JPH02113455A - 燃可塑性ポリカーボネートとスチレンおよび（メタ）アクリル酸エステルの共重合体との混合物の光学的データ記憶用サブストレートとしての利用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は （ａ）少くとも５０重量％、好ましくは少なくとも７５
重量％、好ましくは少なくとも９０重量％、もつとも好
ましくは１００重量％が次の一般式（１） ％式％ 式中Ｘは単結合、Ｃｌ−０６アルキレン、Ｃ２〜Ｃ６ア
ルキリデン、Ｃ３もしくはＣ，シクロアルキリデンまた
はＣ６もしくはＣ，シクロアルキレン、好ましくはメチ
レン、ブチリデンまたはイソプロピリデンおよびもつと
も好ましくはインプロピリデンを表わす、 に対応するくり返し構造単位からなり、かつ多くても５
０重量％、好ましくは多くても２５重量％、より好まし
くは多くても１０重量％、もつとも好ましくは０重量％
が次の一般式（２） 式中−Ｒ−は核がアルキルまたはハロゲンによって置換
されていてもよく、好ましくは６〜３６個の炭素原子を
含むアリーレン部分を表わし、もつとも好ましくは次の
一般式（３）に対応する部分であり、式中Ｘは一般式（
１）と関連して定義されたものであり、またＣＩ　。

またはアリールアルキリデンを表わしてもよく、ＴはＣ
，−Ｃ４アルキル、ＣＩ！、またはＢｎを表わし、ｎは
０．１または２を表わす、に対応するくり返し構造単位
からなる熱可塑性芳香族ポリカーポ不−）１０〜９０重
量％、好ましくは２０〜８０重量％、より好ましくは３
０〜７０重量％、もつとも好ましくは４０〜６５重量％
、および （ｂ）スチレンとその誘導体から選ばれた少なくとも１
種の化合物熱可塑性共重合体の重量に対して９９〜５０
重量％および少なくとも１種の（メタ）アクリル酸エス
テル１〜５０重量％、好ましくは３〜４０重量％、より
好ましくは７〜３５重量％、もつとも好ましくは１０〜
３０重量％からなる熱可塑性共重合体９０〜１０重量％
、好ましくは８０〜２０！ｉ量％、より好ましくは７０
〜３０重量％、もつとも好ましくは６０〜３５重量％ からなる混合物の光学的データ記憶用サブストレートと
しての利用に関する。

（本目的に対して、「（メタ）アクリル酸エステル」は
「メタクリル酸エステルおよび／またはアクリル酸エス
テル」の便宜的な短縮形である。）アリールアルキリデ
ン基の例には が含まれる。

本混合物は高い剛性、低い複屈折、とくにその光学的な
均一性のため光学的データ記憶用のすぐれたサブストレ
ートであり、そのためそのような混合物はディスク表面
に対して軸方向、接線方向および半径方向にとくに低い
複屈折を有する光学的に均一に成形体（たとえばコンパ
クトディスク）の製造に適する。録音再生装置の読み出
し光学系用の全射出成形体にわたる複屈折の均一性の重
要性が強調されねばならない。

複屈折の減少ばかりでなく、補償が起こるタイプの混合
物の釣り合った組成は、溶融物の種々の流動過程のため
に成形体の形に依存するかもしれない。

光学的データキャリヤー上の情報はレーザーの直線偏光
を用いて読まれ、そしてまたデータが記録可能な場合に
は書き込まれる。記録および消去過程のための系の１つ
は磁気光学的データ貯蔵である。光の振動面のわずかな
回転（１’以下）でさえシグナルとして読まれるので、
個々の値がここで複屈折のなし・サブストレート材料上
に置かれねばならない。

複屈折はプラスチック（熱可塑性）において２つの因子
のためである。一方では物質に特有の成分、そして他方
では加工によって支配される成分、その成分はまた配向
複屈折と呼ばれる。低複屈折、熱可塑性成形体はしたが
って理論的には２つの方法、 （ａ）　　適当なプロセスパラメーターを選ぶことによ
って、たとえば熱可塑ポリカーボネートがら作られるオ
ーディオ用コンパクトディスクの射出成形または射出プ
レスするときには、低粘度形を比較的高温で加工するこ
とによって、 あるいは （ｂ）　　たとえばビデオディスクの製造に対して用い
られるポリメタクリル酸メチルのようなそれ自体複屈折
に対するわずかな傾向しか示さない材料を用いることに
よって、 作ることができる。

しかしながら、（ａ）は、射出成形条件下では、この目
的のために必要であるポリマー鎖の配向の完全な欠如が
達成できないので理論的な興味にすぎない。

低複屈折熱可塑性プラスチックを用いるケース（ｂ）は
低い含水率（０，３％以下）とある程度の熱寸法安定性
（８０°Ｃ以上）に対する同時の要求によってさらにか
なり制限される。

たとえば磁気光学系のような記録可能な記憶装置は許容
できるシグナル／ノイズ比を達成するために記録すると
きに比較的高いエネルギーを必要とする。そのＩ；め比
較的大きな開口数を有する光学系が用いられる。記録お
よび読み出し光学系の開口角に依存して、接線および半
径方向の光路に対してさえもできるだけ低い光学的異方
性をもつことが非常に重要である。それゆえ、すでに軸
方向に複屈折のため比較的低い光路差（２０ｎｍ／　ｍ
ｍ）を有するポリカーボネートから作られたコンパクト
ディスクはそれでもなお接線方向と半径方向に高い値、
典形的には５００〜ｌ　０００ｎｍ／ｍｍを示す。開口
数の大きさに依存して、接線方向および半径方向の複屈
折値は多少軸方向の複屈折に加わる。

わずかな複屈折のどのような打ち消しでもより容易に行
うことができるように、複屈折値が全コンパクトディス
クにわたって比較的低い変動値を有することもまた必要
である。

反対の複屈折のポリマーを加えることによってポリマー
の複屈折を減少させる一般的な可能性は公知である（Ｊ
、ヘニツヒ（Ｈｅｎｎｉｇ）　、コンファレンス［新し
いポリ？　−（Ｎｏｖｅｌ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）　Ｊ、
バード・ナウハイム（Ｂａｄ　Ｎａｎｈｅｉｍ）、１９
８６年４月１４〜１５日の講演、［光学ディスク記憶用
サブストレートとしてのポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒｓａ
ｓ　５ｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｆｏｒ　ｏｐｔｉｃａｉ　
ｄｉｓｃ　ｓｔｏｒａｇｅ）　Ｊ　）。

複屈折のないプラスチックはドイツ特許出願公開第３３
２７９２９号（ＬｅＡ２２０１５）から公知である。こ
れらの性質は、それぞれ表面への法線に対して垂直な光
軸を９０°の角で有する、平行にかさなって配列してい
る少なくとも２つの面を有するプラスチック構造によっ
て達成され、光路差の合計は全体として事実上ゼロであ
る。フィルムは好ましくは、複屈折の打ち消しが起こる
ように互いに結合されている（ドイツ特許出願公開の６
頁のパラグラフ２および３）。

適当なプラスチックはたとえばポリアリーレンスルホン
、ポリスチレン、ポリ塩化ビニルまたはポリウレタンで
ある。たとえばスチレン−アクリロニトリル共重合体、
ポリメチルペンテン、ポリカーボネート、ポリアクリラ
ート、ポリメタクリラート、セルロースエステルのよう
にすぐれた光学的性質を有するポリマーまたは上記のポ
リマーを含む混合物および共重合体を用いるのが好まし
い。ポリカーボネートまたは少なくとも１０重量％のポ
リカーボネートを含むプラスチックの混合物を用いるの
がもつとも好ましい。適当なポリカポネートはまた、た
とえばテトラメチルビスフェノールＡのようにアルキル
化された核を有するジフェノールにもとづいたものであ
る。

テトラメチルビスフェノールポリカーボネートとスチレ
ンおよび（メタ）アクリル酸エステルの共重合体との混
合物は公知である（たとえばドイツ特許第２３２９５８
５号（ＬｅＡ　　１５０２４）およびに、Ｅ、ミン（Ｍ
ｉｎ）およびり、Ｒ，ポール（Ｐａｕ　ｌ　）、ｒＡＣ
３シンポジウム、ニュー・オリンズ（ＮｅｗＯｒｌｅａ
ｎｓ）、１９８７年参照）。しかしそのようなブレンド
の光学的データ記憶用サブストレートとしての可能な利
用の開示はない。

日本特許出願昭６１−１９６５６号は光学的な器機に対
する原材料としてすすめられるポリカーボネートとスチ
レン樹脂共重合体の混合物を開示している。ポリカーボ
ネートは多数のものがあげられているビスフェノールか
ら合成され、これらにはまた２、２−ビス−（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパンが含ま
れる。しかしながら、ビスフエンールＡポリカーボネー
トだけが実施例に用いられている。

用いられるスチレン樹脂共重合体はスチレンと不飽和上
ノーおよびジカルボン酸およびそれらの誘導体から選ば
れた１種、２種またはそれ以上の代表的なものとにもと
づくものである。これらの不飽和上ノーおよびジカルボ
ン酸およびそれらの誘導体はスチレン樹脂と１〜３０を
量％の量が重合する。

上記のモノカルボン酸はアクリル酸およびメタクリル酸
であり、上記のその誘導体はアクリルアミドおよびメタ
クリルアミドであり、アクリル酸エステル、メタクリル
酸エステル、アクリロニトリルおよびメタクリロニトリ
ルではない。

さらに日本特許昭６１−１９６５６号は、アクリル酸、
メタクリル酸、アクリルアミドおよびメタクリルアミド
に加えて、さらにたとえばアクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メタクリル酸メチル、アクリル酸メチル、
酢酸ビニルなどのようにスチレン樹脂と共重合した不飽
和化合物もまた１０重量％以下の割合でスチレン樹脂と
重合させてもよいと述べている。

日本特許昭６１−１９６５６号により、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリルおよび、たとえばメタクリル酸
メチルおよびアクリル酸メチルのようなアクリル酸エス
テルおよびメタクリル酸エステルは、したがって、上記
の不飽和上ノーおよびジカルボン酸およびそれらの誘導
体に加えて、スチレン樹脂中の第３成分としてのみ含む
ことができる。

ここに、一方ではある種のポリカーボネートを選び、他
方では特定のスチレン共重合体を選ぶことにより、光学
的な性質に関して最適の結果を有する混合物が得られる
ことが示された。

ドイツ特許出願公開第３．６３５．８２５号（ＬｅＡ　
　２４５８４）から、芳香族ポリカーボネートとポリス
チレンとの混合物およびそれらの光学的データ記憶への
利用は公知である。

光学的利用のための材料はヨーロッパｓ許ｓ。

１９９８２４号から公知であり、それらはポリカポネー
トとポリスチレンまたはポリアクリル酸アルキルまたは
ポリメタクリル酸アルキルとの混合物からなってよい（
ヨーロッパ特許ｍ　ｌ　８９　。

８２４号の８頁）。メタクリル酸メチル−スチレン共重
合体のグラフト共重合体もまた用いることができる（ヨ
ーロッパ特許環０．１９９，８２４号）。スチレン−無
水マレイン酸共重合体（実施例２）、メタクリル酸メチ
ル、スチレンおよびＮブチルマレイミドの共重合体（実
施例３）およびメタクリル酸メチルとスチレンのメタク
リル酸グリシジル−スチレン−メタクリル酸メチルオリ
ゴマーへのグラフトポリマー（実施例４）が実施例で用
いられる。しかしながら、スチレン−無水マレイン酸共
重合体のみ（比較例２）およびメタクリル酸メチル−ス
チレン共重合体のみ（比較例３および４）の両者が光学
材料として不適当であることは比較例２．３および４か
らみることができる。実施例２はまたポリカーボネート
との混合物において第３の成分が必要である。テトラメ
チルビスフェノール−ポリカーボネートはヨーロッパ特
許環０．１９９．８２４号にはあげられていない。

用いるべき成形用材料の単一相性が、次の例が示すよう
に、対応する射出注型成形体の実質的な光学的均一性の
ための必要な条件ではあるが適当な条件とはみなすべき
ではない。テトラメチルビスフェノールＡとビスフェノ
ールＡのポリカーボネートの均一な単一相ブレンドはも
ちろん比較的高い複屈折レベルにおいて全成形体にわた
って複屈折の大きな変動を示す（実施例３）。

成分（ａ）として用いるべきポリカーボネートは公知で
あるか、公知の方法によって合成することができる。

次の一般式（４） 式中Ｘは一般式（１）に関連して定義されたものと同じ
である、 に対応するジフェノールには、たとえばビス−（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル） ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
−メタン ２．２−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−プロパン ２．２−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキンフェニ
ル）−ブタン ２．４−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−メチルブタン １．１−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−シクロヘキサン が含まれ、一般式（１）の構造単位に対する基本である
。

これらのビスフェノールのなかで、次のものが好ましい
。

ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
−メタン ２．２−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−プロパン ２．２−　（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−ブタン ２．２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキノフ
ェニル）−プロパンがとくに好ましい。

一般式（４）に対応するものからはなれて、ほかのジフ
ェノールは一般式（２）に対応する二官能性構造単位に
対する基本となることができる。

式（５）ＨＯ−Ｒ−ＯＨに対応するほかの適当なジフェ
ノールはヒドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシ
ジフェニル、 ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカンビス−（ヒド
ロキシフェニル）−シクロアルカンヒス−（ヒドロキシ
フェニル）−スルフィドビス−（ヒドロキシフェニル）
−エーテルビス−（ヒドロキシフェニル）−ケトンビス
−（ヒドロキシフェニル）−スルホキシドヒス−（ヒド
ロキシフェニル）−スルホンおよびα、α　−ビス−（
ヒドロキシフェニル）ジイソプロピルベンゼンおよび対
応する置換化合物。

ジフェノール（４）および（５）は公知であるか公知の
方法によって合成することができる。

（これに対して、たとえばヘルマン・シュネル（Ｈｅｒ
ｍａｎｎ　５ｃｈｎｅ１１）、「ポリカーボネートの化
学と物理（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　ｏｆ　Ｐｏ１ｙｃａｒｂ。

ｎａｔｅｓ）　Ｊ　％ポリマーレビュー、第９巻、イン
ターサイエンス・パブリッシャーズ（Ｉｎｔｅｒｓｃｉ
ｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｓ）　、ニューヨーク、１
９６４年；報告　Ｖ、セリニ（Ｓｅｒｉｎｉ）　、Ｄ、
７ライターク（Ｆｒｅｉｔａｇ）　、Ｈ−フエルナレヶ
ン（Ｖｅｒｎａｌｅｋｅｎ）、ｒｏ、ｏ、ｏ’、ｏ　’
−テトラメチル置換ビスフェノールからのポリカーボネ
ート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ　ａｕｓｏ　、　Ｏ
＊　Ｏ’　＋　Ｏ’　−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−ｓｕ
ｂｓｔｉｔｕｉｅｒｔｅｎＢｉｓｐｈｅｎｏｌｅｎ）　
Ｊ　％アンゲバンテー？クロモレキュラーレ・ヘミ−（
Ａｎｇｅｗ、Ｍａｋｒｏｍ、Ｃｈｅｍ、）　、５５巻、
（１９７６年）、１７５−１８９頁、ならびにドイツ特
許出願公開第２，０６３，０５０号、第２．２１１，９
．５７号、第２，２４８，８１７号および第２，６１５
，０３８号を参照）。

適当なジフェノール（５）の例には ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン２．２−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパ／ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−スルフィ
ド ２．２−ビス＝（４−ヒドロキシフェニル）−スルホン １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キサン １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１フエニ
ルエタン α、α　−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン ２．２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキンフェニル
）−プロパン ２．２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）−プロパン ２．２−ビス−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフ
ェニル）−プロパン が含まれる。

２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン
がとくに好ましいジフェノール（５）である。

本発明によって用いることができるポリカーボネートの
分子量を調節するために、連鎖停止剤を用いてもよい。

このタイプの連鎖停止剤は何度も文献に記載されている
。それらはたとえばアミン、フェノール、カルボン酸お
よびそれらの誘導体のように、ビスフェノールまたは炭
酸誘導体と反応することができる一官能性化合物である
。好ましいフェノールはたとえばフェノール、０−クレ
ゾール、２．６−シメチルフエノール、ｐ−ｔ−ブチル
フェノ ルおよびとくに式 式中Ｒは８または９個の炭素原子を有する枝分れアルキ
ル基を表わす、 に対応するフェノールであり、ここで およびとくに式 ％式％ に対応するフェノ ルが好ましい。ｐ イソオフ チルフェノール ＣＨ，ＣＨ。

がとくに好ましい。

本発明によって用いることができるポリカーボネートの
分子量は広い範囲内で変えることができる。とくに適当
なポリカーボネートは６，０００〜１２５，０００、好
ましくは１２，０００〜６０゜０００、より好ましくは
１７，０００〜４３，０００、もつとも好ましくは２１
，０００〜３１．０００の分子量ＭＷを有する。

本発明によって用いることができるポリカーボネートは
少量の、好ましくは０．０５〜２．０モル％（用いるジ
フェノールに対して）の少なくとも三官能性化合物、と
くに三もしくはそれ以上のフェノール性水酸基を有する
ものを組み込むことによって枝分れさせてもよい。この
タイプのポリカポネートは公知である。

用いることができる３個もしくはそれ以上のフェノール
性水酸基を有するそのような化合物の例には フロログルシノール ４．６−シメチルー２．４．６−１リー（４−ヒドロキ
シフェニル）−へブテン−２，４，６−’；メチルー２
．４．６−１−リー（４−ヒドロキシフェニル）−へブ
タン １．３．５−トリー（４−ヒドロキシフェニル）−ベン
ゼン １．１．１−トリー（４−ヒドロキシフェニル）エタン トリー（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン ２．２−ビス−［４，４−ビス−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−シクロへキシルゴープロパン２．４−ビス−（
４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）−フェノール ２．６−ビス−（２−ヒドロキシ−５′−メチルベンジ
ル）−４−メチルフェノール ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒ
ドロキシフェニル）−プロパン ヘキサ−［４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル
）−フェニル］オルトーテレフタラートテトラ−（４−
ヒドロキシフェニル）−メタンテトラ−［４−（４−ヒ
ドロキシフェニルイソプロピル）−フェノキシ］−メタ
ン １．４−ビス−［４’、４“−ジヒドロキシトリ７エ二
ル）−メチル］−ベンゼン が含まれる。ほかの適当な三官能性化合物は２゜４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、塩化シアヌール、
３，３−ビス−（４−ヒドロキシ７エ二ル）−２−オキ
ソ−２，３−ジヒドロイントルおよび３．３−ビス−（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−
２，３−ジヒドロインドールである。

成分（ａ）に対して本発明によって用いるべきポリカー
ボネートは、各々の場合にポリカーボネートの酸エステ
ルのモル数の合計に対して〈４０モル％、好ましくはく
２５モル％、より好ましくは＜１０モル％の量のほかの
ジカルボン酸部分を炭酸根のかわりに含んでよい。

これらのほかのジカルボン酸部分は脂肪族および／また
は芳香族ジカルボン酸、好ましくは芳香族ジカルボン酸
から作られてよい。適当な芳香族ジカルボン酸の例はイ
ソフタル酸およびテレフタル酸およびそれらの混合物で
ある。

成分（ａ）に対して本発明によって用いるべきポリカー
ボネートはまたポリカーボネート中の酸根のモル数の合
計に対してく２５モル％の量のｐヒドロキシ安息香酸部
分を含んでもよい。

スチレンおよびその誘導体が成分（ｂ）に対して本発明
によって用いるべきスチレン共重合体の基本であってよ
く、１種またはそれ以上のスチレン化合物を各々の場合
に用いてよい。スチレンおよびその誘導体の例にはスチ
レン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、３．
４−ジメチルスチレン、Ｏ−ジビニルベンゼンおよびｐ
−ジビニルベンゼン、σ−クロロスチレン、ｐ−クロロ
スチレン、２．４−ジクロロスチレンおよびｐ−クロロ
−α−メチルスチレンが含まれる。スチレン、σ−メチ
ルスチレンおよびｐ−メチルスチレンが好ましく、スチ
レン自身がとくに好ましい。

アクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステルから選
ばれた少なくとも１種のコモノマーを用いる。このタイ
プのコモノマーはたとえばアクリル酸メチル、アクリル
酸エチル、アクリル酸ｎ　−プロピルおよびイソプロピ
ル、アクリル酸ｎ−ブチルおよびイソブチル、アクリル
酸２−エチルヘキ／ル、メタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチルおよびイソブチル
、メタクリル酸ンクロヘキシルおよびメタクリル酸イン
ボルニルである。アクリル酸メチルおよびメタクリル酸
メチルを用いるのが好ましく、メタクリル酸メチルがと
くに好ましい。

好ましいスチレンポリマーはスチレン−メタクリル酸メ
チル共重合体およびスチレン−アクリル酸メチル共重合
体である。スチレン−メタクリル酸メチル共重合体およ
びスチレン−アクリル酸メチル共重合体がとくに好まし
い。

熱可塑性スチレンポリマーはラジカル重合の公知の方法
によって、たとえばバルク重合、溶液重合および乳化重
合によって、またはたとえば溶液、沈殿またはバルク懸
濁法のような組み合せ法によって合成してもよい。しか
しながら、ほかの公知の方法、たとえばイオン重合法お
よび有機金属混合触媒を用いる方法（チーグラー−ナツ
タ法）がスチレンポリマーの合成に用いられてもよい。

本発明によって用いることができるスチレンポリマーの
分子量は広い範囲内で変えることができる。５，０００
〜５，０００，０００の分子量ＭＷが好ましく、２０，
０００〜２００，０００がとくに好ましい。

本発明によって用いることができる熱可塑性スチレンポ
リマーは線状であっても枝分れしてもよい。枝分れは枝
分れた化合物、たとえばジビニルベンゼンを枝分れした
化合物として加えることによって、あるいはまた異なっ
た方法で枝分れ点を形成させるこによって、たとえば重
合中のラジカルグラフト反応によって行なってもよい。

少なくとも２種の異なったポリカーボネートの混合物も
また、混合物がポリカーボネートに対して記された要求
を充たすと仮定して、成分（ａ）として本発明により使
用するためのポリカーポネトであると理解すべきである
。

したがって個々の混合物のポリカーボネートのうちの少
なくとも１種は、混合物が全体として示された組成に対
応すると仮定して、本発明によって用いるべきポリカー
ボネートに対してあげられた組成とは異なってもよい。

もしも少なくとも２種のポリカーボネートを用いるなら
ば、それらはスチレンポリマーへの添加の前に、あるい
はスチレンポリマーと同時に、たとえば溶融物上に混合
してもよい。

少なくとも２種の異なったスチレンポリマーの混合物も
また成分（ｂ）として本発明によって使用するためのス
チレン共重合体であると理解すべきである。ポリカーボ
ネートの混合物に対して上に述べたことが各々の混合物
に対して同じ意味であてはまる。

さらに通常の添加剤（ｃ）を本発明によって用いるべき
成分（ａ）および（ｂ）の混合物に加えてもよい。

本目的に対する通常の添加剤（Ｃ）はヨーロッパ特許第
０．１９９．８２４号の教えるところにより相溶性促進
剤を含まない。どちらかといえばそれらはとくに本発明
によって用いるべきプラスチック混合物の成分（ａ）お
よび（ｂ）に対する熱、ＵＶ光および水分に対する安定
剤である。さらに、成分（ａ）および（ｂ）のプラスチ
ック混合物の光学的性質に影響を及ぼさないと仮定して
、難燃剤、滑剤および離型剤、そしてさらに加工助剤を
あげることができる。

したがって、本発明はまた成分（ａ）　、（ｂ）および
（ｃ）通常の量の通常の添加剤からなる混合物の光学的
データ記憶用サブストレートとしての利用に関する。成
分（ａ）と（ｂ）の合計は各々の場合に１００重量％で
あり、添加剤（ｃ）の量は各々の場合に成分（ａ）と（
ｂ）の合計の１００％に対するものである。

添加剤の通常の量は熱可塑性ポリカーボネートに対して
、または熱可塑性スチレン−（メタ）アクリル酸エステ
ル共重合体に対して通常であるものである。

成分（ａ）および（ｂ）、そして適宜（ｃ）から本発明
によって用いるべき成形用材料の製造は有機溶媒または
溶媒混合物中のその溶液から、続く溶媒の、たとえば蒸
発混和機または蒸発押出機での蒸発によって行ってよい
。しかしながら、溶融体から直接、たとえば混和ロール
、混和機または押出機で行ってもよい。溶融状態での出
発成分の混合は一般に１８０〜４５０°Ｃ１好ましくは
２２０〜４００°Ｃ１より好ましくは２６０〜３６０℃
、もつとも好ましくは２８０〜３４０°Ｃで行ってよい
。

添加剤（ｃ）の混入はまた適宜成分（ａ）＋（ｂ）の混
合に続いて行なってもよい。

しかしながら、添加剤を含んでいる成分（ａ）および（
ｂ）が用いられてもよく、シたがって成分（ａ）および
／または（ｂ）と添加剤との事前の混合を行ってもよい
。

成分（ａ）　、（ｂ）および適宜（ｃ）の熱可塑性成形
用材料の溶融加工は好ましくは２６０〜３６０°Ｃ１よ
り好ましくは２９０〜３４０°Ｃにおいて行う。

フィルムを作るために加工するとき、溶液キャスト法、
続く溶媒の蒸発もまた溶融押出に加えて用いてもよい。

本発明によって用いるべき混合物は好ましくは１０〜８
０ｆｆｉ量％、より好ましくは２５〜５５重量％、もつ
とも好ましくは２５〜５５重量％のスチレン部分（共重
合体のスチレン部分として）を含んでいる。

もちろん、そのすぐれた相溶性のため、本発明によって
用いるべき混合物は、とくに光学的記憶媒体の分野にお
いて、それらを光学的応用に適するようにする工業的に
価値ある性質を有する。

このタイプの光学的記憶媒体は、たとえば読み出しのみ
可能光学的記憶（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ
Ｍｅｍｏｒｙ、　ＯＲＯＭ）、１回のみ書き込み可能光
学的記憶（Ｗｒｉｔｅ　０ｎｌｙ　Ｒｅａｄ　Ｍｏ５ｔ
ｌｙ、　ＷＯＲＩＪ）および消去および再記録可能光学
的記憶、適宜数回（ＥｒａｓａｂｌｅＯｐｔｉｃａｌ　
Ｄｉｓｋ、　ＥＯＤ）である。ＯＲ０Ｍ記憶の公知の応
用は長時間ヒデオ（Ｖｉｄｅｏ　Ｌｏｎｇ　Ｐｌａｙ）
（ＶＬＰ）、オーディオ用コンパクトディスク（ＣＤ）
、ＣＤ読み出しのみ記憶（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＣＤ相互作
用（ＣＤ−Ｉ）である。ＥＯＤ記憶媒体は種々の機構、
それゆえたとえば可逆性根変化Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇｓ　
ＭＯＲ）を利用する。

光学的記憶は次の参照文献で説明される。Ｊ。

ヘニング（Ｈｅｎｎｉｎｇ）、ｒ光学ディスク記憶用プ
ラスチック（Ｐｌａｓｔｉｃｓ　ｆｏｒ　ｏｐｔｉｃａ
ｌ　ｄｉｓｃ　ｓｔｏｒａｇｅ）Ｊ、タンストストツフ
エ（Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆｅ）　、７５巻（１９８５年
）、７号、４２５−４３０頁、Ｗ、シボーグ（Ｓ　ｉｅ
ｂｏｕｒｇ）、「ポリカーボネート−光学的記憶媒体用
材料（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ−ａ　ｍａｔｅｒｉ
ａｌｆｏｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｓｔｏｒａｇｅ　ｍｅｄ
ｉａ）Ｊ　、タンストストツフエ、７６巻（１９８６年
）、１０号、９１７〜９１９頁、エゴン・シュミット（
Ｅｇｏｎ　Ｓｃｈｍｉｄｔ）、［単一の磁気光学的記憶
（Ａ　ｓｉｎｇｌｅ　ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃａｌ　
ｍｅｍｏｒｙ）　Ｊ　、フランクフルター・アルゲマイ
ネ・ニュースペーパー（Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ　Ａｌ
ｌｇｅｍｅｉｎｅＮｅｗｓｐａｐｅｒ）、１９８７年６
月３日、科学と技術の特別記事。

光学的なデータ記憶は一般にポリマーベースのディスク
またはポリマーベースのフィルム（適宜複合フィルム）
からなり、その上に情報の層が記録される。光線、たと
えばレーザービームの助けをかりて、情報はそのような
データ記録から呼び出し、そのようなデータ記録上に書
き込み、そしてまたそのようなデータ記録を消去される
。このプロセスにおいて、光線はポリマーディスクまた
はポリマーフィルムを通過する。わずかなポリマーだけ
が情報をのせているデータ記憶ディスクまたはデータ記
憶フィルムのベースディスクまたはベースフィルムとし
ての使用に適する。そしてこれらは、それらがすべての
必要な性質を持たないのがゆえに制限される。

光学的記憶媒体用のベースディスクまたはベースフィル
ムの製造に対して今日までに用いられたポリマーはポリ
メタクリル酸メチルおよび２．２ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）−プロパン（ビスフェノールＡ）から作ら
れたポリカーポネトである。すでに述べたように、光学
的応用に対するプラスチック混合物の利用はまた日本特
許出願昭６１−１９６５６号およびヨーロッパ特許出願
第０．１９９，８２４号に記載されている。

したがって、成分（ａ）および（ｂ）および適宜（ｃ）
の混合物の本発明による利用は、これらの混合物が １、高い熱的寸法安定性 ２、高い溶融物の流動性 ３、すぐれた表面の性質 ４、加工の間の高い像の精度 ５、高い光沢 ６、すぐれた金属への接着 ７、高い透明性 ８、すぐれた熱安定性 ９、離型の容易さ １０、ディスクの低い複屈折 １１、ディスク内での複屈折の高い均一性１２、すぐれ
た機械的性質 １３、　ミクロクラックを形成する低い傾向１４、低い
吸水性 １５、低いゆがみの傾向 によって特徴ずけられる非常に有利な多くの性質を有す
るので有利である。

上記の個々の特性そしてまたとくにこれらの望ましい性
質の組み合せの両方が本成形用材料を従来入出できなか
った光学的データ記憶用ベース材料にする。

とくに注目に値するすぐれた機械的性質は組成と個々の
成分の弾性率から計算できる値よりもかなり高い、本ポ
リマー混合物の驚くべき高さの弾性率である。この高い
弾性率、低い吸水性、低い複屈折およびその全ディスク
にわたっての均一性の結果として、本ポリマー混合物か
ら１４ｃ−以上、好ましくは２０ｃ論以上、より好まし
くは２５ｃ以上の直径を有する高品質の光学的記憶ディ
スクを製造することが可能である。このタイプのディス
ク記憶系は、たとえば塗布された金属記憶層を有し、ス
ペーサーによって分離されている２枚のディスクからな
る３０ｃａ＋デイスク系であり、これらの層のキャリヤ
ーサブストレートは少なくとも３００ＯＮ／ｍｍの弾性
率を持たねばならない。

本発明によって用いることができるポリマーの組み合せ
が、とくにコンパクトディスクの製造において普通であ
る高い加工温度において変色に対する低い傾向を有する
という事実はまた特記すべきである。

本成形用材料はとくに読み出しのみ可能記憶（ＯＲＯＭ
）に、しかしながらもつとも著しくは１回のみ書き込み
可能光学的記憶（ＷＯＲＭ）およびとくに消去および再
記録可能記憶（Ｅ　ＯＤ）に対して適する。

実施例１−６ 本発明によるポリカーボネートとスチレンポリマーとの
混合物、その複屈折挙動と剛性用いたポリマ Ａ、２．２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）−プロパンポリカーポ不−ト（ＭＰＣ）、
連鎖停止剤として重合したｐ−インオクチルフェノール
、１ｒ８１−■、２０２（塩化メチレン中、２５°Ｃに
おいてＣ＝５ｇ／ｌで測定）Ｂ、２．２−ビス−（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−メタン／２
，２−ビス−（３゜５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−プロパンコポリカーボネート７５／２５モル比
（ＲＰＣ７５）、連鎖停止剤として重合した）ｐ−イン
オクチルフェノール、”ｔｅｌ　＝１．２１０　（塩化
メチレン中、２５°ＣにおいてＣ−５ｇ　／　ｌで測定
）Ｃ，２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）−ブタンポリカーボネート（ＢＰＣ）、
連鎖停止剤として重合した。−インオクチルフェノール
呟ｖ、ｏｌ−１−１９８塩化メチレン中、２５°Ｃにお
いてＣ＝５ｇ／ｌで測定）Ｄ、２．２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパンポリカーボ不一ト（ＰＣ）
、連鎖停止剤として重合したｐ−ｔ−ブチルフェノール
、’７ｒｅｌ　＝　１．２０５　（塩化メチレン中、２
５°ＣにおいてＣ−５ｇ／／！で測定） Ｅ、スチレン−メタクリル酸メチル共重合体８０／２０
重量部（３ＭＭ２０）　、Ｍｗ＝４５．０００（ゲルバ
ーミエーションクロマトグラフイーニよって測定）。

Ｆ、スチレン−無水マレイン酸共重合体９１／９重量部
（ＳＭＡ９）、Ｍｗ−１２０，０００（ゲルパーミェー
ションクロマトグラフィーによって測定）Ｇ、スチレン
−アクリロニトリル共重合体９０／１０重量部（ＳＡＮ
　Ｉ　Ｏ）　、Ｍｗ＝６０，０００（ゲルパーミェーシ
ョンクロマトグラフィーによって測定） 上記のポリマーのいくつかを下の表から見られるように
、２８０℃の溶融状態で与えられたポリカーボネート／
スチレンポリマー比で混和した。

次にポリマー混合物はバルク温度３２０°Ｃで射出し、
直径１２ｃｍで厚さＯ，１２ｃｍのコンパクトディスク
を与えた。これらのコンパクトディスクは透明性を肉眼
によって検査し、複屈折を測定した。

複屈折の測定の間、測定はディスクの中心から異なった
距離で行い、それに加えて測定はディスクに対して３つ
の面（軸方向、切線方向、半径方向）で行った。

表の結果は本ディスクのすぐれた低くて均一な複屈折を
示すが、対照のディスクはかなり高く、均一性の劣った
複屈折値を生ずる。

ポリマー混合物および出発成分の弾性率を第１表に与え
る。それらが出発成分の混合比とその弾性率から計算さ
れるものよりも高い弾性率を有することを示す。実施例
４の対照混合物は、他方では出発成分の混合比とそれら
の弾性率から理論的に計算されるものよりも低い弾性率
を示す。

さらに上記のものから作られたポリマーは下の第２表か
ら見られるように２６０℃溶融状態で与えられた比で混
合した。次にポリマー混合物は第２表から見られるよう
に異なった溶融温度で加工し、射出成型で直径１２ｃｍ
で厚さ０．１２ｃｍのコンパクトディスクを与えた。デ
ィスクの検査によって、本発明によるスチレン−メタク
リル酸メチル共重合体から製造したコンパクトディスク
は無色であるが、本発明によらずスチレン−アクリロニ
トリル共重合体から得られたコンパクトディスクは高い
加工温度において色が安定でないことが見いだされた。

本発明の主なる特徴および態様は以下のとおりである。

１、　　（ａ） 少くとも５０重量％が次の一般式（１）式中Ｘは単結合
、０１〜Ｃ，アルキレン、０２〜Ｃ，アルキリデン％Ｃ
８もしくはＣ，シクロアルキリデンまたはＣ５もしくは
Ｃ，シクロアルキレンを表わす、 に対応するくり返し構造単位からなり、かつ多くても５
０重量％が次の一般式（２） 式中−Ｒ−は、核がアルキルまたはハロゲンによって置
換されていてもよいアリーレン基を表わす、 に対応するくり返し構造単位からなる熱可塑性芳香族ポ
リカーボネートｌＯ〜９０重量％、および （ｂ）スチレンとその誘導体から選ばれた少なくとも１
種の化合物９９〜５０重量％と少なくとも１種の（メタ
）アクリル酸エステル１〜５０重量％からなる熱可塑性
共重合体９０〜ＩＯ重量％、からなる混合物の光学的デ
ータ記憶用サブストレートとしての利用。

２、成分（ｂ）中の（メタ）アクリル酸エステルの含量
が３〜４０重量％であることを特徴とする、上記ｌに記
載の利用。

３、混合物が成分（ａ）２０〜８０重量％と成分（ｂ）
８０〜２０重量％からなることを特徴とする、上記ｌに
記載の利用。

４、成分（ａ）がくり返し構造単位（１）少なくとも７
５重量％とくり返し構造単位（２）多くて２５重量％か
らなることを特徴とする、上記ｌに記載の利用。

５、ポリカーボネート成分（ａ）の構造単位（２）にお
いて、−Ｒ−が６〜３６個の炭素原子を含むことを特徴
とする、上記ｌに記載の利用。

６、−Ｒ−が次の一般式（３） 式中Ｘは上記ｌで定義されたものと同じであり、また ＣＨ。

またはアリールアルキリデンを表わしてもよく、 ＴはＣ１〜Ｃ４アルキル、ＣβまたはＢｒを表わし、 ｎは０．１または２を表わす、 に対応する部分を表わすことを特徴とする、上記５に記
載の利用。

７、混合物が成分（ａ）および（ｂ）および（Ｃ）、通
常の量の通常の添加剤、からなり、成分（ａ）および（
ｂ）の合計が各々の場合に１００％であり、添加剤（ｃ
）の量が各々の場合に成分（ａ）および（ｂ）の合計の
１００重量％に対するものであることを特徴とする、上
記ｌに記載の利用。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）少くとも５０重量％が次の一般式（１）▲数
   式、化学式、表等があります▼（１） 式中Ｘは単結合、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキレン、Ｃ＿２〜
   Ｃ＿６アルキリデン、Ｃ＿５もしくはＣ＿６シクロアル
   キリデンまたはＣ＿５もしくはＣ＿６シクロアルキレン
   を表わす、 に対応するくり返し構造単位からなり、かつ多くても５
   ０重量％が次の一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） 式中−Ｒ−は、核がアルキルまたはハロゲンによつて置
   換されていてもよいアリーレン基を表わす、 に対応するくり返し構造単位からなる熱可塑性芳香族ポ
   リカーボネート１０〜９０重量％、 および （ｂ）スチレンとその誘導体から選ばれた少なくとも１
   種の化合物９９〜５０重量％と少なくとも１種の（メタ
   ）アクリル酸エステル１〜５０重量％からなる熱可塑性
   共重合体９０〜１０重量％、からなる混合物の光学的デ
   ータ記憶用サブストレートとしての利用。