JPH02116180A - 酸化物超伝導体の電極形成方法 - Google Patents

酸化物超伝導体の電極形成方法

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JPH02116180A
JPH02116180A JP63268178A JP26817888A JPH02116180A JP H02116180 A JPH02116180 A JP H02116180A JP 63268178 A JP63268178 A JP 63268178A JP 26817888 A JP26817888 A JP 26817888A JP H02116180 A JPH02116180 A JP H02116180A
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JP
Japan
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oxide superconductor
electrode
electrode material
conductor
chip
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Pending
Application number
JP63268178A
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English (en)
Inventor
Tadaoki Kusaka
日下 忠興
Yoshihiko Suzuki
義彦 鈴木
Takashi Yotsuya
任 四谷
Soichi Ogawa
倉一 小川
Takahiro Aoyama
青山 隆浩
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Daihen Corp
Osaka Prefecture
Original Assignee
Daihen Corp
Osaka Prefecture
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、酸化物超伝導体に電極を形成する方法に関す
るものである。
[従来の技術] 超伝導体に電極を形成して該電極を通して超伝導体に給
電する場合、電極と超伝導体との接合部の抵抗値が大き
いと通電により該接合部で損失が生じて発熱し、超伝導
性が失われるおそれがある。
また一般に電極と超伝導体との接合部が非線形な特性を
持つことは好ましくない。
そのため超伝導体に電極を形成する場合には、電極と超
伝導体との接合部にオーミックコンタクトを形成して該
接合部の電流対電圧特性をリニアなものとするとともに
、その接触抵抗を出来るだけ低くする必要がある。
最近YBaz Cu 307−♂(YBCOと略称され
ている。)や、(B f+−xPE)x)25r2Ca
2CLJ 30 y等の酸化物超伝導体が高温で超伝導
を示す素材として注目されている。この種の酸化物超伝
導体に電極を形成する方法としては、現在3つの方法が
試みられている。
第1の方法は、銀ペーストによる方法で、この方法では
、酸化物超伝導体を仮焼成した段階で銀ペーストにより
所定箇所に電極を形成し、その後酸素雰囲気中で酸化物
超伝導体を本焼成する際に電極を焼成する。
第2の方法は、AQ 、PtまたはAuの薄膜により電
極を形成する方法である。この方法では酸化物超伝導体
の電極形成面にAg、PtまたはAUを蒸着してこれら
いずれかの1110を形成し、次いで該薄膜を形成した
酸化物超伝導体を酸素雰囲気中で熱処理する。
第3の方法は、超音波を加えながら酸化物超伝導体にリ
ード線を直接半田付けする方法である。
[発明が解決しようとする課題] 上記第1の方法によると、電極と酸化物超伝導体との接
合部にオーミックコンタクトを形成して該接合部の抵抗
を小さくすることができる。
しかしながらこの方法は、酸化物超伝導体に銀ペースト
を付着する工程と高温で焼成する工程とを必要とするた
め、工数が多くなって作業性が悪いという問題がある。
また銀ペーストにより種々のパターンを高精度で形成す
ることは困難であるため、第1の方法では形状や寸法を
正確に管理して電極を形成したり微小部分に電極を形成
したりすることが難しいという問題もある。
次に第2の方法は、面倒な蒸着を行うために高価な装置
を必要とする上に工数を多く必要とするため、電極の形
成に要するコストが^くなるという問題がある。またこ
の方法では平面的な電極しか形成できないため、該電極
を他の箇所に接続する際には該電極にリード線をボンデ
ィングする必要があり、面倒である。
更に第3の方法(超音波半田法)は比較的簡単に実施で
きるが、この方法では電極と酸化物超伝導体との間の接
合部の抵抗値を充分に低くすることができないという問
題がある。電極と超伝導体との間の接合部の抵抗は少な
くとも10−50−以下にすることが好ましいが、超音
波半田法では通常10−3ΩdPi!度までしか抵抗値
を下げることができない。
本発明の目的は、酸化物超伝導体に電極を簡単にしかも
精度良く形成することができる酸化物超伝導体の電極形
成方法を提供することにある。
本発明の池の目的は、線状の電極を形成して該電極をリ
ード線として利用することもできるようにした酸化−物
超伝導体の電極形成方法を提供することにある。
1課題を解決するための手段] 本発明のh沃では、酸化物超伝導体に常伝導体からなる
金属電極素材を接電−させ、該電極素材を酸化物超伝導
体側(加旺しlこ状態で電極素材と酸化物超伝導体との
接触部に超音波を加えることにより電極素材を酸化物超
伝導体に接合する。
上記の方法で電極が接合された酸化物超伝導体を酵素雰
囲気中に配置して熱処理を行うと接触抵抗を更に低くす
ることができる。
一ト記電極素材は、銀、金または白金のいずれかにより
形成するのが良い。
[作 用] 上記のように、酸化物超伝導体に常伝導体からなる電極
素材を接触させて該電極素材を酸化物超伝導体側に加圧
した状態で前記電極素材と酸化物超伝導体との接触部に
超音波を加えると、超音波振動により超伝導体の表面が
クリーニングされるとともに該接触部で発熱が生じ、電
極素材が酸化物超伝導体に接合される。
この状態でも電極と酸化物超伝導体との接触部に接触抵
抗が低いオーミックコンタクトを得ることができるが、
上記のようにして電極素材を酸化物超伝導体に接合した
後、酸素雰囲気中で熱処理を行うと接触抵抗を更に低く
することができる。
[実施例] 以下添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の方法は、公知の超音波溶接装置または同装置と
同様の原理の装置を用いて実施することができる。本実
施例では、半導体ICの電極にワイヤを接合するために
使用されている超音波ワイヤボンディング装置を用いた
第1図は本発明の実施例で用いた装置の組成を概略的に
示したもので、この装置は、アンビル1と、アンビルに
固定されたステム2と、ホーン3に固定されてステム2
に対向配置されたチップ4とを備えている。ホーン3は
図示しない超音波発振器に結合され、該超音波発S器か
らホーン3を通してチップ4に超音波が与えられるよう
になっている。チップ4は図示しない加圧装置によりス
テム2側に加圧されるようになっている。
この装置を用いて本発明の方法を実施するには、先ずス
テム2の上に板状の酸化物超伝導体5を配置し、酸化物
超伝導体5の電極形成面(この例では上面>5aにチッ
プ4を対向させる。
次いでチップ4の先端と酸化物超伝導体5との間に電極
素材6を挟み込み、図示しない加圧装置によりチップ4
を加圧して、電極素材6を酸化物超伝導体5側に加圧す
る。この状態でホーン3及びチップ4を通して電極素材
6と酸化物超伝導体5との接触部に超音波を与える。電
極素材6としては、銀、金または白金が好適である。
電極素材6と酸化物超伝導体5との接触部に超音波を与
えると、酸化物超伝導体5の表面がクリニツクされると
ともに、電極素材6と酸化物超伝導体5との接触部で発
熱が生じ、電極素材6が酸化物超伝導体5に接合される
実施例では、酸化物超伝導体5として臨界温度Tcが9
3にのYBazCu307−aを用い、電極素材6とし
て直径50μmの銀線を用いた。超音波発振器としては
、発振周波数60KIIz 、出力22賛のものを用い
た。そしてチップ4に加える加圧力を200にg/cd
とし、60KH2の超音波を450m5ecの間加えて
電極素材6を酸化物超伝導体5に接合した。
上記のようにして電極素材6を酸化物超伝導体5に接合
したサンプルについて、種々の温度における電極素材と
酸化物超伝導体との接合部の接触抵抗を周知の3端子法
により測定し、接触抵抗の温度特性を求めた。その結果
は第3図に示す通りで、これより接合部の接触抵抗が全
領域で温度の上昇に伴つ“で上昇する特性を示している
ことが分る。これは接合部にオーミックコンタクトが形
成されていることを示している。尚80Kにおける接触
抵抗は3X10−6Ωciであった。
また上記のリーンプルについて、電極素材6と酸化物超
伝導体5との接合部の電流対電圧特性を測定したところ
、第4図に示す結果が得られた。第4図において直線a
は室温における特性を示し、直線すは酸化物超伝導体5
の臨界温度T c(= 93K )よりも低い78Kに
おける特性を示している。これらの結果は、電極素材6
と酸化物超伝導体5との接合部の電流対電圧特性が線形
で、オーミックコンタクトが形成されていることを示し
ている。
次に上記のようにして電極素材6が接合された酸化物超
伝導体5を酸素雰囲気の炉に入れて熱処理を行った。こ
の熱処理は400℃以上の温度で行うのが好ましい。Y
BCOの場合には熱処理温度が950℃を超えると溶融
するため、熱処理温度は400℃ないし950℃の範囲
の温度に設定する必要がある。
実験では、前記の方法で銀線を接合したYBCOのサン
プルを酸素雰囲気中に置き、500℃の温;αで1時間
熱処理した。この熱処理における温度変化のパターンは
第2図に示す通りで、先ず室温から毎分6℃の割合いで
500℃まで昇温させ、500℃を1時間保持した後毎
分1℃の割合いで室温まで低下させて熱処理を終了した
上記熱処理後のサンプルについて接合部の接触抵抗を周
知の3端子法により測定してその温度特性を求めたとこ
ろ、第5図のような結果が得られた。この場合80Kに
おける接触抵抗は1. IX 10−’Ω−1であり、
熱処理を行うことにより接触抵抗を1桁低くできること
が確認された。
第6図は500℃で熱処理を行ったサンプルにっいて接
合部の電流対電圧特性を測定した結果を示したもので、
同図において直線aはV温における特性を示し、直線す
は78Kにおける特性を示している。いずれの場合も接
合部の電流対電圧特性はリニアな特性であり、接合部に
オーミックコンタクトが形成されていることを示してい
る。
上記の実施例では、線状の電極素材を用いたが、箔状の
電極素材を用いて面状電極を形成することもできる。
上記の実施例では、チップが棒状に形成されているが、
チップの形状は電極素材の形状に応じて適宜に変更する
ことができる。
また面状の電極素材を用いるような場合には、必要に応
じて複数のチップを設けて、接合点の数を増加させるこ
ともできる。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、酸化物超伝導体に常伝
導体からなる電極素材を接触させて、該電極素材を酸化
物超伝導体側に加圧した状態で電極素材と酸化物超伝導
体との接触部に超音波を加えるだけで、電極素材を酸化
物超伝導体に接合して接触抵抗が十分に低いオーミック
コンタク1−を形成できるため、酸化物超伝導体への電
極の形成を簡単に行うことができる。
特に請求項2に記載の発明のように、電極素材を酸化物
超伝導体に接合した後、酸素雰囲気中で熱処理を行うと
接触抵抗を更に低くすることができる。
また本発明では、線状の電極及び面状の電極のいずれを
も形成できるため、使用目的に合致した電極を形成する
ことができる。特に酸化物超伝導体を他の部品に配線す
る必要がある場合には、線状の電極素材を用いることに
より、電極自体を配線として用いることができるので、
工数の削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実施する装置の構成を概略的に
示した構成図、第2図は本発明の実施例における熱処理
の温度変化パターンを示す線図、第3図及び第4図はそ
れぞれ電極素材を酸化物超伝導体に接合した段階での接
触抵抗の温度特性及び接合部の電流対電圧特性を示す線
図、第5図及び第6図はそれぞ熱処理後の接合部の接触
抵抗の温度特性及び電流対電圧特性を示す縮図である。 1・・・アンビル、2・・・ステム、3・・・ホーン、
4・・・チップ、5・・・酸化物超伝導体、6・・・電
極素材。 第1図 第2図 時間0 マ 占←智 偲

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化物超伝導体に電極を形成する方法において、 前記酸化物超伝導体に常伝導体からなる金属電極素材を
    接触させ、 前記電極素材を酸化物超伝導体側に加圧した状態で前記
    電極素材と酸化物超伝導体との接触部に超音波を加える
    ことにより前記電極素材を酸化物超伝導体に接合するこ
    とを特徴とする酸化物超伝導体の電極形成方法。
  2. (2)酸化物超伝導体に電極を形成する方法において、 前記酸化物超伝導体に常伝導体からなる金属電極素材を
    接触させ、 前記電極素材を酸化物超伝導体側に加圧した状態で前記
    電極素材と酸化物超伝導体との接触部に超音波を加える
    ことにより前記電極素材を酸化物超伝導体に接合し、 次いで前記電極素材が接合された酸化物超伝導体を酸素
    雰囲気中で熱処理することを特徴とする酸化物超伝導体
    の電極形成方法。
  3. (3)前記電極素材は銀、金または白金からなっている
    請求項1または2に記載の酸化物超伝導体の電極形成方
    法。
JP63268178A 1988-10-26 1988-10-26 酸化物超伝導体の電極形成方法 Pending JPH02116180A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887884A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物超伝導体回路の電極形成方法
JPS62202876A (ja) * 1985-11-25 1987-09-07 東洋電機製造株式会社 金属およびセラミツクスの超音波接合方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887884A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物超伝導体回路の電極形成方法
JPS62202876A (ja) * 1985-11-25 1987-09-07 東洋電機製造株式会社 金属およびセラミツクスの超音波接合方法

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