JPH02117165A - 電子部品装置 - Google Patents

電子部品装置

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JPH02117165A
JPH02117165A JP26940788A JP26940788A JPH02117165A JP H02117165 A JPH02117165 A JP H02117165A JP 26940788 A JP26940788 A JP 26940788A JP 26940788 A JP26940788 A JP 26940788A JP H02117165 A JPH02117165 A JP H02117165A
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JP
Japan
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narrow part
inner lead
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semiconductor
element loading
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Pending
Application number
JP26940788A
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Inventor
Yoshiaki Sano
義昭 佐野
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 電子部品装置、例えば半導体チップを搭載した素子搭載
板を複数個有する半導体装置等に関し、チップ接合用半
田が素子搭載板の表面に広がってワイヤボンディングが
不可能となることを防止することを目的とし、 半導体素子または回路素子と、該半導体素子または回路
素子がろう付けにより搭載された導電性材料よりなる素
子搭載板とを有し、該素子搭載板には挟小部を介して該
挟小部から曲げられて延びる内リードが設けられ、該内
リードの該挟小部から離れた部分に細状配線が接続され
てなるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子部品装置、例えば半導体チップを搭載した
素子搭載板を複数個有する半導体装置等に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置は打抜き等により成形したリードフレームに
鑞材に対するぬれ性及びAu 、 AI等のワイヤに対
する接合性の良いNi 、 Ag等のめっきを行い、そ
のリードフレームへ半導体チップを搭載し、ワイヤ接合
後樹上封止を行っている。最近の半導体装置の複合化、
多素子化、付加機能化等によりワイヤ配線接合は第3図
に示すように半導体チ・ノブ表面電極のみでなく、素子
搭載板を兼ねたリード部分からも必要となる場合がある
第3図は従来の半導体装置の1例であるSIP型トラン
ジスタアレイを示す図であり、(a)は平面図、(b)
は回路図である。これはモータドライブ回路に用いられ
るものであり、トランジスタ1.2を別々に半田付けし
て搭載した2個の素子搭載板3,4と、電流の流れ方向
を互いに逆向きに接続した2個のダイオード5.6を搭
載した別の素子搭載板7とが基板8上に設けられ、トラ
ンジスタ1.2を搭載しそのコレクタCを兼ねた素子搭
載板3.4にダイオード5,6のそれぞれの一方の電極
がワイヤ9,9′により配線接続され、トランジスタ1
,2のベース及びエミッタはそれぞれ端子B、Eに配線
接続されて構成されており、モータ停止時に逆起電力を
ダイオード5゜6によりバイパスさせることができるよ
うになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来の半導体装置では、トランジスタ1゜2を素子
搭載板3,4に鑞付けするとき、鑞材10がワイヤ接合
部分まで広がりワイヤ9,9′の超音波併用熱圧着によ
るボンディングが不可能になる場合がある。この対策と
して、第4図(a)に示すようにワイヤ接合部をトラン
ジスタ1.2から遠い部分にずらすか又は、第4図(b
)に示すように鑞材の広がりを防止するために鑞材に対
するぬれ性の悪い材料11を塗布又はめっきを剥離する
ことが考えられる。しかし前者は、鑞材の広がりが進行
する場合があり完全な対策とはならず、後者は工数増加
となり量産的ではない。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、チップ等の接合用鑞
材が素子搭載板の表面に広がってワイヤボンディングが
不可能となることを防止した電子部品装置を提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半
導体素子または回路素子21と、該半導体素子または回
路素子21がろう付けにより搭載された導電性材料より
なる素子搭載板23とを有し、該素子搭載板23には挟
小部26を介して該挟小部26から曲げられて延びる内
リード27が設けられ、該内リード27の該挟小部26
から離れた部分に細状配線28が接続されてなることを
特徴とする。
〔作 用〕
素子搭載板23に挟小部26を介して挟小部26から曲
げられて延びる内リード27を設け、内リード27の挟
小部26から離れた部分に細状配線28を接続するよう
にしたことにより、該素子搭載板23に半導体素子また
は回路素子21を搭載するとき、鑞材の広がりは前記挟
小部26で阻止され内リード27の細状配線28が接続
される領域には及ばないため、その領域にはめっき面が
露出しており、超音波併用熱圧着によるワイヤボンディ
ング等が可能となる。
〔実施例〕
第1図は本考案の実施例を示す図である。
同図において、20は絶縁基板、21 、22は半導体
素子、23 、24は素子搭載板、25は端子、26は
素子搭1a板に設けられた挟小部、27は内リードであ
る。
本実施例は同図に示すように半導体素子21としてのト
ランジスタがそれぞれ搭載された2個の素子搭載板23
と、半導体素子22としてのダイオードが搭載された素
子搭載板24とが基板20の上に設けられ、半導体素子
21の電極から端子25に配線接続していることは第3
図で説明した従来例と同様であり、本実施例の要点は、
素子搭載板23に挟小部26を介して内リード27を設
け、該内リード27に半導体素子22の電極からの綿状
配線28がワイヤボンディングされたことである。
なお本実施例の製造工程として、リードフレームはCu
系材料をプレス打抜により形成し、めっきは半田付性、
ワイヤ付性の良好なAgめっきとし、該リードフレーム
の素子搭ia板23への半導体素子21の鑞付けは、鑞
材29としてPb 90%以上の高温半田を用い、Nt
雰囲気中で加熱(300〜350℃)されたヒータ上に
リードフレームをセントし、その上に前記半田をのせて
溶融させ、その上に半導体素子を置き半田とのなじみを
良くするために前後左右に動かして半田付けする。
この場合、半田は素子搭載板23上を同心円状に広がっ
て行くが、その広がりは挟小部26で阻止されるので内
リード27はめっきのままであり、細状配線28の超音
波併用熱圧着によるボンディングは確実に行うことがで
きる。
第2図(a)(b)は本発明の他の実施例を示す図であ
り、前実施例が挟小部26を素子搭載板23の外リード
近傍に設けたのに対し、本実施例の(a)は素子搭載板
23の上部に設け、(b)は素子搭載板23の中部に設
けたもので、その作用効果は前実施例と全く同様である
尚、本発明では上記実施例のように素子基!3!板23
に半導体素子を搭載する場合だけでなく、キャパシタ等
の回路素子を搭載する場合でも通用できる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、素子搭載板に挟小
部を介して挟小部から曲げられて延びる内リードを設け
、内リードの挟小部から離れた部分に細状配線が接続さ
れるようにしたことにより、該挟小部で鑞材の広がりを
阻止することができ、内リードへの配線接続を確実に行
うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す図、 第2図は本発明の他の実施例を示す図、第3図は従来の
半導体素子の1例としてのモータドライブ回路を示す図
、 第4図(a)及び(b)は従来の半導体装置の不具合対
策を説明するための図である。 図において、 20は絶縁基板、 21 、22は半導体素子、 23 、24は素子搭載板、 25は端子、 26は素子搭載板に設けられた挟小部、27は内リード
、 28は綿状配線、 29は鑞材、 を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子または回路素子(21)と、該半導体素
    子または回路素子(21)がろう付けにより搭載された
    導電性材料よりなる素子搭載板(23)とを有し、 該素子搭載板(23)には挟小部(26)を介して該挟
    小部(26)から曲げられて延びる内リード(27)が
    設けられ、 該内リード(27)の該挟小部(26)から離れた部分
    に細状配線(28)が接続されてなることを特徴とする
    電子部品装置。
JP26940788A 1988-10-27 1988-10-27 電子部品装置 Pending JPH02117165A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134566A (ja) * 2012-04-09 2012-07-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134566A (ja) * 2012-04-09 2012-07-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

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