JPH02116722A - 紫外線検査方法 - Google Patents
紫外線検査方法Info
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- JPH02116722A JPH02116722A JP27158088A JP27158088A JPH02116722A JP H02116722 A JPH02116722 A JP H02116722A JP 27158088 A JP27158088 A JP 27158088A JP 27158088 A JP27158088 A JP 27158088A JP H02116722 A JPH02116722 A JP H02116722A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
Landscapes
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は照射される紫外線の線鼠を検査する紫外線検査
方法に関し、特定位置の紫外線量等の計測や、イメージ
センシングによる形状認識あるいは紫外線吸収パターン
の計測等に利用できる。
方法に関し、特定位置の紫外線量等の計測や、イメージ
センシングによる形状認識あるいは紫外線吸収パターン
の計測等に利用できる。
従来より、光学放射は多様な技術分野に適用されており
、日常的な照明から非接触検査や図形認識などの精密測
定分野に利用されている。このような光学放射のうむ、
可視領域より波長の短い紫外線は、直進性や透過性が高
いことから計測等の産業分野に利用されるほか、生体に
対する影音が大きく、殺菌や発育制御といった農業分野
への応用に加えて医療分野への応用がなされている。
、日常的な照明から非接触検査や図形認識などの精密測
定分野に利用されている。このような光学放射のうむ、
可視領域より波長の短い紫外線は、直進性や透過性が高
いことから計測等の産業分野に利用されるほか、生体に
対する影音が大きく、殺菌や発育制御といった農業分野
への応用に加えて医療分野への応用がなされている。
このような紫外線の利用にあたっては、その照射線量を
適宜調節するために、照射紫外線量を計測する必要があ
る。また、外部からの背景輻射が問題になる場合には、
その輻射紫外線■を計測する必要がある。このような紫
外線量の計測を行うために、電子管式の紫外線センサが
利用されており、このような紫外線センサとしては、−
船釣な光電陰極型のほか、励起ガス封入式の光導電管が
利用されている。光導電型の紫外線センサとしては、紫
外線透過性の容器内に一対の電極を対向させるとともに
、当該容器内に紫外線で励起されるガスを封入したもの
であり、一対の電極間に電圧を印加しておけば、当該セ
ンサに入射した紫外線により容器内のガスが励起されて
導電性となり、一対の電極間には紫外線量に応じた電流
が生じ、この電流の測定により紫外線量の計測が可能で
ある。
適宜調節するために、照射紫外線量を計測する必要があ
る。また、外部からの背景輻射が問題になる場合には、
その輻射紫外線■を計測する必要がある。このような紫
外線量の計測を行うために、電子管式の紫外線センサが
利用されており、このような紫外線センサとしては、−
船釣な光電陰極型のほか、励起ガス封入式の光導電管が
利用されている。光導電型の紫外線センサとしては、紫
外線透過性の容器内に一対の電極を対向させるとともに
、当該容器内に紫外線で励起されるガスを封入したもの
であり、一対の電極間に電圧を印加しておけば、当該セ
ンサに入射した紫外線により容器内のガスが励起されて
導電性となり、一対の電極間には紫外線量に応じた電流
が生じ、この電流の測定により紫外線量の計測が可能で
ある。
(発明が解決しようとする課題〕
ところで、近年では紫外線の性質を利用した種々の検査
が行われるようになっている。例えば、自動車等のエン
ジンの燃焼監視、紫外線によるオゾン発生の監視といっ
た状態検査のほか、合成樹脂製品の紫外線による劣化検
査、粒子等の凝集パターンチエツク、特に血液の凝集検
査などのパターン検査への利用もなされている。
が行われるようになっている。例えば、自動車等のエン
ジンの燃焼監視、紫外線によるオゾン発生の監視といっ
た状態検査のほか、合成樹脂製品の紫外線による劣化検
査、粒子等の凝集パターンチエツク、特に血液の凝集検
査などのパターン検査への利用もなされている。
しかし、前述のような電子管式の紫外線センサは基本的
にポイントセンサであり、イメージセンシングを行うた
めには複数のセンサをマトリクス配置する必要等がある
。ところが、一般的に電子管の外径は小さくとも15〜
20mm程度であり、マトリクス化した場合でも空間分
解能を微細化して高めることができない。このため、従
来の電子管式の紫外線センサを用いてイメージセンシン
グを行うことは実質的に難しかった。
にポイントセンサであり、イメージセンシングを行うた
めには複数のセンサをマトリクス配置する必要等がある
。ところが、一般的に電子管の外径は小さくとも15〜
20mm程度であり、マトリクス化した場合でも空間分
解能を微細化して高めることができない。このため、従
来の電子管式の紫外線センサを用いてイメージセンシン
グを行うことは実質的に難しかった。
また、電子管式の紫外線センサは、状態監視用などに単
体で用いる場合でも、取扱い上の制約がある。すなわち
、設置や搬送の際には容器の破損等に留意する必要があ
り、予め電極間に印加しておく電圧として400〜50
0Vという高電圧の電源を確保する必要がある。さらに
、可視領域の光線検出用に比べて稀少なうえ、価格も高
価であるという問題があった。
体で用いる場合でも、取扱い上の制約がある。すなわち
、設置や搬送の際には容器の破損等に留意する必要があ
り、予め電極間に印加しておく電圧として400〜50
0Vという高電圧の電源を確保する必要がある。さらに
、可視領域の光線検出用に比べて稀少なうえ、価格も高
価であるという問題があった。
本発明の目的は、取扱いが簡単かつ安価であるとともに
、高分解能のイメージセンシングが容易に行える紫外線
検査方法を提供することにある。
、高分解能のイメージセンシングが容易に行える紫外線
検査方法を提供することにある。
本発明は、EPROM等として用いられている不揮発性
メモリにおいては、紫外線により各セルの記憶内容を消
去できるとともに、チップ上のMOS−FET式セルが
極めて微細に形成されることから、このようなメモリチ
ップが高分解能の紫外線センサとして利用できることに
着目してなされたものである。
メモリにおいては、紫外線により各セルの記憶内容を消
去できるとともに、チップ上のMOS−FET式セルが
極めて微細に形成されることから、このようなメモリチ
ップが高分解能の紫外線センサとして利用できることに
着目してなされたものである。
すなわち、本発明は、電荷を蓄積可能かつ紫外線の照射
により当該電荷を消去可能なMOS−FETセルを表面
に配置して構成された不揮発性メモリチップを用い、前
記チップの全てのセルに電荷を蓄積させておき、前記チ
ップの表面に検査する紫外線を照射したのち、各セル毎
の電荷を計測し、各セルの電荷の減少量に基づいて当該
セルに照射された紫外線を判定する各手順を含んで紫外
線検査方法を構成したものである。
により当該電荷を消去可能なMOS−FETセルを表面
に配置して構成された不揮発性メモリチップを用い、前
記チップの全てのセルに電荷を蓄積させておき、前記チ
ップの表面に検査する紫外線を照射したのち、各セル毎
の電荷を計測し、各セルの電荷の減少量に基づいて当該
セルに照射された紫外線を判定する各手順を含んで紫外
線検査方法を構成したものである。
ここで〜本発明で用いる不揮発性メモリチップとしては
、紫外線消去用の窓を有するパッケージに収められた一
般的なEFROM等が利用できる。
、紫外線消去用の窓を有するパッケージに収められた一
般的なEFROM等が利用できる。
また、チップの全てのセルへの電荷の蓄積、および各セ
ル毎の電荷の計測にあたっては、パッケージ入りのEF
ROMを用いる場合、一般的なロムライタ等を利用すれ
ばよい。
ル毎の電荷の計測にあたっては、パッケージ入りのEF
ROMを用いる場合、一般的なロムライタ等を利用すれ
ばよい。
さらに、チップの表面に検査する紫外線を照射する際に
は、照射する紫外線の強さや使用するメモリチップに応
じて、適宜照射時間を加減することが望ましい。
は、照射する紫外線の強さや使用するメモリチップに応
じて、適宜照射時間を加減することが望ましい。
一方、チップの表面に検査する紫外線としては、自ら紫
外線を発生する紫外線発生源からの直接的な紫外線が利
用でき、発生源の強度等を検査できる。また、所定の対
象物で透過されあるいは反射された紫外線であってもよ
く、紫外線に対して特有の反応を示す被検査物の状態等
の検査に利用できるほか、紫外線を用いた被検査物の表
面形状や輪郭等の測定に利用できる。
外線を発生する紫外線発生源からの直接的な紫外線が利
用でき、発生源の強度等を検査できる。また、所定の対
象物で透過されあるいは反射された紫外線であってもよ
く、紫外線に対して特有の反応を示す被検査物の状態等
の検査に利用できるほか、紫外線を用いた被検査物の表
面形状や輪郭等の測定に利用できる。
このような本発明においては、チップ表面への紫外線の
照射に伴って、予め電荷を蓄積されていた各セルは、紫
外線を受けたセルのみが電荷を漸次消去される。このた
め、所定時間の紫外線照射ののち、各セル毎の電荷を計
測することにより、各セルの電荷の減少量に基づいて当
該セルに照射された紫外線の線量が計測される。また、
各セルの読み出しを順次行って、電荷の減少量または残
留量をデイスプレィ上に再現すればイメージセンシング
が可能である。
照射に伴って、予め電荷を蓄積されていた各セルは、紫
外線を受けたセルのみが電荷を漸次消去される。このた
め、所定時間の紫外線照射ののち、各セル毎の電荷を計
測することにより、各セルの電荷の減少量に基づいて当
該セルに照射された紫外線の線量が計測される。また、
各セルの読み出しを順次行って、電荷の減少量または残
留量をデイスプレィ上に再現すればイメージセンシング
が可能である。
ここで、不揮発性メモリチップとして市販のEPROM
等を用いることにより、チップ表面に形成された微小セ
ルがイメージセンシングの際の画素となり、極めて高い
分解能が実現できるとともに、紫外線センサとしてのコ
ストを極めて安価にできる。
等を用いることにより、チップ表面に形成された微小セ
ルがイメージセンシングの際の画素となり、極めて高い
分解能が実現できるとともに、紫外線センサとしてのコ
ストを極めて安価にできる。
また、不揮発性メモリチップは、例えばEPROMに対
してロムライタ等で全ピントに書き込みを行うなどして
、予め全てのセルに電荷を蓄積しておけば、紫外線の照
射の際に特に電源を必要とせず、紫外線検査時の電源確
保を省略できる。さらに、チップを小型化できるため運
搬等も簡単であり、これらにより前記目的が達成される
。
してロムライタ等で全ピントに書き込みを行うなどして
、予め全てのセルに電荷を蓄積しておけば、紫外線の照
射の際に特に電源を必要とせず、紫外線検査時の電源確
保を省略できる。さらに、チップを小型化できるため運
搬等も簡単であり、これらにより前記目的が達成される
。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図には、本発明の紫外線検査方法を適用した血液検
査装置1が示されている。この血液検査装置1は、血液
に所定の試薬を加えた際に凝集する血球等の凝集パター
ンを検査するものであり、血液および試薬を入れた容器
2を被検査物とし、容器2の底部の凝集物2Aを紫外線
により投影してそのイメージを表示するものである。
査装置1が示されている。この血液検査装置1は、血液
に所定の試薬を加えた際に凝集する血球等の凝集パター
ンを検査するものであり、血液および試薬を入れた容器
2を被検査物とし、容器2の底部の凝集物2Aを紫外線
により投影してそのイメージを表示するものである。
このために、容器2の上方には紫外線管3が配置され、
紫外線管3からの紫外線4はマスク5の円形の透過孔を
通して容器2に照射されている。
紫外線管3からの紫外線4はマスク5の円形の透過孔を
通して容器2に照射されている。
また、容器2の下方には、容器2を透過した紫外線4A
を検査するためのEFROMIOが配置されている。
を検査するためのEFROMIOが配置されている。
EPROMl0は、紫外線消去可能なプログラマブルR
OMとして知られる一般的なメモリ素子であり、DIP
内に固定されたチップ11−HにはIMビット分のMO
S−FETセル12がマトリックス配置されている。チ
ップ11は各セル12に蓄積される電荷によって記憶を
行う不揮発性メモリであり、DIP両側のピン13から
の書き込み動作により所定のセル12に電圧印加されて
電荷が蓄積され、読み出し動作により各セル12の電荷
状態がビット情報として読み出される。また、DIPの
表面に紫外線消去用の窓14を有し、この窓14からチ
ップ11の表面に紫外線を照射することにより、各セル
12に蓄積された電荷は消去され、再度の書き込みによ
り異なる情報を記憶可能である。
OMとして知られる一般的なメモリ素子であり、DIP
内に固定されたチップ11−HにはIMビット分のMO
S−FETセル12がマトリックス配置されている。チ
ップ11は各セル12に蓄積される電荷によって記憶を
行う不揮発性メモリであり、DIP両側のピン13から
の書き込み動作により所定のセル12に電圧印加されて
電荷が蓄積され、読み出し動作により各セル12の電荷
状態がビット情報として読み出される。また、DIPの
表面に紫外線消去用の窓14を有し、この窓14からチ
ップ11の表面に紫外線を照射することにより、各セル
12に蓄積された電荷は消去され、再度の書き込みによ
り異なる情報を記憶可能である。
このようなEFROMIOは、前述の容器2を透過した
紫外線4八が、窓14を通してチップ11表面のセル1
2のマトリックス上に照射されるように位置調整されて
いる。また、EPROMl0はエクステンションケーブ
ル21の一端のソケット22にセットされ、エクステン
ションケーブル21の他端のプラグ23はロムライタ2
0のソケット24にセットされており、EPROMl0
の各ビン13はロムライタ20のソケット24の対応す
る端子に接続されている。
紫外線4八が、窓14を通してチップ11表面のセル1
2のマトリックス上に照射されるように位置調整されて
いる。また、EPROMl0はエクステンションケーブ
ル21の一端のソケット22にセットされ、エクステン
ションケーブル21の他端のプラグ23はロムライタ2
0のソケット24にセットされており、EPROMl0
の各ビン13はロムライタ20のソケット24の対応す
る端子に接続されている。
ロムライタ20は、上面の操作パネル25からの操作に
よりソケット24に接続されたEPROMl0への所定
データの書き込みおよびEPROMl0内のデータの読
み出しが可能である。ロムライタ20の背面には、ケー
ブル26を介して卓上型のコンピュータ30が接続され
ている。
よりソケット24に接続されたEPROMl0への所定
データの書き込みおよびEPROMl0内のデータの読
み出しが可能である。ロムライタ20の背面には、ケー
ブル26を介して卓上型のコンピュータ30が接続され
ている。
コンピュータ30は、キーボード31からの操作入力に
よりロムライタ20に各種動作を行わせるように構成さ
れ、ロムライタ20にEPROMl0への書き込みを指
令し、その際の書き込みデータを自装置からロムライタ
20に転送あるいは指定可能である。また、コンピュー
タ30は、ロムライタ20にEFROMIOからの読み
出しを指令し、その際の読み出しデータを自装置に転送
させてビットマンブチイスプレイ32上にイメージ表示
できるように設定されている。
よりロムライタ20に各種動作を行わせるように構成さ
れ、ロムライタ20にEPROMl0への書き込みを指
令し、その際の書き込みデータを自装置からロムライタ
20に転送あるいは指定可能である。また、コンピュー
タ30は、ロムライタ20にEFROMIOからの読み
出しを指令し、その際の読み出しデータを自装置に転送
させてビットマンブチイスプレイ32上にイメージ表示
できるように設定されている。
このように構成された本実施例においては、第2図に示
すような手順で検査を行う。
すような手順で検査を行う。
まず、手順Aとして、ロムライタ20でEFROMIO
に書き込みを行い、その際の書き込みデータは全ビット
を立てておき、チップ11上の全てのセル12に電荷を
蓄積させる。
に書き込みを行い、その際の書き込みデータは全ビット
を立てておき、チップ11上の全てのセル12に電荷を
蓄積させる。
次に、手I’ll Bとして、被検査物である血液およ
び試薬を入れた容器2をマスク5の透過孔の直下にセッ
トする。
び試薬を入れた容器2をマスク5の透過孔の直下にセッ
トする。
続いて、手順Cとして、紫外線管3を点灯し、マスク5
の透過孔を通して光束を整形したのち容器2に照射し、
容器2の下方に通過する紫外線4^をEPROMl0の
チップ11の表面に照射させ、この状態で一定時間保持
する。
の透過孔を通して光束を整形したのち容器2に照射し、
容器2の下方に通過する紫外線4^をEPROMl0の
チップ11の表面に照射させ、この状態で一定時間保持
する。
このとき、容器2に照射された紫外線4は、容器2の底
面に凝集する血球等の凝集物2Aにより部分的に遮断さ
れるため、容器2の下方に通過する紫外線4^は凝集物
2Aの凝集パターンを投影したものとなり、この紫外線
4Aの投影イメージに対応して、チップ11の各セル1
2は紫外線4Aを受けた部分のみ電荷を消去される。
面に凝集する血球等の凝集物2Aにより部分的に遮断さ
れるため、容器2の下方に通過する紫外線4^は凝集物
2Aの凝集パターンを投影したものとなり、この紫外線
4Aの投影イメージに対応して、チップ11の各セル1
2は紫外線4Aを受けた部分のみ電荷を消去される。
次いで、手順りとして、ロムライタ20でEFROMI
Oから各セル12の電荷状態に対応するビットデータを
読み出し、読み出したデータをコンピュータ30へ転送
する。
Oから各セル12の電荷状態に対応するビットデータを
読み出し、読み出したデータをコンピュータ30へ転送
する。
ここで、手順Eとして、各データの値あるいは平均や分
布等、予め設定された適宜なパラメータに基づいて所定
の基準データと読み出しデータとの比較を行い、適当な
投影が行われなかったと判定される場合には手順Gへ移
り、投影のやり直しを行う。
布等、予め設定された適宜なパラメータに基づいて所定
の基準データと読み出しデータとの比較を行い、適当な
投影が行われなかったと判定される場合には手順Gへ移
り、投影のやり直しを行う。
一方、適当と判定される場合には、手順Fとして、読み
出しデータをビットマツプデイスプレィ32上にイメー
ジ表示し、表示される投影パターンを検討し、所定の基
準パターンとの比較等によって血液の属性や状態等の判
定結果を決定する。
出しデータをビットマツプデイスプレィ32上にイメー
ジ表示し、表示される投影パターンを検討し、所定の基
準パターンとの比較等によって血液の属性や状態等の判
定結果を決定する。
この後、手順Gとして、容器2を取り除き、内部の血液
等の処理を行う。また、手順Hとして、容器2のない状
態で紫外線管3を点灯し、マスク5の透過孔を通してE
FROMIOのチップ11表面に紫外線4を一定時間照
射し、全てのセル12の電荷を消去して再使用に備える
。
等の処理を行う。また、手順Hとして、容器2のない状
態で紫外線管3を点灯し、マスク5の透過孔を通してE
FROMIOのチップ11表面に紫外線4を一定時間照
射し、全てのセル12の電荷を消去して再使用に備える
。
このような本実施例によれば、次に示すような効果が得
られる。
られる。
すなわち、紫外線投影パターンを読み取るためのセンサ
としてEPROMl0を用い、チップ11上に高集積化
された微細なMOS−FETセル12を画素とすること
ができるため、高分解能のイメージセンシングが可能で
ある。
としてEPROMl0を用い、チップ11上に高集積化
された微細なMOS−FETセル12を画素とすること
ができるため、高分解能のイメージセンシングが可能で
ある。
ここで、チップ11が5mm X 4vn程度の大きさ
とすると、IMバイト分に相当するセル12の総数は2
”= 1048576−10b個であるから、各セル1
2の面積は2 X 10”’mm”となる。また、各セ
ル12が縦103×横103で矩形マトリクス配置され
ているとすれば、縮方向のピッチが5 X 10−3m
m、横方向の4XlO−”mmと概算できる。従って、
画素ピッチを極めて微細にすることができ、従来の電子
管式の紫外線センサに比べて著しい高分解能を実現する
ことができる。
とすると、IMバイト分に相当するセル12の総数は2
”= 1048576−10b個であるから、各セル1
2の面積は2 X 10”’mm”となる。また、各セ
ル12が縦103×横103で矩形マトリクス配置され
ているとすれば、縮方向のピッチが5 X 10−3m
m、横方向の4XlO−”mmと概算できる。従って、
画素ピッチを極めて微細にすることができ、従来の電子
管式の紫外線センサに比べて著しい高分解能を実現する
ことができる。
また、MOS−FETセル12は電荷駆動型のトランジ
スタであり、書き込み等に要する消費電力等は極めて小
さく、かつ紫外線の投影にあたって電源を必要としない
。このため、EPROMl0による紫外線センサは、従
来の電子管式の紫外線センサのように励起用の高圧電源
等を必要としないうえ、イメージセンシング用に多数の
セル12を用いる場合でも巨大な電源装置等を用いる必
要もなく、周辺設備の簡略化あるいは任意場所での手軽
な紫外線検査が可能である。
スタであり、書き込み等に要する消費電力等は極めて小
さく、かつ紫外線の投影にあたって電源を必要としない
。このため、EPROMl0による紫外線センサは、従
来の電子管式の紫外線センサのように励起用の高圧電源
等を必要としないうえ、イメージセンシング用に多数の
セル12を用いる場合でも巨大な電源装置等を用いる必
要もなく、周辺設備の簡略化あるいは任意場所での手軽
な紫外線検査が可能である。
一方、検査にあたってのEFROMIOの準備あるいは
投影パターンの読み出し等はロムライタ20で一括して
行え、その操作も節単にできるとともに、ロムライタ2
0に読み出したイメージデータはそのままコンピュータ
30へ転送できるため、画像処理等を簡単に行うことが
できる。
投影パターンの読み出し等はロムライタ20で一括して
行え、その操作も節単にできるとともに、ロムライタ2
0に読み出したイメージデータはそのままコンピュータ
30へ転送できるため、画像処理等を簡単に行うことが
できる。
また、EFROMIOは一般に安価に市販されており、
EPROMl0を処理するロムライタ20等も一般的な
ものが利用できるため、血液検査装置1を安価かつ簡単
に構成できる。
EPROMl0を処理するロムライタ20等も一般的な
ものが利用できるため、血液検査装置1を安価かつ簡単
に構成できる。
さらに、EPROMl0は紫外線による消去および電圧
印加による書き込みを順次行うことにより再使用するこ
とができ、ランニングコストを低減できる。
印加による書き込みを順次行うことにより再使用するこ
とができ、ランニングコストを低減できる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
以下に示すような変形をも含むものである。
以下に示すような変形をも含むものである。
すなわち、EPROMl0は常時ロムライタ20に接続
しておく必要はな(、第3図に示す他の実施例のように
、通常はEPROMl0を単独で用い、各セル12への
書き込みまたは読み出しの際のみロムライタ20に接続
するとしてもよい。
しておく必要はな(、第3図に示す他の実施例のように
、通常はEPROMl0を単独で用い、各セル12への
書き込みまたは読み出しの際のみロムライタ20に接続
するとしてもよい。
第3図に示すEFROMIOは、前記実施例と同様にチ
ップ11上にMOS−FETセル12を有し、各セル1
2にはピン13を介して込みおよび読み出しが可能であ
る。このEFROMIOの表面には、窓14を覆う紫外
線遮断性のマスク15が着脱自在に配置され、マスク1
5を被せた状態ではチップ11表面に紫外線が到達しな
いように構成されている。また、EPROMl0の表面
には携帯用のフック16が取付けられ、任意の突起等に
吊下げ等が可能である。
ップ11上にMOS−FETセル12を有し、各セル1
2にはピン13を介して込みおよび読み出しが可能であ
る。このEFROMIOの表面には、窓14を覆う紫外
線遮断性のマスク15が着脱自在に配置され、マスク1
5を被せた状態ではチップ11表面に紫外線が到達しな
いように構成されている。また、EPROMl0の表面
には携帯用のフック16が取付けられ、任意の突起等に
吊下げ等が可能である。
このようなEPROMl0を用いるにあたっては、まず
EPROMl0をロムライタ20に接続し1、書き込み
を行って各セル12に電荷を蓄積しておく。書き込みを
行ったEPROMl0は、マスク15を被せた状態で携
帯あるいは運搬するとともに、前記実施例の容器2の直
下などの検査位置に設置して当該位置でマスク15を除
いて紫外線をチップ11に照射させる。一定時間放置し
て紫外線の投影を行ったならば、再びマスク15を被せ
た状態で運搬し、ロムライタ20に接続して読み出しを
行う。
EPROMl0をロムライタ20に接続し1、書き込み
を行って各セル12に電荷を蓄積しておく。書き込みを
行ったEPROMl0は、マスク15を被せた状態で携
帯あるいは運搬するとともに、前記実施例の容器2の直
下などの検査位置に設置して当該位置でマスク15を除
いて紫外線をチップ11に照射させる。一定時間放置し
て紫外線の投影を行ったならば、再びマスク15を被せ
た状態で運搬し、ロムライタ20に接続して読み出しを
行う。
このような実施例によれば、紫外線の投影時にはEFR
OMIOを単体で用いることができ、検査位置が遠隔地
であっても運搬が容易であるうえ、検査位置に同時に多
数のEFROMIOを配置することも可能である。また
、EFROMIOは適宜ロムライタ20に接続して書き
込みおよび読み出しを行えばよいため、ロムライタ20
を特定のEFROMIOに占有されることがなく、−個
のロムライタ20で多数のEFROMIOを取り扱うこ
とができ、検査にかかるコストをより低減できる。
OMIOを単体で用いることができ、検査位置が遠隔地
であっても運搬が容易であるうえ、検査位置に同時に多
数のEFROMIOを配置することも可能である。また
、EFROMIOは適宜ロムライタ20に接続して書き
込みおよび読み出しを行えばよいため、ロムライタ20
を特定のEFROMIOに占有されることがなく、−個
のロムライタ20で多数のEFROMIOを取り扱うこ
とができ、検査にかかるコストをより低減できる。
ところで、EPROMl0への紫外線パターン投影にあ
たって、各セル12の電荷を消去するのに必要な紫外線
量は、予めセル12に蓄積された電荷量に応じて決まり
、この紫外線量は紫外線強度と照射時間との積で与えら
れる。従って、パターン投影後の各セル12の電荷は、
所定照射時間内の紫外線強度分布に応じて減少し、ある
いは紫外線強度が一定であれば各セル12の電荷は累積
照射時間に応じて減少するため、各セル12の電荷をア
ナログ量として検出してもよい。
たって、各セル12の電荷を消去するのに必要な紫外線
量は、予めセル12に蓄積された電荷量に応じて決まり
、この紫外線量は紫外線強度と照射時間との積で与えら
れる。従って、パターン投影後の各セル12の電荷は、
所定照射時間内の紫外線強度分布に応じて減少し、ある
いは紫外線強度が一定であれば各セル12の電荷は累積
照射時間に応じて減少するため、各セル12の電荷をア
ナログ量として検出してもよい。
この場合、EPROMl0は一定時間毎の投影記録を行
うリピートタイプ(被消耗タイプ)としての利用ができ
るほか、凝集物2Aの凝集過程といった時間経過を記録
するストアード機能を実現することもできる。
うリピートタイプ(被消耗タイプ)としての利用ができ
るほか、凝集物2Aの凝集過程といった時間経過を記録
するストアード機能を実現することもできる。
また、パターン投影後の各セル12の電荷の減少量ある
いは残量に応じて、イメージ表示する際にインテンシテ
イを付加し、より精密な分布表示等を行うこともできる
。
いは残量に応じて、イメージ表示する際にインテンシテ
イを付加し、より精密な分布表示等を行うこともできる
。
さらに、EPROMl0への書き込みにあたって、印加
電圧を適宜調整してもよく、各セル12に蓄積される電
荷を加減することができるため、時間経過等の計測限度
やインテンシテイレンジ等の設定等、検査にあたって要
求される多様な設定に対応することができる。
電圧を適宜調整してもよく、各セル12に蓄積される電
荷を加減することができるため、時間経過等の計測限度
やインテンシテイレンジ等の設定等、検査にあたって要
求される多様な設定に対応することができる。
一方、本発明の紫外線検査方法は前述のような血液検査
装置1に限定されるものではなく、多様な紫外線検査に
適用できる。
装置1に限定されるものではなく、多様な紫外線検査に
適用できる。
すなわち、前記実施例では、被検査物として血液および
試薬を入れた容器2を用いたが、容器2内に収容するの
は固体、液体、気体あるいはこれらの混合物等であって
もよい。
試薬を入れた容器2を用いたが、容器2内に収容するの
は固体、液体、気体あるいはこれらの混合物等であって
もよい。
また、EPROMl0で受けるのは紫外線の遮断による
投影パターンに限らず紫外線吸収パターンであってもよ
く、被検査物に紫外線を照射し、その反射紫外線をEP
ROMl0で受け、被検査物表面の反射パターンを検査
するとしてもよい。
投影パターンに限らず紫外線吸収パターンであってもよ
く、被検査物に紫外線を照射し、その反射紫外線をEP
ROMl0で受け、被検査物表面の反射パターンを検査
するとしてもよい。
さらに、EPROMl0によって検査する紫外線は紫外
線管3等を用いた被検査物の投影パターンに限らず、例
えば紫外線管3等の紫外線発光源自体を被検査物として
もよく、その発光パターンや発光強度分布などの検査に
適用できる。
線管3等を用いた被検査物の投影パターンに限らず、例
えば紫外線管3等の紫外線発光源自体を被検査物として
もよく、その発光パターンや発光強度分布などの検査に
適用できる。
また、投影パターン等のイメージセンシングに限らず、
EPROMl0をポイントセンシングに利用してもよく
、例えば太陽光あるいは宇宙線による空中紫外線の検査
や、紫外線発生源の周囲の漏洩紫外線量の検査等に利用
してもよい。
EPROMl0をポイントセンシングに利用してもよく
、例えば太陽光あるいは宇宙線による空中紫外線の検査
や、紫外線発生源の周囲の漏洩紫外線量の検査等に利用
してもよい。
さらに、EPROMl0を取り扱うための装置としては
ロムライタ20あるいはコンピュータ30に限らず、適
宜EFROMIOへの書き込みあるいは読み出しが行え
る装置が利用でき、例えばEFROMIOをコンピユー
タ30自体に接続して直接読み出してもよい。
ロムライタ20あるいはコンピュータ30に限らず、適
宜EFROMIOへの書き込みあるいは読み出しが行え
る装置が利用でき、例えばEFROMIOをコンピユー
タ30自体に接続して直接読み出してもよい。
また、不揮発性メモリであるチップ11はEPROMl
0として構成されているものに限らず、要するに表面に
紫外線消去可能なMOS−FETセル12を備えていれ
ばよく、所定のパッケージ内にセル12を有するチップ
11およびこのチップ11に書き込みおよび読み出しを
行うための回路等をまとめて紫外線検査用の専用ICを
構成してもよい。
0として構成されているものに限らず、要するに表面に
紫外線消去可能なMOS−FETセル12を備えていれ
ばよく、所定のパッケージ内にセル12を有するチップ
11およびこのチップ11に書き込みおよび読み出しを
行うための回路等をまとめて紫外線検査用の専用ICを
構成してもよい。
さらに、紫外線センサとしてのMOS−FETセル部分
と、このセル部分に書き込みおよび読み出しを行う回路
とをワンチップ化してもよい。
と、このセル部分に書き込みおよび読み出しを行う回路
とをワンチップ化してもよい。
以上に説明したように、本発明によれば、取扱いを簡単
にでき、検査コストおよび設備コストを安価にできると
もに、高分解能のイメージセンシングを容易に行えると
いう従来にない優れた紫外線検査方法を適用することが
できる。
にでき、検査コストおよび設備コストを安価にできると
もに、高分解能のイメージセンシングを容易に行えると
いう従来にない優れた紫外線検査方法を適用することが
できる。
第1図は本発明の一実施例の装置構成を示す斜視図、第
2図は前記実施例における検査手順を示すフローチャー
ト、第3図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。 1・・・血液検査装置、2・・・被検査物である血液お
よび試薬を入れた容器、3・・・紫外線管、10・・・
EPROM、11・・・不揮発性メモリチップ、12・
・・MOS−FETセル、14・・・紫外線消去用の窓
、20・・・ロムライタ。 特許出願人 鈴木自動車工業株式会社
2図は前記実施例における検査手順を示すフローチャー
ト、第3図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。 1・・・血液検査装置、2・・・被検査物である血液お
よび試薬を入れた容器、3・・・紫外線管、10・・・
EPROM、11・・・不揮発性メモリチップ、12・
・・MOS−FETセル、14・・・紫外線消去用の窓
、20・・・ロムライタ。 特許出願人 鈴木自動車工業株式会社
Claims (1)
- (1)電荷を蓄積可能かつ紫外線の照射により当該電荷
を消去可能なMOS−FETセルを表面に配置して構成
された不揮発性メモリチップを用い、前記チップの全て
のセルに電荷を蓄積させておき、前記チップの表面に検
査する紫外線を照射したのち、各セル毎の電荷を計測し
、各セルの電荷の減少量に基づいて当該セルに照射され
た紫外線を判定することを特徴とする紫外線検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63271580A JP2747703B2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 紫外線検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63271580A JP2747703B2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 紫外線検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02116722A true JPH02116722A (ja) | 1990-05-01 |
JP2747703B2 JP2747703B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17502057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63271580A Expired - Lifetime JP2747703B2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 紫外線検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2747703B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122919A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-26 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Photosensor |
JPS5740619A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Light detection system |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP63271580A patent/JP2747703B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122919A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-26 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Photosensor |
JPS5740619A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Yamatake Honeywell Co Ltd | Light detection system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2747703B2 (ja) | 1998-05-06 |
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