JPH0210860A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents

Lead frame for semiconductor device

Info

Publication number
JPH0210860A
JPH0210860A JP16219988A JP16219988A JPH0210860A JP H0210860 A JPH0210860 A JP H0210860A JP 16219988 A JP16219988 A JP 16219988A JP 16219988 A JP16219988 A JP 16219988A JP H0210860 A JPH0210860 A JP H0210860A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
conductive metal
metal plate
leads
rolling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16219988A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichiro Maki
牧 眞一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Fujitsu Electronics Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Priority to JP16219988A priority Critical patent/JPH0210860A/en
Publication of JPH0210860A publication Critical patent/JPH0210860A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To simply and easily prevent a gap caused by a shearing force operating at a boundary between the molding resin of a resin-sealed semiconductor device and leads by so forming that the direction of a roll mark formed on the surface of a conductive metal plate of a material by a rolling roller does not coincide with the longitudinal direction of the leads of a lead frame. CONSTITUTION:A lead frame for a semiconductor device is formed by first rolling a material conductive metal plate 1 to a rolled conductive metal plate 5 having a predetermined thickness by a rolling roller 2. In this rolling step, roll marks 4 having 0.6-9.0mum are formed on the surface of the plate 5 by roller scars 3 formed on the surface of the roll 2. The plate 5 is cut to match the width of the frame in its rolling direction. A desired lead frame 6 is manufactured of the plate 5 cut in the predetermined size by a metal mold or etching. In this case, the direction of the leads 6a of the frame 6 perpendicularly crosses the direction of the scars 4 formed on the plate 5.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置用リードフレームに用いる、原材料の導電性
金属板の圧延ローラーによるロール痕の活用に関し、 樹脂封止型半導体装置のモールド樹脂とリードの界面に
働く剪断力に起因する間隙の発生を、簡単且つ容易に防
止することが可能な半導体装置用リードフレームの提供
を目的とし、 半導体チップの搭載部と、該搭載部に近接しパッケージ
内に封入されるインナーリード及び前記パッケージ外に
突出するアウターリードからなる複数のリードとを有す
るリードフレームであって、圧延ローラにより原材料の
導電性金属板の表面に形成されたロール痕の方向と、リ
ードフレームのリードの長手方向とが一致しないように
形成するよう構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the use of roll marks made by a rolling roller on a conductive metal plate as a raw material used in lead frames for semiconductor devices, this invention works on the interface between the mold resin and the lead of a resin-encapsulated semiconductor device. The purpose of the present invention is to provide a lead frame for a semiconductor device that can simply and easily prevent the occurrence of gaps caused by shearing force, and includes a mounting part for a semiconductor chip and a lead frame that is enclosed in a package in the vicinity of the mounting part. A lead frame having a plurality of leads consisting of an inner lead and an outer lead protruding outside the package, the lead frame having a direction in which a roll mark is formed on the surface of a raw material conductive metal plate by a rolling roller and a lead frame. The structure is such that the longitudinal directions of the two do not coincide with each other.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、半導体装置用リードフレームに係り、特に原
材料の導電性金属板の圧延ローラーによるロール痕の活
用に関するものである。
The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, and particularly to the use of roll marks caused by a rolling roller on a conductive metal plate as a raw material.

樹脂封止型半導体装置の近年のめざましい進歩は、耐湿
性の向上により信顛性が向上したことによることが大き
いが、耐湿性の向上は半導体チップの素子形成面の配線
部に到達する水分の量を制限すること及びモールド樹脂
自体のイオン性不純物を減少させることにより実現する
ことが可能となった。
The remarkable progress of resin-encapsulated semiconductor devices in recent years is largely due to improved reliability due to improved moisture resistance. This has become possible by limiting the amount and reducing ionic impurities in the molding resin itself.

前者の水分の浸入の三大経路は、モールド樹脂とリード
フレームのリードとの界面を通って浸入する経路と、モ
ールド樹脂のバルク自体を通って浸入する経路である。
The three main routes for moisture infiltration are one through the interface between the mold resin and the leads of the lead frame, and the other through the bulk of the mold resin itself.

界面を通って浸入するものは、触媒カップリング材その
他の配合によって、モールド樹脂とリードフレーム材と
の密着力を向上させることにより、モールド樹脂自体を
通って浸入するものは、モールド樹脂の高架橋化等を実
施して対処している。
Those that penetrate through the interface are caused by improving the adhesion between the mold resin and the lead frame material by adding catalytic coupling materials and other ingredients, and those that penetrate through the mold resin itself are caused by hyper-crosslinking of the mold resin. We are taking measures to address the issue.

しかしながら、界面を通って浸入するものは、化学的な
方法による密着性の向上にも限界があり、これ以外の方
法による密着性の向上対策が必要となっている。
However, for substances that penetrate through the interface, there is a limit to the improvement of adhesion by chemical methods, and measures to improve adhesion by other methods are required.

以上のような状況から樹脂封止型半導体装置において、
半導体チップの素子形成面の配線部に到達する水分の量
を制限することが可能な半導体装置用リードフレームが
要望されている。
Due to the above circumstances, in resin-encapsulated semiconductor devices,
There is a need for a lead frame for a semiconductor device that can limit the amount of moisture that reaches the wiring portion of the element forming surface of a semiconductor chip.

〔従来の技術〕 従来の半導体装置用リードフレーについて第3図により
説明する。
[Prior Art] A conventional lead frame for semiconductor devices will be explained with reference to FIG.

従来の半導体装置用リードフレームは、まず第3図(a
lに示すように素材導電性金属板21を圧延ローラ22
を用いて所定の厚さの圧延導電性金属板25に圧延して
いる。
The conventional lead frame for semiconductor devices is first shown in Figure 3 (a).
The material conductive metal plate 21 is rolled by a rolling roller 22 as shown in
The conductive metal plate 25 is rolled into a rolled conductive metal plate 25 having a predetermined thickness.

この圧延導電性金属板25を第3図(blに示すように
、リードフレームの幅に合わせて切断する。
This rolled conductive metal plate 25 is cut to match the width of the lead frame, as shown in FIG.

このように所定の寸法に切断した圧延導電性金属板25
を第3図(C)に示すように、金型を用いるか或いはエ
ツチング処理により、所望のリードフレーム26を製造
している。
The rolled conductive metal plate 25 cut into predetermined dimensions in this way
As shown in FIG. 3(C), a desired lead frame 26 is manufactured using a mold or by etching.

この場合は、リードフレーム26のり−ド26aの方向
と圧延ローラ22の表面に形成されているローラ傷23
により圧延導電性金属板25の表面に形成されたロール
族24の方向が一致している。
In this case, roller scratches 23 formed in the direction of the lead frame 26 glued 26a and on the surface of the rolling roller 22 are
Therefore, the directions of the roll group 24 formed on the surface of the rolled conductive metal plate 25 are aligned.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

以上説明の従来のリードフレームにおいては、リードの
方向と圧延導電性金属板のロール痕の方向が一致してい
るので、このようなリードフレームを用いて樹脂封止型
半導体装置を製造した場合には、第4図に示すように、
モールド成形後のモールド樹脂の冷却時の収縮力或いは
リード成形工程においてリードに加えられる引っ張り力
がリードとモールド樹脂の界面に働く場合に、モールド
樹脂とリードの界面に働く剪断力により間隙が発生する
という問題点があった。
In the conventional lead frame described above, the direction of the leads and the direction of the roll marks on the rolled conductive metal plate match, so when a resin-encapsulated semiconductor device is manufactured using such a lead frame, As shown in Figure 4,
When shrinkage force when the mold resin cools after molding or tensile force applied to the lead during the lead molding process acts on the interface between the lead and the mold resin, a gap is generated due to the shearing force acting on the interface between the mold resin and the lead. There was a problem.

本発明は以上のような状況から、樹脂封止型半導体装置
のモールド樹脂とリードの界面に働く剪断力に起因する
間隙の発生を、簡単且つ容易に防止することが可能な半
導体装置用リードフレームの提供を目的としたものであ
る。
In view of the above-mentioned circumstances, the present invention provides a lead frame for a semiconductor device that can simply and easily prevent the generation of gaps caused by shear forces acting on the interface between the mold resin and the leads of a resin-sealed semiconductor device. The purpose is to provide

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記問題点は、半導体チップの搭載部と、この搭載部に
近接しパラゲージ内に封入されるインナーリード及びこ
のパッケージ外に突出するアウターリードからなる複数
のリードとを存するリードフレームであって、圧延ロー
ラにより原材料の導電性金属板の表面に形成されたロー
ル痕の方向と、リードフレームのリードの長手方向とが
一致しないように形成された本発明による半導体装置用
リードフレームによって解決される。
The above-mentioned problem is a lead frame that has a mounting part for a semiconductor chip, a plurality of leads consisting of inner leads enclosed in a package near the mounting part, and outer leads protruding outside the package, and the lead frame is rolled. This problem is solved by the lead frame for a semiconductor device according to the present invention, which is formed so that the direction of the roll marks formed by the roller on the surface of the raw conductive metal plate does not match the longitudinal direction of the leads of the lead frame.

〔作用〕[Effect]

即ち本発明においては、圧延ローラにより原材料の導電
性金属板の表面に形成されたロール痕の方向と、リード
フレームのリードの長手方向とが一致しないようにリー
ドフレームを形成するので、リードフレームをモールド
成形した場合に、モールド樹脂とリードの界面のリード
の表面に形成されたロール族が物理的な密着力を高め、
所謂アンカー効果が生じるようにすることが可能となる
から、リードフレームの原材料の圧延導電性金属板に特
別な加工或いは処理を施すことなくアンカー効果を期待
することができる。
That is, in the present invention, the lead frame is formed so that the direction of roll marks formed on the surface of the raw material conductive metal plate by the rolling roller does not match the longitudinal direction of the leads of the lead frame. When molded, the roll group formed on the surface of the lead at the interface between the mold resin and the lead increases physical adhesion,
Since it is possible to produce a so-called anchor effect, it is possible to expect the anchor effect without performing any special processing or treatment on the rolled conductive metal plate that is the raw material for the lead frame.

〔実施例〕〔Example〕

以下第1図について本発明の一実施例を、第2図につい
て他の実施例を説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, and another embodiment with reference to FIG. 2.

本発明の一実施例の半導体装置用リードフレームは、ま
ず第1図(alに示すように素材導電性金属板1を圧延
ローラ2を用いて所定の厚さの圧延導電性金属板5に圧
延している。
A lead frame for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention is manufactured by first rolling a raw conductive metal plate 1 using rolling rollers 2 into a rolled conductive metal plate 5 having a predetermined thickness, as shown in FIG. are doing.

この圧延工程において、圧延ローラ2の表面に形成され
ているローラ傷3により、圧延導電性金属板5の表面に
は、0.6〜9.0μmのロール痕4が形成される。
In this rolling process, roll marks 4 of 0.6 to 9.0 μm are formed on the surface of the rolled conductive metal plate 5 due to roller scratches 3 formed on the surface of the rolling roller 2 .

この圧延導電性金属板5を第1図(b)に示すように、
圧延方向をリードフレームの幅に合わせて切断する。
As shown in FIG. 1(b), this rolled conductive metal plate 5 is
Cut in the rolling direction to match the width of the lead frame.

このように所定の寸法に切断した圧延導電性金属板5を
第1図(C)に示すように、金型を用いるか或いはエツ
チング処理により、所望のリードフレーム6を製造して
いる。
As shown in FIG. 1C, the rolled conductive metal plate 5 cut into predetermined dimensions is used to manufacture a desired lead frame 6 using a mold or by etching.

この場合は、リードフレーム6のリード6aの方向と圧
延導電性金属板5に形成されたロール痕4の方向が直交
している。
In this case, the direction of the leads 6a of the lead frame 6 and the direction of the roll marks 4 formed on the rolled conductive metal plate 5 are perpendicular to each other.

本発明の他の実施例の半導体装置用リードフレームは第
2図falに示すように、素材導電性金属板11を圧延
ローラ12を用いて所定の厚さの圧延導電性金属板15
にしている。
In a lead frame for a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG.
I have to.

この場合も一実施例の場合と同様に、この圧延工程にお
いて、圧延ローラ12の表面に形成されているローラ傷
13により、圧延導電性金属板15の表面には、0.6
〜9.0μmのロール痕14が形成される。
In this case, as in the case of one embodiment, in this rolling process, the surface of the rolled conductive metal plate 15 has a 0.6
A roll mark 14 of ~9.0 μm is formed.

この圧延導電性金属板15を第2図(b)に示すように
、従来と同じようにリードフレームの幅に合わせて切断
する。
As shown in FIG. 2(b), this rolled conductive metal plate 15 is cut to match the width of the lead frame as in the conventional method.

このように所定の寸法に切断した圧延導電性金属板15
を第2図(L])に示すように、金型を用いるか或いは
エツチング処理により、所望のリードフレーム16を製
造している。
The rolled conductive metal plate 15 cut into predetermined dimensions in this way
As shown in FIG. 2(L), a desired lead frame 16 is manufactured using a mold or by etching.

この場合は、リードフレー16を構成する個々の半導体
チップ搭載部及びリード16aの連続方向を従来或いは
一実施例とは異なる方向にしている。
In this case, the continuous direction of the individual semiconductor chip mounting portions and the leads 16a constituting the lead fly 16 is different from that of the conventional example or the one embodiment.

このような構成にすると、圧延導電性金属板15のロー
ル方向に直交する幅とリードフレーム16の幅とを一致
させることができるので、圧延導電性金属板15の長手
方向に連続した長尺のリードフレーム16を製造するこ
とが可能となる。
With such a configuration, the width of the rolled conductive metal plate 15 perpendicular to the roll direction and the width of the lead frame 16 can be made to match, so that the width of the rolled conductive metal plate 15 that is continuous in the longitudinal direction can be made equal to the width of the lead frame 16. It becomes possible to manufacture the lead frame 16.

本発明の実施例はどの場合においても、リードフレーム
のリードの長手方向が、圧延ローラのローラ傷により形
成された圧延導電性金属板のロール痕と直交しているの
で、モールド樹脂とリードとの界面に働く剪断力に対す
るアンカー効果を期待することが可能である。
In all the embodiments of the present invention, the longitudinal direction of the leads of the lead frame is perpendicular to the roll marks on the rolled conductive metal plate formed by the roll scratches of the rolling roller, so that the mold resin and the leads are It is possible to expect an anchor effect against the shear force acting on the interface.

なお、上記の実施例においてはリードフレームのリード
の長手方向が、圧延ローラのローラ傷により形成された
圧延導電性金属板のロール痕と直交しているが、この角
度は906に限定されるものでなく、45°程度以上の
任意の角度とすることも可能である。
Note that in the above embodiment, the longitudinal direction of the lead of the lead frame is perpendicular to the roll marks on the rolled conductive metal plate formed by the scratches of the rolling roller, but this angle is limited to 906°. Instead, it is also possible to set it to any angle of about 45° or more.

モールド樹脂とリードフレームとの間に働く密着力の測
定結果は、従来を100とする指数により表すと下記の
密着力指数表の通りになる。
The measurement results of the adhesion force acting between the mold resin and the lead frame are expressed as an index with the conventional value being 100, as shown in the adhesion index table below.

また、温度138.5℃、湿度85%1時間1 、00
01[の耐湿性試験による不良の発生率は、下記の不良
発生率表の通りになる。
In addition, the temperature was 138.5℃ and the humidity was 85% for 1 hour.
The incidence of defects in the moisture resistance test for 01[ is as shown in the table of defect occurrence rates below.

密着力指数表 不良発生率表 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば、圧延導
電性金属板のロール方向に対するリードフレームの形成
方向の極めて簡単な変更により、特別な工程を実施する
ことなく、圧延導電性金属板の圧延ロール加工の際に形
成されたロール痕を活用することにより、リードフレー
ムのリードとモールド樹脂との界面に働く剪断力に対し
てアンカー効果を生ぜしめ、リードフレームのリードと
モールド樹脂との界面を通って浸入する水分が、半導体
チップの素子形成面に到達するのを防止することが可能
となる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上
の効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
Adhesion Index Table Defect Incidence Rate Table [Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, according to the present invention, a special By utilizing the roll marks formed during the roll processing of rolled conductive metal sheets without performing any process, we can create an anchor effect against the shear force acting on the interface between the leads of the lead frame and the mold resin. There are significant economical and It is expected to have the effect of improving reliability and is extremely useful industrially.

図において、 ■は素材導電性金属板、 2は圧延ローラ、 3はローラ傷、 4はロール痕、 5は圧延導電性金属板、 6はリードフレーム、 を示す。In the figure, ■Material: conductive metal plate, 2 is a rolling roller; 3 is roller scratches, 4 is a roll mark, 5 is a rolled conductive metal plate; 6 is a lead frame, shows.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による一実施例を工程順に示す図、 第2図は本発明による他の実施例を工程順に示す図、 第3図は従来の半導体装置用リードフレームの製造を工
程順に示す図、 第4図は樹脂封止型半導体装置の断面斜視図、である。 (al  圧延工程 (C) リードフレーム形成工程 本発明による一実施例を工程11に示す図第1図 圧延導電性金属板5 40−ル痕 (bl  切断工程 本発明による一実施例を工程順に示す図第1図 fa+ 圧延工程 (a) 圧延工程 山) 切断工程 (Cl リードフレーム形成工程 (bl 切断工程 本発明による他の実施例を工程順に示す図従来の半導体
装置用リードフレームの製造を工程順に示す因子 続 ネ甫 正 書く自発) 昭和z3年7ρ月2ρ日 1゜ 事件の表示 昭和63年 特許側 第162199号 +a リードフレーム形成工程 2゜ 発明の名称 従来の半導体装置用リードフレームの製造を工程順に示
す同第3図 半導体装置用リードフレーム 3゜ 補正をする者 明牛との関係
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment according to the present invention in the order of steps. FIG. 2 is a diagram showing another embodiment according to the invention in the order of steps. FIG. 3 is a diagram showing the production of a conventional lead frame for a semiconductor device in the order of steps. FIG. 4 is a cross-sectional perspective view of a resin-sealed semiconductor device. (al Rolling process (C) Lead frame forming process An embodiment of the present invention is shown in process 11. Figure 1. Rolled conductive metal plate 5 40-ru marks (bl) Cutting process An embodiment of the invention is shown in process order. Fig. 1 fa+ Rolling step (a) Rolling step) Cutting step (Cl Lead frame forming step (bl Cutting step) Diagram showing another embodiment of the present invention in the order of the steps Manufacturing the conventional lead frame for a semiconductor device in the order of the steps 1925, 1939, 7th month, 2nd day, 1989 Patent No. 162199+a Lead frame forming process 2, Title of invention Process for manufacturing conventional lead frames for semiconductor devices Figure 3 shows the relationship between the person who makes the 3° correction of the lead frame for semiconductor devices and the person who makes the correction.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体チップの搭載部と、該搭載部に近接しパッケージ
内に封入されるインナーリード及び前記パッケージ外に
突出するアウターリードからなる複数のリードとを有す
るリードフレームであって、圧延ローラにより原材料の
導電性金属板の表面に形成されたロール痕の方向と、リ
ードフレームのリードの長手方向とが一致しないように
形成することを特徴とする半導体装置用リードフレーム
A lead frame having a mounting part for a semiconductor chip, and a plurality of leads including inner leads enclosed in a package close to the mounting part and outer leads protruding outside the package, the lead frame having a rolling roller to reduce the conductivity of the raw material. 1. A lead frame for a semiconductor device, wherein the lead frame is formed so that the direction of roll marks formed on the surface of a flexible metal plate does not coincide with the longitudinal direction of the leads of the lead frame.
JP16219988A 1988-06-29 1988-06-29 Lead frame for semiconductor device Pending JPH0210860A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16219988A JPH0210860A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Lead frame for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16219988A JPH0210860A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Lead frame for semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0210860A true JPH0210860A (en) 1990-01-16

Family

ID=15749869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16219988A Pending JPH0210860A (en) 1988-06-29 1988-06-29 Lead frame for semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0210860A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197587A (en) * 1997-09-16 1999-04-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2010283066A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197587A (en) * 1997-09-16 1999-04-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2010283066A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10322523A1 (en) Semiconductor pressure sensor with a membrane
EP1388892A3 (en) A triple gate oxide process with high-gate dielectric
JPH0210860A (en) Lead frame for semiconductor device
JPS61280660A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5933983B2 (en) Method for manufacturing lead frames for semiconductor devices
FR2845519B1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING WIRED NANO-STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR FILM
JP6798298B2 (en) Glass substrate cutting method and its cutting device
JPH0442949A (en) Semiconductor device with dicing slit
JPH03283637A (en) Semiconductor device
JPH0261330B2 (en)
JPH04163965A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6158266A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS60211858A (en) Dicing method of silicon-on-sapphire wafer
JPS6295454A (en) Micro gas sensor and its production
JPS6269541A (en) Lead frame for ic
JPS6161436A (en) Method for dividing semiconductor substrate
JPS62104139A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6185843A (en) Semiconductor device
JPS63112003A (en) Production of copper lead material for semiconductor
JPS5683959A (en) Semiconductor device
JPS5779641A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS61292348A (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPS6165450A (en) Semiconductor device
JPS63111653A (en) Semiconductor device
JPS60147162A (en) Semiconductor device