JPH0210781A - 多段電子クーラー - Google Patents
多段電子クーラーInfo
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- JPH0210781A JPH0210781A JP63159446A JP15944688A JPH0210781A JP H0210781 A JPH0210781 A JP H0210781A JP 63159446 A JP63159446 A JP 63159446A JP 15944688 A JP15944688 A JP 15944688A JP H0210781 A JPH0210781 A JP H0210781A
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ペルチェ効果を持つ熱電素子対を、基板を介
して順次階段状にして縦続してなるカスケード型の多段
電子クーラーに関するものである。
して順次階段状にして縦続してなるカスケード型の多段
電子クーラーに関するものである。
上記多段電子クーラーは、例えば第4図に示すように6
段になっていて、各段にはN型半導体1とP型半導体2
とを対とする熱電素子対Aがそれぞれ交互に、かつ直列
になって基板31こ接合された電極4にて縦続されてい
て、各段の熱電素子対Aに通電することにより、各段の
上側の基板側が吸熱され、最上段の基板3aが最大到達
温度で冷却されるようになっている。そして、この多段
電子クーラーはビラミ・ット状になっていて、各段の熱
電索子対Aの対数の比率は順次下段になるに従ってその
数が多くなるようになっている。
段になっていて、各段にはN型半導体1とP型半導体2
とを対とする熱電素子対Aがそれぞれ交互に、かつ直列
になって基板31こ接合された電極4にて縦続されてい
て、各段の熱電素子対Aに通電することにより、各段の
上側の基板側が吸熱され、最上段の基板3aが最大到達
温度で冷却されるようになっている。そして、この多段
電子クーラーはビラミ・ット状になっていて、各段の熱
電索子対Aの対数の比率は順次下段になるに従ってその
数が多くなるようになっている。
多段電子クーラーの冷却原理は、各段の頭部でペルチェ
吸熱し、底部でペルチェ発熱するため、上段の発熱を下
段が順次吸熱し、各段毎に少しずつ冷却し、最上段の頭
部で一定の吸熱能力と一定の冷却温度を得るものである
ため、上段の熱を効率よく下段に伝えることが重要であ
る。
吸熱し、底部でペルチェ発熱するため、上段の発熱を下
段が順次吸熱し、各段毎に少しずつ冷却し、最上段の頭
部で一定の吸熱能力と一定の冷却温度を得るものである
ため、上段の熱を効率よく下段に伝えることが重要であ
る。
従来、多段電子クーラーの基板3に用いられる絶縁用セ
ラミックスは電気的絶縁性と良熱伝導性の基本的要求、
及び価格、強度などの要求のため、通常酸化アルミ(A
N20a)が用いられているが、これは第3図に示すよ
うに、常温での熱伝導率が約20W/m−にと悪いため
、基板中の熱的損失が大きく、クーラの最大冷却温度を
下げられない原因の一つとなっていた。
ラミックスは電気的絶縁性と良熱伝導性の基本的要求、
及び価格、強度などの要求のため、通常酸化アルミ(A
N20a)が用いられているが、これは第3図に示すよ
うに、常温での熱伝導率が約20W/m−にと悪いため
、基板中の熱的損失が大きく、クーラの最大冷却温度を
下げられない原因の一つとなっていた。
一方良熱伝導性の絶縁セラミックとして酸化ベリリウム
(Bed)があり、実際に用いられているが、これは、
熱伝導率が第3図に示すように、酸化アルミの10倍以
上と高いものの、即人命にかかわる程の強い毒性がある
ことと、強度が酸化アルミの約2/3程度と弱く、さら
にかなり高価であるため、特別な場合にしか用いられな
かった。
(Bed)があり、実際に用いられているが、これは、
熱伝導率が第3図に示すように、酸化アルミの10倍以
上と高いものの、即人命にかかわる程の強い毒性がある
ことと、強度が酸化アルミの約2/3程度と弱く、さら
にかなり高価であるため、特別な場合にしか用いられな
かった。
また、多段電子クーラーは、第4図に示すように、各段
の基板3の上側面のほぼ中央に上側の段の熱電素子対A
を配置する構成となっているため、上段の熱を引取るべ
き下段の吸熱面に対し局所的に発熱していることになり
、各段の上側の基板3には、それぞれの市内の熱拡散の
ため温度分布が生じ、効率よく熱伝達を行なっていなか
った。
の基板3の上側面のほぼ中央に上側の段の熱電素子対A
を配置する構成となっているため、上段の熱を引取るべ
き下段の吸熱面に対し局所的に発熱していることになり
、各段の上側の基板3には、それぞれの市内の熱拡散の
ため温度分布が生じ、効率よく熱伝達を行なっていなか
った。
各段の上側の基板の市内の温度分布を少なくするには基
板3を構成するセラミックスの厚みを増せばよいが、そ
のために生じる基板3の厚み方向両側の温度差が著しく
大きくなるため、逆に熱伝達の効率が落ちることになる
。
板3を構成するセラミックスの厚みを増せばよいが、そ
のために生じる基板3の厚み方向両側の温度差が著しく
大きくなるため、逆に熱伝達の効率が落ちることになる
。
また、各段の基板3の大きさを同じにし、各段の熱電素
子対を均等に配置することも考えられるが、上側の段に
いくに従って素子の配置が疎になり、この素子の配置が
疎になった分、市内の温度差はそれ程改善されないばか
りでなく、最上段部の基板の面積が増えるために、受光
面積が増々外部からのふく射熱による熱負荷が大きくな
り、逆に多段電子クーラーの性能が低下してしまう。
子対を均等に配置することも考えられるが、上側の段に
いくに従って素子の配置が疎になり、この素子の配置が
疎になった分、市内の温度差はそれ程改善されないばか
りでなく、最上段部の基板の面積が増えるために、受光
面積が増々外部からのふく射熱による熱負荷が大きくな
り、逆に多段電子クーラーの性能が低下してしまう。
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、曲げ強
度を十分保持でき、しかも毒性がない基板でもって基板
中の熱的損失を少なくすることができ、また基板の面内
の熱拡散がよく、これの温度分布が最小となって、上段
から下段への熱伝達が効率よく行なわれて最大冷却温度
を下げることができるようにした多段電子クーラーを提
供することを目的とするものである。
度を十分保持でき、しかも毒性がない基板でもって基板
中の熱的損失を少なくすることができ、また基板の面内
の熱拡散がよく、これの温度分布が最小となって、上段
から下段への熱伝達が効率よく行なわれて最大冷却温度
を下げることができるようにした多段電子クーラーを提
供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明に係る多段電子クー
ラーは、各段の基板に窒化アルミを用いた。
ラーは、各段の基板に窒化アルミを用いた。
また各段の基板の表面で、かつ熱電素子対の電極となる
部分以外に、基板の面内の熱拡散をよくするための金属
板を付着した構成となっている。
部分以外に、基板の面内の熱拡散をよくするための金属
板を付着した構成となっている。
基板に窒化アルミを用いたことにより、常温において酸
化ベリリウム程ではないが、従来−般的に使用されてい
る酸化アルミに比較して第3図に示すように、約7倍の
熱伝導率を有し、また曲げ強度も酸化アルミの1.5倍
、従って酸化ベリリウムよりも約2倍の曲げ強度を有し
ている。そして酸化ベリリウムのような毒性もなく取扱
いも簡単である。
化ベリリウム程ではないが、従来−般的に使用されてい
る酸化アルミに比較して第3図に示すように、約7倍の
熱伝導率を有し、また曲げ強度も酸化アルミの1.5倍
、従って酸化ベリリウムよりも約2倍の曲げ強度を有し
ている。そして酸化ベリリウムのような毒性もなく取扱
いも簡単である。
また各基板の表面で、かつ熱電素子対の電極のつく部分
以外での基板の面内の熱拡散がよくなり、この部分の温
度分布が少なくなる。
以外での基板の面内の熱拡散がよくなり、この部分の温
度分布が少なくなる。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
実施例−1(第1図)
第4図に示す6段の多段電子クーラーを、基板3に両面
をメタライズした窒化アルミセラミック(商品名ニジエ
イバルー徳山曹達社製)を用い、各熱電素子対AのP型
、N型の半導体素子1,2にB1−Te系のものを用い
て製作した。そしてこのとき、上記基板3の両面に、フ
ォトリソグラフにより、各熱電素子対Aの電極となる位
置に所望の回路パターンを作ると共に、この基板3の上
側面で、かつ上記電極となる部分以外の部分に他のパタ
ーンを作り、上記各パターンにB1−5n共品半田を用
いて所定の銅板(300μ厚)を付着して電極4と金属
板5とを設けた(第1図)。その後、電極4に熱電素子
対Aの各半導体素子1,2を半田付けして上記6段の多
段電子クーラーを製作した。
をメタライズした窒化アルミセラミック(商品名ニジエ
イバルー徳山曹達社製)を用い、各熱電素子対AのP型
、N型の半導体素子1,2にB1−Te系のものを用い
て製作した。そしてこのとき、上記基板3の両面に、フ
ォトリソグラフにより、各熱電素子対Aの電極となる位
置に所望の回路パターンを作ると共に、この基板3の上
側面で、かつ上記電極となる部分以外の部分に他のパタ
ーンを作り、上記各パターンにB1−5n共品半田を用
いて所定の銅板(300μ厚)を付着して電極4と金属
板5とを設けた(第1図)。その後、電極4に熱電素子
対Aの各半導体素子1,2を半田付けして上記6段の多
段電子クーラーを製作した。
上記構成の多段電子クーラーを10−6torrの真空
チャンバ内に入れ、27℃に保持したヒートシンクに乗
せ、3Aの電流を通電させたところ、最上段の温度が一
90℃となった。
チャンバ内に入れ、27℃に保持したヒートシンクに乗
せ、3Aの電流を通電させたところ、最上段の温度が一
90℃となった。
実施例−2(第2図)
上記実施例−1の場合と同じに表と裏にメタライズされ
た基板材料を用い、これの表と裏に、電気回路構成に必
要な部分にのみ300μ厚の銅板よりなる電極4′を実
施例−1の場合と同様の手法にて付着し、他の部分には
メラタイズ層6をそのまま残して基板3′を作り、その
後、電極4′に熱電素子対Aの各半導体1.2を半田付
けして第4図に示す6段の多段電子クーラーを製作した
。
た基板材料を用い、これの表と裏に、電気回路構成に必
要な部分にのみ300μ厚の銅板よりなる電極4′を実
施例−1の場合と同様の手法にて付着し、他の部分には
メラタイズ層6をそのまま残して基板3′を作り、その
後、電極4′に熱電素子対Aの各半導体1.2を半田付
けして第4図に示す6段の多段電子クーラーを製作した
。
上記構成の多段電子クーラーを上記実施例−1の場合と
同様の性能測定を行なったところ、最上段の温度が−8
8,5℃となった。
同様の性能測定を行なったところ、最上段の温度が−8
8,5℃となった。
比較例
日本カーバイド社製の酸化アルミDBC基板と、P型及
びN型のB1−Te系熱電素子対Aを用い、実施例−1
,2と同様にして6段の多段電子クーラーを作製した。
びN型のB1−Te系熱電素子対Aを用い、実施例−1
,2と同様にして6段の多段電子クーラーを作製した。
この多段電子クーラーを実施例−1,2と同様に測定し
たところ、最上段の温度が一85℃となった。
たところ、最上段の温度が一85℃となった。
上記両実施例のうち、実施例−2は、基板3′の両面で
、かつ電極4′以外の面にメタライズされていることに
より、また基板3′の材料を窒化アルミセラミックとし
たことにより、比較例のものに比較してその最上段での
温度を3.5℃低くすることができた。
、かつ電極4′以外の面にメタライズされていることに
より、また基板3′の材料を窒化アルミセラミックとし
たことにより、比較例のものに比較してその最上段での
温度を3.5℃低くすることができた。
また実施例−1は、基板3の上面で、がっ電極4以外の
面に銅板よりなる金属板5を貼付けたことにより、上記
実施例−2のものよりさら1:1.5℃低く、比較例の
ものに対して5℃も低くすることができた。
面に銅板よりなる金属板5を貼付けたことにより、上記
実施例−2のものよりさら1:1.5℃低く、比較例の
ものに対して5℃も低くすることができた。
本発明によれば、曲げ強度を十分保持でき、しかも毒性
のない基板3,3′でもって基板3゜3′中の熱的損失
を少なくできる。
のない基板3,3′でもって基板3゜3′中の熱的損失
を少なくできる。
また基板3.3′の面内の熱拡散がよく、これの温度分
布が最小となり、上段から下段への熱伝達が効率よく行
なわれて最大冷却温度を下げることができる。
布が最小となり、上段から下段への熱伝達が効率よく行
なわれて最大冷却温度を下げることができる。
第1図、第2図は本発明の実施例における基板を示す斜
視図、第3図は材料別の熱伝導率を示す線図、第4図は
多段電子クーラーの一例を示す斜視図である。 Aは熱電素子対、1.2は半導体素子、3゜3′は基板
、4,4′は電極、5は金属板。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
視図、第3図は材料別の熱伝導率を示す線図、第4図は
多段電子クーラーの一例を示す斜視図である。 Aは熱電素子対、1.2は半導体素子、3゜3′は基板
、4,4′は電極、5は金属板。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (2)
- (1)ペルチェ効果を持つ熱電素子対Aを、絶縁セラミ
ックスからなる基板3、3′を介して順次階段状にして
縦続してなるカスケード型の多段電子クーラーにおいて
、各段の基板3、3′に窒化アルミを用いたことを特徴
とする多段電子クーラー。 - (2)各段の基板3、3′の表面で、かつ熱電素子対A
の電極4、4′を付着する部分以外に、基板3、3′の
面内の熱拡散をよくするための金属板5を付着したこと
を特徴とする請求項1記載の多段電子クーラー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63159446A JP2558505B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 多段電子クーラー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63159446A JP2558505B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 多段電子クーラー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0210781A true JPH0210781A (ja) | 1990-01-16 |
JP2558505B2 JP2558505B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=15693931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63159446A Expired - Lifetime JP2558505B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 多段電子クーラー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558505B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0482215A1 (en) * | 1990-05-14 | 1992-04-29 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of manufacturing thermoelectric device |
JPH0690030A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 熱電素子シート |
US5936192A (en) * | 1996-12-20 | 1999-08-10 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Multi-stage electronic cooling device |
US5966939A (en) * | 1997-02-28 | 1999-10-19 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Multistage thermoelectric cooling device |
JP2001111121A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Komatsu Ltd | 熱電モジュールおよび熱電モジュールを用いた温度調整プレート |
JP2010199373A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110838U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-14 | ||
JPS6364048U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63159446A patent/JP2558505B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110838U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-14 | ||
JPS6364048U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0482215A1 (en) * | 1990-05-14 | 1992-04-29 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of manufacturing thermoelectric device |
EP0482215A4 (ja) * | 1990-05-14 | 1994-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | |
JPH0690030A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 熱電素子シート |
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US5966939A (en) * | 1997-02-28 | 1999-10-19 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Multistage thermoelectric cooling device |
JP2001111121A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Komatsu Ltd | 熱電モジュールおよび熱電モジュールを用いた温度調整プレート |
JP2010199373A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2558505B2 (ja) | 1996-11-27 |
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