JPH02120625A - 流量検出装置とその製造方法 - Google Patents

流量検出装置とその製造方法

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JPH02120625A
JPH02120625A JP63275021A JP27502188A JPH02120625A JP H02120625 A JPH02120625 A JP H02120625A JP 63275021 A JP63275021 A JP 63275021A JP 27502188 A JP27502188 A JP 27502188A JP H02120625 A JPH02120625 A JP H02120625A
Authority
JP
Japan
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flow rate
rate detection
substrate
thick film
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP63275021A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Hirano
伸一 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mazda Motor Corp
Original Assignee
Mazda Motor Corp
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Publication date
Application filed by Mazda Motor Corp filed Critical Mazda Motor Corp
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Publication of JPH02120625A publication Critical patent/JPH02120625A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は流量検出装置とその製造方法に関する。
(従来技術) 流量検出の原理には、熱線式流量検出があるが、その方
式を用いた熱線式流量検出装置には、小型化を図る観点
から、流量検出部を薄膜素子として基板上に形成したも
のがある(1986.電気学会第6回センサーシンポジ
ウム A  Micr。
FlowSensor with a 5ubstra
te having a LowThermal Co
nductivity) 、このような熱線式流量検出
装置においては、基板には、放熱による流量検出の感度
低下を防ぐ観点から熱伝導率が小さく11、つ耐熱性材
料であることが必要であり、また、薄膜素子の形成の容
易性の観点から表面平滑性を有することが必要である。
このため、上記熱線式fQ%検出装置における基板には
、それらの条件を満たすガラス基板が用いられている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、一方、ガラス基板は、破損し易い性質を有して
おり、このため、構造強度の点では十分とは言えず、信
頼性の上で問題を有することになっている。
本発明はL記実情に鑑みてなされたもので、その第1の
目的は、流量検出部を薄膜素子として基板上に形成する
熱線式流量検出装置において、薄膜としての流量検出部
の形成容易性を維持すると共に基板側への放熱に基づく
流量検出の感度低下を抑えつつ、構造強度の強化を図る
ことにある。
また、第2の目的は、流量検出部を薄膜素子として基板
上に形成する熱線式流量検出装置において、構造強度の
強化を図ると共に、流量検出部と流11)検出回路部と
の接続強度を向上させることにある。
さらに、第3の目的は、流量検出部を薄膜素子として基
板上に形成されたものであって、その構造強度の強化が
図れると共に流量検出部と流量検出回路部との接続強度
が向上された流量検出装置の製造方法を提供することに
ある。
(問題点を解決するための手段、作用)かかる第1の目
的を達成するために本発明にあっては、少なくとも2つ
の抵抗素子からなる流量検出部と、該抵抗素子に電圧を
印加して被測定気体の流量を検出する流量検出回路部と
を備えた流量検出装置であって、 前記誘電体部りに前記流量検出部が薄膜状に形成され、 前記流量検出部と前記流は検出回路部とが導体部を介し
て接続されている、 ことを特徴とする流量検出装置、とした構成としである
L記第1の発明の構成により、誘電体部に薄膜としての
流量検出部を形成することから、誘電体部の平滑性のあ
る表面が利用できることになり、薄膜形成が容易になる
。また、基板と流量検出部との間に誘電体部が介在され
ていることから、流を一検出部の熱が基板内に放熱され
ることが抑えられ、流量検出の感度低下を招くことが抑
えられることになる。さらに、構造強度については、基
板が本装置の全体的な強度を増大させることになり、構
造強度の強化を図ることができることになる。しかも、
この場合、薄膜形成の容易性及び放熱に基づく流量検出
感度の低下防止の両条件にっいては、上述のように誘電
体部の存在により満足でさることになり、基板としては
強度の点だけを考慮して選択すればよくなり、基板の選
択の幅を広げることができることになる。
したがって、薄膜としての流量検出部の形成容易性を維
持すると共に基板側への放熱に基づく流量検出の感度低
下を抑えつつ、構造強度の強化を、簡単に図ることがで
きることになる。
また、流量検出部と流量検出回路部とが基板に同一面側
において設けられ、該両者の上方には何も設けられない
ことから、導体部の取回しが容易になり、流量検出部と
流量検出回路部との接続を容易にすることができること
になる。
さらには、流量検出部と流量検出回路部の両者を同一基
板りに設けることから、これらがコンパクトにまとまる
ことになり、装置全体として小型化を図ることができる
ことになる。
また、第2の目的を達成するために本発明にあっては、
特許請求の範囲第1項記載において、 前記流量検出部と前記導体部とが一体形成されている、 ことを特徴とする流量検出装置、とした構成としである
上記第2の発明の構成により、前記第1の発明と同様の
作用を生じるだけでなく、流量検出部と導体部の両別部
材を互いに接続する接続箇所がなくなり、流量検出部と
流量検出回路部との間において、必要な接続箇所数を減
らすことができることになる。このため、外力に対して
接続強度が強くなることになる。
また、上述のように、必要な接続箇所数を減らすことが
できることから、接続作業の軽減を図ることができ、工
程の簡略化を図ることができることになる。
また、第3の目的を達成するために本発明にあっては、
少なくとも2つの抵抗素子からなる流量検出部と、該抵
抗素子に電圧を印加して被測定気体の流量を検出する流
量検出回路部とを備えた流量検出装置の製造方法であっ
て、 基板に前記流量検出回路部として厚膜導体を形成し、 次に、前記基板りに誘電体厚膜を形成し。
次いで、前記厚膜導体及び前記誘電体厚膜上に流量検出
部のネガパターンをフォトレジスト膜で形成し、 続いて、前記厚膜導体、前記誘電体厚膜及び前記フォト
レジスト膜上に薄膜を形成し、この後、前記フォトレジ
スト膜を除去する、ことを特徴とする流量検出装置の製
造方法、とした構成としである。
上記第3の発明の構成により、前述の第2の発明と同様
の作用を生じる新規な流量検出装置を確実に得ることが
できる製造方法を提供できることになる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図、第2図は第1の発明の実施例を示すものである
。このうち、第1図は既存の熱線式流量検出原理を示す
模式構成図で、本流量検出装置にも、このような既知の
流量検出原理が用いられている。この流量検出原理につ
いて簡単に説明すると、この原理においては、流量検出
部Rとして、ヒータ抵抗体Rh、モニタ抵抗体Rm及び
センサ抵抗体Rfが設けられると共に、差動増幅器0、
制御用トランジスタT等が設けられており、抵抗体Rf
の温度が流体の温度に等しく、抵抗体Rmが抵抗体Rh
の発熱により流体の温度からある温度差をもってブリッ
ジBを平衡状態にしている。
抵抗体Rhの熱が流体の流量に応じて放出されると、抵
抗体Rmの温度差が変化し抵抗値が変化する。その時、
ブリッジBに差電圧が生じ、その差電圧は差動増幅器0
により増幅される。これがトランジスタTに入力され、
抵抗体Rhへの電流量が制御されることになる。抵抗体
Rhはその電流量に基づき発熱し、これが前述の放熱量
を補うことになり、ブリッジBの差電圧がなくなり、こ
のとき、抵抗体Rmと流体との温度差が一定に保たれる
。この抵抗体Rmと流体の温度差を一定に保つ際のヒー
タRhの電圧に基づき流量が求められることになる。
本流量検出装置は、上記熱線式流量検出原理を基礎とし
て、第2図に示すように構成されている。すなわち、1
は基板としてのハイブリッドIC基板で、このハイブリ
ッドIC基板lにはアルミナ等が用いられる。
ハイブリッドIC基板1の上には誘電体部としての誘電
体厚膜2が形成されており、その誘電体厚膜2には高融
点ガラス等が用いられる。
誘電体厚膜2の上には薄膜の前記流量検出部Rが形成さ
れており、この流量検出部Rにおいては、前述の従来技
術と同様のパターンで抵抗体膜が形成されている。この
流量検出部Rにはプラチナ薄膜、ニッケル薄膜等が用い
られる。
また、前記基板1):には厚膜状に厚膜導体3が形成さ
れている。この厚膜導体3は流量検出原理の構成部(接
続部)を構成しており、この厚膜導体3には前記流量検
出部Rが導体部としてのワイヤーボンデインク4を介し
て接続されている。上記厚膜導体3には銀/バラジュウ
ム焼結体等が用いられる。
したがって、に記構成によれば、薄膜の流量検出部R形
成の点からは、誘電体厚膜2の滑らかな表面を利用でき
ることになり、薄膜の流量検出部Rの「成を容易にでき
ることになる。
また、放熱に基づく流量検出感度の点からは、1i’#
検出部Rと基板1との間に誘電体厚膜2が介在5れるこ
とから、流量検出部Rの熱が基板1内に放熱されること
が抑えられることになり、流N検出の感度低下を抑制す
ることができることになる。
さらに、構造強度の点については、ハイブリッドIC基
板lが本装置の全体的な強度を増大させることになり、
構造強度の強化を図ることができることになる。このた
め、自動車エンジン等への装着も1能となる。
しかも、この場合、薄膜の流量検出部Hの形成の容易性
及び放熱に基づく流量検出感度の低下防止の両条件につ
いては、上述のように満足することになり、)&板1と
しては強度の点からだけ選択すればよくなり、選択の幅
を広げることができることになる。
また、流¥゛検出部R及び厚膜導体3は、いずれも基板
l上に設けられており、その上方には何も存在しない。
このため、ワイヤーポンディング4の接続作業が容易に
なり、流fj−検出部Rと厚膜導体3との接続を容易に
することができることになる。
さらに、流値検出部R及び厚膜導体3等が基板1の同−
血においてコンパクトにまとまることになり、これによ
り、装置全体の小型化を図ることができることになる。
第3図、第4図は第2の発明の実施例、第5図〜第9図
は第3の発明の実施例を示すものである。前記実施例と
同一構成要素については同一符号を付してその説明を省
略する。
第2の発明の実施例においては、前記実施例のように流
量検出部Rと厚11り導体3とを導体部としてのワイヤ
ーボンディング4を介して接続するのではなく、流量検
出部Rと導体部とを一体形成し、流h;検出部R自体を
厚膜導体3に直接に接続するようにしている。
体3との間において接続箇所数を1つに減らすことがで
きることになり、外力に対して接続強度を強めることが
できることになる。
さらには、上記接続箇所数を1つに減らすことができる
ことから、薄膜としての流量検出部Rの形成1程で、上
記接続を行うことができることになり、工程の簡略化を
図ることができることになる。
第3の発明の実施例は、前記第2の発明に係る流量検出
装置を得るための製造方法を示すものである。
この製造方法においては、先ず、第5図に示すように、
ハイブリッドIC基板l上に厚膜導体3を一足の間隔を
あけて形成する。
次に、第6図に示すように、ハイブリッド基板1トに、
前記厚膜導体3間において誘′市体厚膜2を形成する。
次いで、第7図に示すように、フォトレジスト膜で薄膜
素子としての流量検出部のネガパターンを形成する。
続いて、第8図に示すように、厚膜導体3、誘′市体厚
膜2及びフォトレジスト膜5上に薄n々6を形成する。
この薄膜6の形成には真空蒸着等が用いられる。
この後、第9図に示すように、前記フォトレジスト膜6
を除去する。このフォトレジスト膜の除去に際しては、
剥離液等が用いられる。このフォトレジスi・膜6の除
去により、流量検出部Hの薄膜素子パターンが得られる
ことになり、本装置が完成することになる。
このような各行程により、前記第2の発明に係る新規な
装置を確実に得ることができることになる。
(発明の効果) 以上述べたように、第1の発明にあっては、流量検出部
を薄膜素子として基板上に形成する熱線式流量検出装置
において、薄膜としての流量検出部の形成容易性を維持
すると共に基板側への放熱に基づく流量検出の感度低下
を抑えつつ、構造強度の強化を、簡単に図ることができ
ると共に、流量検出部と流量検出回路部との接続を容易
にすることができ、さらには、装置全体として小型化を
図ることができる。
また、第2の発明にあっては、前記第1の発明と同様の
作用効果を生じるだけでなく、流量検出部と流量検出回
路部との接続強度を向上させることができると共に、流
量検出回路部と流量検出回路部との接続作業の軽減を図
ることができ、工程の簡略化を図ることができる。
さらに、第3の発明に・あっては、前述の第2の発明と
同様の作用効果を生じる新規な流量検出装置を確実に得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は熱線式流量検出原理を示す図、第2図は第1の
発明の一実施例を説明する図、 第3図は第2の発明の一実施例を説明する図、 第4図は第3図の平面図、 第5図〜第9図は第3の発明に係る製造方法の一実施例
を説明する図である。 1:ハイブリッドIC基板 2:誘電体厚膜 3:厚膜導体 4:ワイヤーポンディング 5:フォトレジスト膜 6:薄膜 R:流量検出部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも2つの抵抗素子からなる流量検出部と
    、該抵抗素子に電圧を印加して被測定気体の流量を検出
    する流量検出回路部とを備えた流量検出装置であって、 前記流量検出回路部が基板に形成され、 前記基板上に誘電体部が厚膜状に形成され、前記誘電体
    部上に前記流量検出部が薄膜状に形成され、 前記流量検出部と前記流量検出回路部とが導体部を介し
    て接続されている、 ことを特徴とする流量検出装置。
  2. (2)特許請求の範囲第1項記載において、前記流量検
    出部と前記導体部とが一体形成されている、 ことを特徴とする流量検出装置。
  3. (3)少なくとも2つの抵抗素子からなる流量検出部と
    、該抵抗素子に電圧を印加して被測定気体の流量を検出
    する流量検出回路部とを備えた流量検出装置の製造方法
    であって、基板に前記流量検出回路部として厚膜導体を
    形成し、 次に、前記基板上に誘電体厚膜を形成し、 次いで、前記厚膜導体及び前記誘電体厚膜上に流量検出
    部のネガパターンをフォトレジスト膜で形成し、 続いて、前記厚膜導体、前記誘電体厚膜及び前記フォト
    レジスト膜上に薄膜を形成し、 この後、前記フォトレジスト膜を除去する、ことを特徴
    とする流量検出装置の製造方法。
JP63275021A 1988-10-31 1988-10-31 流量検出装置とその製造方法 Pending JPH02120625A (ja)

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