JPH0211A - 強誘電性液晶を使用する電気光学スイッチング装置 - Google Patents
強誘電性液晶を使用する電気光学スイッチング装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は液晶電気−光学スイッチング装置に関するもの
であり、特に強誘電性液晶を使用する電気−光学スイッ
チング装置に関するものである。 ［従来の技術］ 光線（赤外線、可視光線および紫外線スペクトル領域内
の電磁放射線）の処理は重要な情報処理技術になりつつ
ある。集積光学回路の構造および光ファイバに沿った情
報の伝達は特に光の情報伝達能力を開発するためには魅
力的な手段である。 様々な装置、特に強度変調光の生成および検出のための
装置がファイバおよび集積光学システムのために開発さ
れた。しかしながら、完全な光学システムの開発は電気
信号の供給による入射光線の処理のために適切な電気−
光学（ＥＯ）スイッチ−の欠乏によって遅らされてきた
。従来技術のＥＯスイッチは光の強度、偏光、あるいは
方向が電気的に＄１ｇＩＩされるような任意の材料から
できているが、液晶（Ｌ Ｃ）の分子方向および屈折率
が供給された電界によって処理されることに伴う容易さ
は改良された光処理特性を示す液晶電気−光学スイッチ
装置の開発へと導かれた。 これらの従来技術の電気−光学スイッチング、装置は以
下に記述されるようにネマティックおよびチラルスメク
ティック液晶位相における様々な電気的に誘発された分
子リオリエンテーション効果を利川している。 ＬＣ中の電気−光学効果は分子配列から生じるＬＣ位相
の電気および光学異方性から生じる。ネマティック液晶
（以下ネマティックと呼ぶ）において、分子はそれらの
平均対称軸が局部的に共通の方向に平行であるような方
向をとる傾向にある。 この方向は単位ディレクタフィールド７を定める。 （７はここおよびこの分野で共通してベクトルとして書
かれるが、その符号即ちＷと−７とには物理的意味はな
く、Ｈは同じ物理状態を記述するので、ｎは線分として
表わされることに注意しなければならない。）この方向
順序の他に、ネマティックは通常の液体と非常に似てい
る。この方向順序の結果ネマティブクの誘電性特質の異
方性が生じる。即ち、線形関係δ＝ε百はネマティック
内の電界と麦位電界との間に存在し、誘電定数εは第２
のランクのテンソルである。これは外部から供給された
電界中のネマティックのフリーエネルギをそのディレク
タ方向に依存させる。もしディレクタが他に制限されな
いなら、ネマティックの電気フリーエネルギを最小にす
る方向へ回転する。 誘電体異方性が先周波数へ広がるので、この電気的に誘
発されたりオリエンテーションは実際の光変調装置にお
いて開発される電気−光学効果を生じる。 これらの装置において電界を供給するための通常の方法
は近接して置かれた並列電極プレート間にＬＣを配置す
ることである。この幾何学的形態においーで、プレート
間に供給された電圧はプレートに垂直な電界を発生させ
る。静電気エネルギ、即ち Ｗ−（１／８ ｚ）Ｕ ・Ｙ−（１／８ｚ）百ｅｇｙは
Ｅの符号に依存せず、この幾何学的形態は１つの電界−
好ましい光学状態のみを許容する。この状態は以下の式
を有し、 Δε〉０なら ＨＩＩ Ｋ 、あるいはΔεく０なら
ＨＩ Ｈ 式中、Δε−ε１１−ε土 は７に対して各々平行およ
び垂直な軸に沿ったεの根本的値の間の差である。 １つの光学状態より更に装置が有効にされなければなら
ないので、いくつかの手段がフィールドによって好まし
いとされるもの以外のディレクタ方向を選択するため見
つけられなければならない。 これは通常、それらが異なった方向を選択するように電
極プレートの表面を処理することによって達成される。 それから、供給された電界は７の方向に弾性張力を生じ
る。電界が除去されるとき、その応力から生じる圧力は
その方向が表面によって好ましいとされるものへ戻るよ
うに緩められる。 動作のこの手段はこのような装置のダイナミック特性に
ついていくつかの結果を有する。例えば、このような装
置のターンオン時間は供給された電界強度を増加するこ
とによって任意に短くされるけれども、ターンオフ時間
は装置の幾何学的サイズによって単独に決定され、不適
切に長いかもしれない。 過去数年にわたって、もう１つのクラスの液晶、即ち強
誘電性液晶（ＦＬＣ）が開発された。 ＦＬＣは上述されたようにネマティックの方向順序特性
を有し、加えてそれらの質量密度が１方向に疑似周期的
であるように層中に配列されたそれらの分子を有する。 層にされたＬＣ位相はスメクティック位相と呼ばれる。 スメクティックＬＣ（通常の固体に対向するような）に
おいて、層中の分子の分布は本質的に幾分液体である。 スメクティックにおいて生じる強誘電性の必要条件は、
（１）構成分子がチラルでなければならない、言替えれ
ばそれらの鏡像で重畳できないこと：および（２）ｉは
層表面に垂直な方向から傾けられなければならないこと
である。これらの条件が合う１こ指摘されるように、供
給された電界が存在しないときでさえ強誘電性偏向Ｖを
有する。 チラル傾斜スメクティック相ＷおよびＹにおける強誘電
性液晶の層の間の幾何学的関係は第１図に示されている
。第１図において、スメクティック平面はｘ−Ｙ平面に
対して平行であり、２軸に対して垂直である。好ましい
方向のディレクタＷは２軸から角度マ０だけ傾けられる
。加えて、層表面Ｘ−Ｙ上への７の投影はＣディレクタ
”τを定め、Ｙ軸に対する角度φをなす。最後に永久偏
光Ｖは層の平面にあり、Ｗに対して垂直（即ち、Ｆ ＝
Ｐ ｏ ？ Ｘ ｉｉ ）であり、即ちそれはＣに対
して垂直であり、Ｘ軸に対する角度φを形成する。 ネマティックにおいて上述されたものと同様に、ＦＬＣ
中の変位電界りはＥに対して線形に比例する誘電部分を
有するが、加えて任意の偏向Ｐから生じる永久にゼロで
ない部分を有する。従って、ＦＬＣの静電気フリーエネ
ルギはネマティックに蛸似するＥにおいて二次方程式の
部分と、−Ｆ・Ｖに比例するＥにおける線形の部分とを
有する。 ＦＬＣはその熱力学制限内の総フリーエネルギを最小に
するようにそのディレクタを方向づけ、その制限は本質
的に傾斜角度ｖｏを固定する。層の方向における変化を
包含する流れはほとんど消失するが、しかしながら、そ
のフリーエネルギを最小にするるためＦＬＣに有効な根
本的手段として方位角φにおける変化を残す。−ｆ−ｖ
に比例する項の包括は供給された電界の符号にこのエネ
ルギを依存させる。従って、実際の装置は２つの光学的
に別個の状態がプレートへ供給される反対符号の電圧に
よって選択される上述の平行なブレード形状において形
成される。これはこのような装置のターンオフおよびタ
ーンオン時間が供給された電界強度を増加することによ
って短くされることを許容する。 ネマティックおよびＦＬＣの両方の誘電異方性はそれら
を光学的に異方性とし、ネマティックはｑｌ軸であり、
ＦＬＣは二重軸であるが、２つの軸に沿った屈折率は一
般にほぼ等しくｔに垂直であり、そのためＦＬＣは光学
的に単軸であると見なされ、光学軸はネマティックにお
いてと同様にディレクタＷに沿っている。従って、いず
れかの場合において、電気的に誘発された方向変化は屈
折率における変化を生じ、これらの電気−光学効果は光
学軸の幾何学的形状および供給された電界力向における
実質的な差異にもかかわらず、実際の装置のため開発さ
れる。 １のクラスのこのような装置はＬＣ材料の光学的に厚い
°板（ｓｌａｂ）を通過する偏光における変化を使用す
る。光学的に厚い°ことは、Δｎｄがλと同等あるいは
それより大きいことを意味され、ここでΔｎはＬＣ屈折
率異方性（複屈折）であり、ｄは板の厚さであり、λは
光の真空波長である。ツイストされたネマティック、ス
ーパーツイストされた複屈折効果、ネマティックπセル
、および可変複屈折ネマティック装置は全てこのクラス
に入り、表面安定ＦＬＣ（ＳＳＦＬＣ）装置の群は米国
特許第４，５６３，０５９号明細書（Ｎ−ＣＩａｒｋお
よび５ ．Ｌ Ｂｅｒｖａｌｌ）で提案されている。こ
れらの装置は変調する光が板の垂直に近い方向の入射で
あるとき最も良く動作する。 一般に、このような装置はクロスされた偏光子と分析器
との間に配置され、一方の状態において伝播された出力
光が主として分析器において完全に吸収されないとして
も強度において非常に減衰され、他方の状態において出
力光が実際と同じ入射強度で伝播されるように動作する
。いずれの場合においても入射光伝播の方向はＬＣ層を
渡って変化しない。当然、反射材料が、入射光がＬＣ板
を経て２つの通路の後にそのソースに向けて反射される
ような装置内へ組込まれるように変更することが可能で
あるが、その基本的な動作は上述されたものと同じであ
る。 このような装置のもう１つのクラスは２つの類似してい
ない誘電体の間のインターフェースで光の反射および屈
折特性に依存するものであり、その１つはＬＣである。 ネマティックＬＣを使用する従来技術のこのクラスの装
置における例は米国特許第４，２０１，４４２号明細書
および第４゜２７８．３２７号明細書（Ｄ、Ｈ，ＭｃＭ
ａｈｏｎおよびＲ，Ａ 、 Ｓ ｏｒｅｆ）および米
国特許第４゜３８５．７９９号明細書（Ｓ ｏｒｅＤに
開示されている。また、文献（Ｋ ａｓｈｎｏｖおよび
ＳｔａｉｎｓＡｐｐＨｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ 、第１２
巻、第１０号、１９７３年１０月）において教示するよ
うに、電気先学効果は適切な屈折率の２つのガラスプリ
ズムと間に薄いネマティック液晶を配置することによっ
て達成された。プリズム−液晶イ・ンターフェース上の
光の入射の角度の範囲にわたって、光は部分的に伝播さ
れあるいは全体的に反射され、ネマティック層における
光学軸の電界制御された方向に依存する。更に、文献（
Ｔ ｅｒｕｌおよびＫｏｂａｙａｓｈ１％Ｐ ｒｏｅｅ
ｅｄｌｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｓ Ｐ Ｉ Ｅ 。 第５１７巻、２６７頁、１９８４年）において開示され
たように、この先°はこのタイプのスイッチングを行う
ためＦＬＣ媒体を経て伝播する必要はなく、同じ全内部
反射のためＬＣ材料が単にある高い屈折率の材料の導波
のためクラッディング（ｃｌａｄｄｌｎｇ）を形成する
現象が得られる。これらの発明は従って多少完全に２つ
以上の出力の第１で人力光を切換えるための電気−光学
装置に関するものである。それらはネマティックＬＣと
もう１つの誘電体との間のインターフェースでの反射に
よって入力光の方向を変更することによって出力を分離
する。結果的に、それらは電界をネマティックＬＣへ選
択的に供給することによって、出力光の方向が選択され
ることができることを教示する。
であり、特に強誘電性液晶を使用する電気−光学スイッ
チング装置に関するものである。 ［従来の技術］ 光線（赤外線、可視光線および紫外線スペクトル領域内
の電磁放射線）の処理は重要な情報処理技術になりつつ
ある。集積光学回路の構造および光ファイバに沿った情
報の伝達は特に光の情報伝達能力を開発するためには魅
力的な手段である。 様々な装置、特に強度変調光の生成および検出のための
装置がファイバおよび集積光学システムのために開発さ
れた。しかしながら、完全な光学システムの開発は電気
信号の供給による入射光線の処理のために適切な電気−
光学（ＥＯ）スイッチ−の欠乏によって遅らされてきた
。従来技術のＥＯスイッチは光の強度、偏光、あるいは
方向が電気的に＄１ｇＩＩされるような任意の材料から
できているが、液晶（Ｌ Ｃ）の分子方向および屈折率
が供給された電界によって処理されることに伴う容易さ
は改良された光処理特性を示す液晶電気−光学スイッチ
装置の開発へと導かれた。 これらの従来技術の電気−光学スイッチング、装置は以
下に記述されるようにネマティックおよびチラルスメク
ティック液晶位相における様々な電気的に誘発された分
子リオリエンテーション効果を利川している。 ＬＣ中の電気−光学効果は分子配列から生じるＬＣ位相
の電気および光学異方性から生じる。ネマティック液晶
（以下ネマティックと呼ぶ）において、分子はそれらの
平均対称軸が局部的に共通の方向に平行であるような方
向をとる傾向にある。 この方向は単位ディレクタフィールド７を定める。 （７はここおよびこの分野で共通してベクトルとして書
かれるが、その符号即ちＷと−７とには物理的意味はな
く、Ｈは同じ物理状態を記述するので、ｎは線分として
表わされることに注意しなければならない。）この方向
順序の他に、ネマティックは通常の液体と非常に似てい
る。この方向順序の結果ネマティブクの誘電性特質の異
方性が生じる。即ち、線形関係δ＝ε百はネマティック
内の電界と麦位電界との間に存在し、誘電定数εは第２
のランクのテンソルである。これは外部から供給された
電界中のネマティックのフリーエネルギをそのディレク
タ方向に依存させる。もしディレクタが他に制限されな
いなら、ネマティックの電気フリーエネルギを最小にす
る方向へ回転する。 誘電体異方性が先周波数へ広がるので、この電気的に誘
発されたりオリエンテーションは実際の光変調装置にお
いて開発される電気−光学効果を生じる。 これらの装置において電界を供給するための通常の方法
は近接して置かれた並列電極プレート間にＬＣを配置す
ることである。この幾何学的形態においーで、プレート
間に供給された電圧はプレートに垂直な電界を発生させ
る。静電気エネルギ、即ち Ｗ−（１／８ ｚ）Ｕ ・Ｙ−（１／８ｚ）百ｅｇｙは
Ｅの符号に依存せず、この幾何学的形態は１つの電界−
好ましい光学状態のみを許容する。この状態は以下の式
を有し、 Δε〉０なら ＨＩＩ Ｋ 、あるいはΔεく０なら
ＨＩ Ｈ 式中、Δε−ε１１−ε土 は７に対して各々平行およ
び垂直な軸に沿ったεの根本的値の間の差である。 １つの光学状態より更に装置が有効にされなければなら
ないので、いくつかの手段がフィールドによって好まし
いとされるもの以外のディレクタ方向を選択するため見
つけられなければならない。 これは通常、それらが異なった方向を選択するように電
極プレートの表面を処理することによって達成される。 それから、供給された電界は７の方向に弾性張力を生じ
る。電界が除去されるとき、その応力から生じる圧力は
その方向が表面によって好ましいとされるものへ戻るよ
うに緩められる。 動作のこの手段はこのような装置のダイナミック特性に
ついていくつかの結果を有する。例えば、このような装
置のターンオン時間は供給された電界強度を増加するこ
とによって任意に短くされるけれども、ターンオフ時間
は装置の幾何学的サイズによって単独に決定され、不適
切に長いかもしれない。 過去数年にわたって、もう１つのクラスの液晶、即ち強
誘電性液晶（ＦＬＣ）が開発された。 ＦＬＣは上述されたようにネマティックの方向順序特性
を有し、加えてそれらの質量密度が１方向に疑似周期的
であるように層中に配列されたそれらの分子を有する。 層にされたＬＣ位相はスメクティック位相と呼ばれる。 スメクティックＬＣ（通常の固体に対向するような）に
おいて、層中の分子の分布は本質的に幾分液体である。 スメクティックにおいて生じる強誘電性の必要条件は、
（１）構成分子がチラルでなければならない、言替えれ
ばそれらの鏡像で重畳できないこと：および（２）ｉは
層表面に垂直な方向から傾けられなければならないこと
である。これらの条件が合う１こ指摘されるように、供
給された電界が存在しないときでさえ強誘電性偏向Ｖを
有する。 チラル傾斜スメクティック相ＷおよびＹにおける強誘電
性液晶の層の間の幾何学的関係は第１図に示されている
。第１図において、スメクティック平面はｘ−Ｙ平面に
対して平行であり、２軸に対して垂直である。好ましい
方向のディレクタＷは２軸から角度マ０だけ傾けられる
。加えて、層表面Ｘ−Ｙ上への７の投影はＣディレクタ
”τを定め、Ｙ軸に対する角度φをなす。最後に永久偏
光Ｖは層の平面にあり、Ｗに対して垂直（即ち、Ｆ ＝
Ｐ ｏ ？ Ｘ ｉｉ ）であり、即ちそれはＣに対
して垂直であり、Ｘ軸に対する角度φを形成する。 ネマティックにおいて上述されたものと同様に、ＦＬＣ
中の変位電界りはＥに対して線形に比例する誘電部分を
有するが、加えて任意の偏向Ｐから生じる永久にゼロで
ない部分を有する。従って、ＦＬＣの静電気フリーエネ
ルギはネマティックに蛸似するＥにおいて二次方程式の
部分と、−Ｆ・Ｖに比例するＥにおける線形の部分とを
有する。 ＦＬＣはその熱力学制限内の総フリーエネルギを最小に
するようにそのディレクタを方向づけ、その制限は本質
的に傾斜角度ｖｏを固定する。層の方向における変化を
包含する流れはほとんど消失するが、しかしながら、そ
のフリーエネルギを最小にするるためＦＬＣに有効な根
本的手段として方位角φにおける変化を残す。−ｆ−ｖ
に比例する項の包括は供給された電界の符号にこのエネ
ルギを依存させる。従って、実際の装置は２つの光学的
に別個の状態がプレートへ供給される反対符号の電圧に
よって選択される上述の平行なブレード形状において形
成される。これはこのような装置のターンオフおよびタ
ーンオン時間が供給された電界強度を増加することによ
って短くされることを許容する。 ネマティックおよびＦＬＣの両方の誘電異方性はそれら
を光学的に異方性とし、ネマティックはｑｌ軸であり、
ＦＬＣは二重軸であるが、２つの軸に沿った屈折率は一
般にほぼ等しくｔに垂直であり、そのためＦＬＣは光学
的に単軸であると見なされ、光学軸はネマティックにお
いてと同様にディレクタＷに沿っている。従って、いず
れかの場合において、電気的に誘発された方向変化は屈
折率における変化を生じ、これらの電気−光学効果は光
学軸の幾何学的形状および供給された電界力向における
実質的な差異にもかかわらず、実際の装置のため開発さ
れる。 １のクラスのこのような装置はＬＣ材料の光学的に厚い
°板（ｓｌａｂ）を通過する偏光における変化を使用す
る。光学的に厚い°ことは、Δｎｄがλと同等あるいは
それより大きいことを意味され、ここでΔｎはＬＣ屈折
率異方性（複屈折）であり、ｄは板の厚さであり、λは
光の真空波長である。ツイストされたネマティック、ス
ーパーツイストされた複屈折効果、ネマティックπセル
、および可変複屈折ネマティック装置は全てこのクラス
に入り、表面安定ＦＬＣ（ＳＳＦＬＣ）装置の群は米国
特許第４，５６３，０５９号明細書（Ｎ−ＣＩａｒｋお
よび５ ．Ｌ Ｂｅｒｖａｌｌ）で提案されている。こ
れらの装置は変調する光が板の垂直に近い方向の入射で
あるとき最も良く動作する。 一般に、このような装置はクロスされた偏光子と分析器
との間に配置され、一方の状態において伝播された出力
光が主として分析器において完全に吸収されないとして
も強度において非常に減衰され、他方の状態において出
力光が実際と同じ入射強度で伝播されるように動作する
。いずれの場合においても入射光伝播の方向はＬＣ層を
渡って変化しない。当然、反射材料が、入射光がＬＣ板
を経て２つの通路の後にそのソースに向けて反射される
ような装置内へ組込まれるように変更することが可能で
あるが、その基本的な動作は上述されたものと同じであ
る。 このような装置のもう１つのクラスは２つの類似してい
ない誘電体の間のインターフェースで光の反射および屈
折特性に依存するものであり、その１つはＬＣである。 ネマティックＬＣを使用する従来技術のこのクラスの装
置における例は米国特許第４，２０１，４４２号明細書
および第４゜２７８．３２７号明細書（Ｄ、Ｈ，ＭｃＭ
ａｈｏｎおよびＲ，Ａ 、 Ｓ ｏｒｅｆ）および米
国特許第４゜３８５．７９９号明細書（Ｓ ｏｒｅＤに
開示されている。また、文献（Ｋ ａｓｈｎｏｖおよび
ＳｔａｉｎｓＡｐｐＨｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ 、第１２
巻、第１０号、１９７３年１０月）において教示するよ
うに、電気先学効果は適切な屈折率の２つのガラスプリ
ズムと間に薄いネマティック液晶を配置することによっ
て達成された。プリズム−液晶イ・ンターフェース上の
光の入射の角度の範囲にわたって、光は部分的に伝播さ
れあるいは全体的に反射され、ネマティック層における
光学軸の電界制御された方向に依存する。更に、文献（
Ｔ ｅｒｕｌおよびＫｏｂａｙａｓｈ１％Ｐ ｒｏｅｅ
ｅｄｌｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｓ Ｐ Ｉ Ｅ 。 第５１７巻、２６７頁、１９８４年）において開示され
たように、この先°はこのタイプのスイッチングを行う
ためＦＬＣ媒体を経て伝播する必要はなく、同じ全内部
反射のためＬＣ材料が単にある高い屈折率の材料の導波
のためクラッディング（ｃｌａｄｄｌｎｇ）を形成する
現象が得られる。これらの発明は従って多少完全に２つ
以上の出力の第１で人力光を切換えるための電気−光学
装置に関するものである。それらはネマティックＬＣと
もう１つの誘電体との間のインターフェースでの反射に
よって入力光の方向を変更することによって出力を分離
する。結果的に、それらは電界をネマティックＬＣへ選
択的に供給することによって、出力光の方向が選択され
ることができることを教示する。
本発明は、先に概説された一般的なタイプの新しい強誘
電性液晶装置を提供するものであり、それはＳＳＦＬＣ
とは異なり、原因となる電気−光学効果がＦＬＣともう
１つの誘電体材料との間のインターフェースで発生し、
ＦＬＣを経る光学路の長さが基本的に重要ではない。 Ｅ課頴解決のための手段お、よび作用］本発明に従って
、第１およびＴｓ２の誘電体は境界を定め、そこでは少
なくとも１つの誘電体はＦＬＣ材料である。ＦＬ−Ｃへ
供給された電界は異なる方位の間のＦＬＣを切換えるこ
とができる。 光はそれから境界と相互作用する方法がＦＬＣの方位に
依存するような方法で境界へ向けられる。 本発明の装置は２つのカテゴリへ分類されるが、それは
それらが反射または屈折光線の複雑な振幅における変化
に影響を及ぼすことによってか、あるいは屈折光線の方
向を変えることによって根本的に機能することに基づい
ている。 振幅変化装置の第１の実施例はインターフェースでのＦ
ＬＣの屈折率がＦＬＣのスメクティック層中の分子を再
び方向づけすることによって変えられる誘電体−ＦＬＣ
インターフェースを包含する。電圧パルスは、ＦＬＣに
よって生成された反射あるいは屈折強度のいずれかが異
なる供給電圧パルスによって選択されたもう１つのＦＬ
Ｃ状態によって生成された同様の強度に対して大きな比
率を有ザるような状態の１つを選択するため供給される
。従って、スイッチは、強誘電性液晶がそれらの更に迅
速なスイッチング能力および本質的なメモリ を除いて従来技術のネマティック液晶スイッチング装置
と同様に形成されることができる。 誘電体とＦＬＣとの間のインターフェースに対しである
角度でスメクティック層を供給することによって、振幅
変化装置の実施例は、本発明の背最で述べられた米国特
許第４．２０１，４４２号、第４．２７８，３２７号、
および第４，３８５。 ７９９号明細書のネマティック装置におけるものと同様
の光学状態を有するように製造される。言替えると、供
給された電界は、第１の偏光の入射光が屈折率ｎＱのも
のに入射し、一方もう１つの偏光が屈折率ｎｏのものに
入射するような、インターフェースに垂直な７を有する
第１の状態か、あるいは光が第１の状態のそれと反対の
方法で影響される、インターフェースに平行で入射面に
垂直なＷを有する第２の状態のいずれかを選択する。 強誘電−性液晶の幾何学的形状のため、しかしながら、
ＦＬＣへ供給された電界はインターフェースに対して平
行に供給されなければならず、一方従来技術のネマティ
ック装Ｍ（こおいて、電界は平面に対する垂線に平行に
与えられる。 振幅変化装置の第２の実施例において、インターフェー
スは２つの異なった方位のＦＬＣ範囲の１８１に形成さ
れる。この装置において、適切に偏光された光はＦＬＣ
分子の方向に依存してインターフェースのいずれかの側
で異なる屈折率のものに入射する。この形悪はＦＬＣ板
を経て伝播する光が領域間の境界を横切って移送される
か、あるいは２つの領域の電界で選択されたディレクタ
状態に依存して境界で全反射されるようなスイッチを形
成するため使用されても良い。加えて、ＦＬＣ材料が単
により高い屈折率の材料の導波体のためのクラッディン
グを形成するならこの種のスイッチングが作動し、クラ
ッディングの屈折率は導波体を経て伝播する光の光学路
を変えるように供給された電圧パルスによって変えられ
る。 振幅変化装置の第３の実施例において、ＦＬＣは非均−
デイレクタ形態を示す。即ち、ＦＬＣの− インターフ
ェースとの相互関係が入射光へ第１の屈折率を与える方
向を供給するなら、電界が異なるディレクタ方向を与え
るように供給されるとき、ディレクタ方向はインターフ
ェースに直接隣接した範囲内のインターフェースによっ
て好ましいとされるものからインターフェースからある
距離をおいて供給された電界によって好ましいとされる
ものへと変化することが可能である。インターフェース
−好ましいとされる方向が低い屈折率を有するものであ
るとき、インターフェースをわたって伝達される光の部
分は供給された電界強度を増加することによって連続的
に増加される。インターフェースが大きな屈折率を適切
に偏光された入射光に対して与える好ましい分子方向を
有している′とき、他方で供給された低い電界で光は初
期に伝達される。しかしながら、光がＦＬＣを経て伝播
するとき、ＦＬＣのディレクタ方向は徐々に変化し、伝
達された光の偏光はほぼπに沿って変化する。電界強度
が増加されるとき、ディレクタリオリエンテーシヨンが
発生する距離は短くされ、上記沿った変化”はもはや発
生せず、伝達された入射を連続的に減少させる。 本発明のＦＬＣ光学スイッチング装置はまた伝達された
光の伝播方向を変えるように分子方位中に電気的に誘発
された変化を引起こすことによってスイッチング機能を
行わせる。適切に偏光された光は、ＦＬＣ分子方向が供
給された電界によって選択されたことに依存して異なる
方向でインク−フェースにおいて屈折される。 本発明のスイッチング機能はまた、外部電力源が必要と
されないような光だけによって制御▽▽されることもで
きる。光の存在は先起電装置によって感知され、出力電
圧は光学スイッチのスイッチングを駆動するのに充分な
ように生成される。 液晶板のその他の構造（ｔｅｘｔｕｒｅｓ）の選択的な
反射特性（ツイストされた、ｈｏｓｅｏｔｒｏｐｔｃ
％分散している、等）あるいはその他の中＋ｉ１相（コ
レスティックまたはスメクティック）は電気−光学スイ
ッチングのため使川されることが可能であった（ Ｓ
ｏｒｅｒｌ 液晶スイッチング部品、Ｆ ｉｂｃｒ
ＯｐＬｉｃ Ｃｏｓｓｕｎｉｅａｔｌｏｎ、第２１
巻、１９８０年、ｐｐ、１−５）が、しかしながらここ
に開示されたタイプのＦＬＣは電気−光学スイッチング
装置は従来に用いられたことはなかった。 ネマティック液晶とスメクティック液晶との間の−実質
的な幾何学的差のため、Ｓ ｏｒｅｒによって開示され
たものと同じネマティック液晶のため使用されたスイッ
チング技術はスメクティック液晶のためには使用できな
い。これらの幾何学的差は特に重要であり、ネマティッ
クＬＣ上のＦＬＣの改良されたスイッチング特性は電気
−光学スイッチングの分野において予期しない進歩であ
る。 本発明において使川されたタイプの装置はいくつかの点
で上述された従来技術のそれらとは異なる。第１に、本
発明はＦＬＣを使川するけれども、本発明は先にクラー
ク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウォール（Ｌ ａｇｅｒ
ｖａｌ璽）によって提案されたＦＬＣ装置の群と異なり
、上述されたクラーク・ラガーウォール装置においては
、偏光ビームまたは光線はＦＬＣの光学的に厚い板を経
て伝達され、その入射方向とほぼ同じ方向で伝播するこ
とが明らかである。電界をＦＬＣ板へ供給することによ
って、伝達された光ビームの偏光成分の強度は変えられ
１−１る。これらの変化はそれを偏光分析器へ通すこと
によってビームの総合強度における変化に影響を及ぼす
ため使用される。対照的に、本発明の装置において、光
のビームはＦＬＣともう１つの誘電体との間のインター
フェース上の入射であり、二こではそれは反射され屈折
される。電界をＦＬＣへ供給することによって、反射さ
れ屈折されたビームの相対強度が変えられるか、あるい
は屈折されたビームの伝播の方向が変えられるかのいず
れかである。 第２に、本発明はＬＣともう１つの誘電体との間のイン
ターフェースの光への影響に依存するけれども、それら
はＬＣがネマティックであるそれらの装置と異なってい
る。ネマティックを使川するそれらの装置において、ネ
マティック板にわたって供給された電界百はそれ自身お
よび電界に垂直な軸を中心にしたディレクタの回転を生
じる。 電気的に誘起されたトルクはＹの符号に依存しないので
、ただ１つの電気的に選択されたディレクタ方向が可能
であり、即ち、Δε〉、０で百に平行なＷを有するもの
と、Δさく０でｒに垂直な７を有するものである。１以
上の状態を伴う装置は、ある他のディレクタ方向を指示
するため、ある他の効果、通常は表面力を使用しなけれ
ばならない。 本発明の装置において、しかしながら、幾何学的形状は
全く異なっており、ＦＬＣの異なった基礎となる対称を
反射する。ディレクタリオリエンテーシジンは角度マ０
の円錐形上であり、その軸はスメクティック層平面、い
わゆる傾斜−円錐。 に対して垂直である。供給された電界はこの円錐上のデ
ィレクタの方位における変化を生じ、一般に電界の好ま
しいとされる方向は層平面に平行に存在する百の成分に
対して平行なＶを有する。 更に一般的な形態は以下に説明される本発明の技術的範
囲内にあるけれども、簡単な例はＦＬＣとネマチイック
ＬＣ誘電体インターフェース装置との間の差を説明する
。スメクティック層がＦＬＣ板の表面に対して垂直に方
向付けられるなら、板にわたって供給された電界百はそ
の符号に従って、両方共に板表面に対して平行だが２マ
０方向が異なる２つのディレクタ方向の１つを提供する
。従って、効果的な回転はＷに垂直だがＥに平行な軸に
ついてであり、それは２つの電界の好ましいとされるデ
ィレクタ方向を有し、両方共にＥに対して垂直である。 本発明の装置と従来技術のそれらとの間のこれらの差は
本発明の装置のための充分な利点を生じる。それらは光
吸収偏光子または分析器の使用を伴わずに光ビームの強
度または方向を変える能力を与える。それらは異なる波
長の人力光で等しく動作する。更に、それらは先ビーム
伝播方向に基づいて２つ以上の出力間に入力光を切換え
られ、それは多くの適用において有利である。最後に、
より強い、供給された電界に関する符号依存性によって
、それらはネマティックの不利な遅い応答時間、特に供
給された電界の除去に対する応答時間を克服する。 ［実施例］ 第２図は２つの異方性材料即ち媒体Ａと媒体Ｂとの間の
インターフェース上の波ベクトルＴｉ人射を伴う光線を
示す。入射光波ベクトルＶＩはインターフェースの垂線
と角度θ１をなし、垂線と角度θｒｌおよびθ「２で各
波ベクトルｌｉｒｌおよび１ｉｒ２を伴う２つの反射光
線を形成する。入射光はまた波ベクトルｆｔｌおよび１
ｉｔ２を有し各々インク−フェースに対する垂線と角度
θ目とθｔ２の２つの屈折された光線を形成する。光線
の複素振幅（強度および偏光状態）、方向、および位相
は媒体ＡおよびＢの屈折率に依存する。本発明は１つの
誘電体材料（ＦＬＣまたはその他の材料のいずれか）で
満たされた範囲とＦＬＣで満たされた範囲との間のイン
ターフェース上に光を入射させることによって実際の光
のスイッチング装置を製造するためこれらの特性を使用
する。それから、インターフェースに直接隣接したＦＬ
Ｃの分子方向におけるほとんどのｒ′Ｅ意の変化はその
反射および屈折特性における変化を生じる。ＦＬＣを含
む範囲に対して強度および方向おいて変化する電界を供
給することによってＦＬＣ内にこのような分子リオリエ
ンテーションを生じるための方法は当分野においては既
知である。例えば、平行なプレート間で生成され安定化
される多数の分子方向状態は米国特許第４，３６７．９
２４号および第４゜５６３．０５９号明細書（Ｎ、 Ｃ
ｌａｒｋおよびＳ。 Ｌ ａｇｃｒｖａｌｌ）において開示されている。しか
しながら、本発明は従来技術のネマティックスイッチン
グ装置よりかなり迅速に動作する。更に、本発明は上述
された表面安定化された強誘電性液晶スイッチング装置
より更に有利に配置される。 本発明の装置は２つのカテゴリに分類されるが、それは
それらが基本的に反射および屈折された光線の振幅にお
ける変化に影響することによって機能するか、あるいは
屈折された光線の方向を変えることによって機能するか
に基づいている。これらの装置の各々およびそれらの対
応する幾何学的形状は以下のセクション１において論議
され、セクション１で論議されるスイッチング幾Ｈ学的
形状を組入れるこの好ましい実施例を構成するための方
法はセクション１で論議される。 １、ＥＯ装置のためのＦＬＣ幾何学方向Ａ、振幅変化装
置 本発明の振幅変化装置は２つのタイプからなる。 即ち供給された電圧ステップおよびパルスが分離した異
なる分子方向状態の間で選択するものと、供給された電
界における連続変化が分子方向における連続変化を生じ
るものである。第１のタイプの装置は１以上の分離した
光振幅状態を有し、各々は別個のディレクタ方向状態と
関連している。 異なる状態のディレクタ方向間の差は光の波長と比較し
て短いインターフェースからの距離内に存続する。他方
、第２のタイプの装置は供給された電界強度を連続的に
変えることによって生成されたディレクタ状態を連続手
きに変えることから生じる振幅状態の連続体を有する。 これらの装置における先振幅変化の最高速度は、ディレ
クタがインターフェースに直接隣接する表面の好ましい
方向から光の波長に比較した長さにわたる電界の好まし
い方向へ変化するとき発生する。これらの装置の各々は
以下に説明される選択された機能のため−ａ利な特性を
示す。 １、分離状態装置 ａ、インターフェースに垂直に供給された電界を有する
誘電性ＦＬＣインターフェース−般に、ＦＬＣ内の任意
の分子方向変化はＦＬＣともう１つの誘電体材料との間
のインターフェースで反射され屈折された光線の強度に
おいていくつかの変化を生じるが、しかしながら、本発
明は供給電圧によって選択されたＦＬＣ分子方向によっ
て発生した反射または屈折強度のいずれがが異なる供給
°された電圧によって選択されたＦＬＣ状態によって発
生した同様の強度に比較して大きな割合いを有するよう
なそれらの形態へ向けられる。事実、垂直に無限な比率
の強度はより大きな屈折率の媒体を経て伝播する光線が
より小さ−い屈折率の媒体をｔＶラインターフエース上
に入射して全体的に反射されるような全内部反射。 の現象を活用することによって達成される。これは入射
角度が臨界角度以上に増加されるとき発生し、その臨界
角度は屈折された光線またはその波頭標準のいずれかが
インターフェースに平行である。従って、この臨界角度
より大きい入射角度に対しては、入射光線は完全に反射
され、屈折光線強度はゼロである。 第３ａ図乃至第３ｄ図は光原１５からの光線（それは光
ファイバ導波体またはその他のタイプの導波体へ自由に
伝播するあるいは制限されても良い）が第１の屈折率ｎ
１の誘電体材料を経て入射し、ＦＬＣ材料を含む範囲と
のインターフェースに当たる。座標システムは、２軸が
Ｘ−Ｙ平面によって定められたインターフェースに垂直
であり、Ｘ軸が入射平面に垂直であり、ｙ軸がＸ軸およ
びｙ軸の両方に対して垂直であるように選択される。 この実施例において、ＦＬＣのスメクティック層は、イ
ンターフェースの平面（Ｘ−Ｙ平面）との交差がｙ軸に
対して角度αをなし、インターフェースに対する垂線か
ら角度δで傾斜されるように向けられる。異なるディレ
クタ方向は適切な方向および符号の電界Ｖを与えること
によって選択される。例えば、インターフェースに垂直
な電界シｊ第１の誘電体媒体の表面上の透明な誘電被覆
および上述されたインターフェースに平行なＦＬＣ領域
を制限する導電プレート間に電圧を供給することによっ
て与えられる。（ＦＬＣおよび電極の更に詳細な構造は
第１７図を参照して以下に与えられる。）好ましいディ
レクタ方向は層に平行な供給電界Ｅの成分に平行なＰを
有し、供給された電圧の反転はそれがその他の方向に関
して角度２マ０でディレクタ方向をあたえるような百の
符号を変える。 好ましいとされる方向のどれでも少なくともインターフ
ェースの長さξ中に存在し、ここではξはその弾性エネ
ルギ密度Ｋ／ξ２が静電気エネルギ密度ＰＥ（ξ−［Ｋ
／ＰＥｌ ”２）に等しいような歪みの大きさ−を特徴
とする長さである。強い倶給電界１ｉ：＞＞Ｋ （Ｐλ
）２のため、この距離は光波長λに比較して小さく、装
置動作に実質的に′ は影響を及ぼさない。電界の好
ましいとされたちの以外のその他のディ−レフ夕方向の
選択は米国特許第４，３６７、−９２４号および第４．
５６３゜０５９号明細書（ＣｌａｒｋおよびＬ ａｇｅ
ｒｖａｌｌ）によって開示されている表面安定化のメカ
ニズムによって可能である。彼等が明らかにするように
、強い供給電界が無いので、４つまでの別個なディレク
タ方向は表面とのＦＬＣの相互作用によって固定され、
これらの−ディレクタの方向間のスイッチングは制限さ
れた時間のため表面に対して垂直に供給されたより強い
電界によって達成される。従って、インターフェースに
近い６個の電界で選択されたディレクタ方向状態：即ち
インターフェースに垂直だが反対側に向けられて供給さ
れた強い電界によって与えられた２つの状態と、クラー
クおよびラガーウォールによって開示された供給電界パ
ルスによって切換えられる４つの表面安定化された状態
に対して可能性が存在する。 一般に、与えられたディレクタ方向のＦＬＣとのインタ
ーフェース上の第１の誘電体からの線形偏光入射は部分
的に反射され部分的に伝達される。部分的に伝達された
光は、一般に、２つの光線、即ち正常な（ｏｒｄｉｎａ
ｒｙ）光線と非正常な（ｅｘｔｒａｏｒｄｉｎａｒｙ
）光線とから成る。第１の媒体が等方性誘電体であるな
ら、部分的に反射された光は１つの光線のみから成るけ
れども、一般にそれは楕円偏光である。しかしながら第
１の媒体が異方性であるなら、部分的に反射された光は
一般に２つの光線、即ち正常なものと非正常なものとか
ら成る。反射された光線の楕円（第１の媒体が等方性の
場合）および全ての反射され伝達された光線の振幅およ
び強度（第１の媒体が等方性あるいは異方性のいずれか
の場合）はインターフェースに垂直な供給電界によって
選択された様々なディレクタ状態の間で異なる。 しかしながら、入射角度θ１は伝送された正常光線のた
めの臨界角度θＣより大きいなら、伝達された光線のみ
が非正常なものである。これは、それらが正常屈折率ｎ
。より大きい非正常屈折率ｎｅをＨするので反転よりむ
しろＦＬＣのため可能な場合であり、そのため非正常光
線によって生じる屈折率は常に同様にｎＱである正常光
線によって生じる屈折率より大きい。非正常光線によっ
て生じる屈折率は、しかしながら、光学軸またはＦＬＣ
のディレクタに関するその方向に依存する。 その波伝播方向（その波頭に垂直な方向）がＦＬＣの光
学軸に接近するほど、非正常光線によって生じる屈折率
はｎｏに近くなる。この関連する伝播方向は、一般に、
様々な電界選択されたディレクタ状態について異なって
おり、それによって非正常伝達光線がこれらの状態のた
めの異なる屈折率を生じることを包含する。従って、第
１の媒体の屈折率ｎ１および入射の角度は、ディレクタ
の状態の１つにおいて非正常光線を伝達し、もう１のデ
ィレクタ状態に対して全ての入射光を全反射するため、
正常光線を伝達しない特性を失うことなく、更に調整さ
れ得る。従って、ＦＬＣ媒体の境界を定める２つの上述
された電極間に供給された電圧は２つのディレクタ状態
、即ち、非正常伝達光線がより高い屈折率を生じ、いく
らかの光が、第３図ａに示されるように、インターフェ
ースにわたって伝達される（伝達状態）ようなディレク
タ方向を有するものと、第３図Ｃに示されるように、全
ての入射光が反射され伝達されるものがない（反射状態
”）ように低い屈折率を与えるｙ軸にほぼ平行なディレ
クタ方向を有するものとの間で選択できる。結果的に、
スイッチング効果は文献（Ｒ、Ａ 、 Ｋ ａｓｈｎｏ
ｖおよびＣ，Ｒ−２３１１頁、１９７３年１０月）およ
び米国特許第４．２７８，３２７号明細書（Ｍ ｃ Ｍ
ａｈｏｎおよびＳ ｏｒａｒ）および第４，３８５，
７９９号明細書（Ｓ ｏｒｅｒ）に開示されるようなネ
マティックＬＣを使用するものと同様に達成される。 伝達状態と反射状態のディレクタ方向間の最大可能Ｊｕ
ｌ折率を達成することは入射の最大角度を許容するけれ
ども、一方同時に入射の角度における変化に対して最も
感度の悪い装置の動作を生じる。 最大届折率変化は大きい複屈折（Δｎ）および大きい傾
斜角度（マ０）を有するＦＬＣ材料を使用し、小さい傾
斜（δ）を有するようにスメクティック層を方向づける
ことによって得られる。δ＝〇の特別な場合のため、電
界の好ましいとされるディレクタ状態はインターフェー
スに平行であり、入射平面に垂直に偏光された入射光（
以下Ｓ偏光と呼ぶ）が、α−マ。のとき得られる電界の
好ましいとされるディレクタ状態の１つのため完全に非
正常な屈折率ｎｅによって影響されることを許容する。 その他の電界の好ましいとされるディレクタ状態に対す
るＳ偏光入射光によって生じる屈折率は大きいマ０が小
さくされ、ｖｏ−４５″のときｎ□の最小値に達する。 スメクティック相の強誘電性液晶を使用する単路スイッ
チの実施例の概略図が第４ａ図乃至第４ｄ図に示される
。このスイッチは各表面上に透明な導電性成１１２４４
および４５を有する２つのガラスプリズム４２と４３と
の間のスメクティック層４１を含むＦＬＣ材料４０の薄
い板によって形成される。電圧パルスは異なる可能なデ
ィレクタ方向間で選択するためこれらの被覆へ倶〜給さ
れる。層の方向、入射の角度、およびプリズムの屈折率
ｎｐは、第４ｃ図において選択されたディレクタ状態の
ためプリズム４２のポート１１上の光源１５からの光線
入射がその偏光状態にかかわらずＦＬＣインターフェー
スでｎｐｓｌｎθ■より小さい屈折率を生じるように２
１ｇされ、それ故プリズム４２のポート１３から出るよ
うに全反射される。しかしながら、もう１つのディレク
タ状態が第４ａ図に示されるように選択されるとき、Ｆ
ＬＣ内の伝播の非正常モード−を励起するポート１１を
経る光線入射の偏光成分はもはや全反射されはしないが
、それは臨界角度より小さい入射の角度をなすのに充分
大きい（即ち、＞ ｎ ｐ ｓｌｎθＩ）屈折率を生じ
るからである。従って、この光線の一部はＦＬＣ板を横
切って伝達され、プリズムのポート１４を経て出るけれ
ども、一方その他の部分は前記のように反射されプリズ
ム４２のポート１３を経てでる。この状態で伝達される
入射光の部分がＦＬＣにおける非正常光線によって生じ
る屈折率を、プリズムの材料の適切な選択によってＦＬ
Ｃ中の非正常光線を励起する光線によってプリズム中に
生じる屈折率へ整合することによって最大にされる。４
つのポート１１．１２゜１３および１４のいずれかは光
線のための入射ポートとして使用され、１つ以上が同時
に使川されても良い。 上述された屈折率整合状態が満たされるとき、第４Ｃ図
および第４ｄ図の実施例は偏光ビームスプリフタと、し
て動作し、実質的に完全に非正常モードが励起する一方
のものを伝達し他方を反射することによって任意の偏光
状態の入射光線を生成する２つの直角の線形偏光成分か
ら分離する。この特性は更に新しい有効な光スイッチン
グ実施例を可能にする。例えば、第４ａ図乃至第４ｄ図
において示されるような車路ＦＬＣスイッチからの出力
光はもう１つの同様のスイッチに入射されるように向け
られ、光学スイッチは偏光でない入力光を完全にスイッ
チする。ＦＬＣを使用するこのようなスイッチの実施例
は第５ａ図および第５ｂ図において示される。 第５ａ図およびＴＳＳ ｂ図は入射光の偏光に対して実
質的に感度の悪いスイッチを製造するため減速器５０お
よび５１を具備する第４図の２つの素子を結合する２路
ＦＬＣスイッチの実施例を示す。 第５ａ図および第５ｂ図のスイッチはまた２つのプリズ
ム４２と４３との間のＦＬＣ材料の薄い板４０によって
形成され、ＦＬＣガラスインターフェースの形態はｉｄ
ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述されたものと同じであ
る。第４ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述されたスイッ
チが入射光の偏光がＦＬＣ中の伝播の非正常モードを励
起するスイッチであるが、しかしながら、第５ａ図およ
び第５ｂ図のスイッチング装置はそれらを通過する偏光
の偏光状態を変える減速器５０および５１を使用する。 これらの減速器は複屈折材料（ウェーブプレート）のプ
レートであってもよく、あるいはフレネル菱形として当
分野で知られている装置において開発されるような全内
部反射の光線によってなされた再減速の使用によって動
作しても良い。 第４図は供給された電圧が、非正常モードを励起する入
射光の成分が実質的に総合的に伝達されるようなＦＬＣ
−状態を選択したときのスイッチを示す。２つの直交偏
光成分から成る光源１５からの非偏光人力はボー）１１
を経て入り、−Ｆ Ｌ Ｃ中の正常モードを励起する成
分についてθＣより大きい入射角度でプリズム−ＦＬＣ
インターフェースへ入射する。入射光線のこの偏光成分
は全反射され同じプリズム４２中に止まる。他方で、他
の成分はＦＬＣ領域４０を通って実質的な反射を伴わず
に他方のプリズム４３内へ伝達されるが、それはプリズ
ム中およびＦＬＣ中に同じ屈折率を生じるからである。 光成分はそれから空気ガラスインターフェースで内側に
全反射され、反対側からＦＬＣプリズムインターフェー
スに向けて後方に向けられる。 各光成分はそれから減速器（５０あるいは５１のいずれ
か）を通過する。減速器５０は反射光の偏光をＦＬＣ中
の非正常モードを励起する状態へ転換され、そのためＦ
ＬＣプリズムインターフェースに向かうその次の通路上
でそれは実質的に全体的に伝達され、一方減速′５５１
は伝達された非正常先の偏光をＦＬＣプリズムインター
フェースで内側へ全反射される状態へ転換する。この方
法において、２つの成分は第２のガラスプリズム４２を
経て進行するように：ｌｉび結合されポート１４を経て
出る。 第５ｂ図は供給された電圧がもう１つの分子方向を選択
したときの２路ＦＬＣスイッチを示す。 示されるように、両方の光成分はＦＬＣガラスインター
フェースで内側へ全反射され第１のガラス領域４２中で
伝播する。両方の成分はガラス−空気インターフェース
で再び反射され共に減速器５０を通過する。両成分はＦ
ＬＣ−ガラスインターフェースに向けて伝播し続けるが
、そこではそれらは再び内側へ全反射され、それからそ
れらはガラスプリズム４２を経て入射ポート１３を出る
ように後方へ伝播する。 第５ａ図および第５ｂ図に示されるスイッチはまた２つ
の状態を有する４ポート装置として使用される。このた
め、入射光は、第１のガラス領域４２の入射ポートＩＩ
へ供給された光と同じ入射角度で第２のガラス領域４３
のポート１２のような第２の入射光を経て供給される。 ＦＬＣ分子が単位ディレクタπがｙ軸から遠ざかるよう
に向けられるとき、ポート１１での入射光の両成分は共
に反対側のポート１４を経て出、ポート１２の入射光の
両成分は反対側のポート１３を経て共に出る。ＦＬＣの
単位ディレクタπはｙ軸により近く、他方で、入射光の
両成分はそれらが入射されるガラス領域に止どまる。従
って、ポート１１の入射光はポート１３を経て出、ポー
ト１２の入射光はポート１４を経て出る。 結果的に、この光学スイッチは２つの状態、即ち、一方
はポート１１が光学的にポート１３へ接続されポート１
２は光学的にポート１４へ接続されるという状態で、も
う一方はポート！ｌと１４および１２と１３が各々互い
に接続される状態である２つの状態を伴う４ポート装置
を定める。 第５ａ図および第５ｂ図の光学スイッチング装置は、入
力ビームが２つの電圧で選択された出力の１つへ接続さ
れる多用光学ルーチンゲスイッチとして機能する。加え
て、スイッチが伝達状態にあるとき、上述されたものと
異なるように減速器５０および５１の減速を選択するこ
とによって、ボー）１１の入射光は減速器の減速によっ
て決定される強度の比率で両方のポート！３および１４
で出る。 第６図は第４ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述された同
じ効果がｌｘＮ（Ｎ個の出力のうち選択された１つへ進
行する１人力）スイッチを形成するため使用される。加
えて、第６図のスイッチはまた逆にＮｘｌ（単一の出力
へ進行したＮ個の人力のうちの選択された１つ）スイッ
チとして動作する。更に、ＩＸＮとＮｘｌの組の装置は
ＮＸＮスイッチを形成するため結合され、ここでは全て
のＮ！の可能な接続（ここでは各入力は１個だけの出力
へ接続され各出力は１個だけの入力へ接続される）は電
圧選択可能である。第６図は例えば、１人力、４出力ス
イッチを示すが、ここではポート１１で入射する光源１
５からの入力光線は電極（１３ａと６４ａ 、 Ｂ３ｂ
と６４ｂ 、 ６３ｃと６４ｃ１および６３ｄと６４ｄ
の間で各々の適切な電圧パルスを供給することによって
４つの出カロ１ａ 、 ６１ｂ 、 ａｌｅおよびＧｌ
ｄのいずれか１つへ送られる。示されるように、第３の
出力は他の電極配置より異なるディレクタ状態を選択す
るため電極（１３ｃと８４ｃとの間に電界を供給するこ
とによって選択された。結果的に、電極６３ｃと１５４
ｃとのＩｉＳｌのＦＬＣ板の部分の分子は、入射光がＦ
ＬＣ板４０を経て第２のプリズム４２および選択された
ポート１Ｓｌｅへ通されるような高い屈折率を与えるよ
うに向けられる。 ｂ、インターフェースに平行に供給された電界を有する
誘電体ＦＬＣインターフェース第７ａ図乃至第７ｄ図は
ＦＬＣ電気−光学スイッチのもう１つの実施例を示すが
、これは、座標系がＦＬＣ材料が半空間領域２００を専
有し、ｘ−Ｙ平面がＦＬＣともう１つの誘電体との間の
イン−ターフエースであるように選択されたものである
。スメクティック層法線はＸ−Ｚ表面に存在し、第７ａ
図に示されるようにＸ軸と非ゼロ角度δをなす。Ｙ−Ｚ
平面は入射平面であるように選択され、光源１５からの
入射光線は第７ｂ図で示されるように２軸と角度θ１を
なす。電界がｙ軸に平行に供給されるなら、反対側に向
けられた電界によって選択されたＦＬＣ分子方向はＸ−
ｚ平面でそれらの単位ディレクタπを有する。一方の状
態は第７ａ図に示されるようにほぼＺ軸に平行であり、
他方の状態は第７ａ図で示されるようにＸ軸にほぼ平行
である。最も好ましい形態はＮ☆乃至Ｃ☆相連続を有す
る材料において見出だされるように、スメクティックＣ
”が角度Ｖ。−４５°に傾斜し、層法線もまたＸ軸およ
び２軸の両方と角度４５” （即ちδ＝４５°）をな
すとき生じる。この形態は従来技術のネマティック装置
におけるそれらと同様の光学状態を有する装置を製造す
る。 即ち、スメクティック層はｙ軸に平行に供給された電界
が、７がＸ軸に平行である状態かあるいはＷが電界の符
号に依存してｚ軸に平行である状態のいずれかを選択す
る。供給された電界が２軸に平行なＷを有する状態を選
択するとき入射ｐ偏光は屈折率ｎｅで処理され、一方Ｓ
偏光は第７ｂ図で示されるように屈折率ｎｏで処理され
る。しかしながら、反対側に向けられた電界が供給され
るとき、入射光の２つの直交成分によって生じる屈折率
は−第７ａ図で示されるように、ｐ偏光が屈折率ｎｏで
処理され、Ｓ偏光が屈折率ｎｅで処理されるように相互
に交換される。従って、第５ａ図および第５ｂ図を参照
して説明されたものと同様の偏光に感じない４ポート２
ｘ２スイッチが減速器をもはや必要としないで更に簡単
に構成される。 第７ａ図乃至第７ｄ図の装置は、ＦＬＣ層が使用される
とき、電界がネマティック液晶装置に関してインターフ
ェース面に対する法線に平行に与えられるのと異なって
入射面に平行（第７ａ図−第７ｄ図におけるｙ軸に平行
）に与えられなければならないことを除いて、従来技術
のネマティック液晶装置と同様に動作する。電界はＦＬ
Ｃ層と誘電体との間のインターフェースに沿ってインタ
ーデジットな電極の配列を置くことによってインターフ
ェース平面に平行に供給される。他の実施例におけるよ
うに、スイッチング時１コ１は従ってネマティック液晶
を使川する従来技術の装置よりも非常に減少される。 第６図を参照して論議されたタイプのスイッチング装置
もまた第７ａ図乃至第７ｄ図の形状を使川して構成され
ても良い。即ち、ＩＸＮ及びＮＸＮポート装置もまたマ
トリックス中にいくつかのこのようなスイッチを配置す
ることによって製造される。 ８、導波体−ＦＬＣインターフェース 第８ａ図乃至第８ｃ図は上述の内部全反射効果が光が導
波体から入射されるスイッチング装置においてどのよう
に利用されるかを示す。ここでは、ＦＬＣ板−は構成さ
れた２つの導波体を接するプレートへ分離する。導波体
一基板インターフェース、あるいは導波体−ＦＬＣイン
ターフェースに構成された電°極は電圧がＦＬＣディレ
クタの方向を制御するように供給されるようにする。導
波体はトラップされたビームが、ＦＬＣおよび基板の屈
折率が充分に低いならば第８ａ図に示されるように伝播
されるような高屈折率材料である。伝播は導波体−ＦＬ
Ｃ及び導波体一基板インターフェースでトラップされた
ビームの多数の内部全反射として見られる。導波体中の
光のトラッピングは第３図乃至第７図を参照して先に論
議されたものと同じメカニズムによるＦＬＣオリエンテ
ーションによって制御される。導波体中のものより高い
屈折率を与えるようにＦＬＣを切換えることによって光
を導波体から放射させ、ＦＬＣ板を通過させ、他方のプ
レート上の導波体へ入れる。 第８ａ図は基板に垂直に供給された電界によって高屈折
率状態および低屈折率状態が選択される第３図のものと
同様のＦＬＣ形状を示すが、一方Ｔ５８ｂ図は２つの状
態が基板に平行に供給された電界によって選択される第
７図のものと同様の形状を示す。ＦＬＣを経て第２の導
波体へ進む入射光エネルギの割合いは導波体の幾何学的
形状に依存するが、充分な導波体オーバーラップを有す
るほとんどの構造はＦＬＣがその高屈折率状態へ切換え
られるとき入射光エネルギの充分な可域の部分（〉５％
）を通過するが、一方ＦＬＣがその低屈折率状態にある
とき通過される光の割合いは非常に小さい。この導波体
−ＦＬＣ導波構造は第８ａ図において示されるような非
遮断ＮｘＮルーチンゲスイッチ内へ組込まれ、それにお
いてはＦＬＣ板および導波体層は紙面に平行に示される
。 導波体層は、頂部基板上の各チャンネルが底部基−板上
の全チャンネルを横切るように向けられた平行チャンネ
ルへパターン化される。電極は各オーバーラップ領域中
のＦＬＣが独立的に切換えられるように配列される。そ
れから、頂部基板上のチャンネルの１つへ入射された光
はＦＬＣを切換えることによって底部プレートの任意の
選択されたチャンネルへ結合され、その頂部チャンネル
は選択された底部チャンネルを横切る。図中の破線は入
射光の切換えがされていない小部分によって得られた通
路を示し、それはＦＬＣ領域がその低屈折率状態のまま
であるとき入射の全てが通る経路である。強い実線はＦ
ＬＣがその高屈折率状態へ切換えられるときの光の通路
を示す。 ＦＬＣ方向における変化は非正常モードに影響を及ぼす
その屈折率においてのみ変化を生じる。 ＦＬＣのため通常ｎｏ＜ｎｃなので、放射光は常に非正
常であり、導波体中でトラップされるＦＬＣにおける正
常モードを励起する光を残す。 従って、最も有効なスイッチングは、入射光が主として
ＦＬＣ中の非正常モードを励起する偏光であるように配
列されるなら得られる。この光は、ＦＬＣ中に生じる屈
折率が導波体のそれよりあまり大きくないなら、即ち屈
折率整合が光放射状態におけるインターフェースでの反
射を減少するなら、導波体から最も強く放射される。Ｆ
ＬＣ屈折率が導波体のそれよりわずかに少ないときでさ
え、１基板上の導波体中を伝播する光の瞬間（ｅｖａｎ
ｅｓｃｅｎｔ）波は、ＦＬＣ板が充分薄いなら他方の基
板上の導波体中の伝播波へ結合し、従ってこの装置を電
界で選択されたＦＬＣ状態の両方によって与えられた屈
折率が導波体のそれより小さいモード中で動作させるが
、一方の屈折率は導波体のそれよりかなり小さく、他方
の屈折率は導波体のそれよりわずかに小さいだけである
。 ｄ、ＦＬＣ−ＦＬＣインターフェース 第９ａ図乃至第９ｃ図は、光源１５からの光が異なる方
向付けをされたＦＬＣ領域の１８１のインターフェース
上に入射されるような本発明のもう１つの実施例を示す
。第９ａ図は与えられた実施例のＦＬＣ装置の側部図を
示し、第９ｂ図および第９ａ図はＦＬＣ装置の頂部図を
示す。 第９ａ図において示されるように、光は薄いＦＬＣ板８
１を経て伝播するが、それは導波体を形成する−ように
内部全反射によって光を制限する低屈折率材料８２によ
って両側に境界を作られる。境界媒体８２の表面上に電
極８３．８４．８５および８Ｂが設けられ、その電極は
、ＦＬＣの領域が周囲の領域と同じかあるいは異なって
方向付けられるように電圧を供給する。電極８３および
８４（電極８３および８４は境界媒体８２の各表面上の
互いに横切って直接取付けられている）へ供給された電
圧は同様に付若された電極８５および６６によって定め
られた板の領域に与えられるのと同じＦＬＣディレクタ
方向を選択するとき、２つの領域間のインターフェース
８７上の光放射は第９ｂ図に示されるような変化を伴わ
ずに伝達される。しかしながら、電極８３および８４へ
供給された電圧が電極８５および８Ｂによって定められ
た領域において選択されるものと異なるＦＬＣディレク
タ方向を選択するとき、異なる誘電体間のインターフェ
ース８７が形成され、第２図を参照して上述されたよう
な反射および屈折の現象が生じる。電極８５および８Ｂ
によって定められた領域において入射光に対する屈折率
ｎｌが、入射角度が充分傾斜している（ｎｆｓｌｎθ＞
ｎＬ ）とき電極８３および８４によって定められた領
域を除いたインターフェースに平行に伝播する光に対す
る屈折率ｎｔより大きいとき、内部全反射へ力（発生す
る。ＦＬＣのような光学的に異方性媒体における光の伝
播のため、屈折率は非正常モードのためのみ光学軸（即
ちディレクタ）に関する光の伝播の方向に依存するけれ
ども、一方正常モードは常に同じ（正常）屈折率を生じ
る。従って、ＦＬＣ−ＦＬＣインターフェースでのスイ
ッチングは入射光の非正常部分についてのみ１すられ、
低屈折率であるほど伝播方向がディレクタにより接近す
る。 第９ａ図において示されたディレクタ方向に対して、電
極８３および８４によって定められた領域内のインター
フェースに平行に伝播する光は電極８５および８Ｂによ
って定められた領域における入射光よりディレクタ方向
により接近して伝播し、そのため内部全反射は充分大き
い入射角度に対して得られる。最も好ましい状況は最大
屈折率変化が得られる場合であり、それは文献（Ｊ 、
Ｓ 、 Ｐ ａｔａｌ１日）に示された処理のよ
うに、大きい傾斜角度とインターフェース法線に近い方
向にされた層を伴うＦＬＣ材料に対して発生する。イン
ターフェースに垂直なスメクティック層を有することは
、供給された電界の好ましい状態がそれらのディレクタ
を有し、この故に導波体の横断電気（ＴＥ）モードに非
正常伝播モードを純粋に形成させるようなりラブディン
グインターフェースに平行なそれらの光学軸を有するこ
とは更に導波体装置にとって利点であり、それによって
インターフェース上の光入射が純粋に非正常であり従っ
て完全に切換え可能であるようにする。 ＮｘＮスイッチング装置は第１０図において示されたよ
うなマトリックスパターンにおいて第９ａ図乃至第９Ｃ
図のいくつかのスイッチング素子を配列することによっ
て構成される。各異なる方向に向けられたＦＬＣ領域９
１は、供給された電界が、周囲の領域と同じかあるいは
異なるかのいずれかにディレクタＷを方向づけるため選
択的にスイッチされるために電極によって境界されてい
る。第１０図において、例えば破線は、電極が周囲の領
域と同じディレクタ方向を選択するとき得られる通路を
示し、一方実線は電極が周囲の領域より異なったディレ
クタ方向を選択するとき先のとる方向を示す。 光は第９ａ図乃至第９Ｃ図および第１０図において示さ
れる型式のスイッチング動作のためにＦＬＣ媒体を経て
伝播する必要はない。文献（Ｔ ｅｒｕｌおよびＫｏｂ
ａｙａｓｈｌｓ Ｐ ｒｏｅｅｅｄｌｎｇ ｏｒＳ
Ｐ Ｉ Ｅ −Ｔ ｈｅ ｌ ｎｔｅｒ
ｎａＨｏｎａｌ Ｓ ｏｃＩｅｔｙ ｆｏｒ
ＯｐＬｌｃａｌ Ｅ ｎｇｌｎｅｅｒｌｎｇ、第５１
１巻、２Ｂ？ −２７４頁、１９１１４）において示さ
れるように、例えば、液晶材料が単に少し高い屈折率の
材料の導波体のための低屈折率クラッディングを形成す
る場合に同じ内部全反射現象が得られる。このような導
波体スイッチの断面は第１１図に示されている。 第１１図に示された実施例において、光は高屈折率導波
体層中を伝播し、その層は低屈折率バッファ層と一側面
で隣接し、低屈折率ＦＬＣ材料と他側面で接している。 導波体層中を伝播する光の瞬間電界上のＦＬＣにおける
ディレクタ方向の変化の効果は第８図および第９図を参
照して上述されたスイッチによって生じたものと同じ結
果を生じる。従って、上述された種類の装置の各々もま
た第１１図において示されたタイプの導波体スイッチと
して構成されても良い。 ２、連続装置 上記セクション１の１において、ＦＬＣディレクタ方向
がいつでも、特にＷが境界に対する法線に依存しないと
き同じであることが仮定された。 しかしながら、ＦＬＣとの境界表面に垂直な方向にＷを
依存させることによってディレクタ方向における異質性
を生じるための方法があることが知られている。例えば
、表面（インターフェースに直接隣接しているＦＬＣの
部分）はＶ−７の１符号を好ましいとし、ここでは７は
インターフェースの外部表面垂直単位ベクトルであり、
表面付近の供給された電界またはもう一方は反対側に向
けられたＶを好ましいとする。従って、もしＦＬＣ層が
供給された電界に関してこの方法で方向付けられるなら
、Ｖおよび蓄の方向が変化する領域が表面に接近して生
じる。 ３、ケース１−低屈折率を与える表面の好ましいＷ 第３ａ図乃至第３ｄ図において示される実施例において
、ＦＬＣと他の誘電体との間のインターフェースはＳ偏
光を入射するため低屈折率を与えるディレクタ方向を与
えるＶの方向を好ましいとする。反対側に向けられたＶ
を好ましいとする電界が第３ｄ図において示される方向
であるときＦＬＣへ供給されるなら、ディレクタの方向
はインターフェースに直接隣接する領域内のインターフ
ェースによって好ましいとされるものからインターフェ
ースから幾分離れて供給された電界によって好ましいと
されるものへ変化することが可能である。この方法で、
インターフェースの深さくｄｅｐｔｈ ）”ξが変えら
れても良い。事実、変化のほとんどはインターフェース
からの距離ξ中に発生し、ここでは、 ξヨ［Ｋ／（ＰＥ）］ ”２ であり、式中ＫはＦＬＣのＯｓｓｃｎ −Ｆ ｒａｎｋ
弾性定数と等しく、Ｐは強誘電性偏光の大きさに等しく
、Ｅは供給された電界の強度に等しい。 従って、低い供給電界に対してξは大きく、インターフ
ェースに近い領域がＳ偏光のための低屈折率を伴う方向
を有し、そのため内部全反射は第１２ｂ図において示さ
れるように起こる。供給された電界が増加されるとき、
ξは減少してＦＬＣ内への光のフィールドの進入の深さ
に匹敵するようになる。二の点でかなりの量の光は第１
２ｂ図において示されるように伝達され始める。供給電
界が更に増加するとξは更に減少し、それによって光の
伝達部分における更なる増加を引起こす。これは供給さ
れた電界の大きさを変えることによって連続的方法にお
いて伝達されたおよび反射された光の強度が制御される
ことを可能にする。一般に、伝達された光は楕円偏光さ
れ、供給された電圧が変化するとき楕円の偏心率および
主軸の方向が変えられ、制限ξ〈くλで直線偏光になる
（λは光の真空波長と等しい）。 ５、ケース２−高い屈折率を与える表面の好ましいとさ
れるπ ＦＬＣの表面が第３ｂ図に示された好ましいとされる方
向を有するとき、低い供給電界および大きいξ〉〉λ（
λは入射光の真空波長）に対して、インターフェースに
直接隣接している層はＳ偏光に対して大きい屈折率を与
える方向を有し、それは初期に伝達される。この光がＦ
ＬＣを経て伝播し、ＦＬＣのディレクタ方向πは次第に
変化するが、しかしながらξ〉〉λである限り、伝達さ
れた光の偏光は第１３ｂ図において示されるようにπに
よって定められる光学軸方向に断熱的に°に従う。モー
ギン（Ｍａｕｇｉｎ）制限におけるこの伝播（即ちここ
では光は液晶のらせんのねじれに従う）は正確に従来技
術のツイストされたネマティック装置によって開発され
る現象である。言替えると、モーギン制限において、最
初にｓ（１，１光される光はＦＬＣ領域を経てほぼ完全
に伝達される。 電界が増加されるとき、ξはλに匹敵するように短くさ
れモーギン状態（ξ〉〉λ）はもはや満足されない。光
はもはや第１３ｂ図に示されるように光学軸方向に従う
ことはない。従って、かなりの量の入射光は入射の平面
に対して垂直に偏光されないときでさえ反射される。事
実、反射された光は直線偏光されることは全くなく、そ
れは楕円偏光される。 電界がξくくλであるように増加されるとき、装置の動
作は分離した状態の装置を参照して上述されたちの戻る
（セクションＩ、Ａ、１．）。入射光はそれから内部全
反射される。これはセクションＩ、Ａ、２．ａで上述さ
れたケース１の装置のそれと反対の伝達対供給電圧特性
とすることを可能にする。 ８、方向変化装置 上記セクションＡに記述された電気−光学効果は、少な
くとも１つがＦＬＣである２つの誘電体間のインターフ
ェースで光の反射および屈折を生じる光の電界を説明す
る複素振幅における変化に依存する。実際的な電気−光
学スイッチング装置を製造するために利用されるもう１
つの効果は誘電体インターフェースでの屈折によって引
起こされる伝達光の伝播の方向における変化である。例
えば、２つの誘電体媒体１および２がＸ−Ｙ平面を定め
るそれらの間のインターフェースを有し、媒体１を経る
Ｙ−ｚ平面における光入射およびその波面に垂直な１１
％位ベクトルマが２軸に対して角度θ１をなすなら、こ
の光に対する屈折率は第１４ｂ図および第１４ｂ図にお
いて示されるようにｎｌである。（第１４ｂ図および第
１４ｂ図において、θｉ−０１−０であることに注意し
なければならない。）インターフェースで、この光は一
般に部分的に反射され部分的に屈折される（伝達される
）。更に、伝達された光の波面に対して垂直な単位ベク
トルｓｔと２軸との間の角度がθｔなら、媒体２におい
てこの光に対する屈折率はｎＬである。それから屈折の
角度に対する入射角度に関係する一般形のスネル（Ｓｎ
ｅｌ＋）の法則のもとで、関係は以下の式を結果として
生じる。 （ｎｉマＩ ｎｔ ｉｔ ） ｘｚ−Ｑ従って、ＦＬ
Ｃが第２の媒体を含むなら、その分子方向における電気
的に誘発された変化は非正常先に影響を及ぼす光学軸方
向および屈折率ｎＬにおける変化を生じる。屈折率ｎＬ
における変化は伝播方向マ」における変化を引起こし、
光学軸方向における変化は、この方向はそれが光学軸に
沿っであるいはそれに対して垂直に伝播しない限り非正
常先のための波伝播に平行でないので先エネルギが流れ
る光線および方向において更に変化を引起こす。 この方向変化効果の例として、第１の媒体がガラスで第
２の媒体が第１４ａ図か第１４ｂ図のいずれかに示され
るようにインターフェースに平行なスメクティック層を
具備するＦＬＣであるようにする。Ｘ軸に平行あるいは
平行でない供給電界によって選択されたＦＬＣの２つの
状態は層法線から角度士Ｆｏ（第１４ａ図）またはーマ
０ （第１４ｂ図）のいずれかでそれらの光学軸をＨす
る。ｙ軸に平行な偏光によるこのインタフェース上の垂
直な光入射は変えられないその伝播方向を有してインタ
ーフェースを横切って伝達されるが、非正常光線は屈折
され、屈折の方向は２つのＦＬＣ状態の選択されたもの
に依存する。ｎｏ＜ｎｏに対して・通常ＦＬＣについて
のケースのように、屈折光線は光学軸と同じ側の２軸上
に存在する。 第１５図はこの方向変化原理の別の例を示す。第１５図
において両方の媒体は入射平面への垂線から同じ角度δ
で傾斜されたそれらの層を具備するＦＬＣであり、ｙ軸
に対する同じ角度αで入射の平面と交差する。もしディ
レクタ状態が両方の領域において同じであるなら、光学
軸方向は両方の領域において同じであり、（破線光路に
よって示されるように）入射の角度にかかわらず反射あ
るいは屈折は存在しない。他方で、もしＸ軸に沿って供
給された電界が２つの領域における異なるディレクタ状
態を選択したなら、インターフェースを横切る光学軸に
おける変化が存在し、非正常光線の屈折が再び発生する
。 第１５図の原理を利用する方向変化装置の特に簡単な実
施例は第１ｅａ図において図式化されている。 破線は、ＦＬＣディレクタ方向が両方の領域にわたって
同じであるときの入射光路を示す。しかしながら、電極
１６１へ供給された電圧は異なる方向を選択選択したと
き、非正常先は実線路に従ってもとの経路から移動され
た電極領域から出てくる。 もう１つの簡単な実施例は第１６ｂ図に示されている。 再び、ＦＬＣディレクタ方向は全体にわった同じである
とき、入射光は直線路（破線）に沿って進む。電極１６
２の下のディレクタ状態が周囲の領域におけるそれとは
異なるように選択されたとき、、伝達された非正常光線
は実線に従い、変えられた方向で電極から出る。従って
、ＦＬＣ領域の反対側の面が平行であるなら（第１ｅａ
図）、光はそのもとの経路から変位される。しかしなが
ら、もし反対側の面が水平でないなら、この入射光の方
向は変えられることができる。 方向変化効果は入射光が第９図を参照して先に与えられ
た導波体原理によってＦＬＣ板中を伝播するように制限
された装置において利用される。 また第１１図を参照して記載されたように、光は液晶中
を伝播する必要はなく、これらの効果がまたＦＬＣがよ
り高い屈折率の導波体のためのクラッディングであるよ
うな形態で達成されることを許容する。 １１、ＦＬＣ電気−光学スイッチの構成セクション１は
本発明に従って電気−光学スイッチング効果を達成する
ため強誘電体液晶を使川される様々な幾何学的形態に関
するものであっ、た。 このセクションでは、このような装置を構成し操作する
ための方法が説明されている。説明される技術のほとん
どは米国特許第４，５４３，０５９号明細書において既
に開示されたＳＳＦＬＣ装置に等しく適用できる。 本発明の好ましい実施例に従ったＦＬＣセルの一般的な
原型が第１７図に断面図で示されている。 ＦＬＣセル１７０は２つのガラスプレート（またはその
他の適当な誘電体媒体）１７２と１７３との間の間隙へ
封鎖される。間隙の縁は間隙空間を定めるようにするス
ペーサガスケット１７４によって密閉される。分配され
たスペーサ粒子１７５およびスペーサパッド１７Ｂは更
に間隙空間を定める。ガラスプレート１７２および１７
３は電極へパターン化された導電層１７７および１７ｇ
によって被覆され、このプレートは更にＦＬＣ層を方向
づけるため摩擦されたポリマ一層１７９によって彼覆さ
れる。これらの素子の各々の材料組成は以下に論議され
る。 合成される第１の既知の強誘電体液晶材料は文献（Ｍａ
ｙｅｒ等、Ｌ ｅ Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｄｅＰ ｈｙｓ
ｉｑｕｅ 。 ｍ３８巻、ｐｐ、 Ｌ−６９−７１，１９７５）に記
述され、ＤＯＢＡＭＢＡＣとして市販されている（ｐデ
シロキシベンジリデン ｐ−アミノ ２−メチルブチル
シナメート）。ここに説明された装置の全てはＤＯＢ
ＡＭＢＣから作られることができるけれども、それは本
発明において使用するためには望ましくないようにする
といういくつかの欠点を表わす、第１に、ＤＯＢＡＭＢ
Ｃにおける強誘電体相が通常の大気の温度以上の温度で
発生するので、この装置はほとんどの環境で外部的に加
熱される必要がある。第２に、ＤＯＢＡＭＢＣは化学的
に安定せず、Ｃ−Ｎ結合の加水分解を生じやすい。従っ
て、はとんどの動作状態下で、ＤＯＢＡＭＢＣは、不都
合に短い期間後に分解して材料がもはや強誘電体液晶相
を表わさない。 現在の時点で、非常に改良された特性を有する多くのそ
の他のＦＬＣ材料が多数の供給源から市販されており、
いくつかの異なる化合物を混合することによって、有効
な環境にわたる広い温度範囲を有する材料が得られる。 更に、化学的に安定した成分を使用することによって、
合成混合物は時間の経過によって明らかに分解されない
こともまた確実に可能である。例えば、市販されている
混合物ＣＳ −１０１４（Ｃｈｉｓｓｏ社）は本発明の
電気−光学スイッチング装置の構成において使用される
。しかしながら、その他の強誘電体液晶材料も動作状態
に応じて使用できる。 ＦＬＣは本質的に部分的に流動体であるので、液晶（Ｌ
Ｃ）セルは材料を包含するように構成されなければな
らない。加えて、ＬＣセルはまた不可欠な電極およびア
ライメント層１７９を支持するために適切な手段を設け
られなければならない。 例によって説明すると、第１７図においてＬＣセル１７
０は平面ＦＬＣ層１７１を包囲するものとして示されて
いる。この平面ＦＬＣ層は２つの固体誘電体材料１７２
および１７３（様々なシリケートガラスから形成された
透明なガラスプレートまたは透明な柔軟なポリマから形
成されたプレートあるいはその他の誘電体材料のプレー
トであっても良い）を配置することによって包囲される
が、それはＦＬＣを包含するための間隙が平行な面の間
に定められるように互いに向かう平面を具備する。面の
間の間隙は間隙の縁に沿って所望された厚さの離間ガス
ケット１７４を配置し、ギャップ全体にわたってスペー
サ１７５および１７ｇを分配することによって定められ
る。離間ガスケット１７４はまた密封材料から形成され
ＦＬＣの密閉に使川される。 スペーサ１７５および１７６は多数の技術によってプレ
ート１７２および１７３の平面上に取付けられる。 例えば、このスペーサはＳｉＯのようなＦＬＣに対して
不活性な材料を蒸発させることによって、あるいはポリ
アミドのようなポリマのスピン−オン（ｓｐｕｎ−ｏｎ
）層をプレート面上にパターン化することによって形
成されても良い。その代わりに、スペーサはグラスファ
イバあるいはポリマ球のような堅い粒子から構成されて
も良く、それは液晶材料中に分配されるものである。 ＦＬＣ材料夏７１は様々な方法でプレートの間のＥ隙へ
誘導される。間隙が小さい（数百ミクロン以下）とき、
間隙を部分的に満たす液体はそれを更に間隙中へ流す大
きい毛細管力を加えられる。 従って、もしセルがＦＬＣ材料をその等方性液体相に入
れるのに充分高い温度へ加熱されるなら、間隙の縁部に
置かれた材料は間隙が満たされるまで間隙内へ流れる。 充填の前に間隙から空気を排気することもまた充填手続
を加速するため使用される。 セクション１において記載されたように、本発明はＦＬ
Ｃ層の幾何学的形態、供給された電界、および分子方向
に依存するい（つかの有効な電気−光学スイッチング特
性を有する。第３図乃至第１６図において示されるよう
に、例えば、本発明の異なる実施例の各々はスメクティ
ック層が選択された方向に対して予め決められた角度で
配列されることを必要とする。このスメクティック層配
列は様々な異なる方法によって達成される。例えば、第
１１図において示されるように、異方性被ｓ７１７９は
、ネマティック液晶を整列するために通常使川されるも
のと同様の方法で境界プレート１７２および１７３のい
ずれか一方または双方へ加えられてもよい。このような
被覆のい−くつかを生じるためのいくつかの技術は文献
（Ｊ 、 Ｓ 、 Ｐ ａｎａｌ等、Ｆ ｅｒｒｏｅｌ
ｃＬｒｌｅｓｌ第５９巻、ｐｐ、 １３フー１４４．
１９８４年、およびＪ、Ｓ、Ｐａｔｅ１等、Ｊ ｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡ ｐｐＨｅｄ Ｐ ｈｙｓｌｃｓｌ第
５９巻、Ｎｏ、７．１９６６年４月１１１、ｐｐ、 ２
３５５−ＧＯ）に記述されている。 層を整列するためのもう１つの方法は第１８図に示され
ている。図示されたように、弱い切断張力がスメクティ
ック層を方向づけるためＦＬＣセル１７０へ加えられる
。この技術のため、ＦＬＣセル１７０は２つのやや柔軟
なプレートから成り、ローラ１ｇ１ 、１８２ 、１１
１３ 、１８４および１ ｇ−５の各々の間を通過し、
それらローラは交互にオフセットされ反対方向に回転す
る。セルの結果として生じる波動はスメクティック材料
の層をプレートの動きの方向に平行な向きの切断張力を
生じる。必要な張力を生じるためのその他の既知の手段
もまた本発明の技術的範囲内で使用できる。 −第１
１図を再び参照すると、本発明のＦＬＣセル１７０は電
界をＦＬＣセル１７１へ供給するための手段を必要とす
る。電圧をＦＬＣセル１１０へ供給するための簡単な技
術は境界プレート１７２および１７３へ取付けられた導
電層１１１および１７ｇを使用するものである。これら
の導体を使用して、電界は各境界表面１−７２と１７３
との間に電圧を供給することによってＦＬＣ層を横断し
て供給される。更に、第７図ａ乃至第７図ｄにおいて示
される実施例におけるようにＦＬＣ層に平行な電界が要
求されるときには、電圧は同じ境界プレート上の２つの
隣接する電極間に供給される。導電層１１１および１７
ｇはアルミニウムのような金属の薄い層（例えば、厚さ
ｔｏｏｏ人）の真空蒸着によって構成される。加えて、
光が導電領域を通過することが所望されるとき、酸化イ
ンジウム−錫のような透明な導体が既知ｐ方法を使用す
る真空付着によって境界プレートに代わりに施される。 多数の手段がＦＬＣディレクタ方向を変えるためには必
要とされる電圧を生じるため使川されるけれども、光に
よって制御される手段は本発明の装置の電気−光学スイ
ッチング機能のため特に有利である。スイッチング電圧
を発生するための望ましい手段は先起電装置ｔｐｖＤ）
を照射する光から電力を発生する。典型的なＰＶＤは０
．５乃至１．５ｖの電圧を発生するけれども、しかしな
がら、これらの電圧は実−際の厚さく＞ｌ１ｍ）のＦＬ
Ｃ層にわたって供給されるとき切換えを生じることがで
きるような充分な大きさはやっと得られる程度である。 幸いに、大きい電圧を得るための多数の既知のＤＣ−Ｄ
Ｃ変換方法が存在する。 ８０％以上の効率を伴って動作するＤＣ−ＤＣ変換器は
この目的に容易に利川できる。 ＰＶＤから高電圧を得るためのもう１つの簡単な方法
は電気的に直列に接続されるいくつかのＰＶＤを同時に
照明することである。シリコンＰＶＤのモノリシック配
列は所望されるなら１０Ｖ以上の有効な電圧を与えるよ
うに第１９ａ図に示されるように直列に接続されても良
い。 ＦＬＣ装置の両面１品１に生じる電圧を供給することニ
ヨって、ＦＬＣの分子状態のスイッチングは入射光に対
して単独に反応して実行される。第１９ａ図において示
されるように、２つの直列接続多重素子Ｐ Ｖ Ｄは各
々プレート１９３および１９４の表面上の電極１９１お
よび１９２にわたって反対の極性で接続され、ＦＬＣ材
料１９５の分子方向をかえる。 ＰＶＤは適切な電圧極性をセルへ供給するため反対側の
源から入射光を検出するように配列される。 例えば、光がＰＶＤ Ｂは照射せずＰＶＤ Ａだけ
を照射するとき、正の電圧はＦＬＣ装置にわたって生成
され、それによってそれを第１の光学状態へ切換える。 しかしながら、ＰＶＤ Ａではな（ＰＶＤ Ｂを光
が照射するときには、負の電圧がＦＬＣ装置にわたって
生成され、それによってそれを第２の光学状態へ切換え
る。この方法で、ＦＬＣは光の照射によって単独に２つ
の状態間で切換えられる。 ＰＶＤによって付勢されるＦＬＣを使用する光学スイッ
チング装置はスイッチングのための低電圧および低電力
要求のため特に有利であり、適切な量の光は切換えを行
うためＰＶＤを照射する必要がある。装置付勢領域のＦ
ＬＣ装置を切換えるため必要とされる電荷量は２Ｐであ
り、Ｐは強誘電体−光である。一般的な材料についての
Ｐの値は１０ｎＣ／ｃｍのオーダー上にある。一般的な
ｐ ｖ ｏ ｊｉ入射光のワット当り０．５Ａを生じ、
光エネルギの２Ｘ１０−Ｊのみが、１０の係数が不可欠
な電圧増加に対して許容されるならセンチメータ平方Ｆ
ＬＣ装置を切換えるのに充分な電気エネルギを生じる必
要がある。 その他の技術は第１９ｂ図において示されるようにＰＶ
Ｄを使用するＦＬＣスイッチング装置を制御するため使
用される。図示されるように、供給電圧を反転するため
の単独Ｐ Ｖ Ｄ ｌｌおよびアナログＦＥＴスイッチ
１９７はＦＬＣへ供給された電圧を切換えるため使用さ
れる。充分な電力はＦＥＴアナログスイッチ１９７を付
勢するためＰ Ｖ Ｄ １９８から得られ、境界プレー
ト１９３および１９４上の電極１９１および１９２へ供
給される電圧の極性を変える。制御回路１９８は受取ら
れた光に依存するＦＬＣの状態を制御するため使用され
る。 加えて、Ｐ Ｖ Ｄ １９（ｉを照射する光はＦＬＣ装
置の様々な人力および出力ポートから分離したポートか
ら供給されるか、あるいはＦＬＣ装置−のポートの１つ
はＰ Ｖ Ｄ １９（ｉへ光を供給するため少なくとも
一部使用される。 第１９ｂ図の装置が動作するとき、光はＰ Ｖ Ｄ １
９６によって検出され、ＦＬＣの両面間に供給された電
圧の符号はＦＥＴアナログスイッチ１９７によって反転
される。スイッチ１９７およびＦＬＣ装置の状態は制御
回路１９８の状態によって制御される。例えば、制御回
路１９ｇは、入射光ビームがＩｆ ｆｊｍＪ的に遮断さ
れるときは常に状態を変えるように入射光によって制御
される。この方法において、ＦＬＣは複雑な外部スイッ
チング制御回路を使用することなく状態を切換えるよう
にされる。 本発明の多数の実施例が先に詳細に説明されたけれども
、当業者にとって本発明の新しい技術および利点から実
質的に外れることな〈実施例の多数の付加的修正が可能
である。従って、全てのこのような修正は特許請求の範
囲に定義されるように本発明の技術的範囲内に含まれる
ことを意図されている。
電性液晶装置を提供するものであり、それはＳＳＦＬＣ
とは異なり、原因となる電気−光学効果がＦＬＣともう
１つの誘電体材料との間のインターフェースで発生し、
ＦＬＣを経る光学路の長さが基本的に重要ではない。 Ｅ課頴解決のための手段お、よび作用］本発明に従って
、第１およびＴｓ２の誘電体は境界を定め、そこでは少
なくとも１つの誘電体はＦＬＣ材料である。ＦＬ−Ｃへ
供給された電界は異なる方位の間のＦＬＣを切換えるこ
とができる。 光はそれから境界と相互作用する方法がＦＬＣの方位に
依存するような方法で境界へ向けられる。 本発明の装置は２つのカテゴリへ分類されるが、それは
それらが反射または屈折光線の複雑な振幅における変化
に影響を及ぼすことによってか、あるいは屈折光線の方
向を変えることによって根本的に機能することに基づい
ている。 振幅変化装置の第１の実施例はインターフェースでのＦ
ＬＣの屈折率がＦＬＣのスメクティック層中の分子を再
び方向づけすることによって変えられる誘電体−ＦＬＣ
インターフェースを包含する。電圧パルスは、ＦＬＣに
よって生成された反射あるいは屈折強度のいずれかが異
なる供給電圧パルスによって選択されたもう１つのＦＬ
Ｃ状態によって生成された同様の強度に対して大きな比
率を有ザるような状態の１つを選択するため供給される
。従って、スイッチは、強誘電性液晶がそれらの更に迅
速なスイッチング能力および本質的なメモリ を除いて従来技術のネマティック液晶スイッチング装置
と同様に形成されることができる。 誘電体とＦＬＣとの間のインターフェースに対しである
角度でスメクティック層を供給することによって、振幅
変化装置の実施例は、本発明の背最で述べられた米国特
許第４．２０１，４４２号、第４．２７８，３２７号、
および第４，３８５。 ７９９号明細書のネマティック装置におけるものと同様
の光学状態を有するように製造される。言替えると、供
給された電界は、第１の偏光の入射光が屈折率ｎＱのも
のに入射し、一方もう１つの偏光が屈折率ｎｏのものに
入射するような、インターフェースに垂直な７を有する
第１の状態か、あるいは光が第１の状態のそれと反対の
方法で影響される、インターフェースに平行で入射面に
垂直なＷを有する第２の状態のいずれかを選択する。 強誘電−性液晶の幾何学的形状のため、しかしながら、
ＦＬＣへ供給された電界はインターフェースに対して平
行に供給されなければならず、一方従来技術のネマティ
ック装Ｍ（こおいて、電界は平面に対する垂線に平行に
与えられる。 振幅変化装置の第２の実施例において、インターフェー
スは２つの異なった方位のＦＬＣ範囲の１８１に形成さ
れる。この装置において、適切に偏光された光はＦＬＣ
分子の方向に依存してインターフェースのいずれかの側
で異なる屈折率のものに入射する。この形悪はＦＬＣ板
を経て伝播する光が領域間の境界を横切って移送される
か、あるいは２つの領域の電界で選択されたディレクタ
状態に依存して境界で全反射されるようなスイッチを形
成するため使用されても良い。加えて、ＦＬＣ材料が単
により高い屈折率の材料の導波体のためのクラッディン
グを形成するならこの種のスイッチングが作動し、クラ
ッディングの屈折率は導波体を経て伝播する光の光学路
を変えるように供給された電圧パルスによって変えられ
る。 振幅変化装置の第３の実施例において、ＦＬＣは非均−
デイレクタ形態を示す。即ち、ＦＬＣの− インターフ
ェースとの相互関係が入射光へ第１の屈折率を与える方
向を供給するなら、電界が異なるディレクタ方向を与え
るように供給されるとき、ディレクタ方向はインターフ
ェースに直接隣接した範囲内のインターフェースによっ
て好ましいとされるものからインターフェースからある
距離をおいて供給された電界によって好ましいとされる
ものへと変化することが可能である。インターフェース
−好ましいとされる方向が低い屈折率を有するものであ
るとき、インターフェースをわたって伝達される光の部
分は供給された電界強度を増加することによって連続的
に増加される。インターフェースが大きな屈折率を適切
に偏光された入射光に対して与える好ましい分子方向を
有している′とき、他方で供給された低い電界で光は初
期に伝達される。しかしながら、光がＦＬＣを経て伝播
するとき、ＦＬＣのディレクタ方向は徐々に変化し、伝
達された光の偏光はほぼπに沿って変化する。電界強度
が増加されるとき、ディレクタリオリエンテーシヨンが
発生する距離は短くされ、上記沿った変化”はもはや発
生せず、伝達された入射を連続的に減少させる。 本発明のＦＬＣ光学スイッチング装置はまた伝達された
光の伝播方向を変えるように分子方位中に電気的に誘発
された変化を引起こすことによってスイッチング機能を
行わせる。適切に偏光された光は、ＦＬＣ分子方向が供
給された電界によって選択されたことに依存して異なる
方向でインク−フェースにおいて屈折される。 本発明のスイッチング機能はまた、外部電力源が必要と
されないような光だけによって制御▽▽されることもで
きる。光の存在は先起電装置によって感知され、出力電
圧は光学スイッチのスイッチングを駆動するのに充分な
ように生成される。 液晶板のその他の構造（ｔｅｘｔｕｒｅｓ）の選択的な
反射特性（ツイストされた、ｈｏｓｅｏｔｒｏｐｔｃ
％分散している、等）あるいはその他の中＋ｉ１相（コ
レスティックまたはスメクティック）は電気−光学スイ
ッチングのため使川されることが可能であった（ Ｓ
ｏｒｅｒｌ 液晶スイッチング部品、Ｆ ｉｂｃｒ
ＯｐＬｉｃ Ｃｏｓｓｕｎｉｅａｔｌｏｎ、第２１
巻、１９８０年、ｐｐ、１−５）が、しかしながらここ
に開示されたタイプのＦＬＣは電気−光学スイッチング
装置は従来に用いられたことはなかった。 ネマティック液晶とスメクティック液晶との間の−実質
的な幾何学的差のため、Ｓ ｏｒｅｒによって開示され
たものと同じネマティック液晶のため使用されたスイッ
チング技術はスメクティック液晶のためには使用できな
い。これらの幾何学的差は特に重要であり、ネマティッ
クＬＣ上のＦＬＣの改良されたスイッチング特性は電気
−光学スイッチングの分野において予期しない進歩であ
る。 本発明において使川されたタイプの装置はいくつかの点
で上述された従来技術のそれらとは異なる。第１に、本
発明はＦＬＣを使川するけれども、本発明は先にクラー
ク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウォール（Ｌ ａｇｅｒ
ｖａｌ璽）によって提案されたＦＬＣ装置の群と異なり
、上述されたクラーク・ラガーウォール装置においては
、偏光ビームまたは光線はＦＬＣの光学的に厚い板を経
て伝達され、その入射方向とほぼ同じ方向で伝播するこ
とが明らかである。電界をＦＬＣ板へ供給することによ
って、伝達された光ビームの偏光成分の強度は変えられ
１−１る。これらの変化はそれを偏光分析器へ通すこと
によってビームの総合強度における変化に影響を及ぼす
ため使用される。対照的に、本発明の装置において、光
のビームはＦＬＣともう１つの誘電体との間のインター
フェース上の入射であり、二こではそれは反射され屈折
される。電界をＦＬＣへ供給することによって、反射さ
れ屈折されたビームの相対強度が変えられるか、あるい
は屈折されたビームの伝播の方向が変えられるかのいず
れかである。 第２に、本発明はＬＣともう１つの誘電体との間のイン
ターフェースの光への影響に依存するけれども、それら
はＬＣがネマティックであるそれらの装置と異なってい
る。ネマティックを使川するそれらの装置において、ネ
マティック板にわたって供給された電界百はそれ自身お
よび電界に垂直な軸を中心にしたディレクタの回転を生
じる。 電気的に誘起されたトルクはＹの符号に依存しないので
、ただ１つの電気的に選択されたディレクタ方向が可能
であり、即ち、Δε〉、０で百に平行なＷを有するもの
と、Δさく０でｒに垂直な７を有するものである。１以
上の状態を伴う装置は、ある他のディレクタ方向を指示
するため、ある他の効果、通常は表面力を使用しなけれ
ばならない。 本発明の装置において、しかしながら、幾何学的形状は
全く異なっており、ＦＬＣの異なった基礎となる対称を
反射する。ディレクタリオリエンテーシジンは角度マ０
の円錐形上であり、その軸はスメクティック層平面、い
わゆる傾斜−円錐。 に対して垂直である。供給された電界はこの円錐上のデ
ィレクタの方位における変化を生じ、一般に電界の好ま
しいとされる方向は層平面に平行に存在する百の成分に
対して平行なＶを有する。 更に一般的な形態は以下に説明される本発明の技術的範
囲内にあるけれども、簡単な例はＦＬＣとネマチイック
ＬＣ誘電体インターフェース装置との間の差を説明する
。スメクティック層がＦＬＣ板の表面に対して垂直に方
向付けられるなら、板にわたって供給された電界百はそ
の符号に従って、両方共に板表面に対して平行だが２マ
０方向が異なる２つのディレクタ方向の１つを提供する
。従って、効果的な回転はＷに垂直だがＥに平行な軸に
ついてであり、それは２つの電界の好ましいとされるデ
ィレクタ方向を有し、両方共にＥに対して垂直である。 本発明の装置と従来技術のそれらとの間のこれらの差は
本発明の装置のための充分な利点を生じる。それらは光
吸収偏光子または分析器の使用を伴わずに光ビームの強
度または方向を変える能力を与える。それらは異なる波
長の人力光で等しく動作する。更に、それらは先ビーム
伝播方向に基づいて２つ以上の出力間に入力光を切換え
られ、それは多くの適用において有利である。最後に、
より強い、供給された電界に関する符号依存性によって
、それらはネマティックの不利な遅い応答時間、特に供
給された電界の除去に対する応答時間を克服する。 ［実施例］ 第２図は２つの異方性材料即ち媒体Ａと媒体Ｂとの間の
インターフェース上の波ベクトルＴｉ人射を伴う光線を
示す。入射光波ベクトルＶＩはインターフェースの垂線
と角度θ１をなし、垂線と角度θｒｌおよびθ「２で各
波ベクトルｌｉｒｌおよび１ｉｒ２を伴う２つの反射光
線を形成する。入射光はまた波ベクトルｆｔｌおよび１
ｉｔ２を有し各々インク−フェースに対する垂線と角度
θ目とθｔ２の２つの屈折された光線を形成する。光線
の複素振幅（強度および偏光状態）、方向、および位相
は媒体ＡおよびＢの屈折率に依存する。本発明は１つの
誘電体材料（ＦＬＣまたはその他の材料のいずれか）で
満たされた範囲とＦＬＣで満たされた範囲との間のイン
ターフェース上に光を入射させることによって実際の光
のスイッチング装置を製造するためこれらの特性を使用
する。それから、インターフェースに直接隣接したＦＬ
Ｃの分子方向におけるほとんどのｒ′Ｅ意の変化はその
反射および屈折特性における変化を生じる。ＦＬＣを含
む範囲に対して強度および方向おいて変化する電界を供
給することによってＦＬＣ内にこのような分子リオリエ
ンテーションを生じるための方法は当分野においては既
知である。例えば、平行なプレート間で生成され安定化
される多数の分子方向状態は米国特許第４，３６７．９
２４号および第４゜５６３．０５９号明細書（Ｎ、 Ｃ
ｌａｒｋおよびＳ。 Ｌ ａｇｃｒｖａｌｌ）において開示されている。しか
しながら、本発明は従来技術のネマティックスイッチン
グ装置よりかなり迅速に動作する。更に、本発明は上述
された表面安定化された強誘電性液晶スイッチング装置
より更に有利に配置される。 本発明の装置は２つのカテゴリに分類されるが、それは
それらが基本的に反射および屈折された光線の振幅にお
ける変化に影響することによって機能するか、あるいは
屈折された光線の方向を変えることによって機能するか
に基づいている。これらの装置の各々およびそれらの対
応する幾何学的形状は以下のセクション１において論議
され、セクション１で論議されるスイッチング幾Ｈ学的
形状を組入れるこの好ましい実施例を構成するための方
法はセクション１で論議される。 １、ＥＯ装置のためのＦＬＣ幾何学方向Ａ、振幅変化装
置 本発明の振幅変化装置は２つのタイプからなる。 即ち供給された電圧ステップおよびパルスが分離した異
なる分子方向状態の間で選択するものと、供給された電
界における連続変化が分子方向における連続変化を生じ
るものである。第１のタイプの装置は１以上の分離した
光振幅状態を有し、各々は別個のディレクタ方向状態と
関連している。 異なる状態のディレクタ方向間の差は光の波長と比較し
て短いインターフェースからの距離内に存続する。他方
、第２のタイプの装置は供給された電界強度を連続的に
変えることによって生成されたディレクタ状態を連続手
きに変えることから生じる振幅状態の連続体を有する。 これらの装置における先振幅変化の最高速度は、ディレ
クタがインターフェースに直接隣接する表面の好ましい
方向から光の波長に比較した長さにわたる電界の好まし
い方向へ変化するとき発生する。これらの装置の各々は
以下に説明される選択された機能のため−ａ利な特性を
示す。 １、分離状態装置 ａ、インターフェースに垂直に供給された電界を有する
誘電性ＦＬＣインターフェース−般に、ＦＬＣ内の任意
の分子方向変化はＦＬＣともう１つの誘電体材料との間
のインターフェースで反射され屈折された光線の強度に
おいていくつかの変化を生じるが、しかしながら、本発
明は供給電圧によって選択されたＦＬＣ分子方向によっ
て発生した反射または屈折強度のいずれがが異なる供給
°された電圧によって選択されたＦＬＣ状態によって発
生した同様の強度に比較して大きな割合いを有するよう
なそれらの形態へ向けられる。事実、垂直に無限な比率
の強度はより大きな屈折率の媒体を経て伝播する光線が
より小さ−い屈折率の媒体をｔＶラインターフエース上
に入射して全体的に反射されるような全内部反射。 の現象を活用することによって達成される。これは入射
角度が臨界角度以上に増加されるとき発生し、その臨界
角度は屈折された光線またはその波頭標準のいずれかが
インターフェースに平行である。従って、この臨界角度
より大きい入射角度に対しては、入射光線は完全に反射
され、屈折光線強度はゼロである。 第３ａ図乃至第３ｄ図は光原１５からの光線（それは光
ファイバ導波体またはその他のタイプの導波体へ自由に
伝播するあるいは制限されても良い）が第１の屈折率ｎ
１の誘電体材料を経て入射し、ＦＬＣ材料を含む範囲と
のインターフェースに当たる。座標システムは、２軸が
Ｘ−Ｙ平面によって定められたインターフェースに垂直
であり、Ｘ軸が入射平面に垂直であり、ｙ軸がＸ軸およ
びｙ軸の両方に対して垂直であるように選択される。 この実施例において、ＦＬＣのスメクティック層は、イ
ンターフェースの平面（Ｘ−Ｙ平面）との交差がｙ軸に
対して角度αをなし、インターフェースに対する垂線か
ら角度δで傾斜されるように向けられる。異なるディレ
クタ方向は適切な方向および符号の電界Ｖを与えること
によって選択される。例えば、インターフェースに垂直
な電界シｊ第１の誘電体媒体の表面上の透明な誘電被覆
および上述されたインターフェースに平行なＦＬＣ領域
を制限する導電プレート間に電圧を供給することによっ
て与えられる。（ＦＬＣおよび電極の更に詳細な構造は
第１７図を参照して以下に与えられる。）好ましいディ
レクタ方向は層に平行な供給電界Ｅの成分に平行なＰを
有し、供給された電圧の反転はそれがその他の方向に関
して角度２マ０でディレクタ方向をあたえるような百の
符号を変える。 好ましいとされる方向のどれでも少なくともインターフ
ェースの長さξ中に存在し、ここではξはその弾性エネ
ルギ密度Ｋ／ξ２が静電気エネルギ密度ＰＥ（ξ−［Ｋ
／ＰＥｌ ”２）に等しいような歪みの大きさ−を特徴
とする長さである。強い倶給電界１ｉ：＞＞Ｋ （Ｐλ
）２のため、この距離は光波長λに比較して小さく、装
置動作に実質的に′ は影響を及ぼさない。電界の好
ましいとされたちの以外のその他のディ−レフ夕方向の
選択は米国特許第４，３６７、−９２４号および第４．
５６３゜０５９号明細書（ＣｌａｒｋおよびＬ ａｇｅ
ｒｖａｌｌ）によって開示されている表面安定化のメカ
ニズムによって可能である。彼等が明らかにするように
、強い供給電界が無いので、４つまでの別個なディレク
タ方向は表面とのＦＬＣの相互作用によって固定され、
これらの−ディレクタの方向間のスイッチングは制限さ
れた時間のため表面に対して垂直に供給されたより強い
電界によって達成される。従って、インターフェースに
近い６個の電界で選択されたディレクタ方向状態：即ち
インターフェースに垂直だが反対側に向けられて供給さ
れた強い電界によって与えられた２つの状態と、クラー
クおよびラガーウォールによって開示された供給電界パ
ルスによって切換えられる４つの表面安定化された状態
に対して可能性が存在する。 一般に、与えられたディレクタ方向のＦＬＣとのインタ
ーフェース上の第１の誘電体からの線形偏光入射は部分
的に反射され部分的に伝達される。部分的に伝達された
光は、一般に、２つの光線、即ち正常な（ｏｒｄｉｎａ
ｒｙ）光線と非正常な（ｅｘｔｒａｏｒｄｉｎａｒｙ
）光線とから成る。第１の媒体が等方性誘電体であるな
ら、部分的に反射された光は１つの光線のみから成るけ
れども、一般にそれは楕円偏光である。しかしながら第
１の媒体が異方性であるなら、部分的に反射された光は
一般に２つの光線、即ち正常なものと非正常なものとか
ら成る。反射された光線の楕円（第１の媒体が等方性の
場合）および全ての反射され伝達された光線の振幅およ
び強度（第１の媒体が等方性あるいは異方性のいずれか
の場合）はインターフェースに垂直な供給電界によって
選択された様々なディレクタ状態の間で異なる。 しかしながら、入射角度θ１は伝送された正常光線のた
めの臨界角度θＣより大きいなら、伝達された光線のみ
が非正常なものである。これは、それらが正常屈折率ｎ
。より大きい非正常屈折率ｎｅをＨするので反転よりむ
しろＦＬＣのため可能な場合であり、そのため非正常光
線によって生じる屈折率は常に同様にｎＱである正常光
線によって生じる屈折率より大きい。非正常光線によっ
て生じる屈折率は、しかしながら、光学軸またはＦＬＣ
のディレクタに関するその方向に依存する。 その波伝播方向（その波頭に垂直な方向）がＦＬＣの光
学軸に接近するほど、非正常光線によって生じる屈折率
はｎｏに近くなる。この関連する伝播方向は、一般に、
様々な電界選択されたディレクタ状態について異なって
おり、それによって非正常伝達光線がこれらの状態のた
めの異なる屈折率を生じることを包含する。従って、第
１の媒体の屈折率ｎ１および入射の角度は、ディレクタ
の状態の１つにおいて非正常光線を伝達し、もう１のデ
ィレクタ状態に対して全ての入射光を全反射するため、
正常光線を伝達しない特性を失うことなく、更に調整さ
れ得る。従って、ＦＬＣ媒体の境界を定める２つの上述
された電極間に供給された電圧は２つのディレクタ状態
、即ち、非正常伝達光線がより高い屈折率を生じ、いく
らかの光が、第３図ａに示されるように、インターフェ
ースにわたって伝達される（伝達状態）ようなディレク
タ方向を有するものと、第３図Ｃに示されるように、全
ての入射光が反射され伝達されるものがない（反射状態
”）ように低い屈折率を与えるｙ軸にほぼ平行なディレ
クタ方向を有するものとの間で選択できる。結果的に、
スイッチング効果は文献（Ｒ、Ａ 、 Ｋ ａｓｈｎｏ
ｖおよびＣ，Ｒ−２３１１頁、１９７３年１０月）およ
び米国特許第４．２７８，３２７号明細書（Ｍ ｃ Ｍ
ａｈｏｎおよびＳ ｏｒａｒ）および第４，３８５，
７９９号明細書（Ｓ ｏｒｅｒ）に開示されるようなネ
マティックＬＣを使用するものと同様に達成される。 伝達状態と反射状態のディレクタ方向間の最大可能Ｊｕ
ｌ折率を達成することは入射の最大角度を許容するけれ
ども、一方同時に入射の角度における変化に対して最も
感度の悪い装置の動作を生じる。 最大届折率変化は大きい複屈折（Δｎ）および大きい傾
斜角度（マ０）を有するＦＬＣ材料を使用し、小さい傾
斜（δ）を有するようにスメクティック層を方向づける
ことによって得られる。δ＝〇の特別な場合のため、電
界の好ましいとされるディレクタ状態はインターフェー
スに平行であり、入射平面に垂直に偏光された入射光（
以下Ｓ偏光と呼ぶ）が、α−マ。のとき得られる電界の
好ましいとされるディレクタ状態の１つのため完全に非
正常な屈折率ｎｅによって影響されることを許容する。 その他の電界の好ましいとされるディレクタ状態に対す
るＳ偏光入射光によって生じる屈折率は大きいマ０が小
さくされ、ｖｏ−４５″のときｎ□の最小値に達する。 スメクティック相の強誘電性液晶を使用する単路スイッ
チの実施例の概略図が第４ａ図乃至第４ｄ図に示される
。このスイッチは各表面上に透明な導電性成１１２４４
および４５を有する２つのガラスプリズム４２と４３と
の間のスメクティック層４１を含むＦＬＣ材料４０の薄
い板によって形成される。電圧パルスは異なる可能なデ
ィレクタ方向間で選択するためこれらの被覆へ倶〜給さ
れる。層の方向、入射の角度、およびプリズムの屈折率
ｎｐは、第４ｃ図において選択されたディレクタ状態の
ためプリズム４２のポート１１上の光源１５からの光線
入射がその偏光状態にかかわらずＦＬＣインターフェー
スでｎｐｓｌｎθ■より小さい屈折率を生じるように２
１ｇされ、それ故プリズム４２のポート１３から出るよ
うに全反射される。しかしながら、もう１つのディレク
タ状態が第４ａ図に示されるように選択されるとき、Ｆ
ＬＣ内の伝播の非正常モード−を励起するポート１１を
経る光線入射の偏光成分はもはや全反射されはしないが
、それは臨界角度より小さい入射の角度をなすのに充分
大きい（即ち、＞ ｎ ｐ ｓｌｎθＩ）屈折率を生じ
るからである。従って、この光線の一部はＦＬＣ板を横
切って伝達され、プリズムのポート１４を経て出るけれ
ども、一方その他の部分は前記のように反射されプリズ
ム４２のポート１３を経てでる。この状態で伝達される
入射光の部分がＦＬＣにおける非正常光線によって生じ
る屈折率を、プリズムの材料の適切な選択によってＦＬ
Ｃ中の非正常光線を励起する光線によってプリズム中に
生じる屈折率へ整合することによって最大にされる。４
つのポート１１．１２゜１３および１４のいずれかは光
線のための入射ポートとして使用され、１つ以上が同時
に使川されても良い。 上述された屈折率整合状態が満たされるとき、第４Ｃ図
および第４ｄ図の実施例は偏光ビームスプリフタと、し
て動作し、実質的に完全に非正常モードが励起する一方
のものを伝達し他方を反射することによって任意の偏光
状態の入射光線を生成する２つの直角の線形偏光成分か
ら分離する。この特性は更に新しい有効な光スイッチン
グ実施例を可能にする。例えば、第４ａ図乃至第４ｄ図
において示されるような車路ＦＬＣスイッチからの出力
光はもう１つの同様のスイッチに入射されるように向け
られ、光学スイッチは偏光でない入力光を完全にスイッ
チする。ＦＬＣを使用するこのようなスイッチの実施例
は第５ａ図および第５ｂ図において示される。 第５ａ図およびＴＳＳ ｂ図は入射光の偏光に対して実
質的に感度の悪いスイッチを製造するため減速器５０お
よび５１を具備する第４図の２つの素子を結合する２路
ＦＬＣスイッチの実施例を示す。 第５ａ図および第５ｂ図のスイッチはまた２つのプリズ
ム４２と４３との間のＦＬＣ材料の薄い板４０によって
形成され、ＦＬＣガラスインターフェースの形態はｉｄ
ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述されたものと同じであ
る。第４ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述されたスイッ
チが入射光の偏光がＦＬＣ中の伝播の非正常モードを励
起するスイッチであるが、しかしながら、第５ａ図およ
び第５ｂ図のスイッチング装置はそれらを通過する偏光
の偏光状態を変える減速器５０および５１を使用する。 これらの減速器は複屈折材料（ウェーブプレート）のプ
レートであってもよく、あるいはフレネル菱形として当
分野で知られている装置において開発されるような全内
部反射の光線によってなされた再減速の使用によって動
作しても良い。 第４図は供給された電圧が、非正常モードを励起する入
射光の成分が実質的に総合的に伝達されるようなＦＬＣ
−状態を選択したときのスイッチを示す。２つの直交偏
光成分から成る光源１５からの非偏光人力はボー）１１
を経て入り、−Ｆ Ｌ Ｃ中の正常モードを励起する成
分についてθＣより大きい入射角度でプリズム−ＦＬＣ
インターフェースへ入射する。入射光線のこの偏光成分
は全反射され同じプリズム４２中に止まる。他方で、他
の成分はＦＬＣ領域４０を通って実質的な反射を伴わず
に他方のプリズム４３内へ伝達されるが、それはプリズ
ム中およびＦＬＣ中に同じ屈折率を生じるからである。 光成分はそれから空気ガラスインターフェースで内側に
全反射され、反対側からＦＬＣプリズムインターフェー
スに向けて後方に向けられる。 各光成分はそれから減速器（５０あるいは５１のいずれ
か）を通過する。減速器５０は反射光の偏光をＦＬＣ中
の非正常モードを励起する状態へ転換され、そのためＦ
ＬＣプリズムインターフェースに向かうその次の通路上
でそれは実質的に全体的に伝達され、一方減速′５５１
は伝達された非正常先の偏光をＦＬＣプリズムインター
フェースで内側へ全反射される状態へ転換する。この方
法において、２つの成分は第２のガラスプリズム４２を
経て進行するように：ｌｉび結合されポート１４を経て
出る。 第５ｂ図は供給された電圧がもう１つの分子方向を選択
したときの２路ＦＬＣスイッチを示す。 示されるように、両方の光成分はＦＬＣガラスインター
フェースで内側へ全反射され第１のガラス領域４２中で
伝播する。両方の成分はガラス−空気インターフェース
で再び反射され共に減速器５０を通過する。両成分はＦ
ＬＣ−ガラスインターフェースに向けて伝播し続けるが
、そこではそれらは再び内側へ全反射され、それからそ
れらはガラスプリズム４２を経て入射ポート１３を出る
ように後方へ伝播する。 第５ａ図および第５ｂ図に示されるスイッチはまた２つ
の状態を有する４ポート装置として使用される。このた
め、入射光は、第１のガラス領域４２の入射ポートＩＩ
へ供給された光と同じ入射角度で第２のガラス領域４３
のポート１２のような第２の入射光を経て供給される。 ＦＬＣ分子が単位ディレクタπがｙ軸から遠ざかるよう
に向けられるとき、ポート１１での入射光の両成分は共
に反対側のポート１４を経て出、ポート１２の入射光の
両成分は反対側のポート１３を経て共に出る。ＦＬＣの
単位ディレクタπはｙ軸により近く、他方で、入射光の
両成分はそれらが入射されるガラス領域に止どまる。従
って、ポート１１の入射光はポート１３を経て出、ポー
ト１２の入射光はポート１４を経て出る。 結果的に、この光学スイッチは２つの状態、即ち、一方
はポート１１が光学的にポート１３へ接続されポート１
２は光学的にポート１４へ接続されるという状態で、も
う一方はポート！ｌと１４および１２と１３が各々互い
に接続される状態である２つの状態を伴う４ポート装置
を定める。 第５ａ図および第５ｂ図の光学スイッチング装置は、入
力ビームが２つの電圧で選択された出力の１つへ接続さ
れる多用光学ルーチンゲスイッチとして機能する。加え
て、スイッチが伝達状態にあるとき、上述されたものと
異なるように減速器５０および５１の減速を選択するこ
とによって、ボー）１１の入射光は減速器の減速によっ
て決定される強度の比率で両方のポート！３および１４
で出る。 第６図は第４ａ図乃至第４ｄ図を参照して上述された同
じ効果がｌｘＮ（Ｎ個の出力のうち選択された１つへ進
行する１人力）スイッチを形成するため使用される。加
えて、第６図のスイッチはまた逆にＮｘｌ（単一の出力
へ進行したＮ個の人力のうちの選択された１つ）スイッ
チとして動作する。更に、ＩＸＮとＮｘｌの組の装置は
ＮＸＮスイッチを形成するため結合され、ここでは全て
のＮ！の可能な接続（ここでは各入力は１個だけの出力
へ接続され各出力は１個だけの入力へ接続される）は電
圧選択可能である。第６図は例えば、１人力、４出力ス
イッチを示すが、ここではポート１１で入射する光源１
５からの入力光線は電極（１３ａと６４ａ 、 Ｂ３ｂ
と６４ｂ 、 ６３ｃと６４ｃ１および６３ｄと６４ｄ
の間で各々の適切な電圧パルスを供給することによって
４つの出カロ１ａ 、 ６１ｂ 、 ａｌｅおよびＧｌ
ｄのいずれか１つへ送られる。示されるように、第３の
出力は他の電極配置より異なるディレクタ状態を選択す
るため電極（１３ｃと８４ｃとの間に電界を供給するこ
とによって選択された。結果的に、電極６３ｃと１５４
ｃとのＩｉＳｌのＦＬＣ板の部分の分子は、入射光がＦ
ＬＣ板４０を経て第２のプリズム４２および選択された
ポート１Ｓｌｅへ通されるような高い屈折率を与えるよ
うに向けられる。 ｂ、インターフェースに平行に供給された電界を有する
誘電体ＦＬＣインターフェース第７ａ図乃至第７ｄ図は
ＦＬＣ電気−光学スイッチのもう１つの実施例を示すが
、これは、座標系がＦＬＣ材料が半空間領域２００を専
有し、ｘ−Ｙ平面がＦＬＣともう１つの誘電体との間の
イン−ターフエースであるように選択されたものである
。スメクティック層法線はＸ−Ｚ表面に存在し、第７ａ
図に示されるようにＸ軸と非ゼロ角度δをなす。Ｙ−Ｚ
平面は入射平面であるように選択され、光源１５からの
入射光線は第７ｂ図で示されるように２軸と角度θ１を
なす。電界がｙ軸に平行に供給されるなら、反対側に向
けられた電界によって選択されたＦＬＣ分子方向はＸ−
ｚ平面でそれらの単位ディレクタπを有する。一方の状
態は第７ａ図に示されるようにほぼＺ軸に平行であり、
他方の状態は第７ａ図で示されるようにＸ軸にほぼ平行
である。最も好ましい形態はＮ☆乃至Ｃ☆相連続を有す
る材料において見出だされるように、スメクティックＣ
”が角度Ｖ。−４５°に傾斜し、層法線もまたＸ軸およ
び２軸の両方と角度４５” （即ちδ＝４５°）をな
すとき生じる。この形態は従来技術のネマティック装置
におけるそれらと同様の光学状態を有する装置を製造す
る。 即ち、スメクティック層はｙ軸に平行に供給された電界
が、７がＸ軸に平行である状態かあるいはＷが電界の符
号に依存してｚ軸に平行である状態のいずれかを選択す
る。供給された電界が２軸に平行なＷを有する状態を選
択するとき入射ｐ偏光は屈折率ｎｅで処理され、一方Ｓ
偏光は第７ｂ図で示されるように屈折率ｎｏで処理され
る。しかしながら、反対側に向けられた電界が供給され
るとき、入射光の２つの直交成分によって生じる屈折率
は−第７ａ図で示されるように、ｐ偏光が屈折率ｎｏで
処理され、Ｓ偏光が屈折率ｎｅで処理されるように相互
に交換される。従って、第５ａ図および第５ｂ図を参照
して説明されたものと同様の偏光に感じない４ポート２
ｘ２スイッチが減速器をもはや必要としないで更に簡単
に構成される。 第７ａ図乃至第７ｄ図の装置は、ＦＬＣ層が使用される
とき、電界がネマティック液晶装置に関してインターフ
ェース面に対する法線に平行に与えられるのと異なって
入射面に平行（第７ａ図−第７ｄ図におけるｙ軸に平行
）に与えられなければならないことを除いて、従来技術
のネマティック液晶装置と同様に動作する。電界はＦＬ
Ｃ層と誘電体との間のインターフェースに沿ってインタ
ーデジットな電極の配列を置くことによってインターフ
ェース平面に平行に供給される。他の実施例におけるよ
うに、スイッチング時１コ１は従ってネマティック液晶
を使川する従来技術の装置よりも非常に減少される。 第６図を参照して論議されたタイプのスイッチング装置
もまた第７ａ図乃至第７ｄ図の形状を使川して構成され
ても良い。即ち、ＩＸＮ及びＮＸＮポート装置もまたマ
トリックス中にいくつかのこのようなスイッチを配置す
ることによって製造される。 ８、導波体−ＦＬＣインターフェース 第８ａ図乃至第８ｃ図は上述の内部全反射効果が光が導
波体から入射されるスイッチング装置においてどのよう
に利用されるかを示す。ここでは、ＦＬＣ板−は構成さ
れた２つの導波体を接するプレートへ分離する。導波体
一基板インターフェース、あるいは導波体−ＦＬＣイン
ターフェースに構成された電°極は電圧がＦＬＣディレ
クタの方向を制御するように供給されるようにする。導
波体はトラップされたビームが、ＦＬＣおよび基板の屈
折率が充分に低いならば第８ａ図に示されるように伝播
されるような高屈折率材料である。伝播は導波体−ＦＬ
Ｃ及び導波体一基板インターフェースでトラップされた
ビームの多数の内部全反射として見られる。導波体中の
光のトラッピングは第３図乃至第７図を参照して先に論
議されたものと同じメカニズムによるＦＬＣオリエンテ
ーションによって制御される。導波体中のものより高い
屈折率を与えるようにＦＬＣを切換えることによって光
を導波体から放射させ、ＦＬＣ板を通過させ、他方のプ
レート上の導波体へ入れる。 第８ａ図は基板に垂直に供給された電界によって高屈折
率状態および低屈折率状態が選択される第３図のものと
同様のＦＬＣ形状を示すが、一方Ｔ５８ｂ図は２つの状
態が基板に平行に供給された電界によって選択される第
７図のものと同様の形状を示す。ＦＬＣを経て第２の導
波体へ進む入射光エネルギの割合いは導波体の幾何学的
形状に依存するが、充分な導波体オーバーラップを有す
るほとんどの構造はＦＬＣがその高屈折率状態へ切換え
られるとき入射光エネルギの充分な可域の部分（〉５％
）を通過するが、一方ＦＬＣがその低屈折率状態にある
とき通過される光の割合いは非常に小さい。この導波体
−ＦＬＣ導波構造は第８ａ図において示されるような非
遮断ＮｘＮルーチンゲスイッチ内へ組込まれ、それにお
いてはＦＬＣ板および導波体層は紙面に平行に示される
。 導波体層は、頂部基板上の各チャンネルが底部基−板上
の全チャンネルを横切るように向けられた平行チャンネ
ルへパターン化される。電極は各オーバーラップ領域中
のＦＬＣが独立的に切換えられるように配列される。そ
れから、頂部基板上のチャンネルの１つへ入射された光
はＦＬＣを切換えることによって底部プレートの任意の
選択されたチャンネルへ結合され、その頂部チャンネル
は選択された底部チャンネルを横切る。図中の破線は入
射光の切換えがされていない小部分によって得られた通
路を示し、それはＦＬＣ領域がその低屈折率状態のまま
であるとき入射の全てが通る経路である。強い実線はＦ
ＬＣがその高屈折率状態へ切換えられるときの光の通路
を示す。 ＦＬＣ方向における変化は非正常モードに影響を及ぼす
その屈折率においてのみ変化を生じる。 ＦＬＣのため通常ｎｏ＜ｎｃなので、放射光は常に非正
常であり、導波体中でトラップされるＦＬＣにおける正
常モードを励起する光を残す。 従って、最も有効なスイッチングは、入射光が主として
ＦＬＣ中の非正常モードを励起する偏光であるように配
列されるなら得られる。この光は、ＦＬＣ中に生じる屈
折率が導波体のそれよりあまり大きくないなら、即ち屈
折率整合が光放射状態におけるインターフェースでの反
射を減少するなら、導波体から最も強く放射される。Ｆ
ＬＣ屈折率が導波体のそれよりわずかに少ないときでさ
え、１基板上の導波体中を伝播する光の瞬間（ｅｖａｎ
ｅｓｃｅｎｔ）波は、ＦＬＣ板が充分薄いなら他方の基
板上の導波体中の伝播波へ結合し、従ってこの装置を電
界で選択されたＦＬＣ状態の両方によって与えられた屈
折率が導波体のそれより小さいモード中で動作させるが
、一方の屈折率は導波体のそれよりかなり小さく、他方
の屈折率は導波体のそれよりわずかに小さいだけである
。 ｄ、ＦＬＣ−ＦＬＣインターフェース 第９ａ図乃至第９ｃ図は、光源１５からの光が異なる方
向付けをされたＦＬＣ領域の１８１のインターフェース
上に入射されるような本発明のもう１つの実施例を示す
。第９ａ図は与えられた実施例のＦＬＣ装置の側部図を
示し、第９ｂ図および第９ａ図はＦＬＣ装置の頂部図を
示す。 第９ａ図において示されるように、光は薄いＦＬＣ板８
１を経て伝播するが、それは導波体を形成する−ように
内部全反射によって光を制限する低屈折率材料８２によ
って両側に境界を作られる。境界媒体８２の表面上に電
極８３．８４．８５および８Ｂが設けられ、その電極は
、ＦＬＣの領域が周囲の領域と同じかあるいは異なって
方向付けられるように電圧を供給する。電極８３および
８４（電極８３および８４は境界媒体８２の各表面上の
互いに横切って直接取付けられている）へ供給された電
圧は同様に付若された電極８５および６６によって定め
られた板の領域に与えられるのと同じＦＬＣディレクタ
方向を選択するとき、２つの領域間のインターフェース
８７上の光放射は第９ｂ図に示されるような変化を伴わ
ずに伝達される。しかしながら、電極８３および８４へ
供給された電圧が電極８５および８Ｂによって定められ
た領域において選択されるものと異なるＦＬＣディレク
タ方向を選択するとき、異なる誘電体間のインターフェ
ース８７が形成され、第２図を参照して上述されたよう
な反射および屈折の現象が生じる。電極８５および８Ｂ
によって定められた領域において入射光に対する屈折率
ｎｌが、入射角度が充分傾斜している（ｎｆｓｌｎθ＞
ｎＬ ）とき電極８３および８４によって定められた領
域を除いたインターフェースに平行に伝播する光に対す
る屈折率ｎｔより大きいとき、内部全反射へ力（発生す
る。ＦＬＣのような光学的に異方性媒体における光の伝
播のため、屈折率は非正常モードのためのみ光学軸（即
ちディレクタ）に関する光の伝播の方向に依存するけれ
ども、一方正常モードは常に同じ（正常）屈折率を生じ
る。従って、ＦＬＣ−ＦＬＣインターフェースでのスイ
ッチングは入射光の非正常部分についてのみ１すられ、
低屈折率であるほど伝播方向がディレクタにより接近す
る。 第９ａ図において示されたディレクタ方向に対して、電
極８３および８４によって定められた領域内のインター
フェースに平行に伝播する光は電極８５および８Ｂによ
って定められた領域における入射光よりディレクタ方向
により接近して伝播し、そのため内部全反射は充分大き
い入射角度に対して得られる。最も好ましい状況は最大
屈折率変化が得られる場合であり、それは文献（Ｊ 、
Ｓ 、 Ｐ ａｔａｌ１日）に示された処理のよ
うに、大きい傾斜角度とインターフェース法線に近い方
向にされた層を伴うＦＬＣ材料に対して発生する。イン
ターフェースに垂直なスメクティック層を有することは
、供給された電界の好ましい状態がそれらのディレクタ
を有し、この故に導波体の横断電気（ＴＥ）モードに非
正常伝播モードを純粋に形成させるようなりラブディン
グインターフェースに平行なそれらの光学軸を有するこ
とは更に導波体装置にとって利点であり、それによって
インターフェース上の光入射が純粋に非正常であり従っ
て完全に切換え可能であるようにする。 ＮｘＮスイッチング装置は第１０図において示されたよ
うなマトリックスパターンにおいて第９ａ図乃至第９Ｃ
図のいくつかのスイッチング素子を配列することによっ
て構成される。各異なる方向に向けられたＦＬＣ領域９
１は、供給された電界が、周囲の領域と同じかあるいは
異なるかのいずれかにディレクタＷを方向づけるため選
択的にスイッチされるために電極によって境界されてい
る。第１０図において、例えば破線は、電極が周囲の領
域と同じディレクタ方向を選択するとき得られる通路を
示し、一方実線は電極が周囲の領域より異なったディレ
クタ方向を選択するとき先のとる方向を示す。 光は第９ａ図乃至第９Ｃ図および第１０図において示さ
れる型式のスイッチング動作のためにＦＬＣ媒体を経て
伝播する必要はない。文献（Ｔ ｅｒｕｌおよびＫｏｂ
ａｙａｓｈｌｓ Ｐ ｒｏｅｅｅｄｌｎｇ ｏｒＳ
Ｐ Ｉ Ｅ −Ｔ ｈｅ ｌ ｎｔｅｒ
ｎａＨｏｎａｌ Ｓ ｏｃＩｅｔｙ ｆｏｒ
ＯｐＬｌｃａｌ Ｅ ｎｇｌｎｅｅｒｌｎｇ、第５１
１巻、２Ｂ？ −２７４頁、１９１１４）において示さ
れるように、例えば、液晶材料が単に少し高い屈折率の
材料の導波体のための低屈折率クラッディングを形成す
る場合に同じ内部全反射現象が得られる。このような導
波体スイッチの断面は第１１図に示されている。 第１１図に示された実施例において、光は高屈折率導波
体層中を伝播し、その層は低屈折率バッファ層と一側面
で隣接し、低屈折率ＦＬＣ材料と他側面で接している。 導波体層中を伝播する光の瞬間電界上のＦＬＣにおける
ディレクタ方向の変化の効果は第８図および第９図を参
照して上述されたスイッチによって生じたものと同じ結
果を生じる。従って、上述された種類の装置の各々もま
た第１１図において示されたタイプの導波体スイッチと
して構成されても良い。 ２、連続装置 上記セクション１の１において、ＦＬＣディレクタ方向
がいつでも、特にＷが境界に対する法線に依存しないと
き同じであることが仮定された。 しかしながら、ＦＬＣとの境界表面に垂直な方向にＷを
依存させることによってディレクタ方向における異質性
を生じるための方法があることが知られている。例えば
、表面（インターフェースに直接隣接しているＦＬＣの
部分）はＶ−７の１符号を好ましいとし、ここでは７は
インターフェースの外部表面垂直単位ベクトルであり、
表面付近の供給された電界またはもう一方は反対側に向
けられたＶを好ましいとする。従って、もしＦＬＣ層が
供給された電界に関してこの方法で方向付けられるなら
、Ｖおよび蓄の方向が変化する領域が表面に接近して生
じる。 ３、ケース１−低屈折率を与える表面の好ましいＷ 第３ａ図乃至第３ｄ図において示される実施例において
、ＦＬＣと他の誘電体との間のインターフェースはＳ偏
光を入射するため低屈折率を与えるディレクタ方向を与
えるＶの方向を好ましいとする。反対側に向けられたＶ
を好ましいとする電界が第３ｄ図において示される方向
であるときＦＬＣへ供給されるなら、ディレクタの方向
はインターフェースに直接隣接する領域内のインターフ
ェースによって好ましいとされるものからインターフェ
ースから幾分離れて供給された電界によって好ましいと
されるものへ変化することが可能である。この方法で、
インターフェースの深さくｄｅｐｔｈ ）”ξが変えら
れても良い。事実、変化のほとんどはインターフェース
からの距離ξ中に発生し、ここでは、 ξヨ［Ｋ／（ＰＥ）］ ”２ であり、式中ＫはＦＬＣのＯｓｓｃｎ −Ｆ ｒａｎｋ
弾性定数と等しく、Ｐは強誘電性偏光の大きさに等しく
、Ｅは供給された電界の強度に等しい。 従って、低い供給電界に対してξは大きく、インターフ
ェースに近い領域がＳ偏光のための低屈折率を伴う方向
を有し、そのため内部全反射は第１２ｂ図において示さ
れるように起こる。供給された電界が増加されるとき、
ξは減少してＦＬＣ内への光のフィールドの進入の深さ
に匹敵するようになる。二の点でかなりの量の光は第１
２ｂ図において示されるように伝達され始める。供給電
界が更に増加するとξは更に減少し、それによって光の
伝達部分における更なる増加を引起こす。これは供給さ
れた電界の大きさを変えることによって連続的方法にお
いて伝達されたおよび反射された光の強度が制御される
ことを可能にする。一般に、伝達された光は楕円偏光さ
れ、供給された電圧が変化するとき楕円の偏心率および
主軸の方向が変えられ、制限ξ〈くλで直線偏光になる
（λは光の真空波長と等しい）。 ５、ケース２−高い屈折率を与える表面の好ましいとさ
れるπ ＦＬＣの表面が第３ｂ図に示された好ましいとされる方
向を有するとき、低い供給電界および大きいξ〉〉λ（
λは入射光の真空波長）に対して、インターフェースに
直接隣接している層はＳ偏光に対して大きい屈折率を与
える方向を有し、それは初期に伝達される。この光がＦ
ＬＣを経て伝播し、ＦＬＣのディレクタ方向πは次第に
変化するが、しかしながらξ〉〉λである限り、伝達さ
れた光の偏光は第１３ｂ図において示されるようにπに
よって定められる光学軸方向に断熱的に°に従う。モー
ギン（Ｍａｕｇｉｎ）制限におけるこの伝播（即ちここ
では光は液晶のらせんのねじれに従う）は正確に従来技
術のツイストされたネマティック装置によって開発され
る現象である。言替えると、モーギン制限において、最
初にｓ（１，１光される光はＦＬＣ領域を経てほぼ完全
に伝達される。 電界が増加されるとき、ξはλに匹敵するように短くさ
れモーギン状態（ξ〉〉λ）はもはや満足されない。光
はもはや第１３ｂ図に示されるように光学軸方向に従う
ことはない。従って、かなりの量の入射光は入射の平面
に対して垂直に偏光されないときでさえ反射される。事
実、反射された光は直線偏光されることは全くなく、そ
れは楕円偏光される。 電界がξくくλであるように増加されるとき、装置の動
作は分離した状態の装置を参照して上述されたちの戻る
（セクションＩ、Ａ、１．）。入射光はそれから内部全
反射される。これはセクションＩ、Ａ、２．ａで上述さ
れたケース１の装置のそれと反対の伝達対供給電圧特性
とすることを可能にする。 ８、方向変化装置 上記セクションＡに記述された電気−光学効果は、少な
くとも１つがＦＬＣである２つの誘電体間のインターフ
ェースで光の反射および屈折を生じる光の電界を説明す
る複素振幅における変化に依存する。実際的な電気−光
学スイッチング装置を製造するために利用されるもう１
つの効果は誘電体インターフェースでの屈折によって引
起こされる伝達光の伝播の方向における変化である。例
えば、２つの誘電体媒体１および２がＸ−Ｙ平面を定め
るそれらの間のインターフェースを有し、媒体１を経る
Ｙ−ｚ平面における光入射およびその波面に垂直な１１
％位ベクトルマが２軸に対して角度θ１をなすなら、こ
の光に対する屈折率は第１４ｂ図および第１４ｂ図にお
いて示されるようにｎｌである。（第１４ｂ図および第
１４ｂ図において、θｉ−０１−０であることに注意し
なければならない。）インターフェースで、この光は一
般に部分的に反射され部分的に屈折される（伝達される
）。更に、伝達された光の波面に対して垂直な単位ベク
トルｓｔと２軸との間の角度がθｔなら、媒体２におい
てこの光に対する屈折率はｎＬである。それから屈折の
角度に対する入射角度に関係する一般形のスネル（Ｓｎ
ｅｌ＋）の法則のもとで、関係は以下の式を結果として
生じる。 （ｎｉマＩ ｎｔ ｉｔ ） ｘｚ−Ｑ従って、ＦＬ
Ｃが第２の媒体を含むなら、その分子方向における電気
的に誘発された変化は非正常先に影響を及ぼす光学軸方
向および屈折率ｎＬにおける変化を生じる。屈折率ｎＬ
における変化は伝播方向マ」における変化を引起こし、
光学軸方向における変化は、この方向はそれが光学軸に
沿っであるいはそれに対して垂直に伝播しない限り非正
常先のための波伝播に平行でないので先エネルギが流れ
る光線および方向において更に変化を引起こす。 この方向変化効果の例として、第１の媒体がガラスで第
２の媒体が第１４ａ図か第１４ｂ図のいずれかに示され
るようにインターフェースに平行なスメクティック層を
具備するＦＬＣであるようにする。Ｘ軸に平行あるいは
平行でない供給電界によって選択されたＦＬＣの２つの
状態は層法線から角度士Ｆｏ（第１４ａ図）またはーマ
０ （第１４ｂ図）のいずれかでそれらの光学軸をＨす
る。ｙ軸に平行な偏光によるこのインタフェース上の垂
直な光入射は変えられないその伝播方向を有してインタ
ーフェースを横切って伝達されるが、非正常光線は屈折
され、屈折の方向は２つのＦＬＣ状態の選択されたもの
に依存する。ｎｏ＜ｎｏに対して・通常ＦＬＣについて
のケースのように、屈折光線は光学軸と同じ側の２軸上
に存在する。 第１５図はこの方向変化原理の別の例を示す。第１５図
において両方の媒体は入射平面への垂線から同じ角度δ
で傾斜されたそれらの層を具備するＦＬＣであり、ｙ軸
に対する同じ角度αで入射の平面と交差する。もしディ
レクタ状態が両方の領域において同じであるなら、光学
軸方向は両方の領域において同じであり、（破線光路に
よって示されるように）入射の角度にかかわらず反射あ
るいは屈折は存在しない。他方で、もしＸ軸に沿って供
給された電界が２つの領域における異なるディレクタ状
態を選択したなら、インターフェースを横切る光学軸に
おける変化が存在し、非正常光線の屈折が再び発生する
。 第１５図の原理を利用する方向変化装置の特に簡単な実
施例は第１ｅａ図において図式化されている。 破線は、ＦＬＣディレクタ方向が両方の領域にわたって
同じであるときの入射光路を示す。しかしながら、電極
１６１へ供給された電圧は異なる方向を選択選択したと
き、非正常先は実線路に従ってもとの経路から移動され
た電極領域から出てくる。 もう１つの簡単な実施例は第１６ｂ図に示されている。 再び、ＦＬＣディレクタ方向は全体にわった同じである
とき、入射光は直線路（破線）に沿って進む。電極１６
２の下のディレクタ状態が周囲の領域におけるそれとは
異なるように選択されたとき、、伝達された非正常光線
は実線に従い、変えられた方向で電極から出る。従って
、ＦＬＣ領域の反対側の面が平行であるなら（第１ｅａ
図）、光はそのもとの経路から変位される。しかしなが
ら、もし反対側の面が水平でないなら、この入射光の方
向は変えられることができる。 方向変化効果は入射光が第９図を参照して先に与えられ
た導波体原理によってＦＬＣ板中を伝播するように制限
された装置において利用される。 また第１１図を参照して記載されたように、光は液晶中
を伝播する必要はなく、これらの効果がまたＦＬＣがよ
り高い屈折率の導波体のためのクラッディングであるよ
うな形態で達成されることを許容する。 １１、ＦＬＣ電気−光学スイッチの構成セクション１は
本発明に従って電気−光学スイッチング効果を達成する
ため強誘電体液晶を使川される様々な幾何学的形態に関
するものであっ、た。 このセクションでは、このような装置を構成し操作する
ための方法が説明されている。説明される技術のほとん
どは米国特許第４，５４３，０５９号明細書において既
に開示されたＳＳＦＬＣ装置に等しく適用できる。 本発明の好ましい実施例に従ったＦＬＣセルの一般的な
原型が第１７図に断面図で示されている。 ＦＬＣセル１７０は２つのガラスプレート（またはその
他の適当な誘電体媒体）１７２と１７３との間の間隙へ
封鎖される。間隙の縁は間隙空間を定めるようにするス
ペーサガスケット１７４によって密閉される。分配され
たスペーサ粒子１７５およびスペーサパッド１７Ｂは更
に間隙空間を定める。ガラスプレート１７２および１７
３は電極へパターン化された導電層１７７および１７ｇ
によって被覆され、このプレートは更にＦＬＣ層を方向
づけるため摩擦されたポリマ一層１７９によって彼覆さ
れる。これらの素子の各々の材料組成は以下に論議され
る。 合成される第１の既知の強誘電体液晶材料は文献（Ｍａ
ｙｅｒ等、Ｌ ｅ Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｄｅＰ ｈｙｓ
ｉｑｕｅ 。 ｍ３８巻、ｐｐ、 Ｌ−６９−７１，１９７５）に記
述され、ＤＯＢＡＭＢＡＣとして市販されている（ｐデ
シロキシベンジリデン ｐ−アミノ ２−メチルブチル
シナメート）。ここに説明された装置の全てはＤＯＢ
ＡＭＢＣから作られることができるけれども、それは本
発明において使用するためには望ましくないようにする
といういくつかの欠点を表わす、第１に、ＤＯＢＡＭＢ
Ｃにおける強誘電体相が通常の大気の温度以上の温度で
発生するので、この装置はほとんどの環境で外部的に加
熱される必要がある。第２に、ＤＯＢＡＭＢＣは化学的
に安定せず、Ｃ−Ｎ結合の加水分解を生じやすい。従っ
て、はとんどの動作状態下で、ＤＯＢＡＭＢＣは、不都
合に短い期間後に分解して材料がもはや強誘電体液晶相
を表わさない。 現在の時点で、非常に改良された特性を有する多くのそ
の他のＦＬＣ材料が多数の供給源から市販されており、
いくつかの異なる化合物を混合することによって、有効
な環境にわたる広い温度範囲を有する材料が得られる。 更に、化学的に安定した成分を使用することによって、
合成混合物は時間の経過によって明らかに分解されない
こともまた確実に可能である。例えば、市販されている
混合物ＣＳ −１０１４（Ｃｈｉｓｓｏ社）は本発明の
電気−光学スイッチング装置の構成において使用される
。しかしながら、その他の強誘電体液晶材料も動作状態
に応じて使用できる。 ＦＬＣは本質的に部分的に流動体であるので、液晶（Ｌ
Ｃ）セルは材料を包含するように構成されなければな
らない。加えて、ＬＣセルはまた不可欠な電極およびア
ライメント層１７９を支持するために適切な手段を設け
られなければならない。 例によって説明すると、第１７図においてＬＣセル１７
０は平面ＦＬＣ層１７１を包囲するものとして示されて
いる。この平面ＦＬＣ層は２つの固体誘電体材料１７２
および１７３（様々なシリケートガラスから形成された
透明なガラスプレートまたは透明な柔軟なポリマから形
成されたプレートあるいはその他の誘電体材料のプレー
トであっても良い）を配置することによって包囲される
が、それはＦＬＣを包含するための間隙が平行な面の間
に定められるように互いに向かう平面を具備する。面の
間の間隙は間隙の縁に沿って所望された厚さの離間ガス
ケット１７４を配置し、ギャップ全体にわたってスペー
サ１７５および１７ｇを分配することによって定められ
る。離間ガスケット１７４はまた密封材料から形成され
ＦＬＣの密閉に使川される。 スペーサ１７５および１７６は多数の技術によってプレ
ート１７２および１７３の平面上に取付けられる。 例えば、このスペーサはＳｉＯのようなＦＬＣに対して
不活性な材料を蒸発させることによって、あるいはポリ
アミドのようなポリマのスピン−オン（ｓｐｕｎ−ｏｎ
）層をプレート面上にパターン化することによって形
成されても良い。その代わりに、スペーサはグラスファ
イバあるいはポリマ球のような堅い粒子から構成されて
も良く、それは液晶材料中に分配されるものである。 ＦＬＣ材料夏７１は様々な方法でプレートの間のＥ隙へ
誘導される。間隙が小さい（数百ミクロン以下）とき、
間隙を部分的に満たす液体はそれを更に間隙中へ流す大
きい毛細管力を加えられる。 従って、もしセルがＦＬＣ材料をその等方性液体相に入
れるのに充分高い温度へ加熱されるなら、間隙の縁部に
置かれた材料は間隙が満たされるまで間隙内へ流れる。 充填の前に間隙から空気を排気することもまた充填手続
を加速するため使用される。 セクション１において記載されたように、本発明はＦＬ
Ｃ層の幾何学的形態、供給された電界、および分子方向
に依存するい（つかの有効な電気−光学スイッチング特
性を有する。第３図乃至第１６図において示されるよう
に、例えば、本発明の異なる実施例の各々はスメクティ
ック層が選択された方向に対して予め決められた角度で
配列されることを必要とする。このスメクティック層配
列は様々な異なる方法によって達成される。例えば、第
１１図において示されるように、異方性被ｓ７１７９は
、ネマティック液晶を整列するために通常使川されるも
のと同様の方法で境界プレート１７２および１７３のい
ずれか一方または双方へ加えられてもよい。このような
被覆のい−くつかを生じるためのいくつかの技術は文献
（Ｊ 、 Ｓ 、 Ｐ ａｎａｌ等、Ｆ ｅｒｒｏｅｌ
ｃＬｒｌｅｓｌ第５９巻、ｐｐ、 １３フー１４４．
１９８４年、およびＪ、Ｓ、Ｐａｔｅ１等、Ｊ ｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡ ｐｐＨｅｄ Ｐ ｈｙｓｌｃｓｌ第
５９巻、Ｎｏ、７．１９６６年４月１１１、ｐｐ、 ２
３５５−ＧＯ）に記述されている。 層を整列するためのもう１つの方法は第１８図に示され
ている。図示されたように、弱い切断張力がスメクティ
ック層を方向づけるためＦＬＣセル１７０へ加えられる
。この技術のため、ＦＬＣセル１７０は２つのやや柔軟
なプレートから成り、ローラ１ｇ１ 、１８２ 、１１
１３ 、１８４および１ ｇ−５の各々の間を通過し、
それらローラは交互にオフセットされ反対方向に回転す
る。セルの結果として生じる波動はスメクティック材料
の層をプレートの動きの方向に平行な向きの切断張力を
生じる。必要な張力を生じるためのその他の既知の手段
もまた本発明の技術的範囲内で使用できる。 −第１
１図を再び参照すると、本発明のＦＬＣセル１７０は電
界をＦＬＣセル１７１へ供給するための手段を必要とす
る。電圧をＦＬＣセル１１０へ供給するための簡単な技
術は境界プレート１７２および１７３へ取付けられた導
電層１１１および１７ｇを使用するものである。これら
の導体を使用して、電界は各境界表面１−７２と１７３
との間に電圧を供給することによってＦＬＣ層を横断し
て供給される。更に、第７図ａ乃至第７図ｄにおいて示
される実施例におけるようにＦＬＣ層に平行な電界が要
求されるときには、電圧は同じ境界プレート上の２つの
隣接する電極間に供給される。導電層１１１および１７
ｇはアルミニウムのような金属の薄い層（例えば、厚さ
ｔｏｏｏ人）の真空蒸着によって構成される。加えて、
光が導電領域を通過することが所望されるとき、酸化イ
ンジウム−錫のような透明な導体が既知ｐ方法を使用す
る真空付着によって境界プレートに代わりに施される。 多数の手段がＦＬＣディレクタ方向を変えるためには必
要とされる電圧を生じるため使川されるけれども、光に
よって制御される手段は本発明の装置の電気−光学スイ
ッチング機能のため特に有利である。スイッチング電圧
を発生するための望ましい手段は先起電装置ｔｐｖＤ）
を照射する光から電力を発生する。典型的なＰＶＤは０
．５乃至１．５ｖの電圧を発生するけれども、しかしな
がら、これらの電圧は実−際の厚さく＞ｌ１ｍ）のＦＬ
Ｃ層にわたって供給されるとき切換えを生じることがで
きるような充分な大きさはやっと得られる程度である。 幸いに、大きい電圧を得るための多数の既知のＤＣ−Ｄ
Ｃ変換方法が存在する。 ８０％以上の効率を伴って動作するＤＣ−ＤＣ変換器は
この目的に容易に利川できる。 ＰＶＤから高電圧を得るためのもう１つの簡単な方法
は電気的に直列に接続されるいくつかのＰＶＤを同時に
照明することである。シリコンＰＶＤのモノリシック配
列は所望されるなら１０Ｖ以上の有効な電圧を与えるよ
うに第１９ａ図に示されるように直列に接続されても良
い。 ＦＬＣ装置の両面１品１に生じる電圧を供給することニ
ヨって、ＦＬＣの分子状態のスイッチングは入射光に対
して単独に反応して実行される。第１９ａ図において示
されるように、２つの直列接続多重素子Ｐ Ｖ Ｄは各
々プレート１９３および１９４の表面上の電極１９１お
よび１９２にわたって反対の極性で接続され、ＦＬＣ材
料１９５の分子方向をかえる。 ＰＶＤは適切な電圧極性をセルへ供給するため反対側の
源から入射光を検出するように配列される。 例えば、光がＰＶＤ Ｂは照射せずＰＶＤ Ａだけ
を照射するとき、正の電圧はＦＬＣ装置にわたって生成
され、それによってそれを第１の光学状態へ切換える。 しかしながら、ＰＶＤ Ａではな（ＰＶＤ Ｂを光
が照射するときには、負の電圧がＦＬＣ装置にわたって
生成され、それによってそれを第２の光学状態へ切換え
る。この方法で、ＦＬＣは光の照射によって単独に２つ
の状態間で切換えられる。 ＰＶＤによって付勢されるＦＬＣを使用する光学スイッ
チング装置はスイッチングのための低電圧および低電力
要求のため特に有利であり、適切な量の光は切換えを行
うためＰＶＤを照射する必要がある。装置付勢領域のＦ
ＬＣ装置を切換えるため必要とされる電荷量は２Ｐであ
り、Ｐは強誘電体−光である。一般的な材料についての
Ｐの値は１０ｎＣ／ｃｍのオーダー上にある。一般的な
ｐ ｖ ｏ ｊｉ入射光のワット当り０．５Ａを生じ、
光エネルギの２Ｘ１０−Ｊのみが、１０の係数が不可欠
な電圧増加に対して許容されるならセンチメータ平方Ｆ
ＬＣ装置を切換えるのに充分な電気エネルギを生じる必
要がある。 その他の技術は第１９ｂ図において示されるようにＰＶ
Ｄを使用するＦＬＣスイッチング装置を制御するため使
用される。図示されるように、供給電圧を反転するため
の単独Ｐ Ｖ Ｄ ｌｌおよびアナログＦＥＴスイッチ
１９７はＦＬＣへ供給された電圧を切換えるため使用さ
れる。充分な電力はＦＥＴアナログスイッチ１９７を付
勢するためＰ Ｖ Ｄ １９８から得られ、境界プレー
ト１９３および１９４上の電極１９１および１９２へ供
給される電圧の極性を変える。制御回路１９８は受取ら
れた光に依存するＦＬＣの状態を制御するため使用され
る。 加えて、Ｐ Ｖ Ｄ １９（ｉを照射する光はＦＬＣ装
置の様々な人力および出力ポートから分離したポートか
ら供給されるか、あるいはＦＬＣ装置−のポートの１つ
はＰ Ｖ Ｄ １９（ｉへ光を供給するため少なくとも
一部使用される。 第１９ｂ図の装置が動作するとき、光はＰ Ｖ Ｄ １
９６によって検出され、ＦＬＣの両面間に供給された電
圧の符号はＦＥＴアナログスイッチ１９７によって反転
される。スイッチ１９７およびＦＬＣ装置の状態は制御
回路１９８の状態によって制御される。例えば、制御回
路１９ｇは、入射光ビームがＩｆ ｆｊｍＪ的に遮断さ
れるときは常に状態を変えるように入射光によって制御
される。この方法において、ＦＬＣは複雑な外部スイッ
チング制御回路を使用することなく状態を切換えるよう
にされる。 本発明の多数の実施例が先に詳細に説明されたけれども
、当業者にとって本発明の新しい技術および利点から実
質的に外れることな〈実施例の多数の付加的修正が可能
である。従って、全てのこのような修正は特許請求の範
囲に定義されるように本発明の技術的範囲内に含まれる
ことを意図されている。
第１図はスメクティックＣ☆液晶材料の幾何学的形態の
概略図表現である。 第２図は異方性媒体間のインターフェースでの反掬（お
よび屈折の一般的な幾何学的形態の概略的表現である。 第３ａ図乃至第３ｄ図は低いおよび高い屈折率を偏光さ
れた入射光に与えるディレクタ状態を伴うＦＬＣ誘電体
インターフェースの概略的表現である。 第４ａ図乃至第４ｄ図はＦＬＣが２つのガラスプリズム
１０１の薄い板であるような車路ＦＬＣスイッチの概略
図である。 第５ａ図および第５ｂ図は人力光の偏光を感知しない復
路ＦＬＣスイッチの概略図である。 第６図はＦＬＣ１一人力、４−出力スイッチの概略図で
ある。 第７ａ図乃至第７ｄ図は、第１の状態において分子がイ
ンターフェースに対する法線に平行にむけられ、第２の
状態において分子がインターフェスに平行であるような
インターフェースに対する角度δでスメクティック層を
具備する誘電体−ＦＬＣインターフェースの概略的図で
ある。 第８ａ図乃至第８ｃ図は光が導波体から入射され、一方
の導波体からもう一方へ切換えられるようなスイッチン
グ装置の概略図である。 第９ａ図乃至第９ｃ図はＦＬＣ−ＦＬＣインターフェー
スを有するスイッチの概略図である。 第１０図は、入力光が複数の光学出力の１つのへ選択的
に進められるように配列された第９図を参照して示され
る複数のＦＬＣ−ＦＬＣインターフエースを具備するマ
トリックススイッチの概略図である。 第１１図は第９図を参照して示されたＦＬＣ−ＦＬＣイ
ンターフェースを使用する導波体スイッチの概略図であ
る。 第１２ｂ図および第１２ｂ図は第３図におけるようにス
メクティックーＦＬＣインターフェースの概略図であり
、伝達されたおよび反射された光の強度が連続的方法で
制御されるような非均質なＦＬＣ方向を表わす。 第１３ｂ図および第１３ｂ図は第１２図におけるように
誘電体−ＦＬＣインターフェースの概略図であるが一人
射光がインターフェースにわたって伝達され、強い供給
電界がないディレクタ方向に従う表面で異なる好ましい
とされる分子方向を有する。 第１４ｂ図および第１４ｂ図は、入射光がＸ軸に平行な
対向する電界を供給することによって選択された２つの
異なる方向に屈折される方向変化特徴を使川する誘電体
−ＦＬＣインターフェースの概略図である。 第１５図はＦＬＣ−ＦＬＣインターフェースを生じる第
１４図を参照して示された方向変化原理の概略的表現で
ある。 第１ｅａ図および第ｔａｂ図は第１４図を参照して示さ
れる方向変化原理を利川する方向変化装置の概略図であ
る。 第１７図は本発明の好ましい実施例のＦＬＣセルの概略
図である。 第１８図は切断張力をＦＬＣへ加えるスメクテイック層
の配列を生じるための手段の概略図である。 第１９ｂ図および第１９ｂ図は入射光からＦＬＣによっ
て使川されるスイッチング電圧を生じるための装置の概
略図である。 １１、１２．１３．１４・・・ポート、１５・・・光源
、４０・・・ＦＬＣ材料、４２．４３−・・ガラスプリ
ズム、５０．５１・・・減速器、６１・・・出力、６３
．６４・・・電極、８１・・−ＦＬＣ板、８２・・・低
屈折材料、８３．８４． ＩＩｓ、 ８Ｂ・・・電極、
８７・・・インターフェース、１６１・・・電極、１７
０・・・ＦＬＣセル、１７１・・・平面ＦＬＣ層、１７
２ 、１７３・・・プレート、１７４・・・離間ガスケ
ット、１７５ 、１７６・・・スペーサ、１７７ 、１
７８−・・誘電層、１８１ 、１１１２ 、１８３ 、
１８４−・・ローラ、１９１ 、 １９２・・・電極、
１９３ 、 １９４・・・プレート、１９５−Ｆ Ｌ
Ｃ材料、１９Ｇ−Ｐ Ｖ Ｄ 、１９７−アナログＦＥ
Ｔスイッチ、１９８・・−制御回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｒぺ Ｊ ７ °Ｉ １ 頃テ ４ ハ 女 ｌ。 ト １Ｆ４；７ ｈ＼ ７＼ ／冫４Ｗ −六 、− 内 −１１：＾− 七／′ 徒〜 １ １１＼ ＼ ｌ／レヘゝ− ＼ ↑ １ハ 、＼Ｏ ｈ（ｈコー １ 斃 １１い い Ｗ１．＼・ １ｘ１ ｊ 汝 ＼１７″蒜 ８ Ｘ−／１ ＼ｒｉ” ！、＜ ９−八ｔＪ 交 ＼１ （（。 ＼ ＼Ｉ／ ” 火 ４ ｇ ／ １ １ｄ −一一 １１机 、ト？ 路 ＼ １卜
概略図表現である。 第２図は異方性媒体間のインターフェースでの反掬（お
よび屈折の一般的な幾何学的形態の概略的表現である。 第３ａ図乃至第３ｄ図は低いおよび高い屈折率を偏光さ
れた入射光に与えるディレクタ状態を伴うＦＬＣ誘電体
インターフェースの概略的表現である。 第４ａ図乃至第４ｄ図はＦＬＣが２つのガラスプリズム
１０１の薄い板であるような車路ＦＬＣスイッチの概略
図である。 第５ａ図および第５ｂ図は人力光の偏光を感知しない復
路ＦＬＣスイッチの概略図である。 第６図はＦＬＣ１一人力、４−出力スイッチの概略図で
ある。 第７ａ図乃至第７ｄ図は、第１の状態において分子がイ
ンターフェースに対する法線に平行にむけられ、第２の
状態において分子がインターフェスに平行であるような
インターフェースに対する角度δでスメクティック層を
具備する誘電体−ＦＬＣインターフェースの概略的図で
ある。 第８ａ図乃至第８ｃ図は光が導波体から入射され、一方
の導波体からもう一方へ切換えられるようなスイッチン
グ装置の概略図である。 第９ａ図乃至第９ｃ図はＦＬＣ−ＦＬＣインターフェー
スを有するスイッチの概略図である。 第１０図は、入力光が複数の光学出力の１つのへ選択的
に進められるように配列された第９図を参照して示され
る複数のＦＬＣ−ＦＬＣインターフエースを具備するマ
トリックススイッチの概略図である。 第１１図は第９図を参照して示されたＦＬＣ−ＦＬＣイ
ンターフェースを使用する導波体スイッチの概略図であ
る。 第１２ｂ図および第１２ｂ図は第３図におけるようにス
メクティックーＦＬＣインターフェースの概略図であり
、伝達されたおよび反射された光の強度が連続的方法で
制御されるような非均質なＦＬＣ方向を表わす。 第１３ｂ図および第１３ｂ図は第１２図におけるように
誘電体−ＦＬＣインターフェースの概略図であるが一人
射光がインターフェースにわたって伝達され、強い供給
電界がないディレクタ方向に従う表面で異なる好ましい
とされる分子方向を有する。 第１４ｂ図および第１４ｂ図は、入射光がＸ軸に平行な
対向する電界を供給することによって選択された２つの
異なる方向に屈折される方向変化特徴を使川する誘電体
−ＦＬＣインターフェースの概略図である。 第１５図はＦＬＣ−ＦＬＣインターフェースを生じる第
１４図を参照して示された方向変化原理の概略的表現で
ある。 第１ｅａ図および第ｔａｂ図は第１４図を参照して示さ
れる方向変化原理を利川する方向変化装置の概略図であ
る。 第１７図は本発明の好ましい実施例のＦＬＣセルの概略
図である。 第１８図は切断張力をＦＬＣへ加えるスメクテイック層
の配列を生じるための手段の概略図である。 第１９ｂ図および第１９ｂ図は入射光からＦＬＣによっ
て使川されるスイッチング電圧を生じるための装置の概
略図である。 １１、１２．１３．１４・・・ポート、１５・・・光源
、４０・・・ＦＬＣ材料、４２．４３−・・ガラスプリ
ズム、５０．５１・・・減速器、６１・・・出力、６３
．６４・・・電極、８１・・−ＦＬＣ板、８２・・・低
屈折材料、８３．８４． ＩＩｓ、 ８Ｂ・・・電極、
８７・・・インターフェース、１６１・・・電極、１７
０・・・ＦＬＣセル、１７１・・・平面ＦＬＣ層、１７
２ 、１７３・・・プレート、１７４・・・離間ガスケ
ット、１７５ 、１７６・・・スペーサ、１７７ 、１
７８−・・誘電層、１８１ 、１１１２ 、１８３ 、
１８４−・・ローラ、１９１ 、 １９２・・・電極、
１９３ 、 １９４・・・プレート、１９５−Ｆ Ｌ
Ｃ材料、１９Ｇ−Ｐ Ｖ Ｄ 、１９７−アナログＦＥ
Ｔスイッチ、１９８・・−制御回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｒぺ Ｊ ７ °Ｉ １ 頃テ ４ ハ 女 ｌ。 ト １Ｆ４；７ ｈ＼ ７＼ ／冫４Ｗ −六 、− 内 −１１：＾− 七／′ 徒〜 １ １１＼ ＼ ｌ／レヘゝ− ＼ ↑ １ハ 、＼Ｏ ｈ（ｈコー １ 斃 １１い い Ｗ１．＼・ １ｘ１ ｊ 汝 ＼１７″蒜 ８ Ｘ−／１ ＼ｒｉ” ！、＜ ９−八ｔＪ 交 ＼１ （（。 ＼ ＼Ｉ／ ” 火 ４ ｇ ／ １ １ｄ −一一 １１机 、ト？ 路 ＼ １卜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）第１の誘電体と、 複数の隣接して配置された分子層を有し、単位ベクトル
分子ディレクタフィールド■、および前記ディレクタフ
ィールドによって決定された屈折率とを含む強誘電性液
晶（ＦＬＣ）を具備し、前記液晶がそれらの間に境界を
形成するように、前記第１の誘電体に隣接して配置され
ている第２の誘電体と、 電界が前記層に平行な成分を有し、前記ディレクタフィ
ールドの方向を変えるのに充分な強度を有し、前記ディ
レクタフィールド方向変化が更に前記第２の誘電体の前
記屈折率における変化を生じるように、前記第２の誘電
体へ電界を供給するための手段と、 前記ディレクタフィールドにおける変化が前記入射光が
前記境界と相互に作用するような方法で変化を引起こす
ように、前記境界上に入射される光を導くための手段と
を含む液晶電気−光学スイッチング装置。 （２）前記入射光と前記境界との相互作用が前記入射光
の一部を反射させ、前記ディレクタフィールドにおける
変化が前記反射された光の強度における変化を生じさせ
る請求項１記載の装置。 （３）前記電界が前記境界に垂直に供給され、前記電界
によって選択された前記ディレクタフィールドの第１の
状態において、ディレクタフィールドは更に前記光の入
射の平面と前記境界の両方に平行な方向に対して更に平
行に近づき、前記入射光の実質的な全反射を引起こし、
そのため、前記反射された光の強度は前記入射光の強度
に実質的に等しく、実質的に前記境界を横切って伝達さ
れる光はなく、前記電界によって選択された前記ディレ
クタフィールドの第２の状態において、ディレクタフィ
ールドは前記第１の状態におけるディレクタフィールド
より前記入射光の入射平面および前記境界の両方に平行
な方向に対して平行でない方向になり、それによって前
記入射光の全反射を実質的に少なくし、そのため前記入
射光のかなりの部分は前記境界を通って伝達される請求
項２記載の装置。 （４）第３の誘電体を含み、前記第１および第３の誘電
体が複数のプリズム面を含むプリズムであり、前記ＦＬ
Ｃが前記第１および第３の誘電体の各々のプリズム面の
選択されたものの間の板として配置され、前記電界が前
記選択された面に垂直に供給される請求項３記載の装置
。 （５）前記プリズムがガラスからできている請求項４記
載の装置。 （６）前記プリズムの少なくとも１つを通過する前記入
射光の偏光成分が、前記強誘電性液晶を通過するとき非
正常光線を生成し、前記少なくとも１つのプリズムにお
ける前記偏光成分に影響を及ぼす屈折率が前記第２の方
向状態のための前記強誘電性液晶中の前記非正常光線に
影響を及ぼす屈折率にほぼ等しい請求項４記載の装置。 （７）前記少なくとも１つのプリズムの前記屈折率が前
記第２の方向状態のための前記強誘電性液晶における非
正常光線に影響を及ぼす屈折率に等しく、前記プリズム
および前記ＦＬＣ板が偏光ビーム分割器として動作し、
それが実質的に完全に２つの直交直線偏光成分を分離し
、偏光成分を伝達することによって任意の偏光状態の入
射光線を形成し、前記ＦＬＣ板中において非正常光線を
励起し、一方他方の偏光成分を反射する請求項６記載の
装置。 （８）前記プリズムの各々の前記複数のプリズム面の２
つが第１および第２の入射ポートを各々定め、それによ
って前記プリズムの各々の第１の入射ポート上の非偏光
入射が前記ディレクタフィールドの第１の状態にあると
き同じプリズムの第２の入射ポートへ前記ＦＬＣ板によ
って反射され、前記ディレクタフィールドの前記第２の
状態にあるとき前記ＦＬＣ板を経て部分的に伝達される
ような前記プリズムの各々に光を入れるまたは出すこと
を可能にし、前記反射光が第１の偏光を有し、同じプリ
ズムの第２の入射ポートへ反射され、前記伝達された光
が第２の偏光を有し、他方のプリズムの第２の入射ポー
トへ伝達される請求項６記載の装置。 （９）前記プリズムの各々の第１の入射ポート上の前記
第２の偏光入射光が前記ディレクタフィールドが前記第
１の状態にあるとき前記ＦＬＣ板によって同じプリズム
の第２の入射ポートへ反射され、前記ディレクタフィー
ルドが前記第２の状態にあるとき他方のプリズムの第２
の入射ポートへ前記ＦＬＣ板を経て伝達される請求項８
記載の装置。 （１０）前記プリズムの各々の第１の入射ポートが前記
ディレクタフィールドが前記第１の状態にあるとき同じ
プリズムの第２の入射ポートへ光学的に接続され、各プ
リズムの第１の入射ポートが前記ティレクタフィールド
が前記第２の状態にあるとき他方のプリズムの第２の入
射ポートへ光学的に接続される請求項９記載の装置。 （１１）前記第１の偏光を前記第２の偏光へ変え、前記
第２の偏光を前記第１の偏光へ変えるための前記プリズ
ムの光路中に配置される減速器を含み、それによって前
記第１および第２の偏光を同じ入射ポートを経て出力さ
せる請求項８記載の装置。 （１２）前記減速器の各々の減速は、前記プリズムの各
々の第１の入射ポート上の光入射が前記プリズムの各々
の第２の入射ポートで出力され、一方のプリズムの第２
のポートでの光出力の強度の、他方のプリズムの第２の
ポートでの光出力の強度に対する比率が前記減速器によ
って影響される減速量によって制御される請求項１１記
載の装置。 （１３）前記プリズムの一方は入射ポートを含み、他方
のプリズムは複数の光学出力ポートを含み、電界を供給
するための前記手段は更に前記選択されたプリズム面に
沿って予め決められた位置で選択的に供給されることを
許容し、前記入射ポート上の光入射が前記光学出力ポー
トの選択された１つで出力される請求項４記載の装置。 （１４）前記電界が前記境界に平行な方向で供給され、
前記複数の隣接して配置された分子層が前記境界に垂直
な線に関して角度δ（δ＜９０゜）で傾斜し、前記ディ
レクタフィールドが第１の電界によって前記境界に更に
直角に近い第１の状態において方向づけられ、もう一方
の状態において前記第１の電界と反対に向けられた第２
の電界によって前記境界に対してほぼ平行にされる請求
項２記載の装置。 （１５）δ＝４５゜である請求項１４記載の装置。 （１６）第３の誘電体を含み、前記第１および第３の誘
電体が複数のプリズム面を含むプリズムであり、前記Ｆ
ＬＣが前記第１および第３の誘電体の各々のプリズム面
の選択されたものの間に板として配置され、前記電界が
前記選択された面に対して垂直に供給される請求項１４
記載の装置。 （１７）前記プリズムの各々の前記複数のプリズムの２
つが第１および第２の入射ポートを各々定め、それによ
って、前記プリズムの各々の第１の入射ポート上の偏光
入射が前記ＦＬＣ板によって同じプリズムの第２の入射
ポートへ部分的に反射され、前記ディレクタフィールド
が前記第１の状態にあるとき前記反射された光が第１の
偏光を有し前記伝達された光が第２の一部を有し、前記
ディレクタフィールドが前記第２の状態にあるとき前記
反射された光が前記第２の偏光を有し前記伝達された光
が前記第１の偏光を有するように第２の入射ポートへ前
記ＦＬＣ板を経て部分的に伝達される請求項１６記載の
装置。 （１８）前記プリズムの各々の第１の入射ポートが、前
記ディレクタフィールドが前記第１の状態にあるとき同
じプリズムの第２の入射ポートへ光学的に接続され、各
プリズムの第１の入射ポートが前記ディレクタフィール
ドが前記第２の状態にあるとき他方のプリズムの第２の
入射ポートへ光学的に接続される請求項１７記載の装置
。 （１９）前記入射光の前記境界との相互作用により前記
入射光の一部を反射させ、前記ディレクタフィールドに
おける変化が前記反射光の偏光状態における変化を生じ
させる請求項記載の装置。 （２０）前記光の前記境界との相互作用が、前記反射光
の２つの直交偏光成分の強度における変化の大きさの差
のため前記反射された光の前記偏光状態における前記変
化を生じさせる請求項１９記載の装置。 （２１）前記光の前記境界との相互作用が、前記反射さ
れた光の２つの直交偏光成分の位相における変化の大き
さにおける差のため前記反射された光の前記偏光状態に
おける前記変化を生じさせる請求項１９記載の装置。 （２２）前記入射光と前記境界との相互作用が、前記入
射光の一部を前記境界を横切って伝達させ、前記ディレ
クタフィールドにおける変化が前記伝達された光の伝達
の方向における変化を生じさせる請求項１記載の装置。 （２３）前記第１の誘電体がガラスを含み、前記分子層
が前記境界に対して平行であり、前記電界が前記境界と
ほぼ平行に供給される請求項２２記載の装置。 （２４）ディレクタフィールドが、前記境界からの距離
ξ内の前記ＦＬＣの領域が第１の強誘電体偏光方向を仮
定し、前記境界からの距離ξより大きい距離での前記Ｆ
ＬＣの領域が前記第１の偏光方向と異なる第２の強誘電
体偏光方向を仮定するように前記境界に対する法線に依
存し、それによって前記ディレクタフィールドが第１お
よび第２の方向を各々ξ以下およびξ以上の前記境界か
らの距離で得るようにさせる請求項１記載の装置。 （２５）ξが［Ｋ／（ＰＥ）］＾１＾／２にほぼ等しく
、式中、Ｋは前記強誘電性液晶のオシーン−フランク弾
性定数に等しく、Ｐは強誘電性偏光の大きさに等しく、
Ｅは電界を供給するための前記手段によって供給される
電界の強度に等しい請求項２４記載の装置。（２６）電
界を供給するための前記手段が前記境界によって伝達お
よび反射された光の強度を連続的に変えるように電界Ｅ
の強さを連続的に変える手段を含む請求項２５記載の装
置。 （２７）前記第１の誘電体が複数の隣接して配置された
分子層、単位ベクトル分子ディレクタフィールド■、お
よび前記ディレクタフィールドによって決定された屈折
率を有する強誘電性液晶を含み、電界を供給するための
前記手段が第１の電界を前記第１の誘電体へ、また第２
の電界を前記第２の誘電体へ供給し、前記第１および第
２の電界が前記層に平行なかなりの成分と、前記第１お
よび第２の誘電体の前記ディレクタフィールドの方向を
変えるのに充分な強度とを有し、前記ディレクタフィー
ルド方向変化が更に前記第１および第２の誘電体の屈折
率における変化を生じる請求項１記載の装置。 （２８）前記入射光の前記領域との相互作用は前記入射
光の一部を反射させ、前記ディレクタフィールドの少な
くとも１つにおける変化が前記反射された光の強度変化
を生じさせる請求項２７記載の装置。 （２９）前記第１および第２の電界が前記第１および第
２の誘電体における同じディレクタフィールド状態を選
択するとき、前記入射光が前記境界を横切って実質的に
伝達され、前記第１および第２の電界が前記第１および
第２の誘電体における異なったディレクタフィールド状
態を選択するとき前記入射光が前記境界で実質的に反射
される請求項２８記載の装置。 （３０）複数の前記境界が、前記境界の各々からの前記
反射光および伝達光が前記第１および第２の電界の少な
くとも１つを変えることによって複数の光学路の１つへ
向けられるように配置される請求項２９記載の装置。 （３１）前記境界が、前記境界の各々で光入射が前記複
数の光学路の１つに沿って向けられるようにマトリック
ス中に配置される請求項３０記載の装置。 （３２）前記入射光の前記境界との相互作用が前記入射
光の一部を反射させ、前記ディレクタフィールドの少な
くとも１つにおける変化が前記反射された光の偏光状態
を変化させる請求項２７記載の装置。 （３３）前記第１および第２の境界プレートを含み、前
記第１および第２の誘電体が前記第１および第２の境界
プレートの間に隣接して配置され、それによって前記プ
レートと前記誘電体の各々の間に更に別の境界を生成す
る請求項２７記載の装置。 （３４）前記第１および第２の誘電体の１つを経る光入
射が前記更に別の境界で反射され、れによって前記第１
および第２の誘電体内に制限される請求項３３記載の装
置。 （３５）前記境界プレートの１つが更に前記誘電体に隣
接して配置された導波体層と、この導波体層に隣接した
基板とを備え、前記導波体および基板が前記導波体層の
ためのクラッディングを形成し、前記入射光もまた前記
導波体層を通って伝播し、前記導波体層がそれを経て伝
播する前記光が内部全反射によってそれの中に制限され
るような高い屈折率材料より構成される請求項３３記載
の装置。 （３６）前記光の前記境界との相互作用が前記光の一部
を前記境界を横切って伝達させ、前記ディレクタフィー
ルドの方向における変化が前記伝達された光の伝達方向
における変化を生じさせる請求項２７記載の装置。 （３７）複数の層中に配置された複数の分子および単位
ベクトル分子ディレクタフィールド■を含むチラル傾斜
されたスメクティック相の強誘電性液晶と、 それらの間の境界を形成するように前記強誘電性液晶に
関して配置された誘電体手段を含む前記強誘電性液晶を
含むための手段と、 前記層の所望された方向を得るため手段と、前記強誘電
性液晶へ前記ディレクタフィールドの複数の方向の間の
選択をする電界を供給する手段と、 前記光を前記ディレクタフィールド方向によって決定さ
れる方法で前記境界と相互作用させる前記境界に光を導
く手段とを含む液晶電気−光学スイッチング装置。 （３８）前記包含手段が更に、スペーシング手段を含み
、前記誘電体手段が互いに平行で、前記スペーシング手
段によって分離されている第１および第２の誘電体プレ
ートを含み、前記第１および第２の誘電体プレートおよ
びスペーシング手段が共に前記強誘電性液晶を包囲する
請求項３７記載の装置。 （３９）前記スペーシング手段が少なくとも１つのグラ
スファイバおよびポリマ球から形成されている請求項３
８記載の装置。 （４０）前記第１および第２のプレートが光学的に透明
な誘電体材料からできている請求項３８記載の装置。 （４１）前記誘電体材料がガラスである請求項４０記載
の装置。 （４２）前記第１および第２のプレートが透明で、柔軟
なポリマーからできている請求項４０記載の装置。 （４３）電界を供給するための前記手段が前記強誘電性
液晶および手段の近くに配置された複数の電極およびそ
の間の電圧差を生じるための前記電極へ電気的に接続さ
れる手段を含む請求項３８記載の装置。 （４４）前記電極が前記第１および第２のプレートの表
面へ取付けられた第１および第２の導電層を含む請求項
４３記載の装置。 （４５）前記第１および第２の導電層が共に同じプレー
トに取付けられている請求項４４記載の装置。 （４６）前記第１および第２の導電層が異なるプレート
に取付けられる請求項４４記載の装置。 （４７）前記第１および第２の導電層が透明である請求
項４４記載の装置。 （４８）電圧差を生じるための前記手段が光によって照
明されるとき電圧差を生じる光起電装置を含む請求項４
３記載の装置。 （４９）前記光起電装置が単一光起電素子によって生成
されるものより高い電力出力を発生するように接続され
た複数の低電力光起電素子を含む請求項４８記載の装置
。 （５０）前記光起電装置が第１および第２の群へ分割さ
れ、第２の群以外の第１の群の照明は前記電極間の前記
電圧差の第１の状態を生じるものであり、第１の群以外
の第２の群の照明は前記第１の状態と異なる前記電極間
の前記電圧差の第２の状態を生じる請求項４８記載の装
置。 （５１）電圧差を生じるための前記手段が、前記光起電
装置へ接続されるスイッチと、 前記電圧差の極性を反転するように前記スイッチの状態
を選択的に変えるための制御回路とを含む請求項４８記
載の装置。 （５２）前記光信号の存在が前記スイッチの状態におけ
る変化を生じるような光信号の存在を検出するための装
置を含む請求項５１記載の装置。 （５３）所望される方向のための前記手段が前記誘電体
手段の表面へ施された異方性被覆である請求項３７記載
の装置。 （５４）複数の隣接して配置された分子層、単位ベクト
ル分子ディレクタフィールドｎ、およびそれらの間の境
界を定めるように誘電体材料に隣接する前記ディレクタ
フィールドによって決定される屈折率を有する強誘電性
液晶を配置し、 前記層を所望される方向に整列させ、 前記電界における変化が前記ディレクタフィールドにお
ける変化を生じるように前記強誘電性液晶において電界
を生成するための手段を配置し、それによって前記屈折
率における変化を生成し、前記屈折率における前記変化
が前記光の前記境界との相互作用における変化を生じる
ように入射光に関して前記境界を配置する過程を含む、
液晶電気−光学スイッチング装置を形成するための方法
。 （５５）第１および第２の平坦な境界プレートを有する
包囲手段内に前記強誘電性液晶を配置し、前記プレート
上に導電手段を置き、 その間の間隙を定めるように互いに平行に前記プレート
を置き、 所望される厚さで前記間隙を維持するように前記間隙の
縁部の周囲に前記間隙全体にわたって分配されたスペー
シング手段を挿入する過程を含む請求項５４記載の方法
。 （５６）導電手段を配置する過程が、 前記プレートの各々の上に導電材料の薄い層を真空蒸着
させる過程を含む請求項５５記載の方法。 （５７）前記薄い層が透明であるように前記プレートの
各々の上に導電材料の薄い層を真空付着させる過程を含
む請求項５５記載の方法。 （５８）前記強誘電性液晶を前記包囲手段中に取付ける
前記過程が、 前記プレートおよび前記スペーシング手段を加熱し、 前記間隙から空気を排気し、 前記強誘電性液晶上に作用する毛細管力が前記間隙が満
たされるまで前記強誘電性液晶を前記間隙内へ流すよう
に前記間隙の縁部に前記強誘電性液晶を配置する過程を
含む請求項５５記載の方法。 （５９）前記層の整列の前記過程が、 前記プレートの少なくとも１つへ異方性被覆を施す過程
を含む請求項５５記載の方法。 （６０）前記層の整列の前記過程が、 前記プレートを通ることによって前記層に対する弱い切
断力を加え、前記スペーシング手段および前記間隙が反
対方向に回転するように交互にオフセットされて配置さ
れている複数のローラ間に強誘電性液晶を包含し、前記
層が前記ローラを通る前記プレートの動作の方向に平行
に方位を与えられる過程を含む請求項５５記載の方法。 （６１）前記プレートがガラスから形成される請求項５
５記載の方法。 （６２）前記プレートが透明で、柔軟なポリマによって
形成される請求項５５記載の方法。 （６３）前記プレート上に導電手段を置く過程が、前記
第１のプレート上に第１の導電手段を配置し、前記第２
のプレート上に第２の導電手段を配置し、そのため前記
第１および第２の導電手段との間の電圧差が前記プレー
トに垂直である前記強誘電性液晶内に電界を生じさせる
過程を含む請求項５５記載の方法。 （６４）前記整列過程が、 前記プレートに関して角度δで前記層を整列させ、前記
ディレクタフィールドが第１の方向にあるとき前記ディ
レクタフィールドが入射の平面および境界の両方に平行
な方向にほぼ平行に方位を定められ、前記ディレクタフ
ィールドが第２の方向にあるとき入射の平面および境界
の両方に平行な方向に対して平行ではないようにされる
過程を含む請求項６３記載の方法。 （６５）前記導電手段を前記プレート上に配置する前記
過程が、 同じプレート上に第１および第２の導電手段を配置し、
そのため前記第１と第２の導電手段との間の第１の電圧
差が前記プレートに対して平行に前記強誘電性液晶中に
第１の電界を生じ、前記第１の電圧差の反対の第２の電
圧差が前記第１の電界の反対に向けられた第２の電界を
生じる過程を含む請求項５５記載の方法。 （６６）前記整列過程が 前記プレートに関して角度δで前記層を配列し、前記デ
ィレクタフィールドが、前記第１の電界が供給されると
き前記境界に対してほぼ垂直にされ、前記第２の電界が
供給されるとき前記境界にほぼ平行にされる請求項８５
記載の方法。 （６７）δ＝４５゜である請求項６６記載の方法。 （６８）前記境界のいずれかの側部上のディレクタフィ
ールドが前記供給された電界によって独立的に制御され
るような単位ベクトル分子ディレクタフィールド■を有
する別の強誘電性液晶から前記誘電体を形成する過程を
含む請求項５４記載の方法。 （６９）前記強誘電性液晶に隣接する導波体層および前
記導波体層に隣接する基板を配置する過程を含み、前記
入射光が前記導波体層を経て伝播し、前記入射光の瞬時
フィールドが前記強誘電性液晶内に広がる請求項６８記
載の方法。 （７０）複数の隣接して配置された分子層と、それらの
間に境界を定めるように誘電体材料に隣接した単位ベク
トル分子ディレクタフィールドとを有する強誘電性液晶
を配置し、所望された方向で前記層を整列し、 前記強誘電性液晶に電界を供給し、前記電界中の変化が
前記ディレクタフィールドにおける変化を生じさせ、 前記ディレクタフィールド中の前記変化が前記光が伝達
される範囲における変化を生じる過程を含む、電気−光
学効果発生方法。 （７１）電界を前記強誘電性液晶に供給する前記過程が
、 光信号を検出し、 前記光信号における変化に応答して前記電界における変
化を生じる請求項７０記載の方法。 （７２）前記強誘電性液晶に電界を供給する前記過程が
、 光信号の存在を検出し、 前記光信号から第１の電界を生成し、他の外部電力を有
さず、 前記信号が検出されないとき第２の電界を生成する請求
項７０記載の方法。 （７３）前記強誘電性液晶へ電界を供給する前記過程が
、 第１の群の光起電装置を照明し、 前記第１の群が照明されるとき前記第１の群の装置の出
力から単独に第１の電界を発生し、第２の群の光起電装
置を照明し、 前記第２の群が照明されるとき前記第２の群の装置から
単独に第２の電界を発生する過程を含む請求項７０記載
の方法。 （７４）導波体を含む第１の誘電体と、 単位ベクトル分子ディレクタフィールド■および前記導
波体に隣接して配置される前記ディレクタフィールドに
よって決定される屈折率を有する液晶を含み、それによ
って前記導波体のためのクラッディング層を形成すると
共に前記導波体とクラッディング層との間の境界を形成
する第２の誘電体と、 前記電界が前記ディレクタフィールドの方向を変えるの
に充分な強度を有し、前記ディレクタフィールド方向変
化が更に前記第２の誘電体の前記屈折率における変化を
生じるように前記第２の誘電体へ電界を供給する手段と
、 前記ディレクタフィールド中の変化が前記入射光が前記
境界と相互作用する方法において変化を生じさせ、前記
導波体と前記クラッディング層との間の前記境界上に入
射されるように前記導波体を経て光を導く手段とを含む
液晶電気−光学スイッチング装置。 （７５）前記入射光の前記境界との相互作用が前記入射
光の一部を前記導波体から放射させ、前記ディレクタフ
ィールドにおける方向の変化が前記放射の速度における
変化を引起こす請求項７４記載の装置。 （７６）第１のディレクタフィールド方向に対して、前
記入射光の前記境界との前記相互作用が前記入射光を前
記放射速度がゼロであるように前記導波体内で内面全反
射させ、他方のディレクタフィールド方向に対して前記
放射速度がゼロより大きい請求項７５記載の装置。 （７７）前記第１の誘電体の導波体と、前記第１の誘電
体の前記導波体から放射される光が前記別の導波体上に
入射されるような前記液晶に関して配置されたもう１つ
の導波体とを含み、前記液晶はまた前記第１の誘電体の
前記導波体を経る光入射が前記液晶クラッディングを経
て前記もう１つの導波体へ結合されるように前記もう１
つの導波体をクラッディングし、前記ディレクタフィー
ルドにおける変化が前記導波体の間の前記放射光の結合
における変化を生じさせる請求項７５記載の装置。 （７８）前記導波体が互いに平行に配置された第１およ
び第２の境界プレートから各々成り、前記液晶が前記プ
レート間の仮として配置され、前記第１のプレートが前
記液晶に隣接して配置された高い屈折率の導波体層と、
前記導波管層に隣接した低い屈折率の基板とを含み、前
記第２のプレートが前記液晶に隣接して配置された高い
屈折率の導波体層と前記導波体層に隣接した低い屈折率
の基板とを含む請求項７７記載の装置。 （７９）前記電界が前記プレートに垂直な方向で供給さ
れ、前記電界によって選択された前記ディレクタフィー
ルドの第１の方向が前記入射光の入射面と境界の両方に
ほぼ平行に近いディレクタフィールド方向を有し、前記
電界によって選択された前記ディレクタの第２の方向が
前記入射光の入射面および境界に対してあまり平行では
ないディレクタフィールド方向を有する請求項７８記載
の装置。 （８０）前記電界が前記プレートに平行な方向で供給さ
れ、前記分子層が前記プレートに対する垂直面に関して
角度δ（０＜δ＜９０゜）で傾斜され、前記ディレクタ
フィールドが第１の電界によって前記プレートに対して
ほぼ垂直な第１の方向に向けられ、前記第１の電界と反
対方向の第２の電界によって前記プレートに対してほぼ
平行なもう１つの方向に向けられる請求項７８記載の装
置。 （８１）前記導波管の各々が更に複数の導波体チャンネ
ルへ分割され、前記第１のプレート上の前記チャンネル
の各々が前記第２のプレート上の前記チャンネルの各々
にオーバーラップし、電界を供給する前記手段が更に、
前記導波体の１つの前記チャンネルにおける光入射が他
方の導波体の前記チャンネルの選択されたものへ結合さ
れるように前記チャンネルのオーバーラップ位置におい
て前記電界が選択的に供給されることを許容する請求項
７８記載の装置。 （８２）前記液晶がチラル傾斜されたスメクティック相
の強誘電性液晶からなる請求項７４記載の装置。
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