JPH02123792A - 厚膜混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は厚膜混成集積回路装置の製造方法のうち部品半
田付方法に係り、特に部品のリード間隔が狭く微細なも
のと広いものを同時に半田付けするのに好適である。

〔従来の技術〕

混成集積回路の製造工程内における半田付工程において
、半田付けする部品のリードに対応して、半ｌＪＪ量を
著しく広範囲に変化させる方法として、従来、特開昭５
３　７３３６１号公報に記載のように、半１１」ベース
トを印刷し部品を搭載した後、所定の部位に半田ペース
１−を吐呂補給する例がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、半田層を多く供給する方法についての
み言及し、半田量を少なく供給する方法については配慮
されておらず、回路の素子実装密度向上のため、素子部
品のリード間隔を狭くした際に、半田量が過剰となって
隣接リード間に半田タッチショート欠陥を生せしめる問
題があった。

本発明の目的は、上記のごとき半田タッチショート欠陥
生せしめることなく、リード間隔の狭い部品を半田付し
て、素子実装密度の高い厚膜混成集積回路装置を供給す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、リード間隔が狭い部品と広い部品とを厚膜
回路基板に混在実装して形成する厚膜混成集積回路を半
田付実装する際にして、まず上記厚膜回路基板の露呂電
極全面に、半田浴浸漬手段等により半田膜を形成した後
、リード間隔が広い部品に対応する電極に半田ペースト
を塗布し、次に部品を搭載した後加熱リフローして１部
品を実装接続することにより達成される。

〔実施例〕

以下５本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。第１図は厚膜回路基板の要部平面図、第２図は第
１図の厚膜回路基板を使用して形成する厚膜混成集積回
路装置の製造工程中途における第１図に対応した断面図
である。

アルミナ基板１に導電ペーストを印刷し焼成して、リー
ド間隔の狭い部品を接続する端子電極２゜リード間隔の
広い部品を接続する端子電極３を含む電極を形成した後
、抵抗ペーストを印刷焼成抵抗体（図示せず）を形成し
、絶縁ガラスペーストを印刷焼成して半田レジストを兼
ねた保護コート４を形成して、第１図の厚膜回路基板を
形成する。

次に上記厚膜回路基板に、ロジンのアルコール溶液等か
らなる半田フラックスを塗布乾燥後、６０〜１５０　”
Ｃに加熱して予熱した後、該躯板をｐＢ融半田浴に浸漬
し、引き上げて徐冷して半田を固化することにより半田
膜５を形成し１次いで半田ペースト６をリード間隔の広
い部品を接続する端子電極３の上の半田膜５上に印刷塗
布した後、部品を所定の位置に搭載して、加熱リフロー
することにより厚１１Ｑ混成集積回路装置を完成させる
ものである。

導電ペーストとしてＡｇ−Ｐｄを主成分とするものを使
用する場合、電極の半田膜われを軽減する目的で、半田
膜５の半田は０．５〜６％Ａｇを含有する組成であるこ
とが望ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半田浴浸漬技術及び半田ペースト印刷
技術を用いて、半田ペースト吐出塗布に比較して短時間
に多数箇所への半田供給ができ、かつリード間隔の大小
に応じて半田の量を調わり供給できるため、リート間隔
の狭い部位でもショート欠陥を発生することがなく、ま
たリード間隔が広くて太いリードの部位でも、半田ペー
ストの供給により半田量不足ルーズ欠陥を発生すること
のない、高品質の厚膜混成集積回路を提供できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用する厚膜回路基板の要部平面図、
第２図は第１図の厚膜回路基板を使用して形成する厚膜
混成集積回路装置の製造工程中途を示す第１図に対応す
る部位Ａ−Ａ’の断面図である。 ｌ・・・アルミナ基板、　　　２・・・電極、３・・・
電極、　　　　　　　４・・・保護コート、５・・・半
田膜、　　　　　６・・・半田ペースト。 纂 ！ 図 稟 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　溶融半田浴に、半田付け用フラックスを付与した厚膜
   回路基板を浸漬して、該厚膜回路基板の露出導体に半田
   膜を付与する工程の後に、該露出導体の所望の部位に半
   田ペーストを塗布する工程を経た後、部品を搭載する工
   程と半田をリフローする工程とを具備することを特徴と
   する厚膜混成集積回路装置の製造方法。