JPH02104011A - 表面弾性波素子の吸収帯形成方法 - Google Patents
表面弾性波素子の吸収帯形成方法Info
- Publication number
- JPH02104011A JPH02104011A JP25685788A JP25685788A JPH02104011A JP H02104011 A JPH02104011 A JP H02104011A JP 25685788 A JP25685788 A JP 25685788A JP 25685788 A JP25685788 A JP 25685788A JP H02104011 A JPH02104011 A JP H02104011A
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- Japan
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- pattern
- resin
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- forming
- semiconductor wafer
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Links
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 35
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- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、表面弾性波素子の吸収帯形成方法に関し、
さらに詳しくは、表面弾性波素子の所定表面上に、吸収
帯としての有機高分子膜からなるパターンを形成するた
めの改良された方法に係るものである。
さらに詳しくは、表面弾性波素子の所定表面上に、吸収
帯としての有機高分子膜からなるパターンを形成するた
めの改良された方法に係るものである。
（従来の技術）
従来例でのこの種の表面弾性波素子における吸収帯の形
成方法としては、所要の素子パターンを形成した半導体
ウェハ上にあって、−数的に加熱硬化型の樹脂材料を用
い、この樹脂材料をディスペンス方式とか、印刷方式な
どにより、所定の吸収帯パターンとしで付着形成させる
ようにしている。
成方法としては、所要の素子パターンを形成した半導体
ウェハ上にあって、−数的に加熱硬化型の樹脂材料を用
い、この樹脂材料をディスペンス方式とか、印刷方式な
どにより、所定の吸収帯パターンとしで付着形成させる
ようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記のようになされる従来の表面弾性波
素子の吸収帯形成方法においては、萌者のディスペンス
方式の場合、１素子毎に樹脂材料による吸収帯パターン
の塗布形成をなすために、その作業性が頗る悪く、かつ
安定した吸収帯パターンを形成できず、また、後者の印
刷方式による場合、素子表面への印刷用スクリーンなど
の接触とか、塗布される樹脂材料のダレなどを生じ易く
て、これらが素子特性に影響を虚すど云う問題点があっ
た。
素子の吸収帯形成方法においては、萌者のディスペンス
方式の場合、１素子毎に樹脂材料による吸収帯パターン
の塗布形成をなすために、その作業性が頗る悪く、かつ
安定した吸収帯パターンを形成できず、また、後者の印
刷方式による場合、素子表面への印刷用スクリーンなど
の接触とか、塗布される樹脂材料のダレなどを生じ易く
て、これらが素子特性に影響を虚すど云う問題点があっ
た。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なさねたもので、その目的とするところは、所要の素子
パターンを形成した半導体クエへに対して、同素子パタ
ーンにＢＢｇを与えずに、吸収帯パターンを安定して形
成させるようにした。
なさねたもので、その目的とするところは、所要の素子
パターンを形成した半導体クエへに対して、同素子パタ
ーンにＢＢｇを与えずに、吸収帯パターンを安定して形
成させるようにした。
この種の表面弾性波素子の吸収帯形成方法を提供するこ
とである。
とである。
（３題を解決するための手段〕
前記［目的を達成するために、この発明に係る表面弾性
波素子の吸収帯形成方法は、所要の素子パターンを形成
した半導体ウェハＬにあって、紫外線硬化性、 ４７機
溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を用い
、この樹脂材料を回転塗布し、かつ露光および現像によ
るパターニングプロセスで吸収帯パターンを形成させる
ようにしたものである。
波素子の吸収帯形成方法は、所要の素子パターンを形成
した半導体ウェハＬにあって、紫外線硬化性、 ４７機
溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を用い
、この樹脂材料を回転塗布し、かつ露光および現像によ
るパターニングプロセスで吸収帯パターンを形成させる
ようにしたものである。
すなわち、この発明は、表面弾性波素ｒの所定表面トに
、吸収帯としての樹脂パターンを形成する方法であって
、紫外線嫂化性、有機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を
有する樹脂材料を用い、所要の素子パターンを形成１）
だ半導体ウェハ上に、１１１記樹脂材料を供給する工程
と、供給された樹脂材料を半導体ウニハトに回転塗布し
て樹脂１１Ｑを形成させると共に、この樹脂膜を加熱し
て半硬化状態にする工程と、吸収帯パターン対応の露光
マスクを用い、１狩記樹脂膜を紫外線露光して硬化され
た樹脂パターンを形成させる工程と、前記樹脂膜の未露
光部分を打機溶剤により除去する工程と、残された樹脂
パターンを加熱硬化する］−桿とを含むことを特徴とす
る表面弾性波素子の吸収帯形成方法である。
、吸収帯としての樹脂パターンを形成する方法であって
、紫外線嫂化性、有機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を
有する樹脂材料を用い、所要の素子パターンを形成１）
だ半導体ウェハ上に、１１１記樹脂材料を供給する工程
と、供給された樹脂材料を半導体ウニハトに回転塗布し
て樹脂１１Ｑを形成させると共に、この樹脂膜を加熱し
て半硬化状態にする工程と、吸収帯パターン対応の露光
マスクを用い、１狩記樹脂膜を紫外線露光して硬化され
た樹脂パターンを形成させる工程と、前記樹脂膜の未露
光部分を打機溶剤により除去する工程と、残された樹脂
パターンを加熱硬化する］−桿とを含むことを特徴とす
る表面弾性波素子の吸収帯形成方法である。
従って、この発明方法においては、所要の素子パターン
を形成した半導体ウェハ上にあって、紫外線硬化性、４
ｆ機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を
用い、この樹脂材料を回転塗布させると共に、紫外線に
よる露光および有機溶剤による現像のバターニングプロ
セスで吸収帯パターンを形成させるようにしたので、半
導体ウェハに形成されている素子パターンに何等の影響
をも与えることなしに、この半導体ウェハ上の所定位置
に対して、樹脂材料による所定の吸収帯パターンを安定
して形成させ得るのである。
を形成した半導体ウェハ上にあって、紫外線硬化性、４
ｆ機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を
用い、この樹脂材料を回転塗布させると共に、紫外線に
よる露光および有機溶剤による現像のバターニングプロ
セスで吸収帯パターンを形成させるようにしたので、半
導体ウェハに形成されている素子パターンに何等の影響
をも与えることなしに、この半導体ウェハ上の所定位置
に対して、樹脂材料による所定の吸収帯パターンを安定
して形成させ得るのである。
以下、この発明に係る表面弾性波素子の吸収帯形成方法
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
第１図はこの実施例による吸収帯形成方法を適用して得
た表面弾性波素子の概要構成を模式的に示す斜視図であ
り、また、第２図（ａ）ないしくｅ）は同り表面弾性波
素子の吸収帯形成方法による主要な工程を順次模式的に
示すそれぞれに断面図である。
た表面弾性波素子の概要構成を模式的に示す斜視図であ
り、また、第２図（ａ）ないしくｅ）は同り表面弾性波
素子の吸収帯形成方法による主要な工程を順次模式的に
示すそれぞれに断面図である。
まず、第１図に示すこの実施例構成において、符号ｌは
表面十に所要の素子パターン２を形成したｔ導体チップ
であり、また、３は同様にこの半導体チップ１の表面１
−に形成さおだ吸収帯パターンであって、これらにより
表面弾性波素子か構成されている。
表面十に所要の素子パターン２を形成したｔ導体チップ
であり、また、３は同様にこの半導体チップ１の表面１
−に形成さおだ吸収帯パターンであって、これらにより
表面弾性波素子か構成されている。
次に、第２図に示すこの実施例方法において、こＳでは
、まず最初に、紫外線硬化性、有機溶剤可溶性、ならび
に熱硬化性を有し、かつ所定の粘度に調整された樹脂材
料１１を用い、前記した所要の素子パターン２をそれぞ
れに形成した半導体ウェハｌＯ上にあって、この樹脂材
料１１を一定量供給した後（同図（ａ））、この状態に
おいて、半導体ウェハｌＯを所定の速度で高速回転させ
ることにより、供給された樹脂材料１１を、この半導体
ウェハ１０上に均一な厚さにコーティング塗布させて樹
脂膜１２を形成させると共に、このコーティング塗布さ
れた樹脂膜Ｉ２を所定の温度で加熱して半硬化状態とす
る（同図（ｂ））。
、まず最初に、紫外線硬化性、有機溶剤可溶性、ならび
に熱硬化性を有し、かつ所定の粘度に調整された樹脂材
料１１を用い、前記した所要の素子パターン２をそれぞ
れに形成した半導体ウェハｌＯ上にあって、この樹脂材
料１１を一定量供給した後（同図（ａ））、この状態に
おいて、半導体ウェハｌＯを所定の速度で高速回転させ
ることにより、供給された樹脂材料１１を、この半導体
ウェハ１０上に均一な厚さにコーティング塗布させて樹
脂膜１２を形成させると共に、このコーティング塗布さ
れた樹脂膜Ｉ２を所定の温度で加熱して半硬化状態とす
る（同図（ｂ））。
ついで、得ようとする吸収帯パターンに対応した所要パ
ターンの露光マスク１３を用い、紫外線１４により前記
樹脂膜１２を露光させて、この樹脂膜１２の露光部分に
紫外線Ｉ４で硬化された樹脂パターン１５を形成させ（
同図（Ｃ））、その後、有機溶剤により、樹脂膜Ｉ２の
未露光部分、すなわち紫外線１４が照射されていない有
機溶剤可溶部分を除去して、吸収帯パターン対応の樹脂
パターン１５のみを残すように現像させ（同図（ｄ））
、かつこの残された樹脂パターン１５を加熱して完全に
硬化させることにより、所要の素子パターン２をそれぞ
れに形成した半導体ウニＡｌＯ上にあって、所期通りの
吸収帯パターン３を容易に形成し得るのである（同図（
ｅ））。
ターンの露光マスク１３を用い、紫外線１４により前記
樹脂膜１２を露光させて、この樹脂膜１２の露光部分に
紫外線Ｉ４で硬化された樹脂パターン１５を形成させ（
同図（Ｃ））、その後、有機溶剤により、樹脂膜Ｉ２の
未露光部分、すなわち紫外線１４が照射されていない有
機溶剤可溶部分を除去して、吸収帯パターン対応の樹脂
パターン１５のみを残すように現像させ（同図（ｄ））
、かつこの残された樹脂パターン１５を加熱して完全に
硬化させることにより、所要の素子パターン２をそれぞ
れに形成した半導体ウニＡｌＯ上にあって、所期通りの
吸収帯パターン３を容易に形成し得るのである（同図（
ｅ））。
すなわち、この実施例方法の場合には、所要の素子パタ
ーンを形成した半導体ウェハ上に、紫外線硬化性、有機
溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を回転
塗布させた上で、これを露光マスクを用いて紫外線露光
させ、かつ有機溶剤により現像させてバターニングする
ことで、所期通りの吸収帯パターンを形成するために、
半導体ウェハに形成されている素子パターンへの影響が
なく、この吸収帯パターンを安定して形成させ得るので
ある。
ーンを形成した半導体ウェハ上に、紫外線硬化性、有機
溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を回転
塗布させた上で、これを露光マスクを用いて紫外線露光
させ、かつ有機溶剤により現像させてバターニングする
ことで、所期通りの吸収帯パターンを形成するために、
半導体ウェハに形成されている素子パターンへの影響が
なく、この吸収帯パターンを安定して形成させ得るので
ある。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明方法によれば、所要の素
子パターンを形成した半導体ウェハ上にあって、紫外線
硬化性、有機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹
脂材料を用い、この樹脂材料を回転塗布すると共に、所
定パターンの露光マスクを介して紫外線により露光させ
、かつ有機溶剤により現像させて、所期通りの吸収帯パ
ターンを形成させるようにしたので、半導体ウェハに形
成されている素子パターンに直接、触れることがなく、
従って、この素子パターンに何等のｉＭをも与えずに済
み、また、このようなバターニングプロセスによるため
に、この吸収帯パターンの一括形成が可能になって作業
性を格段に向上でき、併せて、品質のよい吸収帯パター
ンを安定して形成させ得るのであり、しかも、方法自体
が比較的簡単で容易に実施できるなどの優れた特長を有
するものである。
子パターンを形成した半導体ウェハ上にあって、紫外線
硬化性、有機溶剤可溶性、ならびに熱硬化性を有する樹
脂材料を用い、この樹脂材料を回転塗布すると共に、所
定パターンの露光マスクを介して紫外線により露光させ
、かつ有機溶剤により現像させて、所期通りの吸収帯パ
ターンを形成させるようにしたので、半導体ウェハに形
成されている素子パターンに直接、触れることがなく、
従って、この素子パターンに何等のｉＭをも与えずに済
み、また、このようなバターニングプロセスによるため
に、この吸収帯パターンの一括形成が可能になって作業
性を格段に向上でき、併せて、品質のよい吸収帯パター
ンを安定して形成させ得るのであり、しかも、方法自体
が比較的簡単で容易に実施できるなどの優れた特長を有
するものである。
第１図はこの発明の一実施例による吸収帯形成方法を適
用して得た表面弾性波素子の概要構成を模式的に示す斜
視図であり、また、第２図（ａ）ないしくｅ）は同上表
面弾性波素子の吸収帯形成方法による主要な工程を順次
模式的に示すそれぞれに断面図である。 １・・・・半導体チップ、２・・・・素子パターン、３
・・・・吸収帯パターン。 ＩＯ・・・・半導体ウェハ、１１・・・・紫外線硬化性
、有機溶剤可溶性、熱硬化性を有する樹脂材料、１２・
・・・樹脂膜、１３・・・・露光マスク、１４・・・・
露光用の紫外線、１５・・・・樹脂パターン。
用して得た表面弾性波素子の概要構成を模式的に示す斜
視図であり、また、第２図（ａ）ないしくｅ）は同上表
面弾性波素子の吸収帯形成方法による主要な工程を順次
模式的に示すそれぞれに断面図である。 １・・・・半導体チップ、２・・・・素子パターン、３
・・・・吸収帯パターン。 ＩＯ・・・・半導体ウェハ、１１・・・・紫外線硬化性
、有機溶剤可溶性、熱硬化性を有する樹脂材料、１２・
・・・樹脂膜、１３・・・・露光マスク、１４・・・・
露光用の紫外線、１５・・・・樹脂パターン。
Claims (1)
- 表面弾性波素子の所定表面上に、吸収帯としての樹脂
パターンを形成する方法であつて、紫外線硬化性，有機
溶剤可溶性，ならびに熱硬化性を有する樹脂材料を用い
、所要の素子パターンを形成した半導体ウエハ上に、前
記樹脂材料を供給する工程と、供給された樹脂材料を半
導体ウエハ上に回転塗布して樹脂膜を形成させると共に
、この樹脂膜を加熱して半硬化状態にする工程と、吸収
帯パターン対応の露光マスクを用い、前記樹脂膜を紫外
線露光して硬化された樹脂パターンを形成させる工程と
、前記樹脂膜の未露光部分を有機溶剤により除去する工
程と、残された樹脂パターンを加熱硬化する工程とを含
むことを特徴とする表面弾性波素子の吸収帯形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25685788A JPH02104011A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波素子の吸収帯形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25685788A JPH02104011A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波素子の吸収帯形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104011A true JPH02104011A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17298382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25685788A Pending JPH02104011A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波素子の吸収帯形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104011A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900286A (en) * | 1994-12-09 | 1999-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing an attenuating structure on a surface wave component |
| JP2008200220A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 呼吸抑制部材および磁気共鳴映像装置 |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP25685788A patent/JPH02104011A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900286A (en) * | 1994-12-09 | 1999-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing an attenuating structure on a surface wave component |
| JP2008200220A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 呼吸抑制部材および磁気共鳴映像装置 |
| US9927502B2 (en) | 2007-02-19 | 2018-03-27 | Toshiba Medical Systems Corporation | Respiration suppressing mat and magnetic resonance imaging apparatus and method |
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