JPH02105067A - 光磁界測定装置 - Google Patents
光磁界測定装置Info
- Publication number
- JPH02105067A JPH02105067A JP63257002A JP25700288A JPH02105067A JP H02105067 A JPH02105067 A JP H02105067A JP 63257002 A JP63257002 A JP 63257002A JP 25700288 A JP25700288 A JP 25700288A JP H02105067 A JPH02105067 A JP H02105067A
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Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は磁気光学物質によるファラデー効果を利用した
光磁界測定装置に関する。
光磁界測定装置に関する。
(従来の技術)
ファラデー効果とは、磁界中に設置された磁気光学物質
を透過する光の偏波面が、磁界の強さに比例して回転す
る現象である。今、磁界の強さをH1磁気光学物質の磁
界方向の長さをLとすると。
を透過する光の偏波面が、磁界の強さに比例して回転す
る現象である。今、磁界の強さをH1磁気光学物質の磁
界方向の長さをLとすると。
偏波面の回転角θは。
0 = VHL ・
・(わとなる。ここで、■はベルデ定数と呼ばれ、磁気
光学物質の材料によって決まる。第3図はこのファラデ
ー効果を使った光磁界測定装置の原理を示すもので、1
は発光ダイオード(以下L E D)、レーザダイオー
ド(以下LD)等よりなる光源、2は偏光子、3は磁気
光学物質、4は検光子、5は検出器である。
・(わとなる。ここで、■はベルデ定数と呼ばれ、磁気
光学物質の材料によって決まる。第3図はこのファラデ
ー効果を使った光磁界測定装置の原理を示すもので、1
は発光ダイオード(以下L E D)、レーザダイオー
ド(以下LD)等よりなる光源、2は偏光子、3は磁気
光学物質、4は検光子、5は検出器である。
第3図において光源1より発せられた光は偏光子2によ
り直線偏光に変られ、磁界H中に設置された磁気光学物
質3を通過後前記(1)式で示した回転角θだけファラ
デー回転する。この回転角Oを検光子4.検出器5で検
出することにより磁界の強さHを検出することができる
。
り直線偏光に変られ、磁界H中に設置された磁気光学物
質3を通過後前記(1)式で示した回転角θだけファラ
デー回転する。この回転角Oを検光子4.検出器5で検
出することにより磁界の強さHを検出することができる
。
上記原理を使った従来例としては、三菱電機技報Vo1
.57.&9 ・1983があり、 そこでは磁気光学
物質としては反磁性体の釦ガラスを、光源としては波長
850nmのAQGaAs−LEDを使っている。
.57.&9 ・1983があり、 そこでは磁気光学
物質としては反磁性体の釦ガラスを、光源としては波長
850nmのAQGaAs−LEDを使っている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで磁気光学物質として使われている反磁性体のベ
ルデ定数は電気学会技術報告(■部)第149号「計器
用光変成器研究開発の現状と動向」にも述べられている
ように波長特性があり、次の0式で示される。
ルデ定数は電気学会技術報告(■部)第149号「計器
用光変成器研究開発の現状と動向」にも述べられている
ように波長特性があり、次の0式で示される。
ここでKは物質の屈折率、原子数等により決まる係数、
λ。は吸収線波長、λは磁気光学物質を通過する光の波
長である。第4図は鉛ガラス(SF−6)のベルデ定数
の波長依存性を示す実測例である。
λ。は吸収線波長、λは磁気光学物質を通過する光の波
長である。第4図は鉛ガラス(SF−6)のベルデ定数
の波長依存性を示す実測例である。
一方従来の光磁外測定装置は、LEDまたはLDよりな
る光源の温度変化により中心波長が変化する。従って光
源の中心波長が変化するとベルデ定数が変化し、測定誤
差を生ずることになる。
る光源の温度変化により中心波長が変化する。従って光
源の中心波長が変化するとベルデ定数が変化し、測定誤
差を生ずることになる。
本発明は上記問題点を解決するために提案されたもので
、光源の温度変化により波長が変化しても、高ち1度な
計測が可能な光磁外測定装置を提供することを目的とす
る。
、光源の温度変化により波長が変化しても、高ち1度な
計測が可能な光磁外測定装置を提供することを目的とす
る。
(課題を解決するための手段)
本発明の光磁外測定装置は光源の中心波長を1300n
m帯または1500nm帯に選んだことを特徴とするも
のである。
m帯または1500nm帯に選んだことを特徴とするも
のである。
(作用)
光源の中心波長を1300nm帯または1500nm帯
に選ぶことにより、光源に温度変化があり中心波長が変
化しても、ベルデ定数の変化は少なくなる。
に選ぶことにより、光源に温度変化があり中心波長が変
化しても、ベルデ定数の変化は少なくなる。
(実施例)
本発明の一実施例を第1図により説明する。第3図と同
一部分は同一番号とする。
一部分は同一番号とする。
第1図において1は中心波長が130or+a+帯また
は1500n+i帯であるLEDまたはLDよりなる光
源である。6は光源からの光を伝送するための送光ファ
イバ、7は送光ファイバの出射光を平行光線とするため
の送光レンズ、2は偏光子、3は反磁性体の磁気光学物
質、4は検光子、7は受光ファイバへ光を絞り込むため
の受光レンズ、8は検出器へ光を伝送するための受光フ
ァイバ、5は検出器である。
は1500n+i帯であるLEDまたはLDよりなる光
源である。6は光源からの光を伝送するための送光ファ
イバ、7は送光ファイバの出射光を平行光線とするため
の送光レンズ、2は偏光子、3は反磁性体の磁気光学物
質、4は検光子、7は受光ファイバへ光を絞り込むため
の受光レンズ、8は検出器へ光を伝送するための受光フ
ァイバ、5は検出器である。
磁気光学物質3として反磁性体の鉛ガラス(SF−6)
を選んだ場合を例に説明する。第4図に示した実測例を
使い、(2式の係数におよび吸収線波長λ。を算出する
と。
を選んだ場合を例に説明する。第4図に示した実測例を
使い、(2式の係数におよび吸収線波長λ。を算出する
と。
K=2.96XIO” (rad/A”r”rrf)
−(3)λ。=130nIIl−G4) となる。
−(3)λ。=130nIIl−G4) となる。
次に■式をλで微分すると0式となる。
表1
表1より光源として中心波長が1300nm帯または1
500nm帯のLEDまたはLDを選ぶことにより。
500nm帯のLEDまたはLDを選ぶことにより。
ベルデ定数の変化率を800nm帯に比べ約22%また
は約14%に低減できることがわかる。
は約14%に低減できることがわかる。
本発明の如く光源の中心波長を13000m帯または1
500nm帯に選ぶことにより、光源の温度変化により
中心波長が変化しても、測定誤差が従来に比入少なくで
きる。
500nm帯に選ぶことにより、光源の温度変化により
中心波長が変化しても、測定誤差が従来に比入少なくで
きる。
また光ファイバの伝送損失は図2に示すような特性であ
るので、光源の中心波長を1300nm帯または150
0n鳳帯に選ぶことにより、伝送損失も従来に比べ小さ
くできる。
るので、光源の中心波長を1300nm帯または150
0n鳳帯に選ぶことにより、伝送損失も従来に比べ小さ
くできる。
従って本発明によれば、光源に温度変化があり、中心波
長が変化しても、精度よく測定できる光磁外測定装置を
提供できる。
長が変化しても、精度よく測定できる光磁外測定装置を
提供できる。
第1図は本発明の一実施例を示す光磁外測定装置の構成
図、第2図は光ファイバの伝送損失の一例を示す特性図
、第3図は従来の光磁外測定装置を示す原理図、第4図
はベルデ定数の波長特性の−例を示す特性図である。 1・・光源 2・・・偏光子3・・・磁気光
学物質 4・・・検光子5・・・検出器 6
・・・送光ファイバ7・・・送光レンズ 8・・・
受光レンズ9・・・受光ファイバ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第1図 →戒長楡く) 第3図
図、第2図は光ファイバの伝送損失の一例を示す特性図
、第3図は従来の光磁外測定装置を示す原理図、第4図
はベルデ定数の波長特性の−例を示す特性図である。 1・・光源 2・・・偏光子3・・・磁気光
学物質 4・・・検光子5・・・検出器 6
・・・送光ファイバ7・・・送光レンズ 8・・・
受光レンズ9・・・受光ファイバ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第1図 →戒長楡く) 第3図
Claims (1)
- 光源、磁気光学物質、検出器よりなり、ファラデー効果
を利用して磁界を測定する光磁界測定装置において、磁
気光学物質は反磁性体としかつ光源の中心波長が長波長
帯にあることを特徴とする光磁界測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63257002A JPH02105067A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光磁界測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63257002A JPH02105067A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光磁界測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105067A true JPH02105067A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17300360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63257002A Pending JPH02105067A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光磁界測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105067A (ja) |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63257002A patent/JPH02105067A/ja active Pending
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