JPH0166A

JPH0166A - ２−アゼチジノン誘導体の製造法

Info

Publication number: JPH0166A
Application number: JP63-33283A
Authority: JP
Inventors: 秋葉　欣哉; 和田　眞
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1987-02-20
Filing date: 1988-02-16
Publication date: 1989-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分骨）本発明は、例えば抗菌剤および抗菌剤を製造する中間体
として有用な新規及び公知の２−アゼチジノン誘導体の
新規製造法に関する。

（従来の技術）２−アゼチジノン誘導体の製造法は数多く知られている
が、α位に水素を有するアルジミン誘導体（Ｉｆ）から
の工業的製造法は知られていない。

（本発明の目的）本発明は、α位に水素を有するアルジミン誘導体（ＩＩ
）から２−アゼチジノン誘導体（Ｉ）の新規製造法を提
供するものである。

（発明の構成）本発明は一般式：（式中、Ｒ１は水素、アリール（低級）アルキル基また
はイミノ保護基、Ｒ２は水素または低級アルキル基、Ｒ
３は水素、ハロゲンまたは有機基をそれぞれ意味する）で示されるアルジミン誘導体またはその塩類にジ低級ア
ルキルアルミニウムハライドの存在下、一般式：（式中、Ｒ４は水素または低級アルキル基、Ｒ５は水素
または適当な置換基で置換されていてもよい低級アルキ
ル基、Ｒ６はエステル残基をそれぞれ意味する）で示されるカルボン酸エステル化合物のエノラートを反
応させることからなる一般式：（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ
前と同じ意味）で示される２−アゼチジノン誘導体の製造法に関するも
のである。

本発明に使用されるカルボン酸エステル化合物（ｍ）の
エノラートとしては、例えばリチウムエノラート、ナト
リウムエノラート等のアルカリ金属エノラート等が挙げ
られ、ジ低級アルキルアルミニウムハライドとしては、
例えばジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミ
ニウムクロリド、ジメチルアルミニウムプロミド、ジエ
チルアルミニウムプロミド等が挙げられる。

この発明の反応は通常、例えばテトラヒドロフラン、ペ
ンタン等の反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒中例え
ば、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガスの存在下で
行なうのが好ましい。

反応温度は特に限定されないが、通常、冷却下ないしは
室温で行なわれることが多い。

この発明で得られる２−アゼチジノン誘導体（１）には
新規および公知の化合物が含まれ、例えば抗菌剤として
有用であり、さらにその他の抗菌剤（例えば、カルバペ
ネム）を製造する中間体として有用である。

本願発明の発明者等は、２−アゼデジノン誘導体（１）
の新規製造方法についての研究の結果、アルジミン誘導
体（Ｉ［）にジ低級アルキルアルミニウムハライドの存
在下、カルボン酸エステル化合物（ＤＩ）のエノラート
を反応させると、−挙に収率よく２−アゼチジノン誘導
体（１）が得られることを見いだし本願発明を完成した
。

本願発明で得られる２−アゼチジノン誘導体（！）の塩
類としては、例えばリチウム塩、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム
塩等のアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩などの無機
塩基との塩、例えばトリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、エタノールアミン塩、トリエタノールアミ
ン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ、Ｎ′−ジベンジ
ルエチレンジアミン塩等の有機アミン塩などの有機塩基
との塩のような塩基との塩、例えば塩酸塩、臭化水素酸
塩、硫酸塩、りん酸塩等の無機酸付加塩、例えばぎ酸塩
、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸
塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トル
エンスルホン酸塩等の有機酸付加塩のような酸との塩等
が挙げられる。

この明細書において、以上および以下に使用されている
各種の置換基の定義を以下詳細に説明する。

ｒ低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子１〜６個
を意味するものとする。

「低級アルキル基、および１アリール（低級）アルキル
基」における「低級アルキル部分」の好適な例としては
、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル等のよ
うな直鎖または分枝鎖アルキル基が挙げられる。

「アリール（低級）アルキル基」における「アリール部
分」の好適な例としては、フェニル、ナフチル等が挙げ
られる。

「イミノ保護基、の好適な例としては、例えばホルミル
、アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリ
クロロアセチル等の置換もしくは非置換アルカノイル基
、第３級ブトキシカルボニル、β、β、β−トリクロト
リトキシカルボニノ呟β−トリメチルシリルエトキシカ
ルボニルジルオキシカルボニル、パラニトロベンジルオ
キシカルボニル等のエステル化されたカルボキシル基等
のアシル基の他に、例えばトリメチルシリル、第３級ブ
チルジメチルシリル等のトリ（低級アルキル）シリル基
、ｐ−ニトロベンジル基等が挙げられる。

「ハロゲン、の好適な例としては、塩素、臭素、沃素、
フッ素等が挙げられる。

１有機基」の好適な例としては、例えば前述した様な低
級アルキル基、例えばビニル、アリル、イソプロペニル
、２−ブテニノ呟　３−ブテニル等の炭素数２〜６個を
有する直鎖もしくは分枝鎖アルケニル基、例エバエチニ
ル、１−プロピニル、２−プロピニル、３−ブチニル、
４−ペンチニル等の炭素数２〜６個を有するアルキニル
基、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アル
カノイル基、カルボキシル基、保護されたカルボキシル
基、ヒドロキシ（低級）アルキル基、保護されたヒドロ
キシ（低級）アルキル基、例えばジメチルカルバモイル
、ジエチルカルバモイル等のり（低級）アルキルカルバ
モイル基等が挙げられる。

上記「ヒドロキシ（低級）アルキル基」および「保護さ
れたヒドロキシ（低級）アルキル基．における「低級ア
ルキル部分」の好適な例としては、前に例示されたもの
が挙げられる。

上記１保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基」にお
ける好適なヒドロキシル基の保護基としては、例えば、
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリ
ル、ピバロイル、クロロアセチル、ブロモアセチル等の
置換されていてもよいアルカノイルシカルボニル、β−トリメデルシリルエトキシカルボニ
ル等のエステル化されたカルボキシル基等のアシル基、
第３級ブチル、ベンジル、ｐ−ニトロベンジル、トリチ
ル、β−メトキシエトキシメチル等の置換されていても
よいアルキル基、トリメチルシリル、第３級ブチルジメ
チルシリル等のシリル基、ジボラン、トリイソプロピル
ボランなどのホウ素基、２−テトラヒドロピラニル、４
−メトキシ−４−テトラヒドロピラニルなどのピラニル
基等の慣用のヒドロキシル基の保護基の他、ベンゾイル
、ｐ−トルオイル、ｍ−トルオイル、ナフトイル等のア
ロイル基等が挙げられる。

上記１保護されたカルボキシル基」の好適な例としては
、エステル化されたカルボキシル基が挙げられ、該「エ
ステル化されたカルボキシル基」の１工ステル部分」と
しては、例えばメチルエステル、エチルエステル、プロ
ピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル
、イソブチルエステル、第三級ブチルエステル、ペンデ
ルエステル、第三級ペンチルエステル、ヘキシルエステ
ル等の低級アルキルエステル、例えばビニルエステル、
アリルエステル等の低級アルケニルエステル、例えばエ
チニルエステル、プロピニルエステル等の低級アルキニ
ルエステル、例えばメトキシメチルエステル、エトキシ
メチルエステル、イソプロポキシメチルエステル、１−
メトキシエチルエステル、１−エトキシエチルエステル
等の低級アルコキシ（低級）アルキルエステル、例えば
メチルチオメチルエステル、エチルチオメチルエステル
、エチルチオメチルエステル、イソプロピルチオメチル
エステル等の低級アルキルチオ（低級）アルキルエステ
ル、例えば２−アミノ−２−カルポキシエチルエステノ
呟　３−アミノ−３−カルボキシプロピルエステル等の
アミノおよびカルボキシ置換低級アルキルエステル、例
えば２−第三級プトキシ力ルポニルアミノ−２−ベンズ
ヒドリルオキシカルボニルエチルエステル、３−第三級
ブトキシ力ルポニルアミノ−３−ベンズヒドリルオキシ
カルボニルプロビルエステル等の低級アルフキジカルボ
ニルアミノしくはトリ）フェニル（低級）アルフキジカルボニル置
換低級アルキルエステルのような保護されたアミンおよ
び保護されたカルボキシ置換低級アルキルエステル、例
えば２−ヨードエチルエステル、２．２．２−ト’Ｊク
ロロエチルエステル等のモノ（もしくはジもしくはトリ
）ハロ（低級）アルキルエステル、例えばアセトキシメ
チルエステル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブ
チリルオキシメチルエステル、インブチリルオキシメチ
ルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイ
ルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエ
ステル、２−アセトキシエチルエステル、２−プロピオ
ニルオキシエチルエステル、１−アセトキシプロピルエ
ステル等の低級アルカノイルオキシ（低級）アルキルエ
ステル、例えばメシルメチルエステル、２−メシルエチ
ルエステル等の低級アルカンスルホニル（低級）アルキ
ルエステル、例えばベンジルエステル、４−メトキシベ
ンジルエステル、４−ニトロベンジルエステル、フェネ
チルエステルル、トリチルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチ
ルエステル、３．４−ジメトキシベンジルエステル、４
−ヒドロキシ−３．５−ジ−第三級ブチルベンジルエス
テル等の１個または２個以上の適当な置換基を有してい
てもよいモノ（もしくはジもしくはトリ）フェニル（低
級）アルキルエステルのような１個または２個以上の適
当な置換基を有していてもよいアリール（低級）アルキ
ルエステル、例えばフェニルエステル、トリルエステル
、第三級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、
メシチルエステル、クメニルエステル、サリチルエステ
ル等の１個または２個以上の適当な置換基を有していて
もよいアリールエステル、例えばフタリジルエステル等
の複素環エステル、例えばトリメチルシリルエステル、
トリエチルシリルエステル、第三級ブチル−ジメチルシ
リルエステル、イソプロピルジメチルシリルエステル、
フエニルジメチルシリルエステル等のトリ置換シリルエ
ステル等が挙げられる。

「適当な置換基で置換されていてもよい低級アルキル基
」における適当な置換基としては、例えば、ヒドロキシ
ル基、前に例示した様な保護基で保護されたヒドロキシ
ル基、前に例示した様なハロゲン等が挙げられる。

「エステル残基」の好適な例としては、前に例示した様
なｒエステル化されたカルボキシル基」におけるエステ
ル部分が挙げられる。

以下、この発明を実施例により説明する。

１直五ユ窒素置換した二ロフラスコにテトラヒドロフラン１０１
１１をとり、ジイソプロピルアミン０．　１６１Ｑ（　
１．ｌａ＋　ａ＋ｏｌ）を加え、−７８℃に冷却し、ブ
チルリチウム（ヘキサン溶液）　０．　６９ｍ１１　（
　１．　１ｍ　ｍｏｌ　）を加え、１０分後任温バスを
はずし、３０分後再び一７８℃にして、プロピオン酸エ
チルエステル０．１３ｍＱ（　１．　ｌｏ＋　ｍｏｌ　
）を加えた．１５分後、上記の様にして得られたプロピ
オン酸エチルエステルのリチウムエノラートを含む溶液
に、ジメチルアルミニウムクロリド（ヘキサン溶液）　
１．　１ｍｌｌ　（　１．　１ｍ　ｍｏｌ　）を加え、
さらに１５分後任ーブチリデンフェネチルアミン０．　
１９１１１（１．　０１１１ｍｏｌ　）を加え、１時間
後低温バスをはずし、１晩反応させた．水酸化ナトリウ
ム水溶液で反応を停止し、酢酸エチルで抽出、硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、薄層クロマトグラフィー（ｌｔ［エ
チル：ヘキサン−１　：　２）で１−フェネチル−３−
メチル−４−プロピル−２−アゼチジノン（収率８０．
５％）を単離した。

ＩＲ　（ｎｅａｔ）　：　２９５０．　２８８０、１７
４５．　１４５５．　１４０５。

７４０、　７００　ｃｏ＋−１ ’Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣ１ａ）　：８　０．９０　（ｂ
ｔ．３Ｈ．Ｊ＝６．０Ｈｚ＞。

１、０２〜１．５９　（ｍ．４Ｈ）、　１．０４．　１
．１８　（ｄ．３Ｈ。

Ｊ＝９．０Ｈｚ）、　　２．４５〜３．８１　（ｍ、６
１（＞、　　７．２１　（ｓ。

５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ｅ）　：　２３１　（Ｍ”）この生成物は
’ＨＮＭＲの８　１．０４と１．１８がほぼ６０：４０
にでていることがらシス体とトランス体の比はほぼ６０
　：　４０であると予想できる。

犬直堡１プロピオン酸エチルエステルのかわりにイソ酪酸メチル
エステルを使用し、実施例１と同様にして、１−フェネチル−３，３−ジメチル−４−プロピル−２
−アゼチジノン（収率６０．７％）を得た。

ＩＲ（ｎｅａｔ）　：　２９６０．２８７０．１７４０
．１４５０．１４１５゜１１２０、７４０．７００　ａ
ｍ’ ’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　：８０．９０　（ｂｔ、３
Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）。

１．０８　（ｓ、３Ｈ）、　１．１３　（ｓ、３Ｈ３，
１，１０〜１．６５（ｍ、４Ｈ）、　２．７５〜３．８
０　（ｍ、５Ｈ）、　７．２０（ｓ、　５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ｅ）　：　２４５　（Ｍ　）この反応でジ
メチルアルミニウムクロリドを顔見ないと、上記化合物
は得られなかった。

Ｘ厘勇１プロピオン酸エチルエステルおよびＮ−ブチリデンフェ
ネチルアミンのかわりにイソ酪酸メチルエステルおよび
Ｎ−ブチリデンベンジルアミンをそれぞれ使用し、実施
例１と同様にして１−ベンジル−３，３−ジメチル−４
−プロピル−２−アゼチジノン（収率９４．６％）を得
た。

ＩＲ（ｎｅａｔ）　：　２９５０．２８７Ｇ、　１７４
５．１４６０．１４００゜１１２０、７３０．６９０　
ａｍ’ ’ＨＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ）　’　８０．８４　（ｂｔ、
３Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ＞。

１．１９　（ｓ、３Ｈ）、　１．２５　（ｓ、３Ｈ）、
　１．１０〜１．６５（ｍ、４Ｈ）、　３．０８　（ｔ
、ｌＨ，Ｊ＝５．０Ｈｚ）、　ａ、ｏｔ（ｄ、ＩＨ，Ｊ
＝１５．０Ｈｚ）、　４．６４　（ｄ、ＩＨ。

Ｊ＝１５．０Ｈｚ＞、　７．２０　（ｓ、５Ｈ）ＭＳ　
（ｆｆｉ／ａ）　＋　２３１　（Ｍ　）衷１］ＩＮ−ブチリデンフェネチルアミンのかわりにＮ−ブチリ
デンベンジルアミンを使用し、実施例１と同様にして！−ベンジルー３−メチルー４−ブａピル−２−アゼデ
ジノン（収率６９．２％）を得た。薄層クロマトグラフ
ィーでシス体およびトランス体を単離した（シス体ニド
ランス体−約７５：２５）。

ＩＲ（ｎｅａｔ）　＋　２９４０．１７４５．１４５０
．１４００．７２０゜７００　ａｍ−’ ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　：　シス体、　　Ｓ　Ｏ，
８４（ｂｔ、糺Ｊ＝６．０Ｈｚ）、　１．２０　（ｄ、
３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、　１．１０＝１．６５　（ｎ
＋、４Ｈ）、　３．２１　（ｄｑ、ＩＨ，Ｊ＝７．０゜
６．０Ｈｚ）、　３．４７　（ｄｔ、ＩＨ，Ｊ＝６．５
．６．０Ｈｚ）。

４．０５　（ｄ、ＩＨ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、　４．６
０　（ｄ、ＩＨ。

Ｊ：１５．０Ｈｚ）、　７．２０’（ｓ、５Ｈ）トラ’
／ス体、　ｌ；　０．８６　（ｂｔ、３Ｈ，Ｊ＝６．０
Ｈｚ＞。

１．２３　（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、　１．００
〜１．８０　（ｍ。

４Ｈ）、　２．７５　（ｄｑ、ＩＨ，Ｊ＝７．０．２．
０Ｈｚ）、　２．８５＝３．１０　（ｍ、ＩＨ）、　４
．０２　（ｄ、ＩＨ，、ｃ１５．０Ｈｚ）。

４．６０　（ｄ、ＩＨ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、　７．２
２　（ｓ、５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ｅ）　＋　２１７　（Ｍ
　）Ｋ菖■１プロピオン酸エチルエステルおよびＮ−ブチリデンフェ
ネチルアミンのかわりにイソ吉草酸エチルエステルおよ
びＮ−ブチリデンベンジルアミンを使用し、実施例１と
同様に反応して、１−ベンジル−３−イソプロピル−４
−プロピル−２−アゼチジノン（収率Ｓ７．８％）を得
た。

ＩＲ（ＣＨＣＬ３）　ｊ　２９６０．２８ｇ０．１７３
０．１４５５．１４００゜１３５０　　ａｍ−” ’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　：８　Ｇ、、９０　（ｂｔ
、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ＞。

０．９５　（ｄ、３Ｈ，Ｊｍ７．０Ｈｚ）、　１．１９
　（ｄ、３Ｈ。

Ｊ＝７．０Ｈｚ）、　１．１５〜２．１５　（ａ、５Ｈ
）、　２．８２（ｄｄ、ＩＨ，Ｊ＝９．０．６．０Ｈｚ
）、　３．４７　（ｄｔ、ＩＨ。

Ｊ＝６．０．６．０Ｈｚ）、　４．１０　（ｄ、ＩＨ，
Ｊ＝１５．０Ｈｚ）。

４．７０　（ｄ、ＬＨ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ＞、　７．２
０　（ｓ、５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ａ）　＋　２４５　（Ｍ
　）’ＨＮＭＲからほとんどシス体と思われる。

以下、同様にして下記化合物を得た。

（１）　　１−フェネチル−４−プロピル−２−アゼチ
ジノン（収率８６．９％）ＩＲ（ｎｅａｔ）　：　２９２５．１７５Ｇ、　１４５
０．１４００．７４０゜６９５　ｃｍ−１１ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　’　ｌ；　０．９０　（ｂ
ｔ、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ＞。

１．０１〜１．８９　（ｍ、４Ｈ）、　　２．３０−３
．８０　（ｍ、７Ｈ）。

７．２０　（ｂｓ、　　５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ａ）　：　２１７　（Ｍ”）（２）　　１
−ベンジル−３−メチル−４−イソプロピル−２−アゼ
チジノン（収率８１．５％）ＩＲ（ｎｅａｔ）　：　２
９６０．１７５０．１４５０．１３８５．７２０゜６９
０　ｃｍ−１１ＨＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ）　’　８０．７１　（ｄ、３
Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）。

０．９５　（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、　１．２４
．１．２７’　　（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ＞、　　
１．７５−２．０４　　（ｍ、ＩＨ）。

２．７５〜３．４０　（ｍ、２Ｈ）、　４．００．４．
１０　（ｄ、ＩＨ。

Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、　４．７４　（ｄ、ＩＨ，Ｊ＝１
５．０Ｈｚ）。

７．２３　（ｂｓ、５Ｈ）ＭＳ　（ｔａ／ｅ）　：　２１７　（Ｍ　）：１ｍ　ノ
生ｍｉハＩＨＮＭＨノ８１．２４ト１．２７かホｔｚｓ
ｏ：２゜にでていることからシス体とトランス体の比は
ほぼ８０：２０であると予想できる。

火】０１且プロピオン酸エチルエステルおよびＮ−ブチリデンフェ
ネチルアミンのかわりに３−ヒドロキシ酪酸エチルエス
テルおよびＮ−ブチリデンベンジルアミンをそれぞれ使
用し、実施例１と同様にして、１−ベンジル−３−（１
−ヒドロキシエチル）−４−プロピル−２−アゼチジノ
ンを得た。

ＩＲ（ｎｅａｔ）　’　３４５０．２９４０．１７２０
．１４５５．１３８０゜１１５０、７３０．７００ｃｍ
’ ’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　　　：　　　δ　　０．９
２　　（ｂｔ、３Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ＞。

２．２８　（ｂｓ、ＩＨ）。

３．９２〜４．３０　（ｍ、ＩＨ）４、０８　（ｄ、　ＩＨＪ＝１５．０Ｈｚ）４、６７（
ｄ、　１Ｂ、　Ｊ＝１５．０Ｈｚ　）７．２８　（ｓ、
５Ｈ）ＭＳ　（ｍ／ｅ）　　：　２４７　（Ｍ　）”ＨＮＭＲ
（７）　８２．８３（トランス体）と３．５６（シス体
）の積分比により、この生成物のトランス体とシス体の
比を１＝１と決定した。

東Ａ男ユ実施例４においてプロピオン酸エチルエステルのかわり
にプロピオン酸ｔ−ブチルエステルを使用したところ、
シス体とトランス体の比が変化した。

収率７３χ シス体ニドランス体−５８：　４２ ’ＨＮＭＨの８２．７５．２．８５〜３．１Ｏ（トラン
ス体）δ３．２１．３．４７（シス体）の積分比により決定した比、なおＨＰＬＣ（ヘキサン／
酢酸エチル＝　２　／　１　、　Ｓｈｉｍ−Ｐａｃｋ　
ＣＬＣ−５ＩＬ　Ｏ，１５ｍＸ６．０φ）の面積比によ
り決定した比は５７：４３に直撚１実施例１においてプロピオン酸エチルエステルのかわり
にプロピオン酸ｔ−ブチルエステルを用いたところ、シ
ス体とトランス体の比が変化した。

収率？５！シス体ニドランス体−５０：５０１、）ｌ　ＮＭＲの８１．０４と６’１．１８の強度比
により決定した比、なおＨＰＬＣ（条件は実施例７と同
様）の面積比により決定した比もｓｏ　：　ｓｏであっ
た。

艶曳」プロとオン酸エチルエステルおよびＮ−ブチリデンフェ
ネチルアミンのかわりにイソ酪酸メチルエステルおよび
Ｎ−ベンジリデンブチルアミンを使用し、実施例１と同
様にして１−ブチル−３，３−ジメチル−４−フェニル−２−ア
ゼチジノン）収率（７２，９％）を得た。

ＩＲ（ｎｅａｔ）　：　２９５０．２８６０．１７６０
．１４６０．１４００゜１３６０、７３０．７００　ｃ
ｍ−” ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）　：８０．７６　（ｓ、３Ｈ
）、０．９０（ｂｔ。

３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、　１．０（１〜１．６８　（
ｍ、　４Ｈ）、　１．４０（ｓ、３Ｈ）、　２．８８　
（ｄｔ、ＩＨ，Ｊ：１２．０．７．０Ｈｚ＞。

３．５９　（ｄｔ、ＬＨ，Ｊ＝１２．０．　７．０Ｈｚ
＞、　　４．３１　（ｓ。

ＬＨ）、　　７．０５〜７．４５　（ｍ、５Ｈ）ＭＳ　
（ｍ／ｅ）　：　２３１　（Ｍ”）上記参考例から明白
な様に、本願発明で使用されるジ低級アルキルアルミニ
ウムハライドは、α位に水素のないアルジミン誘導体か
らの２−アゼチジノン誘導体の製造にも適用できる。

特許出願人　　　秋　葉　欣　哉和１）眞藤沢薬品工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素、アリール（低級）アルキル基ま
たはイミノ保護基、Ｒ＾２は水素または低級アルキル基
、Ｒ＾３は水素、ハロゲンまたは有機基をそれぞれ意味
する）で示されるアルジミン誘導体またはその塩類にジ低級ア
ルキルアルミニウムハライドの存在下、一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾４は水素または低級アルキル基、Ｒ＾５は
水素または適当な置換基で置換されていてもよい低級ア
ルキル基、Ｒ＾６はエステル残基をそれぞれ意味する）で示されるカルボン酸エステル化合物のエノラートを反
応させて、一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４およびＲ＾５
はそれぞれ前と同じ意味）で示される２−アゼチジノン誘導体またはその塩類を得
ることを特徴とする２−アゼチジノン誘導体の製造法。