JPH0212188U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の一実施例に係るサージ吸収
素子の断面図、第２図は、誘電体層の構成例を示
す拡大断面図、第３図は、補助電極の形状例を示
す拡大断面図、第４図は、本考案の他の実施例の
断面図、第５図は、サージ動作移行時の電圧と移
行時間との関係を示すグラフであり、第６図は、
従来例の断面図である。 １…サージ吸収素子、２…電圧非直線抵抗体、
２ａ…電圧非直線抵抗体チツプ、３…放電電極、
４…放電間隙、５…補助電極、６…誘電体層、６
ａ…第１の誘電体層、６ｂ…第２の誘電体層、７
…気密容器。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電圧非直線抵抗体の両端に一対の放電電極
   を接続して上記放電電極間に放電間隙を形成し、
   上記放電間隙と電圧非直線抵抗体とを並列接続し
   て、これを放電ガスで満たされた気密容器に封入
   したサージ吸収素子に於いて、上記電圧非直線抵
   抗体の少なくとも表面に補助電極を接続し、上記
   電極間に露出した電圧非直線抵抗体の表面に、上
   記電極と接続させて誘電体層を形成したことを特
   徴とするサージ吸収素子。 (2) 補助電極を環状に形成して電圧非直線抵抗
   体の外周に嵌着したことを特徴とする請求項１に
   記載のサージ吸収素子。 (3) 補助電極を粒子状又は塊状に形成して電圧
   非直線抵抗体の表面に付着させたことを特徴とす
   る請求項１に記載のサージ吸収素子。 (4) 複数の電圧非直線抵抗体チツプを積み重ね
   て電圧非直線抵抗体を形成し、上記電圧非直線抵
   抗体チツプ間に補助電極を挾持させたことを特徴
   とする請求項１に記載のサージ吸収素子。 (5) 電極間に露出した電圧非直線抵抗体の表面
   に沿面放電特性が良好な誘電体層を形成したこと
   を特徴とする請求項１，２，３又は４に記載のサ
   ージ吸収素子。 (6) 誘電体層が、酸化ニツケルを主成分とする
   ことを特徴とする請求項５に記載のサージ吸収素
   子。 (7) 電極間に露出した電圧非直線抵抗体の表面
   を耐熱性及び耐還元性に優れた誘電体層で被覆し
   たことを特徴とする請求項１，２，３又は４に記
   載のサージ吸収素子。 (8) 誘電体層が、ビスマスガラスを主成分とす
   ることを特徴とする請求項７に記載のサージ吸収
   素子。 (9) 電極間に露出した電圧非直線抵抗体の表面
   を耐熱・耐還元性に優れた第１の誘電体層で被覆
   し、該第１の誘電体層上に、沿面放電特性が良好
   な第２の誘電体層を形成したことを特徴とする請
   求項１，２，３又は４に記載のサージ吸収素子。