JPH02122452A - 浮上型光再生ヘッド装置の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体上に磁気的に記録された情報を
、光−磁気相互作用によって光学的に読み出し、特に浮
上型構成を採る浮上型光再生ヘッド装置の製法に係わる
。

〔発明の概要〕

本発明は、多数組の光再生ヘッドが形成された半導体基
板を浮上スライターの構成基板上に接合し、この接合体
を複数組の光再生ヘッド構体毎に分断し、この分断によ
って形成されたブロックに溝加工を行い、その後ブロッ
クを各光再生ヘッド毎にチップ化する工程とを採って微
細な光再生ヘッドが浮上スライダーに一体に構成された
浮上型光再生ヘッド装置を得るものであり、このように
して製造の簡易化と高精度化をはかる。

〔従来の技術〕

光ディスク、光磁気ディスク等の記録媒体に対する記録
情報の光学的読出しを行う光再生ヘッドとして、光導波
路を用いたヘッドの提案がなされている（例えば特開昭
６０−５９５４７号参照）。

このような構成による光再生ヘッドは、光学的再生に付
随するレンズ系、偏光板等を先導波路中に作りつける光
集積回路構成をとることによって小型、軽量に、したが
ってアクセスの高速化をはかることができるなどの利点
がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

光磁気ディスク等の磁気記録媒体に対し、例えば磁気記
録ヘッドによって磁気的に情報の記録をなし、光再生ヘ
ッドによってその磁気的記録情報を光−磁気相互作用に
よって光学的に読み出す態様を採る場合において、例え
ば電磁誘導型磁気ヘッドと、前述した光導波路構成によ
る光再生ヘッドとの組合せによる磁気記録光再生ヘッド
の構成が考えられる。

この場合の磁気記録光再生ヘッドとしては、例えば第９
図にその路線的構成図を示すように、ヘッド基板（１）
上に誘導型の磁気ヘッド（２）と光再生ヘッド（３）が
並置配置された構成を採ることが考えられる。

この例では磁気ヘッド（２）は、例えば第１及び第２の
磁性薄膜（６八）及び（６Ｂ）が、画先端間において作
動磁気ギャップｇを形成するように配置され両磁性薄膜
（６八）及び（６Ｂ）間を横切るように薄膜コイル（７
）が形成されている。

光再生ヘッド（３）は、例えばシリコン基板（４）上に
光導波路素子（５）が設けられて成る。

この光導波路素子（５）は、例えばソーダガラス層より
成る光導波路形成基板に所要のパターンをもってイオン
交換を行って高屈折率化して形成した光導波路（９）を
有する。この光導波路（９）は、例えば７字型パターン
とされる。そしてその−分岐端（９ａ）に対向して、光
源としての半導体レーザー００）が光学的に結合して配
置される。そして、この半導体レーザー（１０）の配置
側とは反対側の端部は先入出端（９ｃ）として磁気ヘッ
ド（２）の作動磁気ギャップｇと並置するように、光磁
気記録媒体（１１）の対向面θ２）に臨んで配置される
。更に光導波路（９）の他方の分岐端（９ｂ）は、例え
ばシリコン基板に作りつけられたフォトダイオード等の
光検出素子０３）に光学的に結合される。

また光導波路（９）の分岐端（９ａ）側の分岐路上には
偏光子を構成する例えば金属クラッド型モードフィルタ
０４が形成され、他方の分岐端（９ｂ）側の分岐路上に
は検光子を構成する例えば金属クラッド型モードフィル
タθ９が形成される。

このような構成をとって、記録用磁気ヘッド（２）によ
って光磁気記録媒体例えば光磁気ディスク（１１）上に
磁気的に情報の記録を行う。そして、再生に当っては、
光再生ヘッド（３）によって、半導体レーザー００）か
らの光を一方の分岐路上のモードフィルタ０４）を通じ
て例えばＴＥ波として端部（９ｃ）から光磁気記録媒体
（１１）の磁気記録部に照射し、その記録情報に応じた
磁化状態によって光−磁気相互作用によってカー回転し
た反射光を再び光導波路（９）にその端部（９ｃ）より
入射して他方の分岐路を通じてこれに結合した光検出素
子０３）によって検出する。

この場合、モードフィルタＱ４］及び面は互いの偏光面
が所要の角度を有するようになされ、モードフィルタθ
つにおいては、他方のモードフィルタＱ４１より得たＴ
Ｅ波を殆んど遮断し、光磁気記録媒体の磁気的記録情報
に応じて偏光面が回転した偏光を通過するようになされ
て情報の読み出しが行われるようになされる。

このような磁気記録光再生ヘッドを浮上型構成とする場
合、これが光磁気記録媒体との相対的移行による空気流
によって浮上する浮上スライダー０６）に配置される。

この浮上スライダー０６）は、ジンバル機構０７）によ
って弾性的に所要の押圧力をもって光磁気記録媒体（１
１）側に向って押圧されるようになされている。ところ
が上述したように、光再生ヘッド（３）を半導体基板上
に形成する場合、この基板とスライダー０６）との接合
位置にばらつきがあると、空気流に乱れが生じ安定な浮
上を阻害するという課題がある。

本発明は、上述した課題の解決をはかった磁気記録光再
生ヘッド装置を提供する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は第６図Ｂに示すように多数組の光再生ヘッドが
形成された半導体基板（半導体ウェファ）（３０）を浮
上スライダーの構成基板（７１）上に接合する工程と、
この半導体基板（３０）とスライダー構成基板との接合
体を、第６図Ｃに示すように複数組の光再生ヘッド毎に
分断する工程と、第６図りに示すようにこの分断によっ
て形成されたブロック（７３）に溝加工を行う工程と、
上記ブロック（７３）を各光再生ヘッド毎にチップ化す
る工程とを採ってスライダー（２６）上に光再生ヘッド
が配された浮上型光再生ヘッド装置を得る。

〔作用〕

このような本発明手順によれば、半導体基板（３０）の
チップ化と、スライダー構成基板（７１）からの浮上ス
ライダー（２６）の構成すなわちチップ化とが両者が合
体された状態でなされるので両者の位置合せは自己整合
的に行われる。したがって、スライダーに光再生ヘッド
を構成した半導体チップを貼着する場合に比し、機械精
度が向上し、このばらつきによるヘッド動作時の浮上の
為のエアーに流れに乱れを発生させたりすることなく安
定な浮上量の確保ができる。

〔実施例〕

本発明による浮上型光再生ヘッド装置を磁気記録光再生
ヘッド装置に適用する場合について説明する。

すなわち、この場合第２図及び第６図Ｇに示すように光
磁気ディスク（２４）すなわち光磁気記録媒体に対して
所要の押圧力を有するジンバル機構、すなわち弾性体（
２５）の遊端に例えば幅Ｗが３ｍｍ。

高さｈが１Ｉｌｆｆｌの浮上スライダー（２６）が取付
けられ、これが光磁気ディスクすなわち光磁気記録媒体
（２４）の矢印ａで示す回転によって生ずる空気流によ
って浮上するようになされている。

そして、スライダー（２６）の−側面に光磁気記録媒体
（光磁気ディスク＞　（２４）との対向面（８１）に臨
んで第１図にその要部の断面を示すように磁気記録薄膜
ヘッドを構成する薄膜ｊｉ！　（２２）と光再生用光導
波路すなわち光再生ヘッドを構成する薄膜層（２３）と
を有する基板（２１）が接合される。

基板（２１）は、例えば単結晶シリコン（Ｓｉ）ウェフ
ァ（３０）から切り出されて成り、これの上に第３図に
示すように磁気記録用薄膜ヘッドと光再生用ヘッドとの
積層構造体（２７）を多数個同時にそれぞれ縦及び横の
各多数の列上に配列された長方形をなすヘッド形成領域
（２８）上に同時に形成する。

このＳｉウェファ（３０）に対して磁気記録用薄膜ヘッ
ドと光再生用ヘッドとを構成する手順を第４図Ａ、〜Ａ
＆、Ｂｌ〜Ｂ、を参照して説明する。第４図Ａ、−Ａ、
は、各工程の要部の路線的拡大平面図を示し、同図Ｂ、
−Ｂ、は図Ａ１〜Ａ、における各Ｂ−Ｂ線上の断面図を
示す。

まず第４図Ａ、及びＢ、に示すように、ウェファ（３０
）の各ヘッド形成領域（２８）においてそれぞれその−
短辺＜２８ａ）に近接して第１〜第３の光検出素子（３
１）〜（３３）を形成し、これと隣り合う一長辺（２８
ｃ）に接して短辺（２８ａ）とは反対側の短辺（２８ｂ
）側に近接して第４及び第５の光検出素子（３４）及び
（３５）を構成する。これら第１〜第５の光検出素子（
３１）〜（３５）は例えばフォトダイオードより成りＳ
ｉウェファ（３０）にそれぞれ周知の技術によってその
一生面（３０ａ）側に形成する。また、このウェファ（
３０）の主面（３０ａ）上には、５ｉｎ２等の表面絶縁
層（３６）が表面熱酸化等によって形成され、この表面
絶縁層（３６）上に他方の長辺（２８ｄ）側に配列して
所要数の外部リード導出用の端子部（３７）を配列形成
すると同時に、第１の光検出素子（３１）に対向近接す
る位置に後述する半導体レーザーをグイボンドするグイ
ポンディングパッド部（３８）とこれに近接して半導体
レーザーの一方の電極のワイヤーボンディングに供する
ワイヤポンディングパッド部（３９）とを形成する。さ
らにこれと同時に第１〜第５の光検出素子（３１）〜（
３５）の一方の電極を対応する端子部（３７）に、また
グイポンディングパッド部（３８）　。

ワイヤポンディングパッド部（３９）等を対応する端子
部（３７）にそれぞれ接続する配線導電層（４０）を形
成する。これら各端子部（３７）　、ポンディングパッ
ド部（３８）及び（３９）、さらに配線導電層（４０）
はへ１等の例えば金属の蒸着、スパッタ等による全面的
被着及びフォトリソグラフィによるエツチングによって
同時に所要のパターンに形成し得る。

次に、第４図Ａ２及びＢ２に示すように、第２及び第３
の光検出素子（３２）及び（３３）に対向する位置に、
一端が臨み、これより長辺（２８ｃ）及び（２８ｄ）の
延長方向に沿って延在する第１及び第２の斜面（４１Ａ
）及び（４１Ｂ）を形成する。これら第１及び第２の斜
面（４１Ａ）及び（４１Ｂ）は例えば互いに４５＠の角
度もしくはこれに近い傾斜面に形成される。これら斜面
（４１Ａ）及び（４１Ｂ）の形成は、例えば単結晶シリ
コンウェファ（３０）の異方性エツチングを利用して形
成することができる。例えば単結晶シリコンウェファ（
３０）として（１００）結晶面を板面方向とするウェフ
ァを用い、領域（２８）の長辺方向が＜１１０＞軸方向
となるように選定しておく。ウェファ（３０）上に全面
に５ｉ０２等の絶縁層（４２）をＣＶＤ　（化学的気相
成長法）等によって形成し、この絶縁層（４２）に＜１
１０＞軸方向に沿って長窓（４２Ａ）をフォトエツチン
グ等によって形成する。そして、この長窓（４２Ａ）を
通じて例えばＫＯＨｌあるいはピロカテコールとエチレ
ンジアミン混合液によるエツチング液を用いてエツチン
グを行えば、このエツチング液に対して（１１０）結晶
面が最大のエツチングレートを有し、（１１１）面が最
小のエツチングレートをもっていることによって両側面
に（１］、Ｎ結晶面による斜面（４１＾）　（４１Ｂ）
が生じる溝（４３）を形成することができる。

次に、第４図Ａ３及びＢｉに示すように光再生ヘッドを
構成する光導波路Ｎ　（２３）を形成する。この光導波
路層（２３）は、第４及び第５の光検出素子（３４）及
び（３５）の配置間から一部短辺方向に延び、屈曲部を
介して長辺方向に沿って延びその一端がグイポンディン
グパット部（３８）に延在する第１の光導波路（４４）
と、この第１の光導波路（４４）の、素子（３４）及び
（３５）間に延在する端部に近接ないしは結合する端部
を有し、これを基幹路（４５Ｃ）とし、これから同様に
一部短辺方向に延び屈曲部を介して長辺方向に延び更に
これよりＹ字状に分岐されて斜面（４１Ａ）及び（４１
Ｂ）上にそれぞれ沿って第２及び第３の光検出素子（３
２）及び（３３）上に各端が延在する分岐路（４５Ａ）
及び（４５Ｂ）を有する分岐型の第２の光導波路（４５
）とよりなる。これら光導波路（４４）及び（４５）の
形成は、例えば溝（４３）内を含んでウェファ（３０）
上に全面的にソーダガラス等の厚さ５〜１０μｍの先導
波路形成薄膜層を被着形成し、これに対して光導波路（
４４）及び（４５）を形成する部分をその表面側から所
要の深さに選択的に例えばそのソーダガラス中のＮａ“
をに０にイオン交換することによって高屈折率化して形
成し得る。このようなイオン交換による光導波路の形成
は、図示しないが全面的にポリイミド等の高耐熱マスク
を形成し、これの上にさらにＳｉＯ□等の反応性イオン
エツチング（ＲＩＥ）のレジストとなり得るＳｉ０ｇ膜
を形成し、これに対してフォトレジストによって形成す
べき光導波路（４４）及び（４５）のパターンを有する
窓を形成し、ＲＩＥによって５ｉＯｚ等のレジストマス
クとこれの下のポリイミド等の材料層を貫通して窓開け
を行ってウェファ（３０）を例えばＸＮ０ｆｆ溶融液に
浸漬させることによってに゛のイオン交換を行って光導
波路（４４）及び（４５）を形成し得る。あるいは選択
的に所要のイオン注入拡散を行って高屈折率化すること
によって光導波路の形成を行うことができる。また、あ
るいは、ウェファ（３０）上に５ｉｎ２等のバッファ層
を介してこれより高屈折率の薄膜を形成し、フォトリソ
グラフィー技術によって高屈折率膜を所要のパターンに
エツチングし、この高屈折率膜より成るリッヂ型の先導
波路を形成することができる。

第４図Ａ４及びＢ、に示すように、前述した例えば表面
のイオン交換のマスクとして用いられたポリイミドある
いはこれの上のエツチングレジストとして用いられた５
ｉＯｚフオトレジスト等の除去が行われて、光導波路層
（２３）、すなわち光導波路（４４）及び（４５）上に
５ｉＯｚ等のバッファ層（４７）を全面的にスパッタ等
によって形成し、これの上に、ウェファ（３０）の主面
上に形成された第１の光導波路（４４）上と、溝（４３
）による両斜面（４１，Ａ）及び（４１Ｂ）に形成され
た第２の先導波路（４５）の分岐路（４５Ａ）及び（４
５Ｂ）上を横切ってＡ１．等の金属層あるいは非晶質シ
リコン層等の導電層（４８）をＣＶＤ法あるいはその他
の手段によって全面蒸着及びフォトリソグラフィ等によ
ってパターン化して形成する。このようにすれば、この
導電層（４８）の被着部において各光導波路（４４）と
（４５）の分岐路（４５Ａ）　（４５Ｂ）とに第１〜第
３のクラッド型モードフィルタ（４９）と（５０）　（
５１）とが形成される。

第４図Ａ、及び第１図に示すように、第４及び第５の光
検出素子（３４）及び（３５）の配置間の、光再生ヘッ
ドを構成する先導波路層（２３）、具体的には、８光の
各導波路（４４）及び（４５）の端部上に記録磁気ヘッ
ドを構成する薄膜層（２２）を構成する。すなわち、第
１の磁性薄膜（５２）を例えば領域（２８）の短辺方向
に沿うように帯状に形成し、これの上にＳｉｎ。

等の眉間絶縁７！　（５３）を介して例えば渦巻状パタ
ーンの導電層磁気ヘッドのヘッド巻線（５４）を金属層
の蒸着及びフォトリソグラフィ等によるパターン化によ
って形成する。さらにこれの上にＳｉｎ、等の絶縁層（
５５）を形成し、例えば巻線（５４）の中心部において
各絶縁層（５５）　（５３）に窓（５６）開けを行って
この窓（５６）を通じて第１の磁性薄膜（５２）上に沿
ってかつその一部に連接して第２の磁性薄膜（５７）を
形成し、両磁性薄膜（５２）及び（５７）によって閉磁
路を形成すると共に、その前方端に例えば絶縁層（５３
）を磁気スペーサとする作動磁気ギャップｇを有する薄
膜磁気ヘッドを構成する。第４図はこの磁気ヘッド部の
拡大平面図を示す。巻線（５４）の両端部には、一方、
各端子部（３７）及び各パッド部（３８）及び（３９）
を覆う各絶縁層を選択的にエツチングして外部に露呈す
るそれぞれコンタクト窓を形成すると共に巻線（５４）
の両端を露呈するコンタクト窓を形成し、巻線（５４）
の両端を対応する端子部（３７）にそれぞれのコンタク
ト窓を通じて配線導電層（５８）を形成して電気的に巻
線端子の導出を行う。

また第４図Ａ６に示すように光導波路（４４）及び（４
５）の、領域（２８）の短辺方向に延びる部分から長編
方向に延びる方向に屈曲する屈曲部に、積層された各絶
縁層バッファ層等を選択的にエツチングして空気層によ
って成る或いは必要に応じて低屈折率材を埋込んで成る
プリズム（５９）及び（６０）を作製する。

次に、このようにして磁気記録ヘッドと光再生ヘッドと
が積層形成されたヘッド構成部が配列されてなるシリコ
ンウェファ（３０）を、浮上スライダー　（２６）と一
体化して本発明装置を構成する手順の一例を第６図を参
照して説明する。

この場合まず第６図Ａに示すように、最終的にスライダ
ー（２６）となるスライダー用基板（７１）例えばＴｉ
−Ｃａ、　Ｔｉ−Ｂａ＋　Ａ　Ｉ　ＴｉＣあるいはフェ
ライト等のセラミック基板を用意する。

そして、その−主面を平滑な面としてこの面に第６図Ｂ
に示すように前述した多数のヘッド構成部が配列された
例えば単結晶シリコンウェファ（３ｏ）を接着剤、ガラ
ス接合、金属溶融接合等によって接合して接合体（７２
）を得る。

その後この接合体（７２）と第６図Ｃに示すように、そ
のシリコンウェファ（３０）のそれぞれヘッド構成部を
有するヘッド形成領域（２８）をその長手方向に沿う共
通の列に関して例えば切断分離して複数組のヘッド部と
スライダ一部とが一体に配列されたブロック（７３）を
形成する。

第６図りに示すように、ブロック（７３）のシリコンウ
ェファ（３０）が接合された面と隣り合い、かつ領域（
２８）の第４図で説明した磁気ヘッド及び光再生ヘッド
が臨む長辺（２８Ｃ）側にウェファ（３ｏ）と直交する
方向に延びる複数の溝（７４）を平行に形成する。この
８溝（７４）の形成位置は、各半導体ウェファ（３０）
の各ヘッド形成領域（２８）の長辺（２８Ｃ）のほぼ中
央部に形成する。

また、一方策６図已に示すようにブロック（７３）の８
溝（７４）間のウェファ（３０）の接合側とは反対側に
おいて、テーパー（７５）を切削研摩加工をする。

次に第６図Ｆに示すように、ブロック（７３）をウェフ
ァ（３０）の領域（２８）に関して分離するチップカッ
トしてヘッド構成部を有する基板（２１）がスライダー
（２６）と一体に切り出された例えば幅３ｍｍ、高さ１
１のスライダー構体（７６）を得る。このスライダー構
体（７６）の長辺（２８Ｃ）側は研磨され磁気記録媒体
との対向面（８１）が形成される。

第６図Ｇに示すようにレーザーダイオードのグイポンデ
ィングパッド部（３８）上に半導体レーザー（７７）を
ボンディングし、そのレーザーダイオード（７７）の−
電極をワイヤーリード（７８）によってワイヤーポンデ
ィングパッド部（３９）にポンディングする。そして半
導体レーザーの取付は部を樹脂封止し、第２図で説明し
たシンバル機構の弾性体（２５）の遊端に配置する。こ
の配置は例えば上面に突起（６１）を有する金属板（６
２）をスライダー構体（７６）に取着し、弾性板（２５
）の遊端が突起（６１）と衝合して、弾性板（２５）に
対してスライダー構体（７６）が揺動できるように配置
する。また各端子部（３７）にはそれぞれ対応する外部
リード例えばフレキシブル基板（７９）の対応する各配
線を半田付けする。このようにして本発明によるヘッド
装置を構成することができる。

尚、ここに第１〜第５の光検出素子（３１）〜（３５）
及び半導体レーザー（７７）の、各設置側端子は基板（
２１）　（シリコンウェファ（３０）　）側で共通とし
て、この基板（２１）にコンタクトされた１の端子部（
３７）から端子導出を行う。

第２及び第３の光検出素子（３２）及び（３３）の出力
は、差動アンプ（８０）に人力され差動的に出力をとり
出す。半導体レーザー（７７）は、その発光端、すなわ
ち活性層の端面ができるだけ第１の光導波路（４４）の
光入射端と正対するように、例えば半導体レーザー（７
７）の配置部の高さを、シリコンウェファ（３０）に凹
部を堀込んでおくとか、ダイポンディングパッド部（３
８）の厚さを調整するなどの考慮がなされる。そして、
また第１の光検出素子（３１）は、この半導体レーザー
（７７）からの例えば第１の光導波路（４４）への光出
射側とは反対側から同様に発光する光を有効に受光でき
る位置関係に設定され、この第１の光検出素子（３１）
によって半導体レーザー（７７）のパワー制御を行うよ
うになされる。

また、磁気記録媒体との対向面（８１）に臨む第４及び
第５の光検出素子（３４）及び（３５）は、光磁気記録
媒体（２４）に設けられているトラックガイド溝（図示
せず）からの反射光を受光して両者の出力を差動的にと
り出してトラッキングサーボを行うようになされている
。

ここに第１のモードフィルタ（４９）は、例えば基板（
２１）の板面に沿うように形成されていることによって
その偏光面が第２及び第３のモードフィルタ（５０）及
び（５１）の各斜面（４１八）及び（４１Ｂ）の中心面
、すなわち第２及び第３のモードフィルタ（５０）及び
（５１）の偏光面の中心に対して９０’とされる。

上述したようにジンバルすなわち、弾性体（２５）の遊
端に配置されたスライダー構体（７６）と一体に構成さ
れた磁気記録光再生ヘッドは、第２図に示すように、磁
気記録媒体（２４）例えば光磁気ディスクとの相対的移
行による空気流によって浮上した状態で、その記録、再
生が行われる。

その記録に当っては、通常の誘導型ヘッドの動作によっ
て、すなわち、薄膜磁気ヘッドの巻線（５４）に信号電
流を通じ、磁気記録媒体に磁気的記録を行う。

再生に当っては、半導体レーザー（７７）からの光を第
１の光導波路（４４）に導入して第１のクラッド型モー
ドフィルタ（４９）によって所定の方向の偏向面を有す
る偏光として磁気記録媒体（２４）の記録トラックに照
射され、その磁気的記録情報に応じて光−磁気相互作用
によって偏光面が回転した反射光が、光導波路（４５）
の基幹路（４５Ｃ）に導入される。

そして、今、例えばその記録情報が“°０“で、反射光
に回転が生じていない場合に、その反射光が導入される
光導波路（４４）の第１及び第２の分岐路（４４Ａ）及
び（４４Ｂ）のクラッド型モードフィルタ（５０）及び
（５１）を通過した光の検出出力を入力する差動アンプ
（８０）からの出力を例えば零に設定しておけば、情報
ＩＩ　Ｉ　Ｉ＋の読み出しで反射光にカー回転が生じて
いれば、両モードフィルタ（５０）及び（５■）の偏光
面が、第１の光導波路（４４）のクラッド型モードフィ
ルタ（４９）の偏光面と９０°をなす面に対し互いに逆
向きの斜面（４１Ａ）及び（４１Ｂ）によて規定されて
いることによって、一方の通過光が増加すれば、他方が
減少するので、差動アンプ（８０）から大きな出力がと
り出される。

上述したように、再生に当っては、第１の光導波路（４
４）からの光を、磁気記録媒体（２４）の記録トラック
上に照射するものであるが、この場合、光導波路の出射
端の断面を例えば長円形、楕円形等の長形状スポットに
選定することによって記録トラック上のレーザー光スポ
ットをトラック幅方向に長袖を有する長形状スポットと
する。今例えば磁気記録媒体上の磁気トラック上の磁化
による情報ビットのパターンを第７図Ａに模式的に示す
。

この場合トラック幅は例えば１〜２μｍ、ビット長し、
は０．５〜１μｍであるが、今、これに対する照射光の
スポットを実線ａで示すようにトラック幅方向について
はトラック幅Ｔ−に対応する長軸長とし、トラック長方
向には短軸長とする。このようにするときは、出力特性
の向上、Ｓ／Ｈの向上をはかることができる。

すなわち、通常、光再生ヘッドによって光学的に記録の
読み出しを行う場合、そのスポットはほぼ正円形状に選
ばれる。この場合そのスポット径を第７図Ａ中破線すで
示すようにトラック幅Ｔｗに対応する大径にすればスポ
ットが隣り合うビット上に跨り第７図Ｂ破線すで示すよ
うにその出力波形がなまり特に短波長でＳ／Ｎの低下を
来す。

また同図破線Ｃで示すようにスポット径を小とすれば、
Ｓ／Ｎは向上するが各ビットの一部に光照射がなされる
ことになって同図Ｂ中破線Ｃに示すように出力低下を招
来する。これに比し、上述したようにビームスポットを
長形状スポットａとするときは、同図Ｂ中実線ａで示す
ように出力低下を抑制してかつ短波長側でもＳ／Ｎの向
上をはかることができる。

第８図曲線（９１ａ）　（９１ｂ）　（９１ｃ）は第７
図で説明した各スポットａ、ｂ、ｃでの各周波数特性を
示したものである。

面このようにスポット形状を長形状スポットする場合、
スポットの分断を回避して単一スポットとする上で第１
の光導波路（４４）は基本波モードの伝搬が行われるよ
うにすることが望ましい。

また、上述した例では、基板（２１）としてシリコン基
板を用いた場合であるがＧａＡｓ基板等の他の基板を用
いることもできる。

〔発明の効果〕

上述の本発明によれば、半導体基板（２１ンのチップ化
と、スライダー構成基板（７１）からの浮上スライダー
（２６）の構成すなわちチップ化とが両者が合体された
状態でなされるので両者の位置合せは自己整合的に行わ
れる。したがって、スライダーに光再生ヘッドを構成し
た半導体チップを貼着する場合に比し、機械度精度が向
上し、このばらつきによるヘッド動作時の浮上の為のエ
アーに流れに乱れを発生させたりすることなく安定な浮
上量の確保ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用するヘッド装置の一例の要部の断
面図、第２図は本発明装置の使用態様の説明図、第３図
はＳｉウェファの斜視図、第４図及び第６図はそれぞれ
本発明製法の一例の路線的工程図、第５図は記録磁気ヘ
ッド部の平面図、第７図は磁気トラックの模式図、第８
図は出力特性曲線図、第９図は本発明との対比例の斜視
図である。 （２１）は基板、（２２）は磁気記録ヘッドの薄膜層、
（２３）は光導波路層である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 多数組の光再生ヘッドが形成された半導体基板を浮上ス
   ライダの構成基板上に接合する工程と、この半導体基板
   とスライダ構成基板との接合体を、複数組の上記光再生
   ヘッド毎に分断する工程と、 この分断によって形成されたブロックに溝加工を行う工
   程と、 上記ブロックを上記各光再生ヘッド毎にチップ化する工
   程とを有する浮上型光再生ヘッド装置の製法。