JPH02114409A - 超電導体 - Google Patents
超電導体Info
- Publication number
- JPH02114409A JPH02114409A JP63268406A JP26840688A JPH02114409A JP H02114409 A JPH02114409 A JP H02114409A JP 63268406 A JP63268406 A JP 63268406A JP 26840688 A JP26840688 A JP 26840688A JP H02114409 A JPH02114409 A JP H02114409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- planes
- superlattice
- film
- superconductor
- targets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 102000045222 parkin Human genes 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超電導体に関する。
従来の技術
1986年以来、続々と新しい酸化物高温超電導体が発
見された。これらは従来の超電導体よシも、その転移温
度が著しく高くより有望な応用が期待される。最近発見
された新しい超電導体では、その結晶構造は、AB(C
n−1CunOn)0!なる構造をと9、単位格子中に
C原子で連結されたn層のCu−0平面を含み、この平
面構造が超電導機構に深く関与していると言われる。こ
こにAはBi 。
見された。これらは従来の超電導体よシも、その転移温
度が著しく高くより有望な応用が期待される。最近発見
された新しい超電導体では、その結晶構造は、AB(C
n−1CunOn)0!なる構造をと9、単位格子中に
C原子で連結されたn層のCu−0平面を含み、この平
面構造が超電導機構に深く関与していると言われる。こ
こにAはBi 。
B 12 、 TlまたはT12、BはSr 、 Sr
2. Ba 、 Ba2、CはY 、 Ca 、ランタ
ン系列元素を表わす。経験的事実として、単位格子中の
Cu−0平面の数nが多いほど、転移温度は高い。Tl
系ではTe2Ba2(Ca2Cu303)Oxの3層構
造で、T、=12sKが記録されている[ S、S、P
、 Parkin等、フィジカルレヒューレターズ (
Physical ReviewLetters、 v
ol 60 2539 (198B ) ]。
2. Ba 、 Ba2、CはY 、 Ca 、ランタ
ン系列元素を表わす。経験的事実として、単位格子中の
Cu−0平面の数nが多いほど、転移温度は高い。Tl
系ではTe2Ba2(Ca2Cu303)Oxの3層構
造で、T、=12sKが記録されている[ S、S、P
、 Parkin等、フィジカルレヒューレターズ (
Physical ReviewLetters、 v
ol 60 2539 (198B ) ]。
発明が解決しようとする課題
高い転移点を得ようとして、単位格子中のCu −0平
面の数nを増やそうとしても焼結等の熱平衡的手段では
著しく困難である。また、スパッタリング法にしても従
来のような単一のターゲットのみを用いていても、nを
増やすことはむずかしい。
面の数nを増やそうとしても焼結等の熱平衡的手段では
著しく困難である。また、スパッタリング法にしても従
来のような単一のターゲットのみを用いていても、nを
増やすことはむずかしい。
そこで本発明者らは、複数のターゲットを持つスパッタ
リング法を工夫し、Cu−0平面が3層以上の超格子超
電導薄膜を作製するとともに、この超格子超電導薄膜と
金属被膜を、単一のプロセスで、交互に積層してゆく技
術を開発した。
リング法を工夫し、Cu−0平面が3層以上の超格子超
電導薄膜を作製するとともに、この超格子超電導薄膜と
金属被膜を、単一のプロセスで、交互に積層してゆく技
術を開発した。
課題を解決するための手段
上に述べたように、Cu−0平面を多数単位格子中に積
層しようとしても、従来の方法では大きな困難がある。
層しようとしても、従来の方法では大きな困難がある。
更に、このような酸化物超電導体薄膜と金属薄膜との積
層膜を作製する時、その界面の接合性を向上させるため
に製造は単一プロセスが望ましい。
層膜を作製する時、その界面の接合性を向上させるため
に製造は単一プロセスが望ましい。
このような問題点を一挙に解決する手段として、以下に
述べるようなスパッタ法を使用した。すなわち、上記の
超格子超電導薄膜と金属薄膜を交互に積層するために基
体へ飛来して来る原子の順番と、その量を自由にコント
ロールすることにより、目的が達成されることを見出し
た。これによって超格子超電導薄膜と金属薄膜との積層
膜が、単一プロセスで可能となった。
述べるようなスパッタ法を使用した。すなわち、上記の
超格子超電導薄膜と金属薄膜を交互に積層するために基
体へ飛来して来る原子の順番と、その量を自由にコント
ロールすることにより、目的が達成されることを見出し
た。これによって超格子超電導薄膜と金属薄膜との積層
膜が、単一プロセスで可能となった。
作 用
本発明にかかる超電導体は、別々のターゲットから基体
上に飛来する原子の順番を制御し、その飛来エネルギー
および単位時間に飛来してくる量を明確にコントロール
されて成膜される。すなわち、このように形成された超
電導体の構造は本質的に非平衡的であり、平衡系では実
現できそうにない、多数のCu−0平面積層型の超格子
が実現できる。更に、この超格子超電導薄膜を特異的に
その表面に緻密平坦に堆積可能な金属の薄膜も、互いに
積層して堆積させることができる。これらの成膜プロセ
スは、試料を一度も大気にさらすことなく行われるので
非常に高精度で、種々の素子との一体化に適した超電導
体複合膜が本発明で実現される。
上に飛来する原子の順番を制御し、その飛来エネルギー
および単位時間に飛来してくる量を明確にコントロール
されて成膜される。すなわち、このように形成された超
電導体の構造は本質的に非平衡的であり、平衡系では実
現できそうにない、多数のCu−0平面積層型の超格子
が実現できる。更に、この超格子超電導薄膜を特異的に
その表面に緻密平坦に堆積可能な金属の薄膜も、互いに
積層して堆積させることができる。これらの成膜プロセ
スは、試料を一度も大気にさらすことなく行われるので
非常に高精度で、種々の素子との一体化に適した超電導
体複合膜が本発明で実現される。
実施例
本発明を図面とともに説明する。
第1図において、超電導複合膜は、基体11上に形成さ
れる。例えばスパッタリング法では、超格子超電導体薄
膜12は、その構成元素のうちの一種あるいは二種以上
の合金か化合物からなる複数のターゲット14を用いて
成膜される。金属被膜13は、上記複数ターゲットのう
ちの1つを用いてスパッタされる。基体の温度を600
’C以上の高温に保ち、すべてのターゲットは放電して
おく。もしシャッター16がなければ、複数のターゲッ
トすべてから原子は基体へ飛来する。この時、個々のタ
ーゲットの放電電力を、十分制御可能な時間内に、一原
子層が形成されるように調節する。
れる。例えばスパッタリング法では、超格子超電導体薄
膜12は、その構成元素のうちの一種あるいは二種以上
の合金か化合物からなる複数のターゲット14を用いて
成膜される。金属被膜13は、上記複数ターゲットのう
ちの1つを用いてスパッタされる。基体の温度を600
’C以上の高温に保ち、すべてのターゲットは放電して
おく。もしシャッター16がなければ、複数のターゲッ
トすべてから原子は基体へ飛来する。この時、個々のタ
ーゲットの放電電力を、十分制御可能な時間内に、一原
子層が形成されるように調節する。
この時の放電電力は直流でも高周波でも可能である。こ
こで1つ窓16のあいた回転可能のシャツp−16を用
いる。シャッターは、その回転の角度と停止時間を完全
にコントロールできるので、基体11上に原子層を任意
の厚さで、順序良く積層していくことが可能であり実験
者の意図するような超格子複合構造が実現する。
こで1つ窓16のあいた回転可能のシャツp−16を用
いる。シャッターは、その回転の角度と停止時間を完全
にコントロールできるので、基体11上に原子層を任意
の厚さで、順序良く積層していくことが可能であり実験
者の意図するような超格子複合構造が実現する。
特にターゲットの1つに、A−Cu合金を選び、スパッ
タ電力、シャッター窓のA−Cuターゲット上での停止
時間および他のスパッタ条件を整備するとAで連結され
たCuO平面が多数個単位格子中に形成される。ここに
へ元素は、Y、ランタン系列元素(原子番号57〜71
)、Mg 、 Ca 、 Sr 、Baのうち少くとも
一つである。
タ電力、シャッター窓のA−Cuターゲット上での停止
時間および他のスパッタ条件を整備するとAで連結され
たCuO平面が多数個単位格子中に形成される。ここに
へ元素は、Y、ランタン系列元素(原子番号57〜71
)、Mg 、 Ca 、 Sr 、Baのうち少くとも
一つである。
この超格子超電導膜と積層複合膜を形成する金属薄膜と
しては、金、銀、白金、ニッケル、チタン、パラジウム
が有効であり、と9わけ白金が最適である。このターゲ
ットの放電々力と、シャッター窓の停止時間を調節する
ことにより超電導体薄膜にはさまれる金属薄膜の厚さを
自在にかえることができる。
しては、金、銀、白金、ニッケル、チタン、パラジウム
が有効であり、と9わけ白金が最適である。このターゲ
ットの放電々力と、シャッター窓の停止時間を調節する
ことにより超電導体薄膜にはさまれる金属薄膜の厚さを
自在にかえることができる。
(具体的実施例)
基体11として職ρ単結晶(100)面を用いる。
BaCu合金14a、CuY合金14bおよびPt14
Cをそれぞれ3つの独立したターゲット14として直流
マグネトロンスパッタにより、Pt−YBaCuO系超
格子超電導複合膜を作製した。まず、シャッターをすべ
て閉じ、すべてのターゲットで放電を開始する。次にB
aCu合金とCuY合金の二つのターゲット上での窓の
停止時間を調節することにより、CuBaox層22と
CuO・・−Y ・−CuO−・CuO−・−Y・・・
Cu0層22を順に積層して超格子を作ってゆく。
Cをそれぞれ3つの独立したターゲット14として直流
マグネトロンスパッタにより、Pt−YBaCuO系超
格子超電導複合膜を作製した。まず、シャッターをすべ
て閉じ、すべてのターゲットで放電を開始する。次にB
aCu合金とCuY合金の二つのターゲット上での窓の
停止時間を調節することにより、CuBaox層22と
CuO・・−Y ・−CuO−・CuO−・−Y・・・
Cu0層22を順に積層して超格子を作ってゆく。
この図を第2図に示す。この2つのターゲットの放電々
力を調節したシ、CuYターゲット上での窓の停止時間
を長くして、CuO・・・Y・・・CuO層を人工的に
厚くしてゆくことができる。(Ar +02 )圧力を
5X10 torr 、 Ar :02=2 :1
、 CuBa合金ターゲットの電力を1 ow、 Cu
Y合金ターゲットの電力を15W、 CuBaターゲッ
ト上での窓の停止時間が1秒、CuY上での停止時間を
3秒、シャッターの往復運動を500回、基板温度を6
oO℃とすると、単位格子中のCuO平面数が3、膜圧
200o人の超格子構造となった。条件をかえて、nを
20層まで増やした。
力を調節したシ、CuYターゲット上での窓の停止時間
を長くして、CuO・・・Y・・・CuO層を人工的に
厚くしてゆくことができる。(Ar +02 )圧力を
5X10 torr 、 Ar :02=2 :1
、 CuBa合金ターゲットの電力を1 ow、 Cu
Y合金ターゲットの電力を15W、 CuBaターゲッ
ト上での窓の停止時間が1秒、CuY上での停止時間を
3秒、シャッターの往復運動を500回、基板温度を6
oO℃とすると、単位格子中のCuO平面数が3、膜圧
200o人の超格子構造となった。条件をかえて、nを
20層まで増やした。
こののち、シャッター窓を白金ターゲット上に移し、放
電々力を10W、ターゲットの上での窓停止時間を10
分に選ぶと、超格子超電導薄膜上に白金膜が、膜圧約3
00人で成膜された。
電々力を10W、ターゲットの上での窓停止時間を10
分に選ぶと、超格子超電導薄膜上に白金膜が、膜圧約3
00人で成膜された。
こののち再び、超電導薄膜をこの白金上に成膜し、更に
この上に、第二の白金層を形成した。このような動作を
くり返すことにより、白金−超格子超電導薄膜を積層し
た複合膜を作製した。
この上に、第二の白金層を形成した。このような動作を
くり返すことにより、白金−超格子超電導薄膜を積層し
た複合膜を作製した。
この複合膜の超電導転移温度はsoKであった。
発明の効果
すでに説明したように、本発明によれば、CuO平而の
面位格子中の数を制御して高い転移温度を得、その間に
金属薄膜をはさみこんで複合膜を作製した。
面位格子中の数を制御して高い転移温度を得、その間に
金属薄膜をはさみこんで複合膜を作製した。
種々の素子との一体化等において実用の範囲は広く、本
発明の工業的価値は高い。
発明の工業的価値は高い。
第1図は本発明の一実施例の超電導薄膜の作製装置の模
式図、第2図は本発明の酸化物超電導体の単位格子の模
式図である。 11・・・・・・基体、12・・・・・・超電導体薄膜
、13・・・・・・緩衝膜、14・・・・・・複数ター
ゲット、15・・・・・・シャッター、16・・・・・
・窓、21・・・・・・超格子Y−CuO平面層、22
・・・・・・BaCuO工層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名11
滲 超 電 填 % l罎 Q 服 層 啼 ダーf −J ) t う で シ タ ツ 第2図
式図、第2図は本発明の酸化物超電導体の単位格子の模
式図である。 11・・・・・・基体、12・・・・・・超電導体薄膜
、13・・・・・・緩衝膜、14・・・・・・複数ター
ゲット、15・・・・・・シャッター、16・・・・・
・窓、21・・・・・・超格子Y−CuO平面層、22
・・・・・・BaCuO工層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名11
滲 超 電 填 % l罎 Q 服 層 啼 ダーf −J ) t う で シ タ ツ 第2図
Claims (2)
- (1)A原子で連結されたCuO−平面の超格子構造を
持ち、その平面の数が単位格子中に20層以下存在する
ことを特徴とする酸化物超電導体と、金属被膜を交互に
積層して形成した超電導体。 ここにAは、Y、ランタン系列原子(原子番号57〜7
1)、Mg、Ca、Sr、Baのうち少くとも一種の元
素を示す。 - (2)金属被膜として、白金、金、銀、ニッケル、チタ
ンおよびパラジウムを使用することを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の超電導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268406A JPH02114409A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268406A JPH02114409A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 超電導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02114409A true JPH02114409A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17458034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63268406A Pending JPH02114409A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 超電導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02114409A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02212301A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-23 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 超電導膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268406A patent/JPH02114409A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02212301A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-23 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 超電導膜の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5101779B2 (ja) | 高臨界電流超伝導テープ用構造物 | |
JPH11504612A (ja) | 効果的な2軸配向組織を有する構造体及び同構造体の製造方法 | |
JPH05894A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜 | |
US6605569B2 (en) | Mg-doped high-temperature superconductor having low superconducting anisotropy and method for producing the superconductor | |
JPH02114409A (ja) | 超電導体 | |
JPS63242532A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
JP2539842B2 (ja) | 超電導薄膜の形成方法 | |
JPH0358488A (ja) | プレーナ型ジョセフソン素子及びその製造方法 | |
JP2899285B2 (ja) | 超電導体 | |
JP3099891B2 (ja) | 超電導部材 | |
JP3251093B2 (ja) | 超伝導体およびその製造方法 | |
JPH01100820A (ja) | 高温超電導材 | |
JPH01286920A (ja) | 超電導体 | |
JPH02102121A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
JP3478543B2 (ja) | 酸化物超伝導薄膜およびその製造方法 | |
JP2741277B2 (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
JPH0316920A (ja) | 酸化物超電導薄膜およびその製造方法 | |
JP2669052B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜およびその製造方法 | |
JPH03105807A (ja) | 酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜 | |
JP3025891B2 (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
JPH02173258A (ja) | 薄膜の作製方法および作製装置 | |
JP2961852B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
JPH03215319A (ja) | 薄膜超伝導体の製造方法 | |
JPH0465320A (ja) | 超電導薄膜およびその製造方法 | |
JP2532986B2 (ja) | 酸化物超電導線材及びそれを用いたコイル |