JPH0195765U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0195765U JPH0195765U JP19237487U JP19237487U JPH0195765U JP H0195765 U JPH0195765 U JP H0195765U JP 19237487 U JP19237487 U JP 19237487U JP 19237487 U JP19237487 U JP 19237487U JP H0195765 U JPH0195765 U JP H0195765U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- island
- semiconductor substrate
- epitaxial layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第1図および第2図は本考案によるトランジス
タを説明する断面図および上面図、第3図および
第4図は従来のトランジスタを説明する断面図で
ある。 21は半導体基板、22はエピタキシヤル層、
23は埋込層、24は分離領域、25は島領域、
26はベース領域、27はエミツタ領域、29は
ウエル領域である。
タを説明する断面図および上面図、第3図および
第4図は従来のトランジスタを説明する断面図で
ある。 21は半導体基板、22はエピタキシヤル層、
23は埋込層、24は分離領域、25は島領域、
26はベース領域、27はエミツタ領域、29は
ウエル領域である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板上に形成した逆導電型の
エピタキシヤル層と前記基板表面に設けた逆導電
型の埋込層と前記エピタキシヤル層を貫通する一
導電型の分離領域により島状に分離した島領域と
該島領域表面に形成した一導電型のベース領域と
該ベース領域表面に形成した逆導電型のエミツタ
領域とを具備したトランジスタにおいて、前記ベ
ース領域を除く前記島領域表面に逆導電型のウエ
ル領域を設けたことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19237487U JPH0195765U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19237487U JPH0195765U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0195765U true JPH0195765U (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=31483236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19237487U Pending JPH0195765U (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0195765U (ja) |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP19237487U patent/JPH0195765U/ja active Pending