JPH02102652U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02102652U JPH02102652U JP988389U JP988389U JPH02102652U JP H02102652 U JPH02102652 U JP H02102652U JP 988389 U JP988389 U JP 988389U JP 988389 U JP988389 U JP 988389U JP H02102652 U JPH02102652 U JP H02102652U
- Authority
- JP
- Japan
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- electron
- backscattered
- control
- dose
- detector
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第１図は本案になる反射電子線量検出及び電子
線量の制御系の構成図を示す。 １……発振器、２……バイアス抵抗、３……倍
電圧整流器、４……フイラメント、５……電子顕
微鏡本体、６……ウエネルト、７……電子線、８
……非分散形Ｘ線検出器、９……試料、１０……
Ｘ線、反射電子線、１１……反射電子検出器、１
２……反射電子増巾器、１３……増巾器、１４…
…バイアス電圧調整抵抗、１５……バイアス電圧
増巾器、１６……スイツチ。
線量の制御系の構成図を示す。 １……発振器、２……バイアス抵抗、３……倍
電圧整流器、４……フイラメント、５……電子顕
微鏡本体、６……ウエネルト、７……電子線、８
……非分散形Ｘ線検出器、９……試料、１０……
Ｘ線、反射電子線、１１……反射電子検出器、１
２……反射電子増巾器、１３……増巾器、１４…
…バイアス電圧調整抵抗、１５……バイアス電圧
増巾器、１６……スイツチ。
Claims (1)
- 電子顕微鏡等のＸ線検出器内又は検出器前方、
近傍に反射電子線検出器を設け、反射電子線量の
検出を行ないこの電子線量の制御を行なう為のフ
イードバツク機能を設け、電子顕微鏡等の電子源
の電子線量を制御可能とした事を特徴とする電子
顕微鏡等のＸ線検出器への保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP988389U JPH02102652U (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP988389U JPH02102652U (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102652U true JPH02102652U (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=31217023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP988389U Pending JPH02102652U (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102652U (ja) |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP988389U patent/JPH02102652U/ja active Pending
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