JPH03238812A - ノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法 - Google Patents
ノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH03238812A JPH03238812A JP3543590A JP3543590A JPH03238812A JP H03238812 A JPH03238812 A JP H03238812A JP 3543590 A JP3543590 A JP 3543590A JP 3543590 A JP3543590 A JP 3543590A JP H03238812 A JPH03238812 A JP H03238812A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- coating
- photoresist
- novolac
- positive photoresist
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- Pending
Links
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- 229920003986 novolac Polymers 0.000 title claims abstract description 48
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造方法に関し、特にリングラフイー工
程のノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法に関す
る。
程のノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法に関す
る。
第３図（ａ）、（ｂ）は、この種のノボラック系ポジ型
フォトレジスト塗布方法の従来例を示す工程図である。
フォトレジスト塗布方法の従来例を示す工程図である。
第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト３を基板
１上に塗布し、プリベークを行ない、ひきつづき第２層
目のノボラック系ポジ型フォトレジスト３を回転塗布す
ることとなっていた。
１上に塗布し、プリベークを行ない、ひきつづき第２層
目のノボラック系ポジ型フォトレジスト３を回転塗布す
ることとなっていた。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
上述した従来のノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布
方法は、第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト
を回転塗布し、プリベークを行ない、ひきつづいて第２
層目のノボラック系ポジ型フォトレジストを回転塗布す
るとなっているため第１層目のノボラック系ポジ型フォ
トレジストの表面層が第２層目のノボラック系ポジ型フ
ォトレジスト中に含まれる有機溶剤により溶解するので
第２層目のノボラック系フォトレジストが均一に塗布で
きないという欠点がある。
方法は、第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト
を回転塗布し、プリベークを行ない、ひきつづいて第２
層目のノボラック系ポジ型フォトレジストを回転塗布す
るとなっているため第１層目のノボラック系ポジ型フォ
トレジストの表面層が第２層目のノボラック系ポジ型フ
ォトレジスト中に含まれる有機溶剤により溶解するので
第２層目のノボラック系フォトレジストが均一に塗布で
きないという欠点がある。
本発明は上記の欠点に鑑み、先に塗布された塗布層がそ
の上に塗布される後の塗布層の有機溶剤に侵されず、ひ
いては均一な塗布が可能な塗布方法を提供することを目
的とする。
の上に塗布される後の塗布層の有機溶剤に侵されず、ひ
いては均一な塗布が可能な塗布方法を提供することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段Ｊ
本発明のノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法は
、基板上にノボラック系ポジ型フォトレジストを複数回
回転塗布するノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方
法において、第１の塗布層の上に第２の塗布層を回転塗
布する前に、第１の塗布層の上に遠紫外線光を照射する
工程を含む。
、基板上にノボラック系ポジ型フォトレジストを複数回
回転塗布するノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方
法において、第１の塗布層の上に第２の塗布層を回転塗
布する前に、第１の塗布層の上に遠紫外線光を照射する
工程を含む。
遠紫外線光の照射により第１の塗布層の表層が硬化させ
、その上に第２の塗布層を形成する。
、その上に第２の塗布層を形成する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は本発明のノボ
ラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法の第１の実施例
を示す工程図である。
ラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法の第１の実施例
を示す工程図である。
基板１上に第１層目のノボラック型フォトレジスト２を
回転塗布し、ボストベークを行ない、続いて第１層目の
ノボラック系ポジ型フォトレジスト２上に遠紫外線（波
長＝２５６ｎｍ）を基板温度６０℃で２０秒間照射する
。これにより第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジ
スト２の表層に、硬化した第１層目のノボラック系ポジ
型フォトレジストの表層３が形成される０次に、第２層
目のノボラック系ポジ型フォトレジスト４を回転塗布す
る。第１層目は表層３により第２層に含まれる溶剤に侵
されない、このときの第２層目のノボラック系フォトレ
ジスト４は第１層目のノボラック系フォトレジスト２と
同一種類である必要はない。
回転塗布し、ボストベークを行ない、続いて第１層目の
ノボラック系ポジ型フォトレジスト２上に遠紫外線（波
長＝２５６ｎｍ）を基板温度６０℃で２０秒間照射する
。これにより第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジ
スト２の表層に、硬化した第１層目のノボラック系ポジ
型フォトレジストの表層３が形成される０次に、第２層
目のノボラック系ポジ型フォトレジスト４を回転塗布す
る。第１層目は表層３により第２層に含まれる溶剤に侵
されない、このときの第２層目のノボラック系フォトレ
ジスト４は第１層目のノボラック系フォトレジスト２と
同一種類である必要はない。
第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）は
本発明の第２の実施例を示す工程図である。
本発明の第２の実施例を示す工程図である。
基板１上に第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジス
ト２を回転塗布し、第１層目のノボラック系ポジ型フォ
トレジスト２上に遠紫外線光（波長＝２５６ｒ＋ｍ）を
基板１の温度６０℃で、２０秒間照射する。これにより
硬化した第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト
の表層３が形成される。次に第２層目のノボラック系ポ
ジ型フォトレジスト４を回転塗布し、第２層目のノボラ
ック系ポジ型フォトレジスト４上に遠紫外線光（波長＝
２５６ｎｍ）を基板ｌの温度６０℃で２０秒間照射する
。これにより硬化した第２層目のノボラック系ポジ型フ
ォトレジストの表層５を形成する。
ト２を回転塗布し、第１層目のノボラック系ポジ型フォ
トレジスト２上に遠紫外線光（波長＝２５６ｒ＋ｍ）を
基板１の温度６０℃で、２０秒間照射する。これにより
硬化した第１層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト
の表層３が形成される。次に第２層目のノボラック系ポ
ジ型フォトレジスト４を回転塗布し、第２層目のノボラ
ック系ポジ型フォトレジスト４上に遠紫外線光（波長＝
２５６ｎｍ）を基板ｌの温度６０℃で２０秒間照射する
。これにより硬化した第２層目のノボラック系ポジ型フ
ォトレジストの表層５を形成する。
さらに第３層目のノボラック系ポジ型フォトレジスト６
を回転塗布する０本実施例ではノボラック系ポジ型フォ
トレジストを３層に塗布するために第１の実施例のもの
より厚膜のノボラック系ポジ型フォトレジスト膜が得ら
れるという利点がある。
を回転塗布する０本実施例ではノボラック系ポジ型フォ
トレジストを３層に塗布するために第１の実施例のもの
より厚膜のノボラック系ポジ型フォトレジスト膜が得ら
れるという利点がある。
〔発明の効果Ｊ
以上説明したように本発明は、ノボラック系ポジ型フォ
トレジストの回転塗布方法において基板上に第１の塗布
層であるノボラック系ポジ型フォトレジストを回転塗布
し、その上に遠紫外線光を照射して第１の塗布層の表面
層を硬化させることにより、第１の塗布層が第２の塗布
層の溶剤に侵されず、第２の塗布層を第１の塗布層の上
に均一に回転塗布できる効果がある。
トレジストの回転塗布方法において基板上に第１の塗布
層であるノボラック系ポジ型フォトレジストを回転塗布
し、その上に遠紫外線光を照射して第１の塗布層の表面
層を硬化させることにより、第１の塗布層が第２の塗布
層の溶剤に侵されず、第２の塗布層を第１の塗布層の上
に均一に回転塗布できる効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は本発明のノボ
ラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法の第１の実施例
を示す工程図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）
、 （ｄ）は本発明の第２の実施例を示す工程図、第
３図（ａ）、（ｂ）は従来例を示す工程図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・第１層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ３・・・・・・硬化した第１層目のノボラック系ポジ型
フォトレジストの表層、 ４・・・・・・第２層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ５・・・・・・硬化した第２層目のノボラック系ポジ型
フォトレジストの表層、 ６・・・・・・第３層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ７・・・・・・第２層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジストに含まれる有機溶剤により溶解された第１層目の
ノボラック系ポジ型フォトレジストの層。 （ａ） （ｂ） ］ｊＬ笠外媒 （Ｃ） （ｄ）
ラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法の第１の実施例
を示す工程図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）
、 （ｄ）は本発明の第２の実施例を示す工程図、第
３図（ａ）、（ｂ）は従来例を示す工程図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・第１層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ３・・・・・・硬化した第１層目のノボラック系ポジ型
フォトレジストの表層、 ４・・・・・・第２層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ５・・・・・・硬化した第２層目のノボラック系ポジ型
フォトレジストの表層、 ６・・・・・・第３層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト、 ７・・・・・・第２層目のノボラック系ポジ型フォトレ
ジストに含まれる有機溶剤により溶解された第１層目の
ノボラック系ポジ型フォトレジストの層。 （ａ） （ｂ） ］ｊＬ笠外媒 （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にノボラック系ポジ型フォトレジストを複数
回回転塗布するノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布
方法において、 第１の塗布層の上に第２の塗布層を回転塗布する前に、
第１の塗布層の上に遠紫外線光を照射する工程を含むこ
とを特徴とするノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543590A JPH03238812A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543590A JPH03238812A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238812A true JPH03238812A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12441774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3543590A Pending JPH03238812A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ノボラック系ポジ型フォトレジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238812A (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3543590A patent/JPH03238812A/ja active Pending
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