JPH02106939A - 電子装置用部材の作製方法 - Google Patents
電子装置用部材の作製方法Info
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- JPH02106939A JPH02106939A JP26196488A JP26196488A JPH02106939A JP H02106939 A JPH02106939 A JP H02106939A JP 26196488 A JP26196488 A JP 26196488A JP 26196488 A JP26196488 A JP 26196488A JP H02106939 A JPH02106939 A JP H02106939A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、半導体装置等の電子部品を基板またはリー
ドフレームのグイ等の部材上に固着する電子装置の高信
顧性化をはかるための部材の作製方法に関する。このた
め本発明は、基板またはリードフレーム上を窒化珪素膜
等の無機材料の保護膜で、電子部品をダイアタッチする
部分また金のワイヤボンドをする部分等の導体部を除き
、覆ってしまうものである。そしてこの部材を用いて電
子装置を形成し、有機樹脂モールドを施した際、この部
材と有機樹脂との密着性を向上させんとしたものである
。
ドフレームのグイ等の部材上に固着する電子装置の高信
顧性化をはかるための部材の作製方法に関する。このた
め本発明は、基板またはリードフレーム上を窒化珪素膜
等の無機材料の保護膜で、電子部品をダイアタッチする
部分また金のワイヤボンドをする部分等の導体部を除き
、覆ってしまうものである。そしてこの部材を用いて電
子装置を形成し、有機樹脂モールドを施した際、この部
材と有機樹脂との密着性を向上させんとしたものである
。
そして、部材とそれに密着する保護膜との密着性を向上
させることにより、クラック、ふくれ（グイの裏面側の
モールド材が半田付の際、温度゛上昇のためグイ近傍の
水の気化により膨れてしまう現象をいう）の発生を防が
んとしたものである。
させることにより、クラック、ふくれ（グイの裏面側の
モールド材が半田付の際、温度゛上昇のためグイ近傍の
水の気化により膨れてしまう現象をいう）の発生を防が
んとしたものである。
「従来の技術」
従来、本発明人による特許願（半導体装置作製方法 昭
和５８年特許願第１０６４５２号 昭和５８年６月１４
日出願）が知られている。
和５８年特許願第１０６４５２号 昭和５８年６月１４
日出願）が知られている。
従来は第５図にその概要を示すが、リードフレー ム（
３５） 、 （３５°）ｖｆニＩＣチッフカタイアタッ
チサレるダイ（３５″）は銅、４２７０イ等の金属より
なり、この表面（裏面）には金が印刷されている。
３５） 、 （３５°）ｖｆニＩＣチッフカタイアタッ
チサレるダイ（３５″）は銅、４２７０イ等の金属より
なり、この表面（裏面）には金が印刷されている。
そして電子部品をダイアタッチ（２４）させる際は３０
０〜４００°Ｃの金−シリコン合金を作り、ＩＣチップ
をダイ（３５”）上に固着させていた。
０〜４００°Ｃの金−シリコン合金を作り、ＩＣチップ
をダイ（３５”）上に固着させていた。
このＩＣチップのダイ上への他の固着方法として、１０
０〜４００°Ｃに加熱した有機物またはガラス系銀ペー
ストを用いる固着方法もある。しかし、この後、有機樹
脂のモールド（４１）処理を行うと、このモールド材と
銅または４２７０イとの間にきわめてはがれやすい吸着
物（２４”）、（２４”’）および低級酸化物層（３２
）が残存してしまう。
０〜４００°Ｃに加熱した有機物またはガラス系銀ペー
ストを用いる固着方法もある。しかし、この後、有機樹
脂のモールド（４１）処理を行うと、このモールド材と
銅または４２７０イとの間にきわめてはがれやすい吸着
物（２４”）、（２４”’）および低級酸化物層（３２
）が残存してしまう。
「従来の欠点」
このため、第５図に示した如く、プラスチック・モール
ド・パッケージは、一般に信較性を低下させる水等がリ
ードフレームのダイの裏面等に集まり、半田付（一般に
２６０“Ｃ１３〜１０秒の溶融半田中への浸漬を行う）
の際、急激に気化し、その結果モールド材が膨張する応
力が働く。そのためダイ（３５’）とモールド材（４１
°）との間の密着性が悪いと、この間の界面で熱歪によ
りクラック（３３） 。
ド・パッケージは、一般に信較性を低下させる水等がリ
ードフレームのダイの裏面等に集まり、半田付（一般に
２６０“Ｃ１３〜１０秒の溶融半田中への浸漬を行う）
の際、急激に気化し、その結果モールド材が膨張する応
力が働く。そのためダイ（３５’）とモールド材（４１
°）との間の密着性が悪いと、この間の界面で熱歪によ
りクラック（３３） 。
（３３’）およびボイド（４２）の発生を誘発する。
これまでは絶縁性基板上にリードが形成された基板また
は金属リードフレームのダイ（３５’）上に電子部品（
以下チップともいう）を固着させた。
は金属リードフレームのダイ（３５’）上に電子部品（
以下チップともいう）を固着させた。
この固着材用に、ポリイミド系またはエポキシ系の有機
樹脂またはこれと銀とが混合した銀ペースト等の有機物
を含有する固着材（２４） 、 （２４’）を用いた。
樹脂またはこれと銀とが混合した銀ペースト等の有機物
を含有する固着材（２４） 、 （２４’）を用いた。
この固着材により電子部品を基板またはフレーム上に固
着させる際に、初期に溶融状態であった有機物を化学反
応または熱化学反応を伴わせて固化する。これは安価か
つ大量生産にはきわめて優れたものである。しかしこの
を搬物固着材（２４）。
着させる際に、初期に溶融状態であった有機物を化学反
応または熱化学反応を伴わせて固化する。これは安価か
つ大量生産にはきわめて優れたものである。しかしこの
を搬物固着材（２４）。
（２４”）は大気中の室温の状態、ないし加熱（１００
〜３００℃）を行うと、この固着後の有機材または気化
成分が残存する。この残存物は徐々に気化し、基板また
はグイ上に吸着するため、この後に形成する保護膜また
はモールド樹脂との密着性をも害してしまう。
〜３００℃）を行うと、この固着後の有機材または気化
成分が残存する。この残存物は徐々に気化し、基板また
はグイ上に吸着するため、この後に形成する保護膜また
はモールド樹脂との密着性をも害してしまう。
「発明の構成」
本発明は、かかる従来の旧Ｐまたはフラットバック等の
モールド封止された半導体集積回路または複数゛の電子
部品が基板またはリードフレーム上に金−シリコン合金
法、ガラス系銀ペーストまたはポリイミド等の有機物を
含有する銀ペースト等の固着材で固着させたハイブリッ
ドＩＣ等の高信顛性の電子装置およびその信転性の低下
を防ぐための電子装置用部材の作製方法を提供するもの
である。本発明は、これら基板または金属のリードフレ
ーム等の部材上に、予め無機物の保護膜を電気的連結を
する部分即ち導体部を除き、設けた構成を提供するもの
である。
モールド封止された半導体集積回路または複数゛の電子
部品が基板またはリードフレーム上に金−シリコン合金
法、ガラス系銀ペーストまたはポリイミド等の有機物を
含有する銀ペースト等の固着材で固着させたハイブリッ
ドＩＣ等の高信顛性の電子装置およびその信転性の低下
を防ぐための電子装置用部材の作製方法を提供するもの
である。本発明は、これら基板または金属のリードフレ
ーム等の部材上に、予め無機物の保護膜を電気的連結を
する部分即ち導体部を除き、設けた構成を提供するもの
である。
この保護膜はモールド樹脂と金属との間に耐湿性の向上
、密着性の向上をさせることを特徴としている。
、密着性の向上をさせることを特徴としている。
本発明はかかる電子装置用の部材、例えばリードフレー
ムそれ自体の作製方法を提供する。そして部材の導体部
、即ち電気的連結を行う部分を除き、窒化珪素、酸化珪
素、炭化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素）等の単層
または多Ｆ！膜、特に好ましくは窒化珪素等の無機材料
で覆うに際し、連結部をカバー膜で予め覆う。そしてこ
れら全体にプラズマＣｖＤ法またはスパ２夕法により無
機材料を形成し、この後リフトオフ法でカバー膜とその
上の被膜を除去するプロセスをへている。かくして作ら
れた部材をこれまでと同じ量産工程で、まったく工程を
変更することなく用いんとするものである。
ムそれ自体の作製方法を提供する。そして部材の導体部
、即ち電気的連結を行う部分を除き、窒化珪素、酸化珪
素、炭化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素）等の単層
または多Ｆ！膜、特に好ましくは窒化珪素等の無機材料
で覆うに際し、連結部をカバー膜で予め覆う。そしてこ
れら全体にプラズマＣｖＤ法またはスパ２夕法により無
機材料を形成し、この後リフトオフ法でカバー膜とその
上の被膜を除去するプロセスをへている。かくして作ら
れた部材をこれまでと同じ量産工程で、まったく工程を
変更することなく用いんとするものである。
第１図は本発明構造の部材を用いたフラットバックパッ
ケイジの縦断面図を示す。
ケイジの縦断面図を示す。
また第２図において、本発明構造の部材の作製工程を示
し、その完成した縦断面に対応する図面を第２図（Ｄ）
に示す。この第２図（Ｄ）の平面図は第３図（Ｂ）であ
り、逆に第３図（Ｂ）のＡ−Ａ’での縦断面図が第２図
の（八）〜（Ｄ）に示されている。リードフレームは第
３図（Ａ）に示す如く、第３図（Ｂ）の構造が多数個連
結して設けられている。
し、その完成した縦断面に対応する図面を第２図（Ｄ）
に示す。この第２図（Ｄ）の平面図は第３図（Ｂ）であ
り、逆に第３図（Ｂ）のＡ−Ａ’での縦断面図が第２図
の（八）〜（Ｄ）に示されている。リードフレームは第
３図（Ａ）に示す如く、第３図（Ｂ）の構造が多数個連
結して設けられている。
第１図において、リードフレームのダイ（３５”）に銀
ペースト（２４）等で密着させたチップ（２８）を有す
る。チンツブ（２８）のアルミニューム・パ・ンド（３
８）とリードフレームのステム（３５）の電気的連結を
行う導体部（３４）（ここは金メツキがなされている）
との間に、金線（３９）のワイヤボンドがなされている
。
ペースト（２４）等で密着させたチップ（２８）を有す
る。チンツブ（２８）のアルミニューム・パ・ンド（３
８）とリードフレームのステム（３５）の電気的連結を
行う導体部（３４）（ここは金メツキがなされている）
との間に、金線（３９）のワイヤボンドがなされている
。
本発明は、このリードフレームのダイ（３５’）とステ
ム（３５）の表面に予め無機材料（２７） 、 （２７
’ ）をコトし、ダイ表面（３０”Ｉ、ステム表面（３
０）には電子部品（２８）を密着させる際に出やすい有
機物または金属のナチュラルオキサイドが形成されない
ようにしたものである。そして金属とは密着性の悪い有
機樹脂モールド材が無機材料と密着性がよいことを積極
的に応用したものである。
ム（３５）の表面に予め無機材料（２７） 、 （２７
’ ）をコトし、ダイ表面（３０”Ｉ、ステム表面（３
０）には電子部品（２８）を密着させる際に出やすい有
機物または金属のナチュラルオキサイドが形成されない
ようにしたものである。そして金属とは密着性の悪い有
機樹脂モールド材が無機材料と密着性がよいことを積極
的に応用したものである。
図面において、４２７０イまたは銅フレーム（３５）（
３５”）における電子部品（２８）をアタッチさせる部
分（２４）およびワイヤボンドをする部分の金の印刷が
施しである導体部（３４）には、保護膜（２７） 、
（２７’）は形成されていない。また第１図において、
ダイ（３５’）には穴（３１）をあけ、半田付の際の熱
衝撃による応力集中を逃がしてもよい。またチップ（２
８）を密接させ、ワイヤボンドをした後、エポギシ系の
有機樹脂モールド（４１）封止を施した。
３５”）における電子部品（２８）をアタッチさせる部
分（２４）およびワイヤボンドをする部分の金の印刷が
施しである導体部（３４）には、保護膜（２７） 、
（２７’）は形成されていない。また第１図において、
ダイ（３５’）には穴（３１）をあけ、半田付の際の熱
衝撃による応力集中を逃がしてもよい。またチップ（２
８）を密接させ、ワイヤボンドをした後、エポギシ系の
有機樹脂モールド（４１）封止を施した。
第２図は本発明の部材を作る工程の縦断面図を略記した
ものである。
ものである。
第２図（八）がこれまでのリードフレームよりなる部材
である。第２図（Ａ）において、電子部品を密接させる
表面（３４’）を有するダイ（３５“）とワイヤをボン
ディングで電気的連結をする導体部（３４）を有するス
テム（３５）を有し、これらは他の表面（３０’）、
（３０）を有する。これらに対し、第２図（Ｂ）に示す
如く、スクリーン印刷法により、有機樹脂をカバー膜（
３６）、（３６’）の−例として、選択的に無機保護膜
を形成させたくない領域（３４） 、 （３４’ ）に
のみ形成する。このリードフレームの枠（３７”）をも
有している。
である。第２図（Ａ）において、電子部品を密接させる
表面（３４’）を有するダイ（３５“）とワイヤをボン
ディングで電気的連結をする導体部（３４）を有するス
テム（３５）を有し、これらは他の表面（３０’）、
（３０）を有する。これらに対し、第２図（Ｂ）に示す
如く、スクリーン印刷法により、有機樹脂をカバー膜（
３６）、（３６’）の−例として、選択的に無機保護膜
を形成させたくない領域（３４） 、 （３４’ ）に
のみ形成する。このリードフレームの枠（３７”）をも
有している。
さらにこれら全体に第２図（Ｃ）に示す如く、無機材料
の保護膜（２７） 、 （２７’ ）をプラズマＣＶＤ
法またはスパッタ法により形成し、リードフレームの不
要表面（３０） 、 （３０°）を覆う。
の保護膜（２７） 、 （２７’ ）をプラズマＣＶＤ
法またはスパッタ法により形成し、リードフレームの不
要表面（３０） 、 （３０°）を覆う。
次にこれら全体を有機溶剤中に浸積し、超音波を加えて
有機物を溶去し、同時にその上の保護膜をもリフトオフ
法により除去する。かくして第２図（０）を得る。第２
図ＣＤ）は第３図（Ｂ）におけるＡ−八゛に対応してい
る。
有機物を溶去し、同時にその上の保護膜をもリフトオフ
法により除去する。かくして第２図（０）を得る。第２
図ＣＤ）は第３図（Ｂ）におけるＡ−八゛に対応してい
る。
この無機材料は５（ｔｏｏＣで大気中に１時間放置して
も変質することなく、耐熱性を有し、耐酸化性を有する
ことが必要である。このためには、窒化珪素または炭化
珪素膜が優れている。
も変質することなく、耐熱性を有し、耐酸化性を有する
ことが必要である。このためには、窒化珪素または炭化
珪素膜が優れている。
第３図および第４図は、本発明の部材を作製するための
リードフレームおよびそれを複数個集合させた基体（２
）（基板および基体をまとめて基体とも以下では略記す
る）を複数配設させ、プラズマＣＶＤ法による窒化珪素
膜のコーティングを行うだめの概要を示す。
リードフレームおよびそれを複数個集合させた基体（２
）（基板および基体をまとめて基体とも以下では略記す
る）を複数配設させ、プラズマＣＶＤ法による窒化珪素
膜のコーティングを行うだめの概要を示す。
第４図において、反応系（６）、ドーピング系（５）を
有している。
有している。
反応系は、真空容器（以下反応室ともいう）（１）と予
備室（７）とを有し、ゲ〜ド弁（８） 、 （９）とを
有している。反応室（１）は内側に供給側フード（１３
）を有し、入口側（３）よりの反応性気体をフード（１
４）のノズル（１３）より下方向に吹き出し、排気せし
めている。
備室（７）とを有し、ゲ〜ド弁（８） 、 （９）とを
有している。反応室（１）は内側に供給側フード（１３
）を有し、入口側（３）よりの反応性気体をフード（１
４）のノズル（１３）より下方向に吹き出し、排気せし
めている。
第４図における反応性気体は、フード（１３）より枠構
造のホルダ（４０）の内側およびフード（１３’）によ
り囲まれた内側にて、ターボ分子ポンプ（２０）で５
Ｘ １０−’〜Ｉ Ｘ １０−”ｔｏｒｒに真空排気し
た。
造のホルダ（４０）の内側およびフード（１３’）によ
り囲まれた内側にて、ターボ分子ポンプ（２０）で５
Ｘ １０−’〜Ｉ Ｘ １０−”ｔｏｒｒに真空排気し
た。
本発明の窒化珪素膜の如き保護膜は室温〜３００°Ｃに
おいて、珪化物気体とアンモニアまたは窒素とをプラズ
マ反応炉に導入し、そこに電気エネルギを供給するいわ
ゆるプラズマ気相法により形成せしめた。
おいて、珪化物気体とアンモニアまたは窒素とをプラズ
マ反応炉に導入し、そこに電気エネルギを供給するいわ
ゆるプラズマ気相法により形成せしめた。
かくの如くして、窒化珪素膜の如き劣化防止用保護膜を
３００〜５０００人、一般には約１０００人の厚さに形
成した。
３００〜５０００人、一般には約１０００人の厚さに形
成した。
本発明の実施例を以下に示す。
「実施例１」
第２図（Ａ）に示すリードフレームの部材を用いた。こ
れに選択的に導体部（３４） 、 （３４°）上に有機
樹脂（３６） 、 （３６’）をスクリーン印刷法で形
成した。この基板（第２図（Ｂ））に対し、窒化珪素膜
を以下の方法で形成した。
れに選択的に導体部（３４） 、 （３４°）上に有機
樹脂（３６） 、 （３６’）をスクリーン印刷法で形
成した。この基板（第２図（Ｂ））に対し、窒化珪素膜
を以下の方法で形成した。
第４図のプラズマＣＶＤ装置において、ドーピング系（
５）は珪化物気体であるジシラン（Ｓ＋ｔｌ１６）を（
１７）より、また窒化物気体であるアンモニアまたは窒
素を（１６）より、プラズマ処理用の非生成物気体であ
るアルゴンを（１５）より供給している。それらは流量
計（１Ｂ） 、バルブ（１９）により制御されている。
５）は珪化物気体であるジシラン（Ｓ＋ｔｌ１６）を（
１７）より、また窒化物気体であるアンモニアまたは窒
素を（１６）より、プラズマ処理用の非生成物気体であ
るアルゴンを（１５）より供給している。それらは流量
計（１Ｂ） 、バルブ（１９）により制御されている。
第３図（Ａ）は基体（２）において、リードフレームの
ステム（３５） 、グイ（３５’）を複数個一体化した
リードフレームを５〜２５ケ、ユニット化した基体（４
５）を有する。１本のリードフレーム（４５）における
１つのリードフレーム（基板）を第３図（Ｂ）に示す。
ステム（３５） 、グイ（３５’）を複数個一体化した
リードフレームを５〜２５ケ、ユニット化した基体（４
５）を有する。１本のリードフレーム（４５）における
１つのリードフレーム（基板）を第３図（Ｂ）に示す。
図面ではリードを左側のみ簡単のため示す。このＡ−八
゛での縦断面図を第３図（Ｃ）の（２９）に示す。
゛での縦断面図を第３図（Ｃ）の（２９）に示す。
第３図＜Ｃ＞において、リードフレーム（３５）、ダイ
（３５’）よりなる基板（４５）をさらに５〜３００本
集めてジグ（４４）により一体化し、基体（２）として
構成させている。この基体（２）が第２図における基体
（２）に対応している。これをさらに５〜５０枚（図面
では７枚）陽光柱（１）内に第４図では配設している。
（３５’）よりなる基板（４５）をさらに５〜３００本
集めてジグ（４４）により一体化し、基体（２）として
構成させている。この基体（２）が第２図における基体
（２）に対応している。これをさらに５〜５０枚（図面
では７枚）陽光柱（１）内に第４図では配設している。
まず反応空間（１）をＩ Ｘｌ０−’〜Ｉ Ｘｌ０−”
ｔｏｒｒに５〜１５分保持し、有機物中の不要物気体を
脱気させるとともに、これを速やかに外部に排気した。
ｔｏｒｒに５〜１５分保持し、有機物中の不要物気体を
脱気させるとともに、これを速やかに外部に排気した。
窒化珪素膜を形成する場合、反応性気体は例えば５ｉｔ
Ｈｉ／Ｎｚ＝１１５とした。これらアルゴンに対し、１
３．５６ＭＨｚの周波数により１に賀の出力を一対の電
極（１１）、 （１１’）に供給した。かくして平均１
０００人（１０００人±２００人）に約１０分（平均速
度３Ａ／秒）の被膜形成を行った。
Ｈｉ／Ｎｚ＝１１５とした。これらアルゴンに対し、１
３．５６ＭＨｚの周波数により１に賀の出力を一対の電
極（１１）、 （１１’）に供給した。かくして平均１
０００人（１０００人±２００人）に約１０分（平均速
度３Ａ／秒）の被膜形成を行った。
窒化珪素膜はその絶縁耐圧８ Ｘ１０’Ｖ／ｃＩ１１以
上を有し、比抵抗は２Ｘ１０”ｎｃｍであった。赤外線
吸収スペクトルでは８６４ｃｍ −’の５ｔ−Ｎ結合の
吸収ピークを有し、屈折率は２．０であった。
上を有し、比抵抗は２Ｘ１０”ｎｃｍであった。赤外線
吸収スペクトルでは８６４ｃｍ −’の５ｔ−Ｎ結合の
吸収ピークを有し、屈折率は２．０であった。
かくの如くして第２図（Ｃ）に示された無機材料の保護
膜（２７） 、 （２７°）を形成した。この後、超音
波を加えつつ有機溶剤で有機物（３６） 、 （３６°
）をリフトオフ法で溶去し、導体部（３４） 、 （３
４’ ）を露呈させた。
膜（２７） 、 （２７°）を形成した。この後、超音
波を加えつつ有機溶剤で有機物（３６） 、 （３６°
）をリフトオフ法で溶去し、導体部（３４） 、 （３
４’ ）を露呈させた。
かくして本発明の第２図（Ｄ）で示される部材を作るこ
とができた。さらにこの部材を用い、銀ペーストを用い
、電子部品をダイアタッチし、ワイヤボンディングをし
た後、有機樹脂封止をした。
とができた。さらにこの部材を用い、銀ペーストを用い
、電子部品をダイアタッチし、ワイヤボンディングをし
た後、有機樹脂封止をした。
かくして第１図の縦断面図を得た。かかる完成した電子
装置を用い、本発明の効果を調べた。
装置を用い、本発明の効果を調べた。
即ち、８５°Ｃ／８５χで３００ケ放置しプラスチック
モールドに吸水させ、その後２６０°Ｃ１３秒の加熱を
行う条件の信頼性テストを行った。
モールドに吸水させ、その後２６０°Ｃ１３秒の加熱を
行う条件の信頼性テストを行った。
その−例を以下の表に示す。
その結果、保護膜の形成を行うと１００ケ中（５種類名
２０ケの合計）不良品零とすべて良品（Ｎα１〜５）で
あった。しかし保護膜がない場合は２０ケ中２０ケの不
良品が発生してしまった（Ｎα６）。
２０ケの合計）不良品零とすべて良品（Ｎα１〜５）で
あった。しかし保護膜がない場合は２０ケ中２０ケの不
良品が発生してしまった（Ｎα６）。
本発明において、導体部を覆うカバー膜は保護膜とは異
なる無機材料としても、リフトオフ法を用いても良く、
また無機材料の保護膜形成はスパッタ法、イオンブレー
ティング法、その他物理的成膜法を用いてもよい。
なる無機材料としても、リフトオフ法を用いても良く、
また無機材料の保護膜形成はスパッタ法、イオンブレー
ティング法、その他物理的成膜法を用いてもよい。
「効果」
本発明によって初めて有機樹脂モールド材が金属と密着
性が悪く、他方無機材料とは密着性がよい特性を利用す
ることに成功した。そして基板またはリードフレーム上
を予め無機材料で覆ったため、その後工程において電子
部品を金−シリコン合金または銀ペーストにより部材に
密接させる際も何ら問題がなく、また有機物モールドが
うすくなっても、半田付の際われることがなかった。
性が悪く、他方無機材料とは密着性がよい特性を利用す
ることに成功した。そして基板またはリードフレーム上
を予め無機材料で覆ったため、その後工程において電子
部品を金−シリコン合金または銀ペーストにより部材に
密接させる際も何ら問題がなく、また有機物モールドが
うすくなっても、半田付の際われることがなかった。
リードフレーム等の部材に対して保護膜を形成するため
大量生産が可能であり、また保護膜が形成されているた
め、その後工程での取り扱いも微妙さを伴わず、歩留ま
り低下をもたらさない。またリードフレーム等の部材表
面での吸着有機物、低級酸化物を除去しているため、有
機樹脂の密着性を向上させることができた。また保護膜
を形成すると、長期間たっても、有機樹脂中の水分、塩
素とダイの金属との間で反応を起こして低級酸化物がで
きて、信顧性を低下させるという欠点がない。そして裏
面からの水分の侵入を防ぐことができる。この電子装置
のＰＣＢへの半導体による装着の際、従来例に示す如く
、モールド材が加熱により膨れてしまうことを防ぐこと
ができた。
大量生産が可能であり、また保護膜が形成されているた
め、その後工程での取り扱いも微妙さを伴わず、歩留ま
り低下をもたらさない。またリードフレーム等の部材表
面での吸着有機物、低級酸化物を除去しているため、有
機樹脂の密着性を向上させることができた。また保護膜
を形成すると、長期間たっても、有機樹脂中の水分、塩
素とダイの金属との間で反応を起こして低級酸化物がで
きて、信顧性を低下させるという欠点がない。そして裏
面からの水分の侵入を防ぐことができる。この電子装置
のＰＣＢへの半導体による装着の際、従来例に示す如く
、モールド材が加熱により膨れてしまうことを防ぐこと
ができた。
本発明において、第２図のリードフレームのダイはステ
ムより低めとし、電子部品の表面とステムの表面が概略
同じであるようにした。しかしこれは予め同一平面を有
するリードフレームに対し無機材料をコートし、その後
に第２図（Ｄ）になる如くダイ部分を下側にへこまして
もよい。
ムより低めとし、電子部品の表面とステムの表面が概略
同じであるようにした。しかしこれは予め同一平面を有
するリードフレームに対し無機材料をコートし、その後
に第２図（Ｄ）になる如くダイ部分を下側にへこまして
もよい。
さらに本発明において、電子部品は半導体素子として示
したが、その他、絶縁基板上に金属導体が設けられ、こ
れらに抵抗、コンデンサを固着させたハイブリッドＩＣ
であってもよく、ボンディングもワイヤボンディングの
みならずフリップチップボンディング、ハンダバンプボ
ンディングでもよい。
したが、その他、絶縁基板上に金属導体が設けられ、こ
れらに抵抗、コンデンサを固着させたハイブリッドＩＣ
であってもよく、ボンディングもワイヤボンディングの
みならずフリップチップボンディング、ハンダバンプボ
ンディングでもよい。
第１図は本発明の耐湿テストおよび半田付はテストをし
た後のプラスチック・パッケージ半導体装置の縦断面部
の要部を示す。 第２図は本発明方法を実施するための作製工程を示す。 第３図は第２図および第４図の装置のうちの基体部の拡
大図を示す。 第４図は本発明に用いたプラズマＣＶＤ装置の概要を示
す。 第５図は従来例のプラスチックパッケージを耐湿テスト
および半田付はテストをした後の縦断面図の要部を示す
。 面 、７ｔ ／１２ｄ 図面の浄書（内容に変更なし） 凶 図 ヌダ国 手 続 （甫 正 書 （方式） ％式％ ２、発明の名称 住所 神奈川県厚木市長谷３９８番地 昭和６４年１月６日 発送口 平成１年１月３１日） ５、補正により増加する請求項の数 なし Ｇ、補正の対象 図面の第３図 ７、補正の内容 願書に最初に添付した図面の第３図（Ａ） 、 （［１
） 。
た後のプラスチック・パッケージ半導体装置の縦断面部
の要部を示す。 第２図は本発明方法を実施するための作製工程を示す。 第３図は第２図および第４図の装置のうちの基体部の拡
大図を示す。 第４図は本発明に用いたプラズマＣＶＤ装置の概要を示
す。 第５図は従来例のプラスチックパッケージを耐湿テスト
および半田付はテストをした後の縦断面図の要部を示す
。 面 、７ｔ ／１２ｄ 図面の浄書（内容に変更なし） 凶 図 ヌダ国 手 続 （甫 正 書 （方式） ％式％ ２、発明の名称 住所 神奈川県厚木市長谷３９８番地 昭和６４年１月６日 発送口 平成１年１月３１日） ５、補正により増加する請求項の数 なし Ｇ、補正の対象 図面の第３図 ７、補正の内容 願書に最初に添付した図面の第３図（Ａ） 、 （［１
） 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子部品を基板またはリードフレーム等の部材の上
に固着せしめて電子装置を構成させるための部材の作製
方法において、前記部材のワイヤをボンディングする部
分、電子部品を装着する部分または外部と電気的に連結
する部分の導体部に対し、カバー膜で覆う工程と、前記
部材および保護膜を覆って無機材料の保護膜を形成する
工程と、前記カバー膜を除去するとともに、その上面の
保護膜をも除去して前記導体部を露呈せしめる工程とを
有することにより作製された電子装置用部材の作製方法
。 ２、特許請求の範囲第１項において、有機材料のカバー
膜で覆う工程と、プラズマＣＶＤ法で保護膜を形成する
工程と、前記有機材料を溶去することにより、その上面
の保護膜をリフトオフして該カバー膜で覆われた導体部
を露呈せしめる工程を有することを特徴とする電子装置
用部材の作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26196488A JPH02106939A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 電子装置用部材の作製方法 |
| US07/417,319 US5057900A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-05 | Electronic device and a manufacturing method for the same |
| US07/835,745 US5276351A (en) | 1988-10-17 | 1992-02-13 | Electronic device and a manufacturing method for the same |
| US07/920,161 US5205036A (en) | 1988-10-17 | 1992-07-27 | Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26196488A JPH02106939A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 電子装置用部材の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106939A true JPH02106939A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17369104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26196488A Pending JPH02106939A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 電子装置用部材の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260042A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162471A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS63169747A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26196488A patent/JPH02106939A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162471A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS63169747A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260042A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置、半導体装置及びその製造方法 |
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