JPH02115374A - 無電解メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は抵抗体、センサ等の各種エレクトロニクスデバ
イスの製造に用いられる無電解メッキ方法に関するもの
であり、特に無電解メッキ工程に不可欠な被メッキ物表
面の活性化処理方法に関するものである。

従来の技術 従来より、プラスチック、セラミックス、ガラス等の表
面を金属化する手法の一つとして無電解メッキ方法が採
用されてきた。無電解メッキ方法においては皺メッキ物
表面の活性化処理が最も重要な工程である。従来の表面
活性化処理方法の典型的な例を挙げると次の通りである
。

すなわち、各種エツチング方法によ９表面を多孔質化し
、かつ親水性化された被メッキ物は、先ず塩化スズ水溶
液に浸され感受性化されたのち。

水洗工程を経て活性化処理液に浸されて活性化処理の後
、水洗されて活性化処理工程が終了する。

また別の活性化処理方法としては、上記のごとく２重要
していた処理を１回で行う方法、パラジウムコロイドを
用いる方法も知られている。更に。

触媒となる金属を蒸着する方法も提案されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記した従来の無電解メッキにおける活
性化方法は種々の問題点を含んでいる。

その第一は、活性化処理液の安定性が不良であることで
あシ、その第二は活性化処理の定量的な把握が困難であ
るために、作業者の肋に頼るところが大きいことである
。更に第三には上記手法に基づく最良と考えられる条件
を用いても被メッキ面全面を均一に活性化させることは
不可能であって１例えば従来の無電解メッキ手法をもっ
て１００゜Å以下の均一な塗膜を得ることは至難の技で
あることが挙げられる。

更に、従来の活性化処理方法の致命的な欠点として、被
メッキ面全面が活性化されることも挙げられる。即ち、
特定のパターンのように目的部分のみをメッキしようと
する場合はメッキレジストを必要とし、これの塗布、乾
燥、除去などの工程を余分に必要とする。また、安定な
パラジウムコロイドは製造に特殊技術を要し高価なもの
となシ。

触媒となる金属を蒸着する方法は生産性が悪く、大面積
の基板の活性化が困難である。

この問題を解決するため、銀またはパラジウム化合物を
基板上に形成し熱分解することによるメッキの活性化処
理方法が提案（特願昭６２−２１２００７号）されてい
るが、上記提案された方法においては熱分解時の加熱温
度が不適当であると、活性剤（触媒）表面が酸化され不
活性となり、メッキがつかない部分が発生するという問
題点があった。

本発明は、上記熱分解による無電解メッキの活性化工程
における問題点を解決するもので、新規でかつ工業的に
有利な無電解メッキ方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために、本発明の無電解メッキ法
は触媒活性を有する金属を含有する化合物層を基板上に
形成し、酸化性雰囲気で熱分解した後、還元雰囲気で熱
処理することによって活性化処理を行うことを特徴とす
る。

作用 上記本発明の方法全採用することにより、熱分解処理の
後に酸化物となる金属は還元雰囲気中での熱処理により
還元され触媒活性となるため、被メッキ面全面にわたり
極めて均一に活性化が行われる。従って、熱分解処理の
加熱温度に関係なく活性化処理を行うことができ、均質
で良好な無電解メッキ物が得られる。

さらに、活性化触媒としてニッケル、銅等を用いること
ができるため、メッキしようとする金属と同一の金属を
選ぶことにより、メッキ膜を熱処理した場合の触媒とな
る金属のメッキ膜中への拡散の問題がなくなり、高純度
のメッキ膜が得られるものである。

実施例 まず本発明の詳細な説明する。

触媒活性を有する金属を含有する化合物としては銀、パ
ラジウム、ルテニウム、ニッケル、銅等の各種アルコキ
シド、各種カルボン酸塩６各種有機化合物錯体、メタロ
七ン等の各種有機化合物や硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化
物等の各種無機化合物がある。これらは目的、製造条件
に応じて任意に選ぶことができる。要は被メッキ物に影
響を与えない温度以下で熱分解する化合物はすべて使用
することができる。上記化合物は、そのまま溶媒に溶解
または分散して、またはバインダとなる樹脂と共に溶媒
に溶解または分散して、被メッキ物表面に積層すること
ができる。積層方法としては従来公知の方法が使用でき
る。例を挙げれば、各種印刷法、浸漬法、各種塗布法等
がある。

被メッキ物表面全面に上記化合物層を積層しようとする
場合は、浸漬法、スプレー法、印刷法などを採用するこ
とができるが１本発明の特徴を最高度に発揮するために
は積層厚みを全面にわたって均一化することが好ましく
、特に均一にしようとする時は、ＬＢ膜の形成手段も使
用できる。

また、パターン印刷などの方法を用いて上記化合物層を
特定の部分にのみメッキを施すことが可能である。

この方法は例えば回路基板の製造１回路部品における電
極の形成時や温度センサ、レベルセンサ等の形成時に特
に有効な手段となる。被メッキ物上に積層された上記化
合物は次の分解及び還元工程で金属微粒子となり、無電
解メッキの触媒となる。本発明者らは上記金属微粒子の
直径が通常数十ないし数百人で極めて均一な粒径分布を
示すこと金見いだした。この結果、化合物の熱分解温度
に関係なく、従来の手法では困難であった１０００Å以
下の均一なメッキ膜が本発明の方法で容易に得られるも
のである。

以下、具体的な実施例により説明する。

実施例１ 硝酸ニッケルをアルコール系溶剤に溶解してのち２表面
をフッ酸水溶液でエツチング処理したソーダ石灰ガラス
上にスピンコードし、溶剤を乾燥してから大気中４００
’Ｃに加熱して熱分解した。

これを市販のニッケルーリン系無電解メッキ液に浸漬し
たところ、メッキはつかなかった。これはニッケルが酸
化されているためである。

次いで、このガラスを管状炉にいれ、１０％の水素を含
む窒素気流中５００℃で３０分熱処理を行った。高分解
能の電子顕微鏡で観察した結果。

上記ガラスの表面には直径１ｏｏ人のニッケル粒子が均
一に分布していることが確認された。

上記ガラス板を同じニッケルーリン系無電解メッキ液に
浸漬したところ、全面にわたってメッキが開始され、１
分間の浸漬で厚さ１０００人の均一なニッケル膜が得ら
れた。

実施例２ 実施例１と同一表面処理をしたガラス板につき。

樹脂酸パラジウムｏ、ｓｇを１００ｇのキシレンに溶解
した活性剤溶液を塗布し、６００℃及び６００℃に加熱
して熱分解を行った。これらの試料を実施例１と同じニ
ッケルーリン系無電解メッキ液に浸漬したところ、５０
０’Ｃで熱処理した試料は全面にわたって均一なニッケ
ル膜が得られたが、６ω℃で熱処理した試料は部分的に
メンキがっかながった。これは触媒となるパラジウムが
部分的に酸化され不活性になったためで、ｅＯＯ’Ｃで
熱処理した試料ｉ１０％の水素を含む窒素気流中ＳＯＯ
℃で３０分熱処理した後に無電解メッキしたところ、パ
ラジウムが還元され、全面にわたって均一なニッケル膜
が得られた。

実施例３ ２−エチルヘキサン酸ニッケルをケトン系溶剤に溶解し
、さらにロジン系樹脂を添加して増粘しインキとした。

これを表面をエツチング処理したアルミナ基板上に線幅
０．２Ｈのパターン状にスクリーン印刷して、溶剤を乾
燥してから大気中６００℃に加熱して熱分解した。次い
で、実施例１と同様の還元処理を行い市販のニッケルー
ボロン系無電解メッキ液に浸漬したところ２厚さ６００
０人。

線幅０．２ｆｌの均一なニッケル膜が得られた。これを
更に１０％の水素を含む窒素気流中４００℃で１０分間
熱処理したところ、抵抗の温度係数６ｏｏｏｐｐｍ／℃
を示した。

比較のため、樹脂酸銀の活性剤インキをアルミナ基板上
にスクリーン印刷し、６ｏＯ℃で熱分解して同様の無電
解メッキを行った。これを同じ条件で熱処理したところ
、抵抗の温度係数３０００ｐｐｍ／℃Ｌか示さなかった
。これは、熱処理によシ銀がニッケル膜中に拡散したた
めである。

実施例４ ナフテン酸銅を用い、エチルセルローズｌ”Ｋブチルカ
ルピトールに溶解して活性剤インキを作成した。このイ
ンキを表面をエツチング処理したアルミナ基板上にスク
リーン印刷し、溶剤を乾燥してから大気中６００℃に加
熱して熱分解した。

次いで、実施例１と同じ還元雰囲気中４００℃で熱処理
した後、無電解銅メブキ液に浸漬したところ、印刷した
パターンと同じ内鍋の回路パターンを得ることができた
。

発明の効果 以上実施例から分かるように、本発明による無電解メッ
キの活性化方法全採用することにより５熱分解処理の加
熱温度に関係なく活性化処理を行うことができる。また
、銀、パラジウム等の貴金属を使わずに銅、ニッケル等
の安い金属でも活性化処理ができるので本発明の産業上
の効果は大きい。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）無電解メッキに対し触媒活性を有する金属を含有
   する熱分解性化合物を被メッキ物上に積層し、上記熱分
   解性化合物を酸化性雰囲気で熱分解して後、還元雰囲気
   で熱処理して活性化処理を行うことを特徴とする無電解
   メッキ方法。
2. （２）無電解メッキに対し触媒活性を有する金属を含有
   する熱分解性化合物が、銅またはニッケル化合物である
   請求項１記載の無電解メッキ法。