を周期的に変えること
が出来る。
前記電圧Ｖａｍｐｌは自ｆＩ記ＭＩＭ素子の両端の電圧
低下及び可能な変動に影響されない。可能な直流ＤＣ成
分は補償されるために前記スイッチ素子の不均一なスイ
ッチ特性による変動は、したがって前記装置の透過作用
に全く検出されないが、はとんど検出されない。これら
の直流ＤＣ成分は前記データ電圧に影響されないので、
画像遅延作用又はゴースト像は全く生じない。
低下及び可能な変動に影響されない。可能な直流ＤＣ成
分は補償されるために前記スイッチ素子の不均一なスイ
ッチ特性による変動は、したがって前記装置の透過作用
に全く検出されないが、はとんど検出されない。これら
の直流ＤＣ成分は前記データ電圧に影響されないので、
画像遅延作用又はゴースト像は全く生じない。
情報書込のために、第一の選択電圧Ｖｓｌは選択期間ｔ
５の間に選択ライン１１上に与えられ、同時に前記情報
またはデー・−夕電圧ν６は列電極８上に与えられる。
５の間に選択ライン１１上に与えられ、同時に前記情報
またはデー・−夕電圧ν６は列電極８上に与えられる。
これは例えば与えられた情報を表す画素１２の両端に正
電圧を導く。
電圧を導く。
前記液晶の劣化防止のため及びいわゆるフリ−７カー周
波数を増加することが出来るために、交番符号を有する
情報が好ましくは前記画素１２の両端に与えられる。本
発明による方法では、与えられた情報を表す前記画素１
２の両端の負の電圧は、第二の選択電圧Ｖｓ２を与える
ことにより達成され、同時に前記旧Ｍ素子１５を介して
前記画素１２に関連するキャパシタンスを過度に放電し
た後（又は過度にこれを負に充電した後）逆データ電圧
（−Ｖ ｄ）を与える。
波数を増加することが出来るために、交番符号を有する
情報が好ましくは前記画素１２の両端に与えられる。本
発明による方法では、与えられた情報を表す前記画素１
２の両端の負の電圧は、第二の選択電圧Ｖｓ２を与える
ことにより達成され、同時に前記旧Ｍ素子１５を介して
前記画素１２に関連するキャパシタンスを過度に放電し
た後（又は過度にこれを負に充電した後）逆データ電圧
（−Ｖ ｄ）を与える。
第４図は、各フィールドの間に（例えばテレビに応用し
た場合）、符号を変える画素情報と共に画素に書き込む
たｙ）に複数の画素１２の行を選択する駆動信号の選択
方法について示す。
た場合）、符号を変える画素情報と共に画素に書き込む
たｙ）に複数の画素１２の行を選択する駆動信号の選択
方法について示す。
瞬時ｔＯ（第４ａ図参照）から選択電圧ＶＳＩは選択期
間ｔｓ（この実施例ではテレビに応用された場合のライ
ン期間ずなわち６４μＳｅＣに等しく選択される）の回
行電極１１に与えられ、同時に情報電圧またはデータ電
圧Ｖｄは前記列電極８に与えられる。
間ｔｓ（この実施例ではテレビに応用された場合のライ
ン期間ずなわち６４μＳｅＣに等しく選択される）の回
行電極１１に与えられ、同時に情報電圧またはデータ電
圧Ｖｄは前記列電極８に与えられる。
瞬時ｔ１の後、画素１２の関連する行は、前記行電極１
１が電圧Ｖｎｓｌを受けるためにもはや選択されない。
１が電圧Ｖｎｓｌを受けるためにもはや選択されない。
この電圧は画素１２の行の次の選択の直前まで維持され
る。本実施例では、これは画素１２の第一の行を再び選
択する直前、すなわち瞬時ｔ３＝ｔｆ−ｔｓ（ここでｔ
ｆはフィールド期間を表す）の直前で関連する行電極ｌ
ｌ上にリセット電圧を与えることによって達成される。
る。本実施例では、これは画素１２の第一の行を再び選
択する直前、すなわち瞬時ｔ３＝ｔｆ−ｔｓ（ここでｔ
ｆはフィールド期間を表す）の直前で関連する行電極ｌ
ｌ上にリセット電圧を与えることによって達成される。
このリセット電圧は前記画素１２がＭＩＭ素子１５を介
して各関連する画素の両端の電圧が表示装置に用いられ
る範囲（−ｖｓａｔより小さな値まで）を越えるような
程度にまで負に充電されるように選択され得る。次の選
択期間（ｔ４から）において、これらの画素は前記ＭＩ
Ｍ素子を介して、データ電圧−Ｖｄにより決まる所望の
値に充電される。この目的のために、前記行電極は電圧
Ｖｓ２を受け、前記選択期間（（５の後）が経過した後
、これらは非選択電圧Ｖｎｓ２を受ける。このようにし
て前記画素両端の電圧は各フィールド期間の間に反転さ
れる。
して各関連する画素の両端の電圧が表示装置に用いられ
る範囲（−ｖｓａｔより小さな値まで）を越えるような
程度にまで負に充電されるように選択され得る。次の選
択期間（ｔ４から）において、これらの画素は前記ＭＩ
Ｍ素子を介して、データ電圧−Ｖｄにより決まる所望の
値に充電される。この目的のために、前記行電極は電圧
Ｖｓ２を受け、前記選択期間（（５の後）が経過した後
、これらは非選択電圧Ｖｎｓ２を受ける。このようにし
て前記画素両端の電圧は各フィールド期間の間に反転さ
れる。
第４ｂ図は、第４ａ図と同一の電圧変動を示すがフィー
ルド期間に選択期間（この場合ライン期間）が加えられ
てずれている。このずれは２個の連続な画素の行を互い
に反転データ電圧と共に書き込み得る可能性を提供する
。第４Ｃ図は第４ａ図と同一であるが２個の選択期間に
わたりずれている。
ルド期間に選択期間（この場合ライン期間）が加えられ
てずれている。このずれは２個の連続な画素の行を互い
に反転データ電圧と共に書き込み得る可能性を提供する
。第４Ｃ図は第４ａ図と同一であるが２個の選択期間に
わたりずれている。
偶数及び奇数のフィールドのラインが同一行に書き込ま
れる垂直解像度が半分の（テレビジョン）画像に対して
は、画像情報をフィールド期間毎に一回その符号を反転
し、リフレッシュが達成される。この場合にラインフリ
ッカ−周波数は２５１ｉｚ（３０Ｈｚ）であるが、行毎
の符号の反転により導入される１８０°の位相差により
連続する行間に５０ Ｈｚ（６０Ｈｚ）の画面フリッカ
−周波数が達成される。
れる垂直解像度が半分の（テレビジョン）画像に対して
は、画像情報をフィールド期間毎に一回その符号を反転
し、リフレッシュが達成される。この場合にラインフリ
ッカ−周波数は２５１ｉｚ（３０Ｈｚ）であるが、行毎
の符号の反転により導入される１８０°の位相差により
連続する行間に５０ Ｈｚ（６０Ｈｚ）の画面フリッカ
−周波数が達成される。
前記選択電圧νｓｌ及びＶｓ２はもちろん一ライン期間
（６４μ５ｅｃ）より短く選択され得る。この場合、リ
セット電圧を前記画素１２を充電するために充分な時間
が残されているのであれば、選択が行なわれるライン期
間の一部の間に交互に与えることも出来る。前記行電極
１１上の電圧変動は例えば第４ａ図に破線１４で概略的
に示す方法により行なわれる。
（６４μ５ｅｃ）より短く選択され得る。この場合、リ
セット電圧を前記画素１２を充電するために充分な時間
が残されているのであれば、選択が行なわれるライン期
間の一部の間に交互に与えることも出来る。前記行電極
１１上の電圧変動は例えば第４ａ図に破線１４で概略的
に示す方法により行なわれる。
図示の装置は
及び
を画素（第２図参照）の両端の平均電圧として選択する
ので、画像表示の目的のための前記画素１２の両端の電
圧の絶対値は、実質的にｖｔｈとＶｓａｔの間の範囲に
制限される駆動方法を用いるのに極めて好適である。
ので、画像表示の目的のための前記画素１２の両端の電
圧の絶対値は、実質的にｖｔｈとＶｓａｔの間の範囲に
制限される駆動方法を用いるのに極めて好適である。
グレースケールに関して満足な操作は、前記画素１２の
両端の電圧値が列電極８上のデータ電圧Ｖｄに応じて、
最大でＶｃ＋Ｖｄｍａｘ＝Ｖｓａｔ及び最小でＶｃ−ν
ｄｍａｘ＝Ｖｔｂである場合に得られる。上記の両式か
ら Ｖｃを消去すると、 Ｖｄａｍｘ ＝１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）
（１）すなわち ｌ／２（シ５ａｔ−Ｖｔｈ）≦Ｖｄｍａｘ≦１／２ （
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）になる。
両端の電圧値が列電極８上のデータ電圧Ｖｄに応じて、
最大でＶｃ＋Ｖｄｍａｘ＝Ｖｓａｔ及び最小でＶｃ−ν
ｄｍａｘ＝Ｖｔｂである場合に得られる。上記の両式か
ら Ｖｃを消去すると、 Ｖｄａｍｘ ＝１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）
（１）すなわち ｌ／２（シ５ａｔ−Ｖｔｈ）≦Ｖｄｍａｘ≦１／２ （
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）になる。
１行の画素１２を例えば正に充電するために、関連スル
行電極１１１．ｍ選択電圧Ｖｓｌ ＝ −Ｖｌ −１／
２（Ｖｓａｔ十Ｖｔｈ）が与えられ、ここでｖｌは前記
ＭＩＭ素子１５の順方向電圧である。このために前記画
素１２の両ＯＷノ電圧１；！Ｖｄ −Ｖｌ −Ｖｓｌと
なり１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＋１／２ （Ｖｓａ
ｔ＋Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ （３）と １／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔ
ｈ）＝ｖ、、ｔ ’ （４）との間の範囲内のＶ
ｄに応じた値になる。
行電極１１１．ｍ選択電圧Ｖｓｌ ＝ −Ｖｌ −１／
２（Ｖｓａｔ十Ｖｔｈ）が与えられ、ここでｖｌは前記
ＭＩＭ素子１５の順方向電圧である。このために前記画
素１２の両ＯＷノ電圧１；！Ｖｄ −Ｖｌ −Ｖｓｌと
なり１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＋１／２ （Ｖｓａ
ｔ＋Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ （３）と １／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔ
ｈ）＝ｖ、、ｔ ’ （４）との間の範囲内のＶ
ｄに応じた値になる。
前記画素１２の同一の行を（次のフィールド又はフレー
ム期間において）次の選択時に反転データ電圧で負に充
電するために、これらの画素が前記行電極１１上のリセ
ット電圧Ｖｒｅｓｅｔを用いて負に過度に先ず充電され
る。次に前記選択された行電極が選択電圧Ｖｓ２＝−Ｖ
１＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ’ｉ： （同一 （
７） ５イン期間、又は次のライン期間において）受け
る。
ム期間において）次の選択時に反転データ電圧で負に充
電するために、これらの画素が前記行電極１１上のリセ
ット電圧Ｖｒｅｓｅｔを用いて負に過度に先ず充電され
る。次に前記選択された行電極が選択電圧Ｖｓ２＝−Ｖ
１＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ’ｉ： （同一 （
７） ５イン期間、又は次のライン期間において）受け
る。
過度に負に充電された前記画素１２は、ここで前記ＭＩ
Ｍ素子１５を介Ｌ チー、Ｖｄ−Ｖ １−Ｖｓ２ｔ ｆ
Ｌ ｂ チ１／２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） −１／２
（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＝−Ｖｔｈ （５）と −１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−１／２（Ｖｓａｔ−Ｖ
ｔｈ）＝−Ｖｓａｔ （６）との間の値に充電
されるため、反対の符号の情報が前記画素１２の両端に
与えられる。
Ｍ素子１５を介Ｌ チー、Ｖｄ−Ｖ １−Ｖｓ２ｔ ｆ
Ｌ ｂ チ１／２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） −１／２
（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＝−Ｖｔｈ （５）と −１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−１／２（Ｖｓａｔ−Ｖ
ｔｈ）＝−Ｖｓａｔ （６）との間の値に充電
されるため、反対の符号の情報が前記画素１２の両端に
与えられる。
非選択の場合には前記ＭＩＭ素子１５は導通出来ないか
、又は前記ＭＩＭ素子１５を介して放電が充分に無視で
きるほど低い電流１ｏｆｆを伝達することが出来る要求
を満足しなければならない。
、又は前記ＭＩＭ素子１５を介して放電が充分に無視で
きるほど低い電流１ｏｆｆを伝達することが出来る要求
を満足しなければならない。
最低非選択電圧Ｖｎｓｌでは接続点１６に於ける電圧ｖ
Ａは Ｖ Ａｍ１ｎ −” Ｖｎｓｌ ＋Ｖｔｈ
（７）と Ｖ Ａ、、、＝ Ｖｎｓｌ ＋ Ｖｓａｔ
（８）との間の値の範囲に
なる。
Ａは Ｖ Ａｍ１ｎ −” Ｖｎｓｌ ＋Ｖｔｈ
（７）と Ｖ Ａ、、、＝ Ｖｎｓｌ ＋ Ｖｓａｔ
（８）との間の値の範囲に
なる。
Ｖ Ａａｉｎ及びＶ Ａｍａｘの値としてＶ Ａ＋ａａ
Ｘ≦Ｖ ｄｍａｘ ＋ Ｖ３ （９
）ともなる。ここで−ｖ３は前記旧Ｍ素子を介する充電
が実質的に無視できる電圧である。前記ＭＩＭ素子１５
を介しての放電を避けるために、Ｖ Ａｍ１ｈ ≧Ｖ
ｄ＋ｎａｘ−Ｖ２ （１０）ともなる
。ここでｖ２は他の方向の電流が充分に無視し得る電圧
である。前記（７）式及び前記（１０）式は、 ＋Ｖｄｍａｘ −Ｖ２ ≦Ｖｎｓｌ ＋ Ｖｔｈ又は［
（Ｖｒｊｍａｘ ＝ １／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）の
場合］Ｖｎｓｌ≧＋１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）−Ｖ
２− Ｖｔｈとなる。前記（８）弐及び（９）式は同様
にして−Ｖｄｍａｘ 十 Ｖ３ ≧ Ｖｎ
ｓｌ ＋ Ｖｓａｔ又は Ｖｎｓｌ ≦−］／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） −
Ｖｓａｔ ＋Ｖ３ （１２）となる。（１１）式と
（１２）式の組合せは１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）
−Ｖｓａｔ ＋ Ｖ３≧Ｖｎｓｌ≧１／２（Ｖｓａｔ
−Ｖｔｔ＋） −Ｖ２− Ｖｔｈ （１３）
又は Ｖ２ ＋ Ｖ３ ≧２（Ｖｓａｔ、 −Ｖｔｈ）
（１４）となる。
Ｘ≦Ｖ ｄｍａｘ ＋ Ｖ３ （９
）ともなる。ここで−ｖ３は前記旧Ｍ素子を介する充電
が実質的に無視できる電圧である。前記ＭＩＭ素子１５
を介しての放電を避けるために、Ｖ Ａｍ１ｈ ≧Ｖ
ｄ＋ｎａｘ−Ｖ２ （１０）ともなる
。ここでｖ２は他の方向の電流が充分に無視し得る電圧
である。前記（７）式及び前記（１０）式は、 ＋Ｖｄｍａｘ −Ｖ２ ≦Ｖｎｓｌ ＋ Ｖｔｈ又は［
（Ｖｒｊｍａｘ ＝ １／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）の
場合］Ｖｎｓｌ≧＋１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）−Ｖ
２− Ｖｔｈとなる。前記（８）弐及び（９）式は同様
にして−Ｖｄｍａｘ 十 Ｖ３ ≧ Ｖｎ
ｓｌ ＋ Ｖｓａｔ又は Ｖｎｓｌ ≦−］／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） −
Ｖｓａｔ ＋Ｖ３ （１２）となる。（１１）式と
（１２）式の組合せは１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）
−Ｖｓａｔ ＋ Ｖ３≧Ｖｎｓｌ≧１／２（Ｖｓａｔ
−Ｖｔｔ＋） −Ｖ２− Ｖｔｈ （１３）
又は Ｖ２ ＋ Ｖ３ ≧２（Ｖｓａｔ、 −Ｖｔｈ）
（１４）となる。
前記画素１２は、次いで前記行電極１１に充分に高いリ
セット電圧を与えることにより、−Ｖｓａｔより小さな
値にまで（ｍＡａ図参照）次いで放電される。
セット電圧を与えることにより、−Ｖｓａｔより小さな
値にまで（ｍＡａ図参照）次いで放電される。
このため、
Ｖｒｅｓｅｔ≧Ｖｄｍａｘ ＋ Ｖｓａｔ ＋
Ｖ４となるかくここで−ｖ４は充分な導電率を生じる
他の方向における前記ＭＩＭ素子１５の電圧である）又
は νｒｅｓｅｔ≧１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）＋
Ｖｓａｔ ＋Ｖ４ （１５）となる。
Ｖ４となるかくここで−ｖ４は充分な導電率を生じる
他の方向における前記ＭＩＭ素子１５の電圧である）又
は νｒｅｓｅｔ≧１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）＋
Ｖｓａｔ ＋Ｖ４ （１５）となる。
次いで前記画素は前記１藺素子１５を介して正確に充電
される。この目的のために選択電圧Ｖ Ｓ２ ＝ １／
２（Ｖｓａｔ ＋ Ｖｔｈ） Ｖｌが前記行電極ｌｌ
上に与えられ、同時に前記列電極８上にデータ電圧が与
えられる。
される。この目的のために選択電圧Ｖ Ｓ２ ＝ １／
２（Ｖｓａｔ ＋ Ｖｔｈ） Ｖｌが前記行電極ｌｌ
上に与えられ、同時に前記列電極８上にデータ電圧が与
えられる。
次いで前記行電極１１は、非選択電圧Ｖｎｓ２を受ける
。前記接続点１６に於ける電圧は、ここでシＡＭａ、Ｉ
＝ Ｖｎｓ２−Ｖｔｈ及びＶ Ａａ＋ｎ＝Ｖｎｓ２−Ｖ
ｓａｔとなる。
。前記接続点１６に於ける電圧は、ここでシＡＭａ、Ｉ
＝ Ｖｎｓ２−Ｖｔｈ及びＶ Ａａ＋ｎ＝Ｖｎｓ２−Ｖ
ｓａｔとなる。
（３）式及び（４）式及び
νｄ＋ｙ＋ａｘ ＝ １／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）によ
りＶｎｓ２≦−Ｖｄｍａｘ＋Ｖ３＋Ｖｔｈ−１／２（Ｖ
ｓａｔ−Ｖｔｈ）＋Ｖｔｈ＋Ｖ３及び Ｖｎｓ２≧ Ｖｄｍａｘ−Ｖ２＋ＶＳａｔ＝＋１／２
（シ５ａｔ−Ｖｔ、ｈ）Ｖ２＋Ｖｓａｔ
（１７）となる。
りＶｎｓ２≦−Ｖｄｍａｘ＋Ｖ３＋Ｖｔｈ−１／２（Ｖ
ｓａｔ−Ｖｔｈ）＋Ｖｔｈ＋Ｖ３及び Ｖｎｓ２≧ Ｖｄｍａｘ−Ｖ２＋ＶＳａｔ＝＋１／２
（シ５ａｔ−Ｖｔ、ｈ）Ｖ２＋Ｖｓａｔ
（１７）となる。
（１６）弐及び（１７）式の組み合わせにより、ｌ／２
（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） −Ｖ２ ＋Ｖ ｓａＬ≦Ｖｎ
ｓ２ ≦ −１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） ＋
Ｖｔｈ 十 ν３ （１８）となる
。その結果再び Ｖ２ ＋ Ｖ３≧２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）
（１４’ ）となる。
（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） −Ｖ２ ＋Ｖ ｓａＬ≦Ｖｎ
ｓ２ ≦ −１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） ＋
Ｖｔｈ 十 ν３ （１８）となる
。その結果再び Ｖ２ ＋ Ｖ３≧２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）
（１４’ ）となる。
駆動レベルの数を制限するために、一つの非選択型、圧
Ｖｎｓのみを用いることが望ましいであろう。
Ｖｎｓのみを用いることが望ましいであろう。
（７）式及び（１２）式の組合せにより１／２ （Ｖｓ
ａｔ−Ｖｔｈ） ＋Ｖｓａｔ−Ｖ２≦Ｖｎｓ≦１／２（
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−Ｖｓａｔ＋ν３
（１９）が得られる。
ａｔ−Ｖｔｈ） ＋Ｖｓａｔ−Ｖ２≦Ｖｎｓ≦１／２（
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−Ｖｓａｔ＋ν３
（１９）が得られる。
この場合
Ｖ２ ＋ Ｖ３≧３Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ
（２０）となる。
（２０）となる。
本発明はもちろん上記の実施例にのみ限定されるもので
はなくバック・ツー・バック・ダイ才ド（ｂａｃｋ−ｔ
ｏ−ｂａｃｋ ｄｉｏｄｅ） ｎｉｎ又はｐｉｐミル
スイッチのような異なる非線形の略対称なスイッチ素子
からなる装置にも本発明は選択的に用いることが出来る
。
はなくバック・ツー・バック・ダイ才ド（ｂａｃｋ−ｔ
ｏ−ｂａｃｋ ｄｉｏｄｅ） ｎｉｎ又はｐｉｐミル
スイッチのような異なる非線形の略対称なスイッチ素子
からなる装置にも本発明は選択的に用いることが出来る
。
前記スイッチ素子及び表示素子は又第１ｂ図において概
略的に示されるような位置に交換することも出来るであ
ろう。
略的に示されるような位置に交換することも出来るであ
ろう。
非線形の略対称なスイッチ素子は、選択的に１以上のダ
イオードリングの場合に於けるような異なる副スイッチ
素子又は冗長のために上記オランダ特許出願番号第８．
８００．２０４号に記載の方法と同様な方法により組み
立てることも出来る。
イオードリングの場合に於けるような異なる副スイッチ
素子又は冗長のために上記オランダ特許出願番号第８．
８００．２０４号に記載の方法と同様な方法により組み
立てることも出来る。
既に冒頭において述べたように、残存する直流電圧によ
る液晶の劣化の可能性は作動電圧の符号の周期的な極性
変化により避けることが出来る。
る液晶の劣化の可能性は作動電圧の符号の周期的な極性
変化により避けることが出来る。
一方向リセットの可能な他の好ましくない影響を減少す
るため、常時一方向に導通する前記非線形スイッチ素子
を用いて、例えば各フレーム後又は固定数のフレーム後
に全ての作動電圧の符号を周期的に変えることは有利で
あろう。これは第５図に概略的に示され、ここで先ずこ
れ以前の駆動と同様に、ｎフレーム期間ｔ、（ｎ≧１）
の間に前記駆動電圧で、次いでｍフレーム期ｆｌｆｉ（
ｍ≧１）の間に逆駆動電圧で駆動が行なわれる。この反
転は周期時に行なう必要はない。実用的な理由から、周
期的な反転は一般に好ましく、ここでｎ及びｍは少なく
とも１０である。
るため、常時一方向に導通する前記非線形スイッチ素子
を用いて、例えば各フレーム後又は固定数のフレーム後
に全ての作動電圧の符号を周期的に変えることは有利で
あろう。これは第５図に概略的に示され、ここで先ずこ
れ以前の駆動と同様に、ｎフレーム期間ｔ、（ｎ≧１）
の間に前記駆動電圧で、次いでｍフレーム期ｆｌｆｉ（
ｍ≧１）の間に逆駆動電圧で駆動が行なわれる。この反
転は周期時に行なう必要はない。実用的な理由から、周
期的な反転は一般に好ましく、ここでｎ及びｍは少なく
とも１０である。
前記行電極は前記画素電極に直接結合される必要はない
が、本出願人による未公開オランダ特許出第８．８０２
．１５５号に詳細に記載される様に、これらは前記画素
電極に容量結合されてもよい。
が、本出願人による未公開オランダ特許出第８．８０２
．１５５号に詳細に記載される様に、これらは前記画素
電極に容量結合されてもよい。
特別な（蓄積）キャパシタンスは前記列電極と行電極と
の間に前記画素に平行に配置されるであろう。
の間に前記画素に平行に配置されるであろう。
更にまた、第４ａ図における瞬時ｔ。の選択に先立って
、第二のリセット電圧を前記行電極１１に与えることが
でき、前記画素をこの直後に続く選択期間の間に得られ
る電圧符号と反対の符号の補助電圧に既知の方法で充電
する。均一な充電または放電を得る為に、第４図を参照
して説明したリセット期間の間及び前記第二のリセット
電圧を用いて充電又は放電する期間の雨期間ゼロ電圧に
前記データ信号を保持することは有利であろう。
、第二のリセット電圧を前記行電極１１に与えることが
でき、前記画素をこの直後に続く選択期間の間に得られ
る電圧符号と反対の符号の補助電圧に既知の方法で充電
する。均一な充電または放電を得る為に、第４図を参照
して説明したリセット期間の間及び前記第二のリセット
電圧を用いて充電又は放電する期間の雨期間ゼロ電圧に
前記データ信号を保持することは有利であろう。
第１図は本発明による方法を用いる表示装置を概略的に
示し、第２図は電気光学表示媒体例えば液晶の透過率／
電圧特性を示し、第３図は略対称の非線形スイッチ素子
（例えば旧Ｍ素子）の電流電圧特性を概略的に示し、第
４図は本発明による方法に関する駆動信号を示し、第５
図は一変形例を示す。 ８・・・列電極、 １１・・・行電極 １２・・・画素、 １４・・・破線、 １５・・・非線形スイ １６・・・接続点 ツチ素子、 第２ 図 第３図 ８ 同型（物 １１ 行電極。 １２・画素。 １５ ・・非線斤カイ・ツｆ素Ｔ １６ 接続点
示し、第２図は電気光学表示媒体例えば液晶の透過率／
電圧特性を示し、第３図は略対称の非線形スイッチ素子
（例えば旧Ｍ素子）の電流電圧特性を概略的に示し、第
４図は本発明による方法に関する駆動信号を示し、第５
図は一変形例を示す。 ８・・・列電極、 １１・・・行電極 １２・・・画素、 １４・・・破線、 １５・・・非線形スイ １６・・・接続点 ツチ素子、 第２ 図 第３図 ８ 同型（物 １１ 行電極。 １２・画素。 １５ ・・非線斤カイ・ツｆ素Ｔ １６ 接続点
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２個の支持プレートの間に電気光学表示媒体と、互
いに対向する前記支持プレートの表面上に配列された画
素電極により各画素が少なくとも形成され行列配置され
た画素の系と、少なくとも１個の画素電極が非線形スイ
ッチ素子を介して行又は列電極に接続されて構成され、
ライン期間の少なくとも一部の間に前記行電極を介し前
記スイッチ素子を用いて画素の行は選択され、同時にデ
ータ信号は前記列電極を介して与えられる表示装置の駆
動方法において、 データ信号と共に一定の電圧符号の画素電圧を前記画素
に与える選択信号を与えるに先立って、前記スイッチ素
子を用いてこれらの前記画素が前記同一電圧符号の補助
電圧に充電又は放電され、前記補助電圧は画像表示に用
いられる範囲の限界値を越えるか又は該限界値であるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の表示装置の駆動方法
において、前記画素を補助電圧に充電又は放電するかど
うかに先立つ少なくとも多数の連続する選択の間、前記
対称なスイッチ素子を流れる電流が同一方向を有するこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項の何れか１項に
記載の表示装置の駆動方法において、前記画素を補助電
圧に充電又は放電する間に前記列ラインの前記データ信
号をゼロ電圧に保持することを特徴とする表示装置の駆
動方法。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項または第３項の何れ
か１項に記載の表示装置の駆動方法において、前記補助
電圧は、前記電気光学媒体の透過率／電圧特性における
遷移範囲の限界値を越えるか又は該限界値であることを
特徴とする表示装置の駆動方法。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項の何れか１項に記載の表示装置の駆動方法において、
先ず前記補助電圧次いで表示に用いられる電圧を一ライ
ン期間及び同一のライン期間の間に前記画素に与えるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。 ６、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項の何れか１項に記載の表示装置の駆動方法において、
選択が行われるライン期間に先立つ一ライン選択期間中
前記補助電圧を与え、データ信号を画素の行に与えるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。 ７、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、
第５項または第６項の何れか１項に記載の表示装置の駆
動方法において、少なくとも略対称な非線形スイッチ素
子は、ＭＩＭ素子（ｍｅｔａｌ−ｉｓｏｌａｔｏｒ−ｍ
ｅｔａｌ素子）、バック・ツー・バック・ダイオード（
ｂａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ ｄｉｏｄｅ）素子、ｎｉｎ
スイッチ素子またはｐｉｐスイッチ素子であることを特
徴とする表示装置の駆動方法。 ８、特許請求の範囲第１項乃至第６項の何れか１項に記
載の表示装置の駆動方法において、少なくとも略対称な
非線形スイッチ素子は、副スイッチ素子で構成されるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。 ９、特許請求の範囲第１項乃至第８項の何れか１項に記
載の表示装置の駆動方法において、少なくとも略対称な
非線形スイッチ素子は、少なくともダイオード・リング
で構成されることを特徴とする表示装置の駆動方法。 １０、特許請求の範囲第１項乃至第９項の何れか１項に
記載の表示装置の駆動方法において、用いられる駆動信
号の極性は周期的に、又は非周期的に変えられることを
特徴とする表示装置の駆動方法。 １１、特許請求の範囲第１項乃至第１０の何れか１項に
記載の表示装置の駆動方法において、前記駆動信号の極
性は少なくとも１０フレーム期間に渡り周期的に変えら
れることを特徴とする表示装置の駆動方法。 １２、特許請求の範囲第１項乃至第１１の何れか１項に
記載の表示装置の駆動方法において、前記行電極は画素
領域において関連する画素電極に容量的に結合されるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8802436A NL8802436A (nl) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting. |
| NL8802436 | 1988-10-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125225A true JPH02125225A (ja) | 1990-05-14 |
| JP2582302B2 JP2582302B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=19852996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1253700A Expired - Fee Related JP2582302B2 (ja) | 1988-10-05 | 1989-09-28 | 表示装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159325A (ja) |
| EP (1) | EP0362939B1 (ja) |
| JP (1) | JP2582302B2 (ja) |
| KR (1) | KR970006861B1 (ja) |
| CN (1) | CN1018301B (ja) |
| AT (1) | ATE115757T1 (ja) |
| DE (1) | DE68919980T2 (ja) |
| HK (1) | HK164796A (ja) |
| NL (1) | NL8802436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008133A1 (fr) * | 1996-08-16 | 1998-02-26 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage, equipement electronique et procede de commande |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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