JPH0192635A - 半導体圧力変換器 - Google Patents

半導体圧力変換器

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Publication number
JPH0192635A
JPH0192635A JP24982387A JP24982387A JPH0192635A JP H0192635 A JPH0192635 A JP H0192635A JP 24982387 A JP24982387 A JP 24982387A JP 24982387 A JP24982387 A JP 24982387A JP H0192635 A JPH0192635 A JP H0192635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive plate
strain gauge
semiconductor strain
semiconductor
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24982387A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Miyazaki
敦史 宮崎
Terumi Nakazawa
照美 仲沢
Hiroatsu Tokuda
博厚 徳田
Hitoshi Ishikawa
石川　人志
Shinichi Yamaguchi
山口　真市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Priority to JP24982387A priority Critical patent/JPH0192635A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体圧力変換器に係り、特に電波障害を防止
するに好適な構造に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、特開昭５８−８０８９９号に記載の平面
破断図である第２図および第３図の■−■線における断
面図である第４図に示すように、プラスチックケースか
ら成る外回路１の底面に導通板３が半導体歪ゲージ収納
器５及び厚膜混成回路基板６を包含する形で接着剤４に
より被着されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、導電板が不均一な磁場の中を動いたり
、磁束の変化する場合におかれたときに導電板内に誘導
される渦電流について配慮がなされておらず、半導体歪
ゲージの感圧による微小な電流変化がこの渦電流により
外乱されるという問題点があった。
本発明の目的はこの半導体歪ゲージの導電板に誘導され
る渦電流による出力電流の外乱を防止することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、半導体歪ゲージ収納器の底面に配設された
導電板を取り除き、厚膜混成回路基板の底面にのみ導電
板を残すことにより達成される。
〔作用〕
導電板は半導体歪ゲージ収納器の底面に配設されないの
で、導電板に発生した渦電流は半導体歪ゲージの微小電
流変化を外乱することがない。
厚膜混成回路基板底面に設置された導電性は回路基板上
に構成された増幅回路信号に対し従来通りの耐電波障害
性を保つ。
以上によって、半導体歪ゲージにより検出された、圧力
変化による微小電流変化が電波による外乱を受けずに増
幅され、出力信号とすることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第３図および第４図により説
明する。第３図は平面破断図、第４図は第３図のＩ−Ｉ
線における断面図である。
同図は圧力センサを示したものであり、プラスチックケ
ースから成る外囲路１を有する。この外囲路１はその底
面の一部に圧力導入管２を有し、この圧力導入管２は前
記外囲路１内に通じている。
外囲器１内の底面には、前記圧力導入管２と対向する部
分に半導体歪ゲージ収納器５がエポキシ系の接着剤１８
により被着され、前記半導体歪ゲージ収納器５が配置さ
れてる領域以外の底面には、金属の導電板３がシリコン
系の接着剤４により被着され、前記導電板３上には前記
半導体歪ゲージの出力を増幅するための増幅回路が設置
され、この増幅回路はたとえばセラミック基板面に半導
体素子７等を搭載した厚膜混成回路６を構成している。
また前記外囲器１の側面には電源端子８．出力端子９お
よびアース端子１０が取付けられ、それぞれ前記厚膜混
成回路６上の電極１２，１３および１４に、たとえばＮ
ｉワイヤ１１を介して接続されている。前記電極１２お
よび１３は、それぞれ前記混膜混成回路６上に搭載され
ているコンデンサ１５の一端子に接続され、これら各コ
ンデンサ１５の他端子は電極１６に接続され、この電極
１６は、たとえばＮｉワイヤ１７を介して前記導電板３
に接続されている。本実施例により構成された半導体圧
力変換器は、半導体歪ゲージの圧力検出微小電流が導電
板内に発生する渦電流の影響を受けることなく、導電板
により耐電波障害性を確保した増幅回路により増幅でき
る効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半導体圧力変換器の歪ゲージ部の圧力
検出微小電流が、導電板内に発生する渦電流の影響を受
けることなく、増幅されるので、電波障害に対して、従
来と同様に生産性が良好でかつ安価な構造のまま、高精
度化を図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の詳細な説明図、第２図は第１図のＩ−
Ｉ線断面図、第３図は発明に最も近い公知側説明図、第
４図は第３図の■−■線断面図である。 １・・・外囲器、２・・・圧力導入管、３・・・導電板
、４・・・接着剤、５・・・半導体歪ゲージ収納器、６
・・・厚膜混成回路、７・・・半導体素子、８・・・電
源端子、９・・・出力端子、１０・・・アース端子、１
１・・・ワイヤ、１２・・・電極、１３・・・電極、１
４・・・電極、１５・・・コンデンサ、１６・・・電極
、１７・・・ワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １．プラスチックケースに半導体歪ゲージを有する感圧
    部と、その出力信号を増幅する回路部とを収納する半導
    体式圧力変換器において、前記回路部のみ導電板を介し
    て配置されるとともに、少なくとも２個のコンデンサを
    搭載してなり、前記電源端子および出力端子はそれぞれ
    前記各コンデンサの一端子に接続され、前記各コンデン
    サの他端子は、前記導電板に電気的に導通された状態に
    て前記アース端子に接続されていることを特徴とする半
    導体圧力変換器。
JP24982387A 1987-10-05 1987-10-05 半導体圧力変換器 Pending JPH0192635A (ja)

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JPH0192635A true JPH0192635A (ja) 1989-04-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5813233A (en) * 1994-12-28 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Thermoelectric cooling device and system thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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