JPH0195765U - - Google Patents

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JPH0195765U
JPH0195765U JP19237487U JP19237487U JPH0195765U JP H0195765 U JPH0195765 U JP H0195765U JP 19237487 U JP19237487 U JP 19237487U JP 19237487 U JP19237487 U JP 19237487U JP H0195765 U JPH0195765 U JP H0195765U
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JP
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region
conductivity type
island
semiconductor substrate
epitaxial layer
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JP19237487U
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案によるトランジス
タを説明する断面図および上面図、第3図および
第4図は従来のトランジスタを説明する断面図で
ある。 21は半導体基板、22はエピタキシヤル層、
23は埋込層、24は分離領域、25は島領域、
26はベース領域、27はエミツタ領域、29は
ウエル領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板上に形成した逆導電型の
    エピタキシヤル層と前記基板表面に設けた逆導電
    型の埋込層と前記エピタキシヤル層を貫通する一
    導電型の分離領域により島状に分離した島領域と
    該島領域表面に形成した一導電型のベース領域と
    該ベース領域表面に形成した逆導電型のエミツタ
    領域とを具備したトランジスタにおいて、前記ベ
    ース領域を除く前記島領域表面に逆導電型のウエ
    ル領域を設けたことを特徴とするトランジスタ。
JP19237487U 1987-12-17 1987-12-17 Pending JPH0195765U (ja)

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JP19237487U JPH0195765U (ja) 1987-12-17 1987-12-17

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JP19237487U JPH0195765U (ja) 1987-12-17 1987-12-17

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JPH0195765U true JPH0195765U (ja) 1989-06-26

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JP19237487U Pending JPH0195765U (ja) 1987-12-17 1987-12-17

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