JPH02109241A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
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- JPH02109241A JPH02109241A JP63262210A JP26221088A JPH02109241A JP H02109241 A JPH02109241 A JP H02109241A JP 63262210 A JP63262210 A JP 63262210A JP 26221088 A JP26221088 A JP 26221088A JP H02109241 A JPH02109241 A JP H02109241A
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- charged particle
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は２次電子検出器を有する荷電粒子線装置に関す
る。
る。
第２図は従来の荷電粒子線装置の一種である電子顕微鏡
の概略断面構成図を示している。この電子顕微鏡の作動
時には不図示の真空ポンプによってチャンバー内が真空
にされる。
の概略断面構成図を示している。この電子顕微鏡の作動
時には不図示の真空ポンプによってチャンバー内が真空
にされる。
荷電粒子源（１）から射出される荷電粒子は、荷電粒子
光学系により被照射面である試料（３）上面に向けて照
射される。尚、荷電粒子光学系は後段に輪帯形状の対物
レンズ（４）を備え、その中心部を荷電粒子が通過する
ように配置されている。
光学系により被照射面である試料（３）上面に向けて照
射される。尚、荷電粒子光学系は後段に輪帯形状の対物
レンズ（４）を備え、その中心部を荷電粒子が通過する
ように配置されている。
荷電粒子の照射により試料（３）から２次電子（５）が
放出され、対物レンズ（４）の中心部を通過して２次電
子検出器（６）によって検出される。
放出され、対物レンズ（４）の中心部を通過して２次電
子検出器（６）によって検出される。
２次電子検出器（６）で２次電子（５）を検出した後、
不図示のＣＲＴモニターを通して試料情報が画像として
観察される。
不図示のＣＲＴモニターを通して試料情報が画像として
観察される。
（発明が解決しようとする課題）
上記の如き従来の技術においては、２次電子検出器で検
出する２次電了−量が少ないため、大きな信号を出力す
ることがむずかしく、満足するＳ、／Ｎが得に（かった
。そのために良好なる信号波形が得られず、ＣＲＴモニ
ターによる試料情報の画質の向上に苦慮していた。
出する２次電了−量が少ないため、大きな信号を出力す
ることがむずかしく、満足するＳ、／Ｎが得に（かった
。そのために良好なる信号波形が得られず、ＣＲＴモニ
ターによる試料情報の画質の向上に苦慮していた。
そこで本発明は２次電子検出器で検出する２次電子番を
増すことにより、Ｓ／Ｎを向１−させ試ｔ’＋情報の画
質向上を目的とする。
増すことにより、Ｓ／Ｎを向１−させ試ｔ’＋情報の画
質向上を目的とする。
前記問題点を解決するために鋭意研究の結果、２次電子
が対物レンズの磁極間を通過した後に、対物レンズの荷
電粒子発生源側の磁極及びその他構造物等に衝突して吸
収されることにより、２次電子検出器まで到達する２次
電子の減少をきたし、前記問題点の原因をなすことを突
き止めた。
が対物レンズの磁極間を通過した後に、対物レンズの荷
電粒子発生源側の磁極及びその他構造物等に衝突して吸
収されることにより、２次電子検出器まで到達する２次
電子の減少をきたし、前記問題点の原因をなすことを突
き止めた。
しかるに、その衝突を防止する手段をとれば問題が解決
されることを見出し、本発明を成すに至った。
されることを見出し、本発明を成すに至った。
従って、本発明は荷電粒子を射出する荷電ｔｉｉ ｆ−
発生源（１）と、該荷電粒子発生源臼）から射出する荷
電粒子を収束して試１４（３）に照射する荷電粒子光学
系と荷電粒子の照射により試料（３）から発生ずる２次
電子（５）を検出する２次電子検出器（６）とを有する
荷電粒子線装置において、 荷電粒子光学系を構成する対物レンズ（４）と前記２次
電子検出器（６）との間に設けた電極（７）と、該電極
（７）の電位を！ｊ（ネ４（３）及び前記対物レンズ（
４）の電位より常に低く保つ電１１（８）とを具備する
ことを課題解決の手段とするものである。
発生源（１）と、該荷電粒子発生源臼）から射出する荷
電粒子を収束して試１４（３）に照射する荷電粒子光学
系と荷電粒子の照射により試料（３）から発生ずる２次
電子（５）を検出する２次電子検出器（６）とを有する
荷電粒子線装置において、 荷電粒子光学系を構成する対物レンズ（４）と前記２次
電子検出器（６）との間に設けた電極（７）と、該電極
（７）の電位を！ｊ（ネ４（３）及び前記対物レンズ（
４）の電位より常に低く保つ電１１（８）とを具備する
ことを課題解決の手段とするものである。
〔作 用］
荷電粒子光学系を構成する対物レンズと２次電子検出器
との間に電極を設け、その電極に負の電荷を与えるごと
により、対物レンズと２次電子検出器と電極とが成す空
間の電位が光軸付近より低い電位となる。
との間に電極を設け、その電極に負の電荷を与えるごと
により、対物レンズと２次電子検出器と電極とが成す空
間の電位が光軸付近より低い電位となる。
そのため、荷電粒子の照射により試料から発生ずる２次
電子は、対物レンズ磁極間を通過した後に磁極片を含む
対物レンズ及び電極設置位置方向への運動を反撥され２
次電子検出器に入る。これにより、従来よりも増した２
次電子の検出が可能になる。
電子は、対物レンズ磁極間を通過した後に磁極片を含む
対物レンズ及び電極設置位置方向への運動を反撥され２
次電子検出器に入る。これにより、従来よりも増した２
次電子の検出が可能になる。
［実 施 例］
第１図は本発明の一実施例を示す。
荷電粒子発生源（１，）から射出する荷電粒子を収束し
て試料に照射する不図示の荷電粒子光学系の最後段に具
備した対物レンズ（４）の荷電粒子発生源（１）側に２
次電子検出器（６）を設け、その２次電子検出器（６）
と対物レンズ（４）との間に更に、電極（７）を設けた
。尚電極（７）には直流電源（８）を接続して負の電位
を与えるようにした。また対物レンズ（４）、２次電子
検出器（６）、電極（７）は光軸（２）に対して軸対称
に配置した。
て試料に照射する不図示の荷電粒子光学系の最後段に具
備した対物レンズ（４）の荷電粒子発生源（１）側に２
次電子検出器（６）を設け、その２次電子検出器（６）
と対物レンズ（４）との間に更に、電極（７）を設けた
。尚電極（７）には直流電源（８）を接続して負の電位
を与えるようにした。また対物レンズ（４）、２次電子
検出器（６）、電極（７）は光軸（２）に対して軸対称
に配置した。
上述の如く成した下限粒子線装置の動作について以下説
明する。荷電粒子発生−ｒｉ、（１）から射出した荷電
粒子を、不図示の加速電極、照射レンズ、偏向器、開口
、等を有する荷電粒子光学系により、荷電粒子の流れ、
開き角、及び軸合せ等の調整を行わゼで最終段の対物レ
ンズ（４）により試１ｉｔ（３）に照射させる。荷電粒
子−の照射により試料（３）からは２次電子が放出する
。尚２次電子は試料の形状、材質、電位、荷電粒子のエ
ネルギーなどによって変化する。
明する。荷電粒子発生−ｒｉ、（１）から射出した荷電
粒子を、不図示の加速電極、照射レンズ、偏向器、開口
、等を有する荷電粒子光学系により、荷電粒子の流れ、
開き角、及び軸合せ等の調整を行わゼで最終段の対物レ
ンズ（４）により試１ｉｔ（３）に照射させる。荷電粒
子−の照射により試料（３）からは２次電子が放出する
。尚２次電子は試料の形状、材質、電位、荷電粒子のエ
ネルギーなどによって変化する。
試料（３）から放出した２次電子（５）は、対物レンズ
（４）を通過して検出器（６）に入射するが、その際、
２次電子（５）の一部が対物レンズ（４）の下限粒子発
生源（１）側の磁極片を含む対物レンズ（４）上面に衝
突することを防止するために、電極（７）へ直流電源（
８）により負の電位を供給し、その電極のなす負の電荷
により、２次電子（５）を反撥させ、前記の衝突を防止
させると共に、電極（７）接地位置方向の２次電子の方
向転換を行なう。これにより２次電子検出器（６）に検
出される２次電子（５）は増加され、よって、出力され
る信号の強度が増す。
（４）を通過して検出器（６）に入射するが、その際、
２次電子（５）の一部が対物レンズ（４）の下限粒子発
生源（１）側の磁極片を含む対物レンズ（４）上面に衝
突することを防止するために、電極（７）へ直流電源（
８）により負の電位を供給し、その電極のなす負の電荷
により、２次電子（５）を反撥させ、前記の衝突を防止
させると共に、電極（７）接地位置方向の２次電子の方
向転換を行なう。これにより２次電子検出器（６）に検
出される２次電子（５）は増加され、よって、出力され
る信号の強度が増す。
（発明の効果）
以−トの様に本発明によれば対物レンズによる収差、２
次電子検出器による偏向など、性能の変更をすることな
く２次電子を多く検出することが可能となり、よって、
大きな信号が出力され、Ｓ／Ｎを向上することが出来る
。また、対物レンズの荷電粒子発生源側の磁極片を含む
対物レンズ上面に２次電子が衝突しにくくなるため、対
物に面磁極の円錐形の開き角を小さくすることが出来る
。
次電子検出器による偏向など、性能の変更をすることな
く２次電子を多く検出することが可能となり、よって、
大きな信号が出力され、Ｓ／Ｎを向上することが出来る
。また、対物レンズの荷電粒子発生源側の磁極片を含む
対物レンズ上面に２次電子が衝突しにくくなるため、対
物に面磁極の円錐形の開き角を小さくすることが出来る
。
このため対物レンズの小型化が可能となると共に対物レ
ンズ電源の消費電力を節約出来る。
ンズ電源の消費電力を節約出来る。
第１図は本発明による装置の一実施例を示す概略断面構
成図、第２図は従来の荷電粒子線装置の一種である電子
顕微鏡の概略断面構成図である。 〔主要部分の符号の説明〕
成図、第２図は従来の荷電粒子線装置の一種である電子
顕微鏡の概略断面構成図である。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (1)
- 荷電粒子を射出する荷電粒子発生源と、該荷電粒子発生
源から射出する荷電粒子を収束して試料に照射する荷電
粒子光学系と、荷電粒子の照射により試料から発生する
２次電子を検出する２次電子検出器とを有する荷電粒子
線装置において、荷電粒子光学系を構成する対物レンズ
と前記２次電子検出器との間に設けた電極と、該電極の
電位を試料及び前記対物レンズの電位により常に低く保
つ電源とを具備することを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262210A JPH02109241A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262210A JPH02109241A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 荷電粒子線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109241A true JPH02109241A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17372607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63262210A Pending JPH02109241A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02109241A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051673A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 円筒体検査装置及び円筒体検査方法 |
| JP2012230919A (ja) * | 2012-08-27 | 2012-11-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 |
| US8759761B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-06-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged corpuscular particle beam irradiating method, and charged corpuscular particle beam apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283840A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-12-09 | ポラロイド コ−ポレ−シヨン | ド−プされた光学的プレフォ−ムの製造方法と装置 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63262210A patent/JPH02109241A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283840A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-12-09 | ポラロイド コ−ポレ−シヨン | ド−プされた光学的プレフォ−ムの製造方法と装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051673A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 円筒体検査装置及び円筒体検査方法 |
| US8759761B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-06-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged corpuscular particle beam irradiating method, and charged corpuscular particle beam apparatus |
| JP2012230919A (ja) * | 2012-08-27 | 2012-11-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 |
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