JPH0198960A - シリコン中の音速測定素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 シリコン中の音速を測定するための素子において、シリ
コン結晶上に金属、圧電体、金属の３層を順次成長させ
て形成した音速測定素子およびその製造方法に関し、 実際のプロセスに用いられるウェハ状の試料に通用可能
なシリコン中の音速測定素子とその製造方法を提供する
ことを目的とし、 シリコン中の超音波の音速を測定して該シリコンの弾性
定数を測定し、その測定値を結晶欠陥濃度に換算する素
子であって、該素子はシリコン試料または絶縁膜を成長
したシリコン試料の片面または両面上に第１の金属と圧
電体または電歪体および第２の金属とを順次成長させた
構造から成ることを特徴とするシリコン中の音速測定素
子、およびシリコン試料表面に絶縁膜を形成する工程、
絶縁膜上に第１の金属を成長しそれをパターニングする
工程、第１の金属上に圧電物質を成長しそれをパターニ
ングする工程、圧電物質を覆い全面に絶縁膜を成長しそ
れをパターニングして圧電物質上および所定の位置に穴
を開口する工程、および全面に第２の金属を成長しそれ
をパターニングする工程を含むことを特徴とするシリコ
ン中の音速測定素子の製造方法を含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、シリコン中の音速を測定するための素子にお
いて、シリコン結晶上に金属、圧電体、金属の３層を順
次成長させて形成した音速測定素子およびその製造方法
に関する。

〔従来の技術〕

ＶＬＳＩの基板などの半導体デバイスに広く使用される
シリコン結晶はできるだけ高純度であることが要求され
ているが、不純物種によっては逆にそれを利用する場合
もある。この不純物のうち、最も濃度が高い侵入型不純
物酸素及びその析出初期核がその典型例であり、これは
熱処理を加えることにより析出したり、あるいは析出核
が成長したりし、それに伴・）結晶欠陥を利用して基板
中の他の不純物をゲッタリングする（イントリンシック
・ゲッタリング−ＩＧ）ことができるので、不純物（酸
素）濃度の規定及びそれに応じたプロセス条件の最適化
が必要とされる。また、シリコン結晶の製造や品質管理
においてもそれに含まれる不純物酸素濃度の評価を必要
とする。このため、侵入型不純物酸素濃度あるいは析出
初期核を測定し、把握することが重要となる。

従来、シリコン結晶中の格子欠陥である侵入型不純物酸
素濃度は、それに固有な波長の吸収を起すことを利用し
た赤外吸収法や遠赤外吸収法により、吸収強度から比例
換算することによって測定されていた。

これらの赤外線や遠赤外線を用いた光学的評価方法は、
シリコン結晶中に含まれるドーパント（Ｐ、　　Ｂ、　
Ａｓ、　Ｓｂなど）濃度が高くなるにつれて徐々に困難
となり、実用度の高い抵抗率０．０５〜０．００５Ω・
ｃｍの低抵抗（高濃度ドープ）のシリコン結晶に対して
は、室温および低温のどちらの場合にも、侵入型不純物
酸素濃度の測定は不可能であった。

一方、上記の光学的方法以外の方法で、特に高濃度ドー
プのシリコン結晶中における不純物酸素の濃度定量を行
う方法として、従来より■２次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ分析）、■放射化分析、■高エネルギー電子線照射に
よってアクセプタを補償した後に、赤外吸収測定を行う
方法などが知られている。

しかし、上記の■及び■の方法では、結晶に含まれるす
べての酸素が、その状態の如何にかかわらず、単に不純
物酸素として、−ｉめの形で検出されてしまい、半導体
デバイス製造上、最も重要視される侵入型不純物酸素だ
けを区別して定量することが原理的に不可能であった。

また、■の方法は、侵入型不純物酸素だけを区別して定
量することができるが、高エネルギーの電子線照射を行
うため、非常な手間を要するだけでなく、高エネルギー
電子線照射のために測定対象のシリコン結晶の状態を変
化させてしまっている疑いもあり、一種の破壊性測定と
言える。更に■の方法はその方法上、Ｐ型の結晶のみに
しか有効でなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

歩出願人は、上記の点に鑑みて格子欠陥の濃度（又は密
度）を非破壊で精度良く測定することができる半導体中
の格子欠陥測定方法を開発した（昭和６１年特許願第６
１−３１４９８４号）。

前記した出願の発明は、半導体中において非開和素励起
を呈する格子欠陥の濃度または密度の測定において、半
導体の弾性定数の測定し、その測定値を格子欠陥の濃度
または密度に換算することを特徴とする半導体中の格子
欠陥測定方法である。

そして前記出願の発明者等は、前記した物理法則がシリ
コン結晶中の侵入型不純物酸素あるいはそれに関係する
結晶欠陥の場合にも成立することを見出した。すなわち
、侵入型不純物酸素が入ったシリコン結晶と、侵入型不
純物酸素を含まないシリコン結晶とでは、弾性定数の温
度変化は顕著な違いを生ずることを実験的に確認し、理
論的考察もそれを裏付ける結果となった。

シリコン結晶中の侵入型不純物酸素の回転的非調和振動
に起因する低エネルギー量子準位は大体Δ〜４　ＭｅＶ
であり、敏感な圧力依存性を示すことが知られていた。

そこで、周波数が１０ＭＨｚの超音波の音速を測定する
ことによって弾性定数を測定した。侵入型不純物酸素を
含むシリコン結晶の弾性定数が、侵入型不純物酸素を含
まないシリコン結晶の弾性定数に比し大きく異なる量（
異常量）δは、相対値にして１０−４程度であるが、音
速測定の精度は同様な相対精度にして１０−６まで保証
できるので、２桁程度の余裕があり、十分に信頼性のあ
る測定ができる。すなわち、侵入型不純物酸素の濃度と
、上記の異常量δとは、通常の濃度範囲では比例関係に
あるので、この異常量δを測定することによって、侵入
型不純物酸素の濃度を定量することができる。

前記発明によれば、赤外または遠赤外を用いた従来の光
学的評価方法では測定不可能であった高濃度ドープ（ド
ナー又はアクセプタ不純物を０．ｌｐｐｍ以上含む）の
シリコン結晶中の侵入型不純物酸素の濃度を、音波（弾
性波）を用いることによって測定することができ、また
、非調和素励起を呈する侵入型不純物酸素のような結晶
欠陥の濃度だけを区別して非破壊で精度良く測定するこ
とができる。更に、Ｐ型結晶だけでなくＮ型結晶中の侵
入型不純物酸素の濃度も測定することができる。

第６図は超音波音速測定によるシリコン結晶の弾性定数
測定結果の一実施例を示す。この測定結果は第５図に示
す本発明にかかる音速測定に使用する装置の低温クライ
オスタンドにより測定したものである。

第５図（ａｌに示す音速測定に使用する装置において、
低温クライオスタンド４１は３つの槽４２．４３及び４
４からなり、そのうちの第１の槽４２は真空断熱槽（〜
１Ｏ−６ｔｏｒｒ）　、第２の槽４３は液体窒素が封入
されている冷媒槽、第３の槽４４は液体ヘリウムが封入
されている冷媒槽である。

低温タライオスタット４１の中央内部には、試料室４５
を先端に有する測定棒４６が挿入され、測定棒４６の他
端は超音波パルスの発振、検知用電気系へ接続されるコ
ード４７．４Ｂ、試料の温調のためヒーターコントロー
ラに接続されるコード４９、および熱電対５０などが接
続されている。

試料室４５の内部は第５図（ｂ）に示す如く構成されて
おり、試料（ここではシリコン結晶で、５　ｍｍＸ５ｍ
ｍ角、長さ１５ｍｍ）　５１の上部と下部に、圧電素子
を用いた超音波パルストランスデユーサ５２および５３
を接着したものが内蔵されている。また、それらに接近
して、温度分布を一様にするための金属性ホルダがあり
、そこに熱電対５４が取り付けられている。更に、それ
ら全体が温調用ヒータ線５５ａが巻回された円筒ソレノ
イド５５内に収納されている。

温調範囲（下限）は通常６Ｋまでであるが、冷媒槽４４
を真空引きすれば、２Ｋまでが可能である。

また、超音波パルスの周波数は通常１０ＭＨｚ　、必要
に応じて１００ＫＨｚ〜Ｉ　ＧＨｚが可能である。

図示の実施例においては、試料５１として、侵入型不純
物酸素を３０ｐｐｍ程度含むシリコン結晶を使用し、ま
た１０ＭＨｚの超音波の音速を測定するという方法によ
って、このシリコン結晶の弾性定数〔（Ｃ＋＋　　　Ｃ
５，？　）　／　２　：ｌを１００に〜２にの温度範囲
で測定したところ、第６図に曲線Ｉで示す測定結果が得
られた。

第６図中、■は侵入型不純物酸素を含まないシリコン結
晶（ハックグラウンド）の弾性定数対温度特性を示す。

温度が４にのときの弾性定数を“ｌ”としたときの弾性
定数の相対値は、温度Δ／Ｋがシリコン結晶の場合、２
５に程度であるが、第５図かられかるように確かに２５
に付近で、侵入型不純物酸素を含むシリコン結晶の弾性
定数は、バンクグラウンドに比し異常な変化量δを示す
ことが確かめられた。この変化量δを測定することによ
って、侵入型不純物酸素の濃度を定量することができる
。

前記した如き試料を特別に作ることに代えて、半導体装
置の製造に実際に使用されるウェハにおいて音速測定を
なすことが考えられ、第７図に示される方法が提案され
た。この方法によると、シリコン（Ｓｔ）試料（例えば
ウェハ）６１の両面または片面に、接着剤６２で、金属
電極６３．６３と圧電物質６４から成るピエゾ素子を接
着して音速を測定する。なお同図において、電極６３の
一方はパルス発振器（送信）へ、また他方はアンプ（受
信）へ接続される。

ピエゾ素子を接着剤６２でＳｉ試料６１に接着する場合
に、接着剤６２中に第８図（ａｌに示される如くボイド
６５が形成されていたり、または同図（ｂｌに示される
如く接着剤が平坦に、すなわちＳｉ試料６エの表面に平
行に塗布されていない場合に、音速測定値がばらつき、
音速測定の精度を向上するため試料の厚さを大にとらな
ければならず、実際に使用されるウェハでの測定ができ
なくなる。また、のりの如き接着剤の塗布では位置決め
精度が低くなり、室温と低温との温度変化によって接着
剤物性が変化し、さらには接着剤からの汚染もある。か
くして、上記の方法は実際プロセスに用いられる厚さ０
．３〜１ｍｍのウェハ状試料には適用できない問題があ
る。

そこで本発明は、実際のプロセスに用いられろウェハ状
の試料に通用可能なシリコン中の音速測定素子とその製
造方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、シリコン中の超音波の音速を測定して該
シリコンの弾性定数を測定し、その測定値を結晶欠陥濃
度に換算する素子であって、該素子はシリコン試料また
は絶縁膜を成長したシリコン試料の片面または両面上に
第１の金属、圧電体または電歪体および第２の金属とを
順次成長させた構造から成ることを特徴とするシリコン
中の音速測定素子、およびシリコン試料上またはシリコ
ン試料表面に形成された絶縁膜上に第１の金属を成長し
それをパターニングする工程、第１の金属上に圧電体ま
たは電歪体を成長しそれをパターニングする工程、圧電
物質を覆い全面に絶縁膜を成長しそれをパターニングし
て圧電体または電歪体上および所定の位置に穴を開口す
る工程、および全面に第２の金属を成長しそれをパター
ニングする工程を含むことを特徴とするシリコン中の音
速測定素子の製造方法によって解決される。

〔作用〕

本発明の詳細な説明するための第１図の断面図を参照す
ると、Ｓｉ試料（例えばＳｔウェハ）１１上に、場合に
よっては二酸化シリコン（５ｉ０２）または窒化シリコ
ン（Ｓｉ３Ｎｑ　）を介して第１の金属１２を蒸着し、
次いで圧電物質１３　（ＣｄＳ　、　ＺｎＯ、テフロン
系の一種であるＰＶｄＦ’２．ｉ：ど）を蒸着して配向
性をもたせ、さらに第２の金属１４を蒸着する。その後
、上記第１と第２の金属１２．１４および圧電物質１３
をフォトマスクを用いるエツチングによって一部分のみ
残し、上から第２の金属１４／圧電物質１３／第１の金
属１２／　（５ｆ０２または５ｆ３Ｎ４＞　／Ｓｉ試料
１１の構造を作る。

圧電物質１３とＳｉ試料１１は蒸着によって平坦に堆積
された第１の金属１２を介してのみ接触する。したがっ
て、接着剤を用いる従来例に比べて、高精度の測定が可
能となり、試料の厚さを薄くでき、ボイドなどは形成さ
れないので信頼度が高まり、汚染のおそれもなくなる。

さらには、フォトマスクを用いるエツチングにより測定
素子が形成されるので、測定素子の微細化が可能になり
、局所の音速測定ができ、位置決め精度が高められ、同
時に複数の圧電素子を例えばマトリックス状に配置する
ことができ、ウェハ状のＳｉ試料に対する音速測定を可
能にする。なお、上記の圧電物質に代えて電歪体を用い
てもよく、圧電物質はＳｉ試料の両面上に形成すること
もできる。

〔実施例〕

以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。

本発明第１実施例は第２図に示される。

第２図（ａ）参照： シリコン（Ｓｉ）試料２１（例えばｐ型の１０Ω・ｃｍ
（１００）　、直径６インチ（約１５ｃｍ）　、厚さ０
．７μｍで両面ミラー研磨したウェハ）の表面に熱酸化
（９５０℃、乾酸素雰囲気）で２０　ｎｍの膜厚の二酸
化シリコン（５ｉ０２）膜２２を形成する。熱酸化に代
えて低温化学気相成長（ＣＶＤ）法で５ｉ０２膜を形成
してもよい。

第２図（ｂｌｌ参照 子ルミニウム（ＡＩりを１μｍの厚さに蒸着し、それを
パターニングして第１の金属膜としてＡｌ膜２３を形成
する。　ＡＮ膜２３で、例えば第２図（ｆｌの平面図に
示されるように、直径４００４μｍの円形へｌパターン
２３ａ、配線部２３ｂ、接続部２３ｃを形成する。

第２図ｆｃｌ参照： ＺｎＯ膜２４を１５μｍの厚さにスパッタ蒸着し、Ｃ軸
配向する。ＺｎＯに代えて、ＣｄＳ　、テフロン系のＰ
ＶｄＦを用いてもよい。

続いて、フォトリソグラフィ技術でＨＮＯ３を用いるエ
ツチングでＺｎＯ膜２４をパターニングして、第２図（
川に示される如く円形へｌパターン２３ａと同心円的に
、直径４００２μｍのＺｎＯ円形パターン２４ａを形成
する。

第２図（ｄ）参照： りん・シリケートガラス（ＰＳＧ）膜２５を１μｍの膜
厚に成長し、それを通常の技術でパターニングし、第２
図（ｈｌに示される如く円形ＺｎＯパターンと同心円的
に直径４０００μｍの穴２５ａをあけ、同時に接続部２
３ｃの中央にピアホール２５ｂを開口する。

第２図ｔｅ＋参照： 第２の金属であるへｌ膜２６を１μＷの厚さに蒸着し、
それを第２図ｆｉ）に示される如くパターニングし、円
形ＺｎＯパターン２４ａ上に直径４００２μｍのＡ７！
パターン２６ａ、配線２６ｂ、パッド２６ｃを形成する
。同時にピアホール２５ｂを介して接続部２５ｂに接続
された接続部２６ｄと配線２６ｅ１パツド２６ｆを形成
する。

Ｘ軸方向に並んだパッド２６ｆと、Ｙ軸方向に並んだバ
ンド２６ｃを選択することにより、任意の場所の圧電体
を発振させることができる。

本発明の第２実施例は第３図に示される。

第３図ｆａｔ参照： Ｓｉ試料、例えばｐ型、１０Ω・ｃｍ（１００）、直径
６インチ（約１５ｃｍ）　、厚さ　０．７ｍｍのＳｉウ
ェハ３１上に９５０℃、乾酸素雰囲気での熱酸化によっ
て２０ΩｍのＳｉＯ２膜３２全３２する。熱酸化に代り
低温ＣＶＤ法を用いて５ｉ０２を成長してもよい。

第３図（ｂｌ参照： 第１の金属としてｉを１μｍの厚さに蒸着してＡ４膜３
３を形成する。このへβ膜３３は共通電極となる。

第３図（Ｃ）参照： ＺｎＯをスパッタ蒸着し１５μｍの厚さのＺｎＯ膜３４
を形成する。

第３図（ｄｌ参照： 第２の金属としてＡ／膜３５を１μｍの膜厚に蒸着し、
次いでｉ膜３５を図示の如くパターニングし、次いでＡ
ｌ膜３５をマスクにしてＺｎＯ膜３４をエツチングし、
第３図（ｅ）に示される如き円形へβパターン３５ａを
形成する。この円形ＡＡパターン３５ａの下にＺｎＯが
存在するので、ｉ膜３３を共通電極とする圧電素子のア
レイが得られる。

ここまでに言及してきた音速測定について簡単に説明す
る。

発振周波数をｆ（ＭＨｚ）、圧電素子の厚さをｔ（＋＋
＋ｍ）とすると、圧電素子に特有の周波数定数は周波数
定数−ｆ　（ＭＨｚ　）　Ｘ　ｔ　（ｍｍ）で表わされ
る。

ＺｎＯの周波数定数を約３とすると、本発明実施例の場
合、圧電素子の厚さは ｔ−１５μｍ　＝０．０１５ｍｍ であるから ｆ　＃　２００ＭＨｚ が得られる。

測定値を概算すると、 Ｓｉ中の音速は 縦波：Ｖは約９０００ｍ／　ｓｅｃ 横波：Ｖは約６０００ｍ／　ｓｅｃ であり、ウェハの厚さｊｓｉは ｒｓｉ＝　７００μｍ であるから、第４図（ａｌを参照すると、反射波利用の
場合に発信−受信の時間間隔Ｔは Ｔ＝２　　）ｓｉ／ｖ であるから、 縦波二Ｔは約１５６ｎ　ｓｅｃ 横波二Ｔは約２３３ｎ　ｓｅｃ となり、この値は十分に測定可能である。

次に、測定誤差を本発明第１実施例と従来例を示す第４
図（ａ）と（ｂ）を参照して説明する。

製作上の誤差は、実験側によれば次のようになる。

本発明の第１実施例　　従来例 へｌ膜７３，７４，８３，８４　１　　ｐ　ｍ　　±０
．０１．ｕ　ｍ　　　　１μｍ　　±０．０１．ｕ　ｍ
５ｉ０２膜７２　　２０ｎｍ±０．１　ｎｍ　　　　　
−接着剤　８２　　　　　　　　　　　　１００μｍ±
１．０μｍＳｉ試料７Ｌ　８１　　７００μｍ±０．２
　μｍ　　”１００ｐ　ｔｎ±０．２．ｕｍ以上のデー
タを用いると、 本発明実施例誤差は、 （０，０１μｍ　＋　０．１ｎｍ＋　０．２μｍ）／（
１μｍ＋２０ｎｍ＋　７００μｍ）′−，０，０３％で
あり、従来例誤差は （０，０１μｍ　＋１０μｍ　＋　０．２．ｕｍ　）　
／　（１ｐｍ　＋１００μｍ　＋　７００μｍ）＃１．
２７％であって、３桁の差がある。ただし、音速は各材
質中で同一と仮定した。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、シリコン中の音速測定に
おいて、（１）厚み精度が向上し、誤差は３桁向上し、
通常ウェハで測定が可能となり、（２）位置決め精度が
向上し、素子の微細化が実現されて局所測定が可能にな
り、従来例の接着剤の汚染の問題がなくなった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を示す断面図、 第２図は本発明第１実施例の図で、その（ａ）〜（ｅ）
は断面図、（ｆ）〜（１）は平面図、 第３図は本発明第２実施例の図で、その（ａｌ〜（ｄ＋
は断面図、（ｅ）は平面図、 第４図は測定誤差を示す図で、そのｆａ）は本発明第１
実施例の図、（ｂ）は従来例の図、第５図は本発明にか
かる音速測定に使用する装置の図で、その（ａ）は低温
クライオスタンドの断面図、（ｂ）は同図（ａｌの試料
室内部の断面図、第６図は超音波音速測定による不純物
酸素を含むシリコン結晶の弾性定数測定の結果の線図、
第７図は従来の測定方法を示す断面図、第８図ｆａ）と
（ｂ）は従来例の問題点を示す断面図である。 図中、 ２１はシリコン基板、 ２２は　５ｉ０２膜、 ２３は　Ａｌ膜、 ２３ａは円形へｌパターン、 ２３ｂは配線部、 ２３ｃは接続部、 ２４はＺｎＯ膜、 ２４ａは円形ＺｎＯパターン、 ２５はＰＳＧ膜、 ２５ａは穴、 ２５ｂはピアホール、 ２６は　Ａ６膜、 ２６ａはＡｊ２パターン、 ２６ｂは配線部、 ２６ｃはパッド、 ２６ｄは接続部、 ２６ｅは配線部、 ２６ｆはパッド、 ３１はシリコン基板、 ３２は　ＳｉＯ２膜、 ３３は　へｌ膜、 ３４はＺｎＯ膜、 ３５は　へｌ膜、 ３５ａは円形Ａｊ２パターン、 ４１は低温クライオスタンド、 ４２、４３．４４は槽、 ４５は試料室、 ４６は測定棒、 ４７、４８．４９はコード、 ５０は熱電対、 ５１は試料、 ５２はピエゾ素子、 ５３は超音波トランスデユーサ、 ５４は熱電対、 ５５は円筒ソレノイド、 ５５ａは温調用ヒータ線、 ６１はＳｉ試料、 ６２は接着剤、 ６３は電極、 ６４は圧電物質、 ６５はボイド、 ７１はＳｉ試料、 ７２は　５ｉ０２膜、 ７３、７４は　へβ膜、 ８１はＳｉ試料、 ８２は接着剤、 ８３、８４は　Ａβ膜 を示す。 （ノ　Ｘ≧ｒ −（’−１の　　！　　蛸　　ぐ へＧへ（へ）へ（ト） ３１Ｓｉ實牡 ３２　５ｉｎＺ護 ３３　　Ａα腰 ３４　ＺｎＯ臆 ３５　ＡＱ腰 ３５Ｃｓ−ｖ／ＡＲｔＦｔｔ−ン ←４０００ＩＡ＊中十 （α）　、Ｅ−？用事１輝イ列鴫出 うす１また楳１ 第４ ←４０００／’翼中−十 Ｊｌの 図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン中の超音波の音速を測定して該シリコン
   の弾性定数を測定し、その測定値を結晶欠陥濃度に換算
   する素子であって、該素子はシリコン試料（１１）また
   は絶縁膜（２２）を成長したシリコン試料（２１）の片
   面または両面上に第１の金属（２３）と圧電体（２４）
   または電歪体および第２の金属（２６）とを順次成長さ
   せた構造から成ることを特徴とするシリコン中の音速測
   定素子。
2. （２）前記結晶欠陥濃度は侵入型不純物酸素の濃度であ
   る特許請求の範囲第１項記載の素子。
3. （３）前記絶縁膜が酸化珪素または窒化珪素である特許
   請求の範囲第１項記載の素子。
4. （４）前記圧電素子または電歪素子が複数個設けられて
   なる特許請求の範囲第１項記載の素子。
5. （５）シリコン試料（２１）上またはシリコン試料（２
   １）表面に形成された絶縁膜（２２）上に第１の金属（
   ２３）を成長しそれをパターニングする工程、第１の金
   属（２３）上に圧電体または電歪体（２４）を成長しそ
   れをパターニングする工程、 圧電物質（２４）を覆い全面に絶縁膜（２５）を成長し
   それをパターニングして圧電体または電歪体（２４）上
   および所定の位置に穴（２５ａ，２５ｂ）を開孔する工
   程、および全面に第２の金属（２６）を成長しそれをパ
   ターニングする工程を含むことを特徴とするシリコン中
   の音速測定素子の製造方法。
6. （６）シリコン結晶（３１）上またはシリコン結晶（３
   １）上に形成された絶縁膜（３２）上に順次第１の金属
   （３３）、圧電体または電歪体（３４）および第２の金
   属（３５）を成長し、第１の金属（３３）を残して第２
   の金属（３３）と圧電物質（３４）とをパターニングす
   ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の方法。