JPH02102142A - 石英製治具の再生方法 - Google Patents
石英製治具の再生方法Info
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- JPH02102142A JPH02102142A JP25189588A JP25189588A JPH02102142A JP H02102142 A JPH02102142 A JP H02102142A JP 25189588 A JP25189588 A JP 25189588A JP 25189588 A JP25189588 A JP 25189588A JP H02102142 A JPH02102142 A JP H02102142A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title description 13
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 title description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 101100537937 Caenorhabditis elegans arc-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造用石英製治具の再生方法に関し、
特に、ＣＶＤプロセスで用いる半導体ウェハの支持・精
密位置決め用の石英製治具の再生方法に関する。
特に、ＣＶＤプロセスで用いる半導体ウェハの支持・精
密位置決め用の石英製治具の再生方法に関する。
粗面化した石英製ＣＶＤ治具に１００〜２００ｎｍの波
長域にある真空紫外光を高密度に照射し、表面層のみを
溶解して表面平滑化をする。
長域にある真空紫外光を高密度に照射し、表面層のみを
溶解して表面平滑化をする。
高精度に加工された石英製ＣＶＤ治具の加工精度を失う
ことなく表面の吸着ガスを低減することができ、ＣＶＤ
プロセスにおける妨害ガスの発生を抑え、半導体ウェハ
へのデポジションレートの低下を防止することが可能と
なる。
ことなく表面の吸着ガスを低減することができ、ＣＶＤ
プロセスにおける妨害ガスの発生を抑え、半導体ウェハ
へのデポジションレートの低下を防止することが可能と
なる。
半導体ＩＣ素子の製造工程中、ＣＶＤプロセスを行う段
階では、高精度に加工された石英製ＣｖＤ治具で半導体
ウェハを正確に支持・位置決めをすることが行われる。
階では、高精度に加工された石英製ＣｖＤ治具で半導体
ウェハを正確に支持・位置決めをすることが行われる。
半導体ウェハを搭載した石英製ＣＶＤ治具は、さらに同
じく石英製の管の中に収容され、全体を加熱しながらＣ
ＶＤ用ガスを管の一端から他端へ向けて流し、ウェハ上
にデポジションを行う。
じく石英製の管の中に収容され、全体を加熱しながらＣ
ＶＤ用ガスを管の一端から他端へ向けて流し、ウェハ上
にデポジションを行う。
このため、デポジションは石英製ＣＶＤ治具の表面や石
英管の内壁等不要な部分にも行われ、ＣＶＤのバッチ回
数が多くなると次第に厚く堆積する。この不要堆積層が
ある厚み以上となると、石英製ＣＶＤ治具本来の機能で
ある半導体ウェハの正確な支持・位置決めかはたせなく
なるので、エツチング液により除去し、仕上げとしてフ
ン化水素（ＨＦ）系水溶液にてエツチング・洗浄をして
再生することが通常手段として行われている。
英管の内壁等不要な部分にも行われ、ＣＶＤのバッチ回
数が多くなると次第に厚く堆積する。この不要堆積層が
ある厚み以上となると、石英製ＣＶＤ治具本来の機能で
ある半導体ウェハの正確な支持・位置決めかはたせなく
なるので、エツチング液により除去し、仕上げとしてフ
ン化水素（ＨＦ）系水溶液にてエツチング・洗浄をして
再生することが通常手段として行われている。
この再生により石英製ＣＶＤ治其の半導体ウェハ支持・
位置決め機能は回復するが、反面、石英製ＣＶＤ治其の
表面もエツチングされ粗面化し、あたかも磨すガラスの
ように白く失透する。この状態でＣＶＤプロセスを再開
すると、粗面化のため実質的な表面積が増加した石英製
ＣＶＤ治具への吸着不純物ガスの影響により、本来のＣ
ＶＤガスの半導体ウェハ表面への到達が妨害され、デポ
ジションレートが低下する。
位置決め機能は回復するが、反面、石英製ＣＶＤ治其の
表面もエツチングされ粗面化し、あたかも磨すガラスの
ように白く失透する。この状態でＣＶＤプロセスを再開
すると、粗面化のため実質的な表面積が増加した石英製
ＣＶＤ治具への吸着不純物ガスの影響により、本来のＣ
ＶＤガスの半導体ウェハ表面への到達が妨害され、デポ
ジションレートが低下する。
従来の技術においては、一定のデポジションレートを確
保するため、ＣＶＤガスの流量を増やしたり、あるいは
粗面化した石英製ＣＶＤ治具を高熱の水素炎で処理して
表面近傍を溶解し平滑化して吸着ガスを低減することが
行われている。
保するため、ＣＶＤガスの流量を増やしたり、あるいは
粗面化した石英製ＣＶＤ治具を高熱の水素炎で処理して
表面近傍を溶解し平滑化して吸着ガスを低減することが
行われている。
しかしながら、ＣＶＤガスの流量を増加することによっ
ても、エツチング・洗浄直後の石英製ＣＶＤ治具の使用
に際しての急激なデポジションレートの低下には充分対
応できない（第３図の０点）。
ても、エツチング・洗浄直後の石英製ＣＶＤ治具の使用
に際しての急激なデポジションレートの低下には充分対
応できない（第３図の０点）。
また、水素炎により溶融熱処理すれば、このようなデポ
ジションレートの低下は妨げる。しかし、石英製ＣＶＤ
治具は、半導体ウェハを高精度に支持・位置決めするた
めの溝や段差が加工されており、ことに自動機により半
導体ウェハを搭載する目的のものは、石英製ＣＶＤ治具
全体の平行度・平面度・垂直度等が高精度に作られてい
る。これを高熱の水素炎で処理すると、熱変型により溝
や段差がつぶれたり、全体が歪んだりして精度を失って
しまう。さらには、熱ストレスにより破損してしまう場
合もある。
ジションレートの低下は妨げる。しかし、石英製ＣＶＤ
治具は、半導体ウェハを高精度に支持・位置決めするた
めの溝や段差が加工されており、ことに自動機により半
導体ウェハを搭載する目的のものは、石英製ＣＶＤ治具
全体の平行度・平面度・垂直度等が高精度に作られてい
る。これを高熱の水素炎で処理すると、熱変型により溝
や段差がつぶれたり、全体が歪んだりして精度を失って
しまう。さらには、熱ストレスにより破損してしまう場
合もある。
従って、本発明の目的は、エツチングおよびＨＦ水溶液
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治具表面を、加工精
度を失ったり破損することなく平滑化して吸着ガスを低
減し、一定のデポジションレートを確保するための再生
方法を提供することにある。
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治具表面を、加工精
度を失ったり破損することなく平滑化して吸着ガスを低
減し、一定のデポジションレートを確保するための再生
方法を提供することにある。
本発明による再生方法は、エツチングおよびＨＦ水溶液
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治具に、石英の光吸
収が充分に大きい真空紫外（ＶＵ■）域の波長の光を高
密度に照射することにより、表面の平滑化を行う。
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治具に、石英の光吸
収が充分に大きい真空紫外（ＶＵ■）域の波長の光を高
密度に照射することにより、表面の平滑化を行う。
石英の光吸収は、第２図の光透過率の波長分散特性に示
されており、合成石英は１？Ｏｎｍ以下、溶解石英にお
いては２００ ｎ ｍ以下で充分大きな光吸収を示す。
されており、合成石英は１？Ｏｎｍ以下、溶解石英にお
いては２００ ｎ ｍ以下で充分大きな光吸収を示す。
この範囲の波長をもつ真空紫外光を高密度に照射すれば
よい。
よい。
前述した手段による再生方法によれば、エツチングおよ
びＨＦ洗浄により粗面化した石英製Ｃ■Ｄ治具は、表面
層のみ融点以上に加熱され、溶解した石英の表面張力に
より平滑な表面となる。
びＨＦ洗浄により粗面化した石英製Ｃ■Ｄ治具は、表面
層のみ融点以上に加熱され、溶解した石英の表面張力に
より平滑な表面となる。
一方、照射した光は石英製ＣＶＤ治具のごく表面層で熱
エネルギに変換され吸収されてしまい、またその全熱量
は小さいので、石英製ＣＶＤ治具の深さ方向数μｍも入
ったところでは、軟化点以上には昇温しない。
エネルギに変換され吸収されてしまい、またその全熱量
は小さいので、石英製ＣＶＤ治具の深さ方向数μｍも入
ったところでは、軟化点以上には昇温しない。
このため石英製ＣＶＤ治具に高精度に加工された溝や段
差の精度が失われることがなく、また石英製ＣＶＤ治具
全体の平行度・平面度・垂直度等が狂うこともなく、熱
ストレスによる破損もない。
差の精度が失われることがなく、また石英製ＣＶＤ治具
全体の平行度・平面度・垂直度等が狂うこともなく、熱
ストレスによる破損もない。
この結果、粗面化した石英製ＣＶＤ治具は、その本来の
機能であるところの半導体ウェハの高精度な支持・位置
決めの機能を保ったまま、表面層のみが溶融・平滑化さ
れて再生され、吸着ガスを低減でき、ＣＶＤプロセスに
おいて一定のデポジションレートを確保することが可能
である。
機能であるところの半導体ウェハの高精度な支持・位置
決めの機能を保ったまま、表面層のみが溶融・平滑化さ
れて再生され、吸着ガスを低減でき、ＣＶＤプロセスに
おいて一定のデポジションレートを確保することが可能
である。
以下、本発明の詳細な説明する。
ＣＶＤプロセスの一例として、半導体ウェハ上に二酸化
ケイ素（Ｓｉｎｇ）による絶縁膜を作成する場合につい
てまず述べる。１２枚の５インチシリコンウェハを、高
精度に支持・位置決め加工された透明な合成石英製ＣＶ
Ｄ治具に自動機により搭載し、石英管内に装入する。全
体を７２０°Ｃに加熱しＣＶＤガスを石英管の一端から
導入して他端へ流す。ＣＶＤガスとして、６０’Ｃに加
熱した液体のＴＥ ＯＳ （Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓ
ｉｌａｎｅ、５ｉ（ＯＣｚｌｌｓ）４）中にキャリアガ
スをバブリングしたものを用い、排気側のポンプにより
４０Ｐａｓｃａｌ （０，３Ｔｏｒｒ）に石英管中を減
圧した減圧ＣＶＤ法により、７００ ｎ ｍの厚さのＳ
ｉＯ□膜をシリコンウェハ上に生成した。
ケイ素（Ｓｉｎｇ）による絶縁膜を作成する場合につい
てまず述べる。１２枚の５インチシリコンウェハを、高
精度に支持・位置決め加工された透明な合成石英製ＣＶ
Ｄ治具に自動機により搭載し、石英管内に装入する。全
体を７２０°Ｃに加熱しＣＶＤガスを石英管の一端から
導入して他端へ流す。ＣＶＤガスとして、６０’Ｃに加
熱した液体のＴＥ ＯＳ （Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓ
ｉｌａｎｅ、５ｉ（ＯＣｚｌｌｓ）４）中にキャリアガ
スをバブリングしたものを用い、排気側のポンプにより
４０Ｐａｓｃａｌ （０，３Ｔｏｒｒ）に石英管中を減
圧した減圧ＣＶＤ法により、７００ ｎ ｍの厚さのＳ
ｉＯ□膜をシリコンウェハ上に生成した。
このＴＥ０１−５ｉＯ□ ＣＶＤプロセスを１００バッ
チ行ったところ、合成石英製のＣＶＤ治具の表面にもＳ
ｉｎｇの厚い膜が堆積し、シリコンウェハの支持・位置
決め機能が低下したので、エツチング液として１０％の
ＨＦ水溶液に室温で３０分浸漬して堆積物を除去したの
ち、同じ＜ＨＦ系の洗浄液により仕上げ洗浄を行った。
チ行ったところ、合成石英製のＣＶＤ治具の表面にもＳ
ｉｎｇの厚い膜が堆積し、シリコンウェハの支持・位置
決め機能が低下したので、エツチング液として１０％の
ＨＦ水溶液に室温で３０分浸漬して堆積物を除去したの
ち、同じ＜ＨＦ系の洗浄液により仕上げ洗浄を行った。
この段階で、合成石英製ＣＶＤ治具の支持・位置決め機
能は新品同様に回復したが、表面が粗面化して白く失透
しており、このまま次のＣＶＤプロセスに用いると、表
面の吸着ガスの影響により、デポジションレートは著し
く低下し、ＣＶＤガス流量を増やしても対応できない（
第３図の０点）。
能は新品同様に回復したが、表面が粗面化して白く失透
しており、このまま次のＣＶＤプロセスに用いると、表
面の吸着ガスの影響により、デポジションレートは著し
く低下し、ＣＶＤガス流量を増やしても対応できない（
第３図の０点）。
そこで、この粗面化した合成石英製ＣＶＤ治具に、放電
励起エキシマレーザ装置を用いて、１５７ｎｍの真空紫
外域にあるＦ２エキシマレーザを照射した。光エネルギ
密度は０．ＩＪ／ｃｍ”・パルス、パルス幅１０ｎｓｅ
ｃ、パルス間隔１００ＰＰＳとした。この照射により、
合成石英製ＣＶＤ治具は表面層のみ溶解し、平滑となり
、元の透明状態にもどった。しかも合成石英製ＣＶＤ治
具の溶解は、ごく表面層のみにとどまったので、溝・段
差等の精度が損なわれることがなく、全体の平行度・平
面度・垂直度の狂いも生じなかった。
励起エキシマレーザ装置を用いて、１５７ｎｍの真空紫
外域にあるＦ２エキシマレーザを照射した。光エネルギ
密度は０．ＩＪ／ｃｍ”・パルス、パルス幅１０ｎｓｅ
ｃ、パルス間隔１００ＰＰＳとした。この照射により、
合成石英製ＣＶＤ治具は表面層のみ溶解し、平滑となり
、元の透明状態にもどった。しかも合成石英製ＣＶＤ治
具の溶解は、ごく表面層のみにとどまったので、溝・段
差等の精度が損なわれることがなく、全体の平行度・平
面度・垂直度の狂いも生じなかった。
次に、本実施例により再生した合成石英製ＣＶＤ治具に
より、前記した方法と同様の条件によりＴ Ｅ ＯＳ
Ｓｉ０ｇ減圧ＣＶＤを行ッタトコロ、第１図のＡ点で
明らかなように、再生後のデポジションレートの低下は
ほとんど見られず、ＴＥＯ３流量を増加する必要もなか
った。さらに、前記した方法と同条件で１００バッチの
ＣＶＤプロセスと、本実施例による再生を行ったが、再
生後のデポジションレートの低下はほとんど無かった（
第１図のＢ点）。以下同様にして、１００バッチのＣＶ
Ｄプロセスと本実施例による再生方法とを交互にくり返
し反復したが、多数回の反復にもかかわらず、充分な加
工精度が維持され、デポジションレートの低下はほとん
ど見られず、本発明の効果を確認した。
より、前記した方法と同様の条件によりＴ Ｅ ＯＳ
Ｓｉ０ｇ減圧ＣＶＤを行ッタトコロ、第１図のＡ点で
明らかなように、再生後のデポジションレートの低下は
ほとんど見られず、ＴＥＯ３流量を増加する必要もなか
った。さらに、前記した方法と同条件で１００バッチの
ＣＶＤプロセスと、本実施例による再生を行ったが、再
生後のデポジションレートの低下はほとんど無かった（
第１図のＢ点）。以下同様にして、１００バッチのＣＶ
Ｄプロセスと本実施例による再生方法とを交互にくり返
し反復したが、多数回の反復にもかかわらず、充分な加
工精度が維持され、デポジションレートの低下はほとん
ど見られず、本発明の効果を確認した。
次に、本実施例を理論的に考察する。
一般に、光エネルギ吸収による物質の温度上昇の深さ方
向分布Ｔ、は、熱伝導がないとすると、次式により求め
られる。
向分布Ｔ、は、熱伝導がないとすると、次式により求め
られる。
上式において
Ｃｐ・・・−・・−比熱 石英は０．８４Ｊ／ｇ−
にγ・−・−・−密度 石英は２．２２ｇ／ｃｍ’
に−・・・吸収係数 λ。−・−光の波長 Ｆ、Ｉキシマレ−ずは１５７ｎｍ
る。
にγ・−・−・−密度 石英は２．２２ｇ／ｃｍ’
に−・・・吸収係数 λ。−・−光の波長 Ｆ、Ｉキシマレ−ずは１５７ｎｍ
る。
Ｉｏ・・−・−・光エネルギ密度 本実施例は０． Ｉ
Ｊ／ｃｍ”・パルスＸ・−・・・−・深さ であり、本実施例の場合、石英製ＣＶＤ治具の表面の温
度上昇は、 ＝２０６０°Ｃ となり、一方石英の融点は１８００°Ｃであるので、溶
解には充分な温度上昇である。ただし、上式の計算にお
いては、次の２つの仮定をおいた。
Ｊ／ｃｍ”・パルスＸ・−・・・−・深さ であり、本実施例の場合、石英製ＣＶＤ治具の表面の温
度上昇は、 ＝２０６０°Ｃ となり、一方石英の融点は１８００°Ｃであるので、溶
解には充分な温度上昇である。ただし、上式の計算にお
いては、次の２つの仮定をおいた。
■表面の粗れにより、反射はほとんどない。
■吸収係数は０．１とする。
この場合、光路長１０ｍｍでの透過率は、一方、石英の
光透過率の波長分散特性を示す第３図によれば、合成石
英では１７０ｎｍ以下の波長域で急激に透過率が減少し
ており、前記の計算結果とは定性的に一致している。
光透過率の波長分散特性を示す第３図によれば、合成石
英では１７０ｎｍ以下の波長域で急激に透過率が減少し
ており、前記の計算結果とは定性的に一致している。
以上、本発明の実施例として、合成石英製Ｃ■Ｄ治具と
Ｆｔエキシマレーザの組合せについて説明したが、天然
産鉱物を原料とする溶解石英の場合は、第２図に示すご
とく、２００ ｎ ｍ以下の波長域で透過率が象、激に
低下する。従って、粗面化した溶解石英製ＣＶＤ治具の
平面平滑化のために使用される光線としては、Ｆ２エキ
シマレーザの他に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎ
ｍ ） 、ＡｒＣ１エキシマレーザ（１７５ｎ ｍ ）
等を用いることができ、他に合成石英と溶解石英に共通
して使用される光線としてＡｒ、エキシマレーザ（１２
６ｎ ｍ ）やＹＡＧレーザ等高出力レーザの高調波コ
ヒーレント光がある。
Ｆｔエキシマレーザの組合せについて説明したが、天然
産鉱物を原料とする溶解石英の場合は、第２図に示すご
とく、２００ ｎ ｍ以下の波長域で透過率が象、激に
低下する。従って、粗面化した溶解石英製ＣＶＤ治具の
平面平滑化のために使用される光線としては、Ｆ２エキ
シマレーザの他に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎ
ｍ ） 、ＡｒＣ１エキシマレーザ（１７５ｎ ｍ ）
等を用いることができ、他に合成石英と溶解石英に共通
して使用される光線としてＡｒ、エキシマレーザ（１２
６ｎ ｍ ）やＹＡＧレーザ等高出力レーザの高調波コ
ヒーレント光がある。
本発明による再生方法によれば、エツチングおよびＨＦ
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治其の加工精度を損
なうことなく、表面層のみを溶解して平滑化することが
可能である。
洗浄により粗面化した石英製ＣＶＤ治其の加工精度を損
なうことなく、表面層のみを溶解して平滑化することが
可能である。
この結果、石英製ＣＶＤ治具の再生前および再生後のＣ
ＶＤプロセスにおいて、ＣＶＤガス流量等のＣＶＤ条件
を変えずに、一定のデポジションレートを確保すること
が可能となり、半導体素子製造における品質管理上の効
果が大きい。
ＶＤプロセスにおいて、ＣＶＤガス流量等のＣＶＤ条件
を変えずに、一定のデポジションレートを確保すること
が可能となり、半導体素子製造における品質管理上の効
果が大きい。
第１図は本発明の再生方法による石英製治具を用いたと
きのデポジションレートの推移を示す図、第２図は石英
の光透過率の波長分散特性図、第３図は従来の再生方法
による石英製治具を用いたときのデポジションレートの
推移を示す図である。 ＴＥＤＳ シｔ−Ｘ計（イ壬党イ直） 第１図 波長入（ｎｍ ） ＥＪ英の光透過率の波長分致特ｌ閂 見２図 手続補正書 （方式） １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２５１８９５号 ２、発明の名称 石英製治具の再生方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称
（２１８）ソニー株式会社 代表者 大 賀 典 雄 ４、代理人 とさのデポジションレートの推移 第３図 住所 〒１４１ 東京部品用区北品用６丁目７番３５号 ６、補正の対象 ＴＥ０１ 漁量（イ王危イ直） 「願書の代理人」 の欄及び図面 ７、補正の内容 （１）「願書の代理人」 の欄を別紙の通り補正する。 （２）図面の第１図及び第３図を別紙の通り補正する。 以 上 バッチ数 本発明の再生ろ一法１″−よる石英誌台具と用いたとき
のデポジションレートの推移 第１０
きのデポジションレートの推移を示す図、第２図は石英
の光透過率の波長分散特性図、第３図は従来の再生方法
による石英製治具を用いたときのデポジションレートの
推移を示す図である。 ＴＥＤＳ シｔ−Ｘ計（イ壬党イ直） 第１図 波長入（ｎｍ ） ＥＪ英の光透過率の波長分致特ｌ閂 見２図 手続補正書 （方式） １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２５１８９５号 ２、発明の名称 石英製治具の再生方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称
（２１８）ソニー株式会社 代表者 大 賀 典 雄 ４、代理人 とさのデポジションレートの推移 第３図 住所 〒１４１ 東京部品用区北品用６丁目７番３５号 ６、補正の対象 ＴＥ０１ 漁量（イ王危イ直） 「願書の代理人」 の欄及び図面 ７、補正の内容 （１）「願書の代理人」 の欄を別紙の通り補正する。 （２）図面の第１図及び第３図を別紙の通り補正する。 以 上 バッチ数 本発明の再生ろ一法１″−よる石英誌台具と用いたとき
のデポジションレートの推移 第１０
Claims (1)
- 粗面化した石英製治具に、真空紫外域の波長の光を高密
度に照射し、表面層のみを溶解して表面平滑化をするこ
とを特徴とする石英製治具の再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25189588A JPH02102142A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 石英製治具の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25189588A JPH02102142A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 石英製治具の再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102142A true JPH02102142A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17229548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25189588A Pending JPH02102142A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 石英製治具の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102142A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437028A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン製ウエハ支持ボート |
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| JP2007284270A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス板表面の傷部の修正法 |
| JP2009186662A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持具および基板閃光照射方法 |
| JP2009283684A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖｌ用光学部材、およびその平滑化方法 |
| KR20170125119A (ko) | 2012-09-26 | 2017-11-13 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 유리 재생 처리 방법 및 재생 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크 블랭크와 포토마스크 |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25189588A patent/JPH02102142A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437028A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン製ウエハ支持ボート |
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| JP2007284270A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス板表面の傷部の修正法 |
| JP4577258B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2010-11-10 | 旭硝子株式会社 | ガラス板表面の傷部の修正法 |
| JP2009186662A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持具および基板閃光照射方法 |
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| KR20170125119A (ko) | 2012-09-26 | 2017-11-13 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 유리 재생 처리 방법 및 재생 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크 블랭크와 포토마스크 |
| KR20180129996A (ko) | 2012-09-26 | 2018-12-05 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 유리 재생 처리 방법 및 재생 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크 블랭크와 포토마스크 |
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